LiNbO3

摘要： 声表面波(SAW)延迟线作为传感器可对传感器进行编码,从而实现多点分布式测量,因而受到广泛研究。该文采用128°Y-X切向LiNbO_(3)作为压电基底,制备了不同对数的叉指换能器(IDT)的SAW延迟线,并研究了其应变特性。研究结果表明,IDT对数为10对、20对、30对时,SAW延迟线应变灵敏度分别为1.7275 ps/με、2.0467 ps/με、3.2566 ps/με。SAW延迟线的应变特性和应变方向与声波传播方向间的夹角有关,夹角为0°时,延迟时间随应变的增大而增大;夹角为90°时,延迟时间随应变的增大而减小。利用夹角分别为0°和90°的SAW延迟线构成了差分结构的应变传感器。测试结果表明,该差分结构可抵消温度的影响,即温度变化时也可获得准确的应变。该文研究的差分结构延迟线有望在温度波动环境中测试应变时得到应用。

摘要： 基于大机电耦合系数LiNbO_(3)材料,该文设计了一种激发Love波模式的宽带低损耗声表面波滤波器。研究了不同切向下LiNbO_(3)材料的机电耦合系数,以及不同切向、膜厚下15°YX-LiNbO_(3)的瑞利波激发情况。测试结果表明,采用铜电极对谐振器进行切趾加权抑制横向模式,宽带滤波器可实现较小的插入损耗和较好的通带特性。

摘要： 针对应变测量的温度干扰问题,文中设计了2个声表面波应变传感器,2个传感器的频率分别为240.856 MHz和239.22 MHz。2个传感器粘贴在悬臂梁上靠近固定端的2个位置,一个沿着声表面的传播方向与应变方向一致的方向粘贴,另一个沿着传播方向与应变垂直的方向粘贴。然后对传感器的温度应变响应进行测试,测得了传感器芯片在25~200°C下的频率响应。结果表明一个谐振器的共振频率随着应变的增加而减小,频率与应变为线性关系,室温下灵敏度为192.5 Hz/με。另一个谐振器的共振频率随着应变的增加而增加,频率与应变为线性关系,室温下灵敏度为128.7 Hz/με。然后提取出不同温度下的应变灵敏度,2个传感器的灵敏度随着温度的变化,先增加后减小。然后将2个传感器频率做差,通过计算实现了应变精确值的提取。

摘要： 自倍频晶体是一种兼具激光特性和非线性特性的复合功能晶体.从非线性光学的基础理论和激光自倍频晶体的基本要求出发,综述了不同稀土离子掺杂的非线性基质LiNbO3、YAB、LCB和ReCOB( Re=Y, Gd)晶体的发展历程,重点总结了近年来在激光自倍频晶体中取得的进展.Nd:GdCOB晶体的545 nm自倍频绿光功率突破10 W,Yb:YCOB晶体的513 nm自倍频青绿光功率突破5 W.通过电子-声子耦合作用,首次在Yb:YCOB晶体中实现瓦级自倍频黄光激光输出,输出波长在565～570 nm内可调谐.自倍频激光器结构简单、稳定性高、抗冲击性强,在军事对抗、激光医疗、激光显示等领域取得了多方面应用,展现出广阔的发展前景.

摘要： 自倍频晶体是一种兼具激光特性和非线性特性的复合功能晶体。从非线性光学的基础理论和激光自倍频晶体的基本要求出发,综述了不同稀土离子掺杂的非线性基质LiNbO_(3)、YAB、LCB和ReCOB(Re=Y,Gd)晶体的发展历程,重点总结了近年来在激光自倍频晶体中取得的进展。Nd:GdCOB晶体的545 nm自倍频绿光功率突破10 W,Yb:YCOB晶体的513 nm自倍频青绿光功率突破5 W。通过电子-声子耦合作用,首次在Yb:YCOB晶体中实现瓦级自倍频黄光激光输出,输出波长在565~570 nm内可调谐。自倍频激光器结构简单、稳定性高、抗冲击性强,在军事对抗、激光医疗、激光显示等领域取得了多方面应用,展现出广阔的发展前景。

摘要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究本征LiNbO3晶体以及Fe、La掺杂LiNbO3的电子结构及光学性质.计算LiNbO 3晶体在不同掺杂体系下的折射率、反射率、吸收函数、能量损失谱以及光电导率等光学性质.结果表明:本征LiNbO 3晶体没有磁性,但可以通过Fe原子的诱导产生自旋极化.Fe掺杂LiNbO 3体系产生的总磁矩为8.54μB,其主要是由Fe的3d轨道自旋极化引起的,而Fe原子提供的磁矩为3.40μB.掺杂原子可以有效调控LiNbO 3晶体的电子结构和光学性质,为改善LiNbO 3晶体的性能提供了可靠的理论依据.

摘要： 针对偏振态控制器(PSC)输出信号精度不高的问题,在制作LiNbO3晶体X-Z-X型PSC的基础上,提出了采用广义回归神经网络(GRNN)对实际的PSC进行建模的方案,并对所提出的方案进行了实验测试和仿真计算.实测结果显示:未加修正模块的PSC输出信号误差最大约为0.06,加上修正模块的信号最大误差约为0.03.

摘要： Interest in energy harvesters has grown rapidly over the last decade. The cantilever shaped piezoelectric energy harvesting beam is one of the most employed designs, due to its simplicity and flexibility for further performance enhancement. The research effort in the MEMS Piezoelectric vibration energy harvester designed using three types of cantilever materials, Lithium Niobate (LiNbO3), Aluminum Nitride (AlN) and Zinc Oxide (ZnO) with different substrate materials: aluminum, steel and silicon using COMSOL Multiphysics package were designed and analyzed. Voltage, mechanical power and electrical power versus frequency for different cantilever materials and substrates were modeled and simulated using Finite element method (FEM). The resonant frequencies of the LiNbO3/Al, AlN/Al and ZnO/Al systems were found to be 187.5 Hz, 279.5 Hz and 173.5 Hz, respectively. We found that ZnO/Al system yields optimum voltage and electrical power values of 8.2 V and 2.8 mW, respectively. For ZnO cantilever on aluminum, steel and silicon substrates, we found the resonant frequencies to be 173.5 Hz, 170 Hz and 175 Hz, respectively. Interestingly, ZnO/steel yields optimal voltage and electrical power values of 9.83 V and 4.02 mW, respectively. Furthermore, all systems were studied at different differentiate frequencies. We found that voltage and electrical power have increased as the acceleration has increased.

摘要： The electronic properties of Cu-doped lithium niobate(LiNbO_(3))systems are investigated by first-principles calculations.In this work,we focus on substitutionally Cu→Li-doped LiNbO_(3) system with cuprous and cupric doping,which corresponds to the Li_(5/6)Cu_(1/6)NbO_(3) and Li_(4/6)Cu_(1/6)NbO_(3)[abbreviated as(Li,Cu Ⅰ)NbO_(3) and(Li,Cu Ⅱ)NbO_(3)].The density functional theory(DFT)calculations show that the electronic property of LiNbO_(3) is completely different from(Li,Cu Ⅰ)NbO_(3) and(Li,Cu Ⅱ)NbO_(3).The calculated band structure and density of state(DOS)of(Li,Cu Ⅰ)NbO_(3) show a small band gap of 1.34 eV and the top of valance band(VB)is completely composed of a doping energy level originating from Cu 3d filled orbital.However,the calculated band structure and DOS of(Li,Cu Ⅱ)NbO_(3) show a relatively large band gap of 2.22 eV and the top of VB is mainly composed of Cu 3d unfilled orbital and O 2p orbital.

摘要： 设计了一种基于LiNbO_3的长周期波导光栅可调谐耦合器.该耦合器利用长周期光栅的独有特性将输入波导的导模经包层模耦合至输出波导导模.由于LiNbO_3的电光效应,波导光栅芯层与包层的有效折射率随外加电压变化,从而耦合器的谐振波长及耦合效率可由外加电压调谐.分析了光栅周期与耦合器的长度对耦合器带宽和耦合效率调谐范围的影响,以及波导尺寸对谐振波长调谐灵敏度的影响.结果表明光栅周期越短,耦合器长度越长,则耦合器的带宽越窄,耦合效率调谐范围也越大.此外,谐振波长调谐灵敏度随波导宽度的增加而减小,而波导厚度对谐振波长调谐灵敏度的影响可以忽略.对光栅周期为94μm、长度为3.52cm的耦合器进行仿真,结果表明,谐振波长灵敏度为26.2pm/V,3dB带宽可达4.5nm,当外加电压从0变化到200V时,谐振波长变化5.24nm,耦合效率可在1到0.15之间进行调谐.

摘要： 随着无扫描半导体激光雷达技术的突破,要求对数十瓦的大功率连续半导体激光源有更好的调制特性.文中比较各种调制方式,认为LiNbO3体调制方案是实现大功率半导体激光调制的有效途径,但其也有调制电压高、集成化小型化能力差的缺陷.基于外延生长技术半导体集成光电子工艺的发展,生长多量子阱和垂直腔面发射激光面阵成为现实.认为采用电吸收调制器与面发射激光器的集成单元构成二维密集阵列有望获得较高调制质量的大功率激光输出,可实现激光雷达的小型化。

摘要： 随着无扫描半导体激光雷达技术的突破,要求对数十瓦的大功率连续半导体激光源有更好的调制特性.文中比较各种调制方式,认为LiNbO3体调制方案是实现大功率半导体激光调制的有效途径,但其也有调制电压高、集成化小型化能力差的缺陷.基于外延生长技术半导体集成光电子工艺的发展,生长多量子阱和垂直腔面发射激光面阵成为现实.认为采用电吸收调制器与面发射激光器的集成单元构成二维密集阵列有望获得较高调制质量的大功率激光输出,可实现激光雷达的小型化。

摘要： 随着无扫描半导体激光雷达技术的突破,要求对数十瓦的大功率连续半导体激光源有更好的调制特性.文中比较各种调制方式,认为LiNbO3体调制方案是实现大功率半导体激光调制的有效途径,但其也有调制电压高、集成化小型化能力差的缺陷.基于外延生长技术半导体集成光电子工艺的发展,生长多量子阱和垂直腔面发射激光面阵成为现实.认为采用电吸收调制器与面发射激光器的集成单元构成二维密集阵列有望获得较高调制质量的大功率激光输出,可实现激光雷达的小型化。

摘要： 随着无扫描半导体激光雷达技术的突破,要求对数十瓦的大功率连续半导体激光源有更好的调制特性.文中比较各种调制方式,认为LiNbO3体调制方案是实现大功率半导体激光调制的有效途径,但其也有调制电压高、集成化小型化能力差的缺陷.基于外延生长技术半导体集成光电子工艺的发展,生长多量子阱和垂直腔面发射激光面阵成为现实.认为采用电吸收调制器与面发射激光器的集成单元构成二维密集阵列有望获得较高调制质量的大功率激光输出,可实现激光雷达的小型化。

摘要： 随着无扫描半导体激光雷达技术的突破,要求对数十瓦的大功率连续半导体激光源有更好的调制特性.文中比较各种调制方式,认为LiNbO3体调制方案是实现大功率半导体激光调制的有效途径,但其也有调制电压高、集成化小型化能力差的缺陷.基于外延生长技术半导体集成光电子工艺的发展,生长多量子阱和垂直腔面发射激光面阵成为现实.认为采用电吸收调制器与面发射激光器的集成单元构成二维密集阵列有望获得较高调制质量的大功率激光输出,可实现激光雷达的小型化。

摘要： 随着无扫描半导体激光雷达技术的突破,要求对数十瓦的大功率连续半导体激光源有更好的调制特性.文中比较各种调制方式,认为LiNbO3体调制方案是实现大功率半导体激光调制的有效途径,但其也有调制电压高、集成化小型化能力差的缺陷.基于外延生长技术半导体集成光电子工艺的发展,生长多量子阱和垂直腔面发射激光面阵成为现实.认为采用电吸收调制器与面发射激光器的集成单元构成二维密集阵列有望获得较高调制质量的大功率激光输出,可实现激光雷达的小型化。

摘要： LiNbO电光调制器是用于高速光通信系统最有希望的器件,已成为国内外研发的热门器件.目前已开发了多种类型的LiNbO电光调制器,本文介绍了几种新型LiNbO电光调制器

摘要： LiNbO电光调制器是用于高速光通信系统最有希望的器件,已成为国内外研发的热门器件.目前已开发了多种类型的LiNbO电光调制器,本文介绍了几种新型LiNbO电光调制器

摘要： LiNbO电光调制器是用于高速光通信系统最有希望的器件,已成为国内外研发的热门器件.目前已开发了多种类型的LiNbO电光调制器,本文介绍了几种新型LiNbO电光调制器

摘要： LiNbO电光调制器是用于高速光通信系统最有希望的器件,已成为国内外研发的热门器件.目前已开发了多种类型的LiNbO电光调制器,本文介绍了几种新型LiNbO电光调制器

摘要： 本发明涉及离子刻蚀、氧气退火与忆阻器领域，尤其涉及一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法。本发明通过Ar+刻蚀技术轰击固体表面使表面原子溅射而被逐层剥离使LiNbO的厚度更进一步的降低，同时引入忆阻器所需的氧空位。代替现有技术采用真空退火工艺引入氧空位的手段，并同时降低阈值电压。并且通过氧气氛围下的退火以修复材料表面氧空位一类的缺陷，让引入的氧空位减少，调节材料表面氧空位浓度。最终本发明解决了单晶薄膜忆阻器阈值较高的问题，同时优化了器件的保持力和耐久力。

摘要： 本发明涉及空气过滤领域，涉及一种LiNbO3/PVDF复合纳米纤维驻极体空气过滤材料及其制备方法。以LiOH，Nb2O5，SDS和PVDF为原料，通过水热反应合成单畴化铁电相单晶结构的LiNbO3纳米晶体。以DMF为溶剂，与PVDF共混制备纺丝溶液，通过静电纺丝的方法，获得LiNbO3/PVDF复合纳米纤维，用作空气过滤材料。该复合材料具有稳定的电荷存储性能和驻极效果，流阻低、过滤效率高，不仅过滤性能优良，而且对常见的细菌还有抑制和杀灭作用。材料的整个制备过程，工艺流程短，操作简单，对环境友好，成本低廉，在空气过滤领域具有很大的应用前景。

摘要： 本发明公开了一种用于碎发脉冲激光的LiNbO3光开关的稳态控制方法及其系统，包括：采集预设时间周期内的碎发脉冲激光的第一光功率数据；基于所述第一光功率数据生成所述碎发脉冲激光的实际脉冲周期；提取所述实际脉冲周期中的功率极大值时间点及其对应的第二光功率数据；重复采集不同偏置电压下所述功率极大值时间点的第三光功率数据并生成最佳偏置电压数据。本发明通过确定碎发脉冲激光的实际脉冲周期以提取功率极大值时间点及其对应的第二光功率数据，并通过数据处理单元控制光子采集单元重复采集不同偏置电压下所述功率极大值时间点的第三光功率数据以提取最佳偏置电压数据，从而保证了检测系统整体的高消光比、高稳定性和高检测精度。

摘要： 本发明公开了一种蓝光LD泵浦Pr:LiNbO3的钠黄光拉曼激光器，包括：激光二极管泵浦源发射增益介质吸收带内的泵浦光，经传能光纤输出，经耦合透镜组聚焦后透过谐振腔共用反射镜进入增益介质；将546nm基频光作为泵浦源，通过优化泵浦条件和输出率条件，使得拉曼增益高于基频光激光增益，斯托克斯光模体积大于基频光模体积，获得一阶斯托克斯光输出；将输出耦合镜镀膜替换为二阶斯托克斯光部分反射、一阶斯托克斯光全反射的多色膜，通过优化泵浦条件和输出率条件，使得二阶斯托克斯光模体积大于一阶斯托克斯光模体积，实现二阶斯托克斯光输出。本发明采用LD直接泵浦单一晶体并结合标准具调谐波长实现精准输出，可极大简化钠黄光固体激光系统。

摘要： 本公开公开了一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换激光器，激光器的水平光路上从左至右依次放置有激光二极管泵浦源、1084nm谐振腔全反镜、偏振片、Nd:MgO:LiNbO3晶体和输出镜；激光二极管泵浦源用于发射泵浦光；1084nm谐振腔全反镜用于反射Nd:MgO:LiNbO3晶体出射的1084nm激光，使1084nm激光在1084nm谐振腔内振荡；偏振片放置在1084nm与1093nm谐振腔的交叉处，与水平光路成45度角放置，用于分离正交偏振双波长；Nd:MgO:LiNbO3用于出射1084nm和1093nm激光；输出镜用于输出1084nm和1093nm激光；电光晶体和1093nm全反镜依次放置在所述偏振片的反射光路上；电光晶体处于1093nm谐振腔中，用于在外加电压的作用下改变1093nm激光的偏振态；1093nm全反镜用于反射1093nm激光，使1093nm激光两次通过所述电光晶体，并在1093nm谐振腔内振荡。

摘要： 本发明属于光通信技术领域，特别涉及一种基于LiNbO3体调制器的自然光通信方法，包括设计基于LiNbO3体调制器的自然光调制装置结构；当一束偏振光延LiNbO3晶体的x轴或者y轴方向通过，在电场驱动下，产生y或者x偏振方向的o光和z偏振方向的e光，o光和e光在出射时将产生相应的相位差，出射光的总偏振态为这两个正交偏振方向出射时状态的矢量和；当向LiNbO3体调制器施加不同的调制电压时，若相位差为π的奇数倍，出射光偏振态与入射光正交；若相位差为π的偶数倍，出射光偏振态与入射光平行。本发明利用LiNbO3材料的特殊电光性质，通过施加电信号，改变光在传播过程中的偏振态，从而实现对透射光波的快速调制。

摘要： 本发明公开了一种LiNbO3/LiTaO3压电涂层传感器及制备方法，该LiNbO3/LiTaO3纳米复合压电涂层采用梯度多层结构，由内到外依次包括结合层、高温扩散阻挡层、压电功能层、保护层、过渡层和电极层，其中，结合层为纯金属Cr，高温扩散阻挡层为AlN，压电功能层为LiNbO3/LiTaO3纳米多层膜，保护层为Cr，过渡层为Ag/Cr，电极层为Ag。本发明的涂层具有比常规压电涂层更好的压电性能、耐高温、耐腐蚀、抗辐照；充分利用梯度结构和纳米多层结构，形成渐变成分，降低涂层和基体应力，附着力优异；该结构可以满足薄膜高温稳定性和低应力的需要，满足长寿命高可靠运行的需求。

摘要： 本发明公开了一种用于碎发脉冲激光的LiNbO3光开关的稳态控制方法及其系统，包括：采集预设时间周期内的碎发脉冲激光的第一光功率数据；基于所述第一光功率数据生成所述碎发脉冲激光的实际脉冲周期；提取所述实际脉冲周期中的功率极大值时间点及其对应的第二光功率数据；重复采集不同偏置电压下所述功率极大值时间点的第三光功率数据并生成最佳偏置电压数据。本发明通过确定碎发脉冲激光的实际脉冲周期以提取功率极大值时间点及其对应的第二光功率数据，并通过数据处理单元控制光子采集单元重复采集不同偏置电压下所述功率极大值时间点的第三光功率数据以提取最佳偏置电压数据，从而保证了检测系统整体的高消光比、高稳定性和高检测精度。

摘要： 本公开公开了一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换激光器，激光器的水平光路上从左至右依次放置有激光二极管泵浦源、1084nm谐振腔全反镜、偏振片、Nd:MgO:LiNbO3晶体和输出镜；激光二极管泵浦源用于发射泵浦光；1084nm谐振腔全反镜用于反射Nd:MgO:LiNbO3晶体出射的1084nm激光，使1084nm激光在1084nm谐振腔内振荡；偏振片放置在1084nm与1093nm谐振腔的交叉处，与水平光路成45度角放置，用于分离正交偏振双波长；Nd:MgO:LiNbO3用于出射1084nm和1093nm激光；输出镜用于输出1084nm和1093nm激光；电光晶体和1093nm全反镜依次放置在所述偏振片的反射光路上；电光晶体处于1093nm谐振腔中，用于在外加电压的作用下改变1093nm激光的偏振态；1093nm全反镜用于反射1093nm激光，使1093nm激光两次通过所述电光晶体，并在1093nm谐振腔内振荡。

摘要： 本发明公开了一种采用铌酸锂LiNbO3材料的光学传感器，属于光学传感器技术领域。一种采用铌酸锂LiNbO3材料的光学传感器，包括主杆、基座，所述主杆上滑动连接有第一套筒、第二套筒，所述第一套筒、第二套筒上均通过螺纹转动连接有第一螺栓，所述第二套筒上固定连接有第二横板，所述第二横板上连接有固定架，本发明中通过第一套筒、第一螺栓、正反转丝杆、滑块、固定块的设置，可以对光学传感器的高度进行调节，使其固定在合适的位置，提高光学传感器检测的准确性，通过第三套筒、第四套筒的设置，使用者可以通过转动第四套筒来调整光学传感器本体与铌酸锂镜片之间的距离，方便获得清晰的图像，且操作过程方便，结构简单。