LED器件

摘要： 以稀土材料为载体,在实验教学中引入思政元素。以LED三基色中红光为例,介绍了稀土发光材料的荧光机理。采用X-射线衍射仪、场发射扫描电镜和荧光光谱仪对市售黄光粉Y_(3)Al_(5)O_(12):Ce、红光粉Y_(2)O_(3):Eu、蓝光粉BaMgAl_(10)O_(17):Eu、绿光粉(Sr,Ba)_(2)SiO_(4):Eu进行表征,获得了其物相结构、表面形貌、激发和发射光谱等信息。学生将理论知识有效转化,自制各色LED器件。该实验设计内容全面,具有高阶性、创造性和趣味性,教学实践结果令人满意。

摘要： 采用磁控溅射和离子辅助沉积等方式制作多种ITO薄膜。结果发现LED器件电压主要受底部膜层沉积方式和第二段退火条件的影响。另外,膜层的最终表面对光萃取有显著影响,结合离子辅助蒸镀技术,可获得更优光萃效果的纳米粗化表面,其中溅射200Å厚度搭配蒸镀100Å厚度的ITO复合膜系,经二次退火后具有最佳特性。

摘要： 采用磁控溅射和离子辅助沉积等方式制作多种ITO薄膜.结果发现LED器件电压主要受底部膜层沉积方式和第二段退火条件的影响.另外,膜层的最终表面对光萃取有显著影响,结合离子辅助蒸镀技术,可获得更优光萃效果的纳米粗化表面,其中溅射200?厚度搭配蒸镀100?厚度的ITO复合膜系,经二次退火后具有最佳特性.

摘要： 以大麦苗为碳源,采用一锅热解法成功获得碳点(CDs),并对其硼、氮及混合掺杂体系进行了研究.该类型碳点在水溶液中表现出很强的紫外光区宽带吸收,并产生独特的近紫外光和蓝光双发射光学特性;单掺硼及硼氮共掺的CDs粉体表现出良好的固体发光特性,在蓝光区具有较强激发并产生明亮的绿光发射.将这两种CDs作为荧光粉与蓝光GaN芯片结合,制作出LED器件,表现出良好的发光性能.通过K2 SiF6:Mn4+红粉的引入可得到高效、高显色性的白光LED.

摘要： 本研究基于通用照明领域常用LED器件光谱数据,通过节律刺激值计算方法,详细计算并分析了节律刺激值与色温、显指和照度的关系.研究发现:1)随着光源颜色色温升高,节律刺激值随之升高,但4000 K色温除外;2)不同色温光源,随着显指升高,节律刺激值随之变化趋势不同;3)随着照度升高,节律刺激值随之增大,变化趋势逐渐变缓;随着照度升高至10000 lx以上,节律刺激值接近0.7的饱和状态;以上结果对于LED照明灯具设计和器件选型具有较强的指导意义.

摘要： 基于通用照明领域常用的LED器件光谱数据,通过显色指数(Ra)和IES TM-30色保真指数(Rf)和色域指数(Rg)计算方法,详细分析了三大系列(R70、R80、R90)典型相关色温器件光源的色保真指数、色域指数及色矢量图.研究发现:各系列光源色保真指数与显色指数对比有一定的稳定性差值;R80系列比R70和R90系列相差小.通过色域指数和颜色矢量图分析,R70、R80两大系列对较多颜色显色性能较差;而R90系列光源色域指数相对较高,在100左右,且对较多颜色显色性能较强,特别是红、黄绿、蓝色等.以上结果对于照明灯具设计和器件选型具有一定的参考意义.

摘要： 专注于引入新品的全球电子元器件授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起备货NXP Semiconductors的S32K ISELED微控制器。作为NXP的S32K系列汽车级微控制器的一员,S32K ISELED器件具有与其他成员相同的功能,并且增加了ISELED通信协议。ISELED是一个开放的联盟,致力于提供专门针对汽车和工业应用的下一代智能LED照明技术。

摘要： 西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制,创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管。由于大尺寸的氮化物衬底成本高昂,氮化物薄膜通常是基于蓝宝石、硅等异质材料衬底进行外延生长的。而晶体衬底与氮化物之间存在严重的晶格失配,使得外延GaN薄膜内具有很大的应力,并产生众多的穿透位错,从而导致LED器件发光效率降低。

摘要： 与传统的照明光源(白炽灯、荧光灯、高强度放电灯)相比，LED由于具有节能、高效、寿命长、抗震、体积小、响应速度快等优点，大功率LED器件得到了越来越广泛的应用，市场潜力逐渐变大。作为一种新型的照明光源，大功率LED照明产品将成为继传统照明光源之后的新一代照明光源[1]。然而，在众多的LED照明产品中，产品质量良莠不齐，其中问题之一是LED器件的可靠性。LED光源与灯具的可靠性问题阻碍了其进入通用照明的步伐[2].LED产品的可靠性，是决定其能否进入通用照明的关键因素之一。研究人员们对LED可靠性做了大量的研究工作，常见的寿命试验方法有普通条件外推法、温度加速寿命实验法、电流加速寿命实验法，由于普通条件外推法周期非常长，一般多采用温度加速寿命实验法和电流加速寿命实验法。

摘要： 与传统的照明光源(白炽灯、荧光灯、高强度放电灯)相比，LED由于具有节能、高效、寿命长、抗震、体积小、响应速度快等优点，大功率LED器件得到了越来越广泛的应用，市场潜力逐渐变大。作为一种新型的照明光源，大功率LED照明产品将成为继传统照明光源之后的新一代照明光源[1]。然而，在众多的LED照明产品中，产品质量良莠不齐，其中问题之一是LED器件的可靠性。LED光源与灯具的可靠性问题阻碍了其进入通用照明的步伐[2].LED产品的可靠性，是决定其能否进入通用照明的关键因素之一。研究人员们对LED可靠性做了大量的研究工作，常见的寿命试验方法有普通条件外推法、温度加速寿命实验法、电流加速寿命实验法，由于普通条件外推法周期非常长，一般多采用温度加速寿命实验法和电流加速寿命实验法。

摘要： 与传统的照明光源(白炽灯、荧光灯、高强度放电灯)相比，LED由于具有节能、高效、寿命长、抗震、体积小、响应速度快等优点，大功率LED器件得到了越来越广泛的应用，市场潜力逐渐变大。作为一种新型的照明光源，大功率LED照明产品将成为继传统照明光源之后的新一代照明光源[1]。然而，在众多的LED照明产品中，产品质量良莠不齐，其中问题之一是LED器件的可靠性。LED光源与灯具的可靠性问题阻碍了其进入通用照明的步伐[2].LED产品的可靠性，是决定其能否进入通用照明的关键因素之一。研究人员们对LED可靠性做了大量的研究工作，常见的寿命试验方法有普通条件外推法、温度加速寿命实验法、电流加速寿命实验法，由于普通条件外推法周期非常长，一般多采用温度加速寿命实验法和电流加速寿命实验法。

摘要： 本文依据EIAJED-470 1/100和IEC 60749-25标准，设计了加速条件为-25°C／125°C的高低温循环加速老化实验。通过3组1W的LED器件和1组COB集成封装LED器件的加速老化，分析了光电热等特性随老化时间的变化情况。加速老化实验结果表明，不同结构材料封装的LED器件光衰速率不同，蓝光LED器件的主波长变化不明显，白光LED器件色温略有变化；器件的结温、热阻随老化时间呈升高趋势；各组LED器件的失效情况相差很大；COB器件的光通量维持率与失效情况都优于普通功率型LED.本实验表明了高低温循环加速老化的实验方法对评价LED的可靠性有重要的参考意义.

摘要： 本文依据EIAJED-470 1/100和IEC 60749-25标准，设计了加速条件为-25°C／125°C的高低温循环加速老化实验。通过3组1W的LED器件和1组COB集成封装LED器件的加速老化，分析了光电热等特性随老化时间的变化情况。加速老化实验结果表明，不同结构材料封装的LED器件光衰速率不同，蓝光LED器件的主波长变化不明显，白光LED器件色温略有变化；器件的结温、热阻随老化时间呈升高趋势；各组LED器件的失效情况相差很大；COB器件的光通量维持率与失效情况都优于普通功率型LED.本实验表明了高低温循环加速老化的实验方法对评价LED的可靠性有重要的参考意义.

摘要： 本文依据EIAJED-470 1/100和IEC 60749-25标准，设计了加速条件为-25°C／125°C的高低温循环加速老化实验。通过3组1W的LED器件和1组COB集成封装LED器件的加速老化，分析了光电热等特性随老化时间的变化情况。加速老化实验结果表明，不同结构材料封装的LED器件光衰速率不同，蓝光LED器件的主波长变化不明显，白光LED器件色温略有变化；器件的结温、热阻随老化时间呈升高趋势；各组LED器件的失效情况相差很大；COB器件的光通量维持率与失效情况都优于普通功率型LED.本实验表明了高低温循环加速老化的实验方法对评价LED的可靠性有重要的参考意义.

摘要： 本文依据EIAJED-470 1/100和IEC 60749-25标准，设计了加速条件为-25°C／125°C的高低温循环加速老化实验。通过3组1W的LED器件和1组COB集成封装LED器件的加速老化，分析了光电热等特性随老化时间的变化情况。加速老化实验结果表明，不同结构材料封装的LED器件光衰速率不同，蓝光LED器件的主波长变化不明显，白光LED器件色温略有变化；器件的结温、热阻随老化时间呈升高趋势；各组LED器件的失效情况相差很大；COB器件的光通量维持率与失效情况都优于普通功率型LED.本实验表明了高低温循环加速老化的实验方法对评价LED的可靠性有重要的参考意义.

摘要： 传统的LED皆以直流电作为驱动，在AC/DC(交流/直流)转换的过程中，有高达15～30％的电力耗损。为了避免这部分的耗损，研发公司直接用AC驱动的LED就成了一个新构想。本文通过对LED器件进行AC驱动连接，并对AC LED的光学性能进行了初步研究，最后对AC LED与DC LED的光学性能进行了对比分析。

摘要： 传统的LED皆以直流电作为驱动，在AC/DC(交流/直流)转换的过程中，有高达15～30％的电力耗损。为了避免这部分的耗损，研发公司直接用AC驱动的LED就成了一个新构想。本文通过对LED器件进行AC驱动连接，并对AC LED的光学性能进行了初步研究，最后对AC LED与DC LED的光学性能进行了对比分析。

摘要： 传统的LED皆以直流电作为驱动，在AC/DC(交流/直流)转换的过程中，有高达15～30％的电力耗损。为了避免这部分的耗损，研发公司直接用AC驱动的LED就成了一个新构想。本文通过对LED器件进行AC驱动连接，并对AC LED的光学性能进行了初步研究，最后对AC LED与DC LED的光学性能进行了对比分析。

摘要： 本发明公开一种LED器件、LED器件的制造方法和LED车灯，其中，LED器件包括基板，基板具有安装侧面，安装侧面上至少设置有一组芯片组，每组芯片组的四周环设有白胶层，芯片组远离基板的一侧设置有荧光层，白胶层具有远离基板的第一侧面，荧光层具有远离芯片组的第二侧面，第一侧面的高度低于第二侧面的高度，第一侧面上凹设有至少一个第一凹槽。通过将第一侧面设置为低于第二侧面，可以使白胶层和荧光层之间边界清晰，避免产生发光暗区，使LED器件的发光颜色更加均匀，还可以缩短芯片组内的芯片和外界空气的热辐射路径，提高其散热性能；通过设置第一凹槽，可以增大第一侧面的表面积，从而增大了白胶层向外热辐射的表面积，进一步提高了LED器件的散热性能。

摘要： 本发明公开了一种LED器件，包括LED芯片、支架和导电线，导电线为三维结构，其包括依次设置的竖直段、斜向上倾斜的第一应力缓冲段、斜向下倾斜的第二应力缓冲段以及斜向下倾斜的第三应力缓冲段；竖直段、第一应力缓冲段、第二应力缓冲段以及第三应力缓冲段之间依次形成第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段，第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段沿导电线的长度方向依次设置，且第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段的弯折方向相反；导电线的一端用于连接LED芯片，另一端用于连接支架或另一LED芯片。本发明还公开了一种LED灯以及加工LED器件的导电线的方法。本发明的LED器件的可靠性有所提高。

摘要： 本发明涉及一种白光LED器件的封装方法，包括：S1准备LED晶圆片；S2设置荧光胶；S3芯片分离；S4固晶；S5封装，相应的，本发明还提供基于所述封装方法的LED器件及其LED灯。本发明提供的一种白光LED器件的封装方法，在LED晶圆片的透明衬底层底面设置荧光胶，一方面将其应用于LED器件及其LED灯中，从LED芯片底部发出的蓝光经过荧光胶激发后，使得LED器件整体发白光，解决了传统透明基板的白光LED器件蓝光泄露的问题，另一方面，相对于在LED芯片底部设置荧光粉，生产效率高，适应于大批量工业生产，节约成本。

摘要： 本发明提供了一种具有LED封装的LED器件，该LED封装包括LED以及与LED处于光学接收关系的光学元件。所述光学元件在远离LED的出口表面处比在邻近所述LED的底表面处具有更高的光吸收特性。所述光学元件可以具有不同的环氧树脂、染料和不透明颗粒。本发明还披露了一种用于制造所披露的LED器件的方法。

摘要： 本发明公开一种LED基板制作方法，在制作LED基板时，通过在临时载板覆上替代PCB板粘接材的绝缘胶层，待胶层固化之后，再在胶层的表面制作导电金属层，然后图案化导电金属层形成用于焊接LED芯片的焊盘，最终获得LED基板。LED基板制作流程简易，且不存在由于层压等工序导致的板翘/板厚度不均等问题，可以有效提高LED生产良率。而且，本发明借助蒸镀、黄光制程等工艺，LED基板可以做到极小的焊盘间距，能够适用于Micro LED的间距要求。另，本发明还公开一种采用该LED基板制作方法制成的LED基板、采用制成的LED基板进一步制作LED器件的LED器件制作方法以及采用该LED器件制作方法制成的LED器件。

摘要： 一种LED电子器件的制作方法、LED电子器件及发光器件，该LED电子器件的制作方法包括：在介质基板的一面生成第一线路层；对第一线路层填充正光阻，并将正光阻按照预设光罩进行图形化处理；对图形化处理后的正光阻填充介电材料；去除残留在第一线路层的正光阻，以获得用于绑定LED芯片的第一线路层裸露位置；以及在第一线路层裸露位置绑定LED芯片并进行封装。本发明技术方案将LED芯片集成封装在LED电子器件内部，进而控制芯片发光，发光器件内部只需封装微型LED电子器件即可实现LED的全彩显示，较大缩减了发光器件的尺寸空间，节省了发光器件的制作材料。

摘要： 一种近紫外白光LED用稀土铕配合物及红光LED器件和白光荧光粉和白光LED器件，属于固态照明技术领域。采用回流法和真空干燥法，制得Eu(AA)

摘要： 本申请实施例提供一种微型LED芯片制作方法、微型LED显示器件制作方法和微型LED显示器件，通过提供第一转移基板和第二转移基板，首先将衬底表面的外延层贴合至第一转移基板，将衬底从外延层上剥离。再将外延层远离第一转移基板的一侧贴合至第二转移基板，将第一转移基板从外延层上剥离，以暴露出外延层用于芯片制作的一侧。最后，在外延层远离第二转移基板的一侧进行微型LED芯片制作，形成微型LED芯片阵列。如此，避免了传统方式中所采用的完成芯片制作之后再转移所存在的芯片位移及损失的风险的问题，提高了转移良品率及精确度。

摘要： 一种微型LED器件用上基板、微型LED器件以及微型LED显示装置，其中微型LED器件用上基板包括：底部基板；形成在底部基板上具有能够覆盖微型LED用下基板的非开口区的图案的金属层；形成在底部基板上的石墨烯层；以及形成在底部基板上覆盖金属层和石墨烯层的透明粘合层。

摘要： 本发明公开了一种LED器件的焊线封装工艺，LED器件包括LED芯片、用于承载LED芯片的支架以及至少一条电性连接LED芯片和支架的焊线，焊线封装工艺包括以下步骤：(1)将焊丝安装在焊线机的劈刀上，并将安装有芯片的支架定位在焊线区内；(2)将焊丝的端部烧结形成第一加强球，并将第一加强球焊接在LED芯片的电极上；(3)焊丝在劈刀的驱动下沿着设定轨迹运行，然后将焊丝的端部焊接在支架上；(4)切断焊丝，将劈刀上的焊丝烧结成第二加强球，然后将第二加强球焊接在第一加强球上，并使第二加强球至少覆盖第一加强球和焊线的过渡部位。本发明还公开了一种LED器件及LED灯。本发明的LED器件的使用寿命长。