LEC

摘要： 介绍了桥梁风险评估体系建立的必要性,以及桥梁风险评估的历史与发展。讲解了风险评估的评估过程与分类,并着重描述了作业条件危险性评价法(LEC)。同时,结合工程实际运用了LEC方法,针对不同影响程度的因素分别给出了对策,并分析了该方法的不足及日后发展的方向。

摘要： 不良地质条件下,盾构掘进易出现刀具异常磨损、刀盘结泥饼等现象,此过程中需经常进行带压开仓检查换刀作业,但带压开仓检查换刀作业安全风险极高。因此,开展不良地质条件下带压开仓作业风险辨识与分析,并有针对性地研究制定风险应对技术措施,是保证盾构带压开仓作业安全的关键。本文以福州地铁5号线荆溪新城站~农林大学站盾构区间隧道工程不良地质为背景,针对带压开仓作业安全风险采用LEC法进行了专题分析,并根据分析结果开展系列应对技术研究,其研究成果的应用保证了盾构带压开仓作业的安全,也为今后类似工程提供了极具价值的借鉴和参考。

摘要： 4月11日凌晨,从败者组杀回的G2先后横扫对手VIT、MSF、FNC及RGE,以十二小场连胜完成一穿四,夺得2022年LEC春季赛冠军。这场决赛在柏林演播室举行,即是以往LEC常规赛的举办场地,乍看的确让人感觉简陋--过于狭小的舞台只能容纳对位选手依次登场,再没有多余的空间可供表演,甚至观众能够从直播看到的动画也会显得不清不楚,但不得不承认的是,现场气氛还是足够热烈。

摘要： 有森林,有湖畔,有蔚蓝的天空,还有雪……让人看着都向往。笔者说的就是芬兰GENELEC(真力)总部的所在地,风光如画的lisalmi镇。去真力的总部游玩一番,可能不容易,但要体验或者购买真力的有源音箱,却不难。

摘要： 随着电影配乐大师威廉姆斯一曲“THE FLIGHT TONEVERLAND from HOOK”的结束,拉开了真力8341A的试听序幕。而真力8341A就这一曲呈现的声音效果,已经让笔者感到十分满足。自从2014年真力首次推出同轴有源音箱The Ones系列,笔者就一直关注着。首款产品8351A的问世让笔者知道了什么叫中高音同轴单元,也知道了“赛道式低音”这个新颖的名词。

摘要： 为降低养护作业风险,提高养护作业的安全性,采用Apriori算法挖掘布控及施工过程中对养护作业安全影响具有强相互关联的问题,并基于优化评价指标后的LEC法对高速公路养护作业区布控及施工进行风险分析。对某省高速公路养护期间的作业区布控及作业区内施工情况进行调研分析,结果表明所用方法可有效提取影响养护作业安全的关键问题,评估养护作业的风险等级,为后续的养护作业安全管理提供理论指导及依据。

摘要： 以吡啶类化合物为环金属配体,4,4′⁃二溴⁃2,2′⁃联吡啶为辅助配体,PF_(6)^(-)为抗衡离子,成功合成了一种新型阳离子型环金属铱配合物[Ir(pmppy)_(2)(Br_(2)bpy)]PF_(6)(pmppy=2,5⁃二苯基⁃4⁃甲基吡啶,Br_(2)bpy=4,4′⁃二溴⁃2,2′⁃联吡啶)。通过元素分析、核磁共振谱、红外光谱、质谱分析及X单晶衍射对配合物的结构进行了表征。测试了配合物的紫外⁃可见吸收光谱和荧光光谱,同时考察了配合物的热稳定性。结果表明:配合物为单斜晶系、C12/c1空间群;配合物在二氯甲烷溶液状态下为橙光发射,最大发射波长为601 nm。

摘要： 港口工程施工危险源辨识及其评估分级对于降低事故损失和保障港口工程安全施工有重要的意义.文章根据港口工程的施工特征,以施工工序为基础将港口工程施工划分为12项工艺流程单元,并将64项子工序作为港口施工中的危险源;然后对作业条件危险性评价法(LEC)中三个因素的等级及其赋值进行了优化;最后采用改进的LEC方法以其它水上作业工序为例进行了危险源评估及分级,为分级管控港口工程施工中的危险源提供理论依据.

摘要： 在笔者看来,GENELEC真力可能是一家非常“逆潮流”的公司了。如今很多企业的思路似乎都是快节奏扩张、短期内追求爆发式增长,而这家公司却四十多年来一直在森林湖边,坚持小规模精细化制造,保持着家族企业的本色;很多企业都追求全产业链,打造“生态圈”,而这家公司却选择在“专业有源监听”这个鲜为人知的精小领域深耕细作。

摘要： 建筑工程安全生产至关重要.本文首先在掌握建筑工程安全管理的相关概念、方法、政策、法律法规等的基础上,立足于娇山府项目,通过安全检查表法、对照分析法和经验法识别出娇山府工程项目的主要施工危险源,并编制出危险源清单;然后结合问卷调查和专家打分法,使用作业条件危险性评价法对识别出来的主要施工危险源进行危险性等级划分;最后,针对主要施工危险源,从多个方面提出了具有针对性的安全管理措施.

摘要： 众所周知,采用LEC方式生长的砷化镓晶体内在应力大于其它生长方式约10倍左右,切割中如何降低"裂纹"断底":对其应力进行控制,已是目前大直径LEC薄片加工中重要问题,本文重点对光电子所需要的3-5英寸大直径LEC晶体,400微米以下薄片切割工艺中石墨几何形状对晶体受力进行分析,并提出一些改进措施,工艺试验均在U600线切割机上进行.

摘要： 众所周知,采用LEC方式生长的砷化镓晶体内在应力大于其它生长方式约10倍左右,切割中如何降低"裂纹"断底":对其应力进行控制,已是目前大直径LEC薄片加工中重要问题,本文重点对光电子所需要的3-5英寸大直径LEC晶体,400微米以下薄片切割工艺中石墨几何形状对晶体受力进行分析,并提出一些改进措施,工艺试验均在U600线切割机上进行.

摘要： 众所周知,采用LEC方式生长的砷化镓晶体内在应力大于其它生长方式约10倍左右,切割中如何降低"裂纹"断底":对其应力进行控制,已是目前大直径LEC薄片加工中重要问题,本文重点对光电子所需要的3-5英寸大直径LEC晶体,400微米以下薄片切割工艺中石墨几何形状对晶体受力进行分析,并提出一些改进措施,工艺试验均在U600线切割机上进行.

摘要： 众所周知,采用LEC方式生长的砷化镓晶体内在应力大于其它生长方式约10倍左右,切割中如何降低"裂纹"断底":对其应力进行控制,已是目前大直径LEC薄片加工中重要问题,本文重点对光电子所需要的3-5英寸大直径LEC晶体,400微米以下薄片切割工艺中石墨几何形状对晶体受力进行分析,并提出一些改进措施,工艺试验均在U600线切割机上进行.

摘要： 本文介绍一种新型低发射区浓度(LEC)结构的高电流增益晶体管3DA3807的设计与制造，阐述了其与一般常规晶体管比较所显示的结构特点,概述了所采用的包括真空注入在内的关键制造工艺,讨论了研制中遇到的一些问题。

摘要： 本文介绍一种新型低发射区浓度(LEC)结构的高电流增益晶体管3DA3807的设计与制造，阐述了其与一般常规晶体管比较所显示的结构特点,概述了所采用的包括真空注入在内的关键制造工艺,讨论了研制中遇到的一些问题。

摘要： 本文介绍一种新型低发射区浓度(LEC)结构的高电流增益晶体管3DA3807的设计与制造，阐述了其与一般常规晶体管比较所显示的结构特点,概述了所采用的包括真空注入在内的关键制造工艺,讨论了研制中遇到的一些问题。

摘要： 本文介绍一种新型低发射区浓度(LEC)结构的高电流增益晶体管3DA3807的设计与制造，阐述了其与一般常规晶体管比较所显示的结构特点,概述了所采用的包括真空注入在内的关键制造工艺,讨论了研制中遇到的一些问题。

摘要： 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法，包括步骤A、将制备化合物的系统抽真空并充入惰性气体；步骤B、加热使合成坩埚内的金属原料和氧化硼Ⅰ熔化；步骤C、加热使氧化硼Ⅱ熔化，合成注入系统向下移动使注入合成管的端部移动至合成坩埚的金属原料内合成第一熔体；步骤D、缓慢降低VGF坩埚内的压力使第一熔体进入VGF坩埚内形成第二熔体等步骤。本发明的上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能进行气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。

摘要： 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的系统，包括机架、设置在机架上的密封炉室、籽晶杆和合成注入系统，密封炉室包括主炉体、位于主炉体内的合成坩埚、上炉体、位于上炉体内的VGF坩埚以及设置在VGF坩埚底部的吸液管，所述吸液管的下端部位于合成坩埚的底部上方；所述合成注入系统位于所述主炉体内，所述籽晶杆中的籽晶位于所述VGF坩埚内。本发明的有益效果是：上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸的方式进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。

摘要： 本发明涉及LEC2基因在提高植物低氮胁迫耐受性上的应用，属于基因工程领域，在此基础上进一步提供一种提高植物低氮胁迫耐受性的方法，即首先构建含有LEC2转录因子的重组植物表达载体；然后将构建的重组植物表达载体转化到植物组织或细胞中异位表达；培育筛选出低氮胁迫耐受性增强的转基因植株。本发明首次揭示了LEC2转录因子在提高植物低氮胁迫耐受性方面的新应用，对于提高植物氮肥利用效率，发展节约型农业模式具有重要意义。

摘要： 本发明提供一种基于LEC冷光的移动广告灯箱，该基于LEC冷光的移动广告灯箱，包括箱体，所述箱体的一侧设置有折叠组件，所述箱体底部的四角均固定连接有移动轮，所述箱体的顶部固定连接有灯箱，所述灯箱的一侧固定连接有第一支撑板，所述灯箱远离第一支撑板的一侧固定连接有第二支撑板，所述第一支撑板和第二支撑板的底部均与箱体的顶部固定连接，所述灯箱的内壁设置有冷光广告板，所述折叠组件包括固定块和固定轴，所述箱体的一侧固定连接有固定块。本发明提供的基于LEC冷光的移动广告灯箱解决了现有的很多广告灯箱质量比较大，在将这些灯箱在放置到指定位置时，移动起来费时费力，不够方便的问题。

摘要： 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法，包括步骤A、将制备化合物的系统抽真空并充入惰性气体；步骤B、加热使合成坩埚内的金属原料和氧化硼Ⅰ熔化；步骤C、加热使氧化硼Ⅱ熔化，合成注入系统向下移动使注入合成管的端部移动至合成坩埚的金属原料内合成第一熔体；步骤D、缓慢降低VGF坩埚内的压力使第一熔体进入VGF坩埚内形成第二熔体等步骤。本发明的上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能进行气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。

摘要： 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的系统，包括机架、设置在机架上的密封炉室、籽晶杆和合成注入系统，密封炉室包括主炉体、位于主炉体内的合成坩埚、上炉体、位于上炉体内的VGF坩埚以及设置在VGF坩埚底部的吸液管，所述吸液管的下端部位于合成坩埚的底部上方；所述合成注入系统位于所述主炉体内，所述籽晶杆中的籽晶位于所述VGF坩埚内。本发明的有益效果是：上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸的方式进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。

摘要： 本发明公开了一种基于LEC的动态安全风险评价方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，采用LEC法定量计算固有风险值；步骤二，根据所述固有风险值计算动态风险值；步骤三，根据风险对人身伤害的程度划分风险等级；步骤四，根据所述风险等级设定对应的所述动态风险值。主要以现场管控和监护措施为主，更合理、更全面的细化了风险评价的场景、各场景下的风险因素，并与风险等级相对应，避免了固有风险评价时的局限性和经验主义。

摘要： 本发明提供了一种基于改进的LEC风险隐患双重预防体系构建方法。方法包括：步骤1、合理划分风险评估单元；步骤2、辨识危险源(危险、有害因素)；步骤3、基于改进的LEC方法确定风险等级；步骤4、风险分级管控；步骤5、隐患等级的确定与划分；步骤6、编制隐患排查清单；步骤7、隐患排查治理；步骤8、评审和持续改进。本发明引入现有管控措施的失效频率概念，实现动态风险等级的确定与划分，同时将现有管控措施的失效定义为事故隐患，隐患排查治理在风险分级管控的基础上，与现有管控措施相关联，构建更符合企业实际的风险隐患双重预防体系，真正实现事故预防为主，源头治理。

摘要： 本实用新型公开了LEC‑III低氮燃烧系统清吹阀开关自动计时电路，包括清吹阀VA13‑1和VA13‑2的控制信号l20pgt1和l20pgt2，VA13‑1和VA13‑2的关闭、打开状态指示信号L33pg1c、L33pg3c、L33pg2o、L33pg4o，与门，计时器；VA13_1_TO、VA13_1_TC为清吹阀VA13‑1开、关计时信号、VA13_2_TO、VA13_2_TC为清吹阀VA13‑2开、关计时信号；其中，l20pgt1、L33pg1c取非，2者并联以后依次连接第一与门、第一计时器的计时端S端(计时器端)，形成清吹阀VA13‑1的关信号VA13_1_TC；l20pgt1取非、L33pg2o取非，2者并联以后依次连接第二与门、第二计时器的计时端S端，形成清吹阀VA13‑1的开信号VA13_1_TO。

摘要： 本发明属于生物技术领域，具体涉及一种改造CHO‑lec2细胞提高抗体糖链中半乳糖含量的方法。本发明对抗体生产常用细胞株CHO‑lec2进行了研究，意外发现在此细胞株的遗传背景下过表达GT，可以显著提高CHO‑lec2细胞所表达的抗体的糖链中半乳糖含量。