LBO

摘要： 介绍了皮秒激光器脉宽压缩和展宽的的应用需求和传统的实现方法,同时论述了在腔内利用相位失配的倍频晶体进行脉宽的压缩和展宽的原理.实验研究了在半导体泵浦的Nd:YVO4半导体可饱和吸收体(SESAM)被动锁模激光器腔内,在相位失配的情况下,插入I类相位匹配LBO晶体,可以把激光脉冲宽度从8.7 ps压缩到4.8 ps;而腔内插入不同厚度Ⅱ类相位匹配KTP晶体,可以把激光脉宽展宽到12.8 ps、42.8 ps甚至63 ps.并对脉冲宽度的压缩和展宽进行了原理上的论述,扩展了SESAM锁模激光器在激光测距和激光加工以及激光雷达探测等应用中适用范围.

摘要： 20世纪70年代,中国科学家在非线性光学晶体研究领域放弃跟踪国外已有研究的做法,依据原创科学理论——阴离子基团理论开展自主探索,先后发现了BBO、LBO、KBBF等系列硼酸盐优质非线性光学晶体,其中BBO、LBO两种晶体在20世纪90年代被国际学术界誉为“中国牌”晶体,KBBF晶体对西方国家实行技术“禁运”。BBO等系列优质晶体的发现,引领了非线性光学晶体研究的国际发展方向,是当代中国最具国际影响力的前沿科学研究之一。以史为鉴,在今天大力倡导自主创新的历史时期,“中国牌”晶体的成功经验能在原始创新的内部驱动、外部环境营造、创新人才培养等方面给予人们有益的启示。

摘要： This paper introduced VoLTE roaming standard procedure and commercialization state. It compared LBO and S8HR roaming architecture and their speciifc requirements on mobile device. This paper also analyzed network selecting and registration procedure of mobile device while deploying VoLTE roaming. At last, it proposed commercializing VoLTE roaming solutions for service providers.%介绍了VoLTE国际漫游标准化进程以及运营商商用状况，对LBO和S8HR漫游架构进行对比分析，并研究不同漫游架构对移动终端的特殊要求以及终端Vo LT E漫游时的开机选网和注册流程，最后提出了运营商Vo LT E漫游商用建议。

摘要： 从5G的应用需求出发,分析出MEC是5G的网络架构演进方向,接下来介绍MEC的部署场景、MEC的主要功能以及MEC的关键技术,最后介绍华为的MEC解决方案.

摘要： 为了获得高功率全固态355nm紫外激光器,采用平平腔结构,通过LD双端抽运Nd∶YVO4晶体,在声光Q开关调制作用下产生1064nm脉冲基频光,利用两块LBO晶体分别进行腔内倍频、和频产生355nm紫外激光.在LD抽运功率54W、调制频率40kHz的条件下,获得紫外的最高输出功率为6.67W,脉冲宽度为20ns,M2 =1.1.结果表明,腔内和频可得到高效率、高光束质量的紫外激光输出.%In order to get a high power and solid-state UV laser, based on a plane-plane cavity, with laser diode double-end pumping Nd:YV04 crystal, fundamental pulse at 1064nm was output under modulation of a acousto-optic Q-switch. Then the laser at 355nm was generated by the second harmonic generation and the third harmonic generation with two LBO crystals. Under the pump power of 54W, 6. 67W, average output power at 355nm was obtained at 40kHz with the pulse width of 20ns and M2 =1.1. The results show that the design of intra-cavity third harmonic generation lasers can give high conversion efficiency and good beam quality.

摘要： An efficient method of 593 nm yellow laser with a single LD pump source and Nd:YVO4 double crystals was reported. The theory was analyzed, the experiment device was designed and the experiment result was verified. The device was composed of laser diode, optical coupling system, Nd:YVO4 crystals, plan-curved mirror, LBO and totally reflecting mirror. By using V-type resonant cavity, with in cident pump source with the 5 W power and the 808.7 nm wavelength, the experiment adopts type I critical phase-matched LBO as sum-frequency crystal, and the 244 mW yellow laser at 593 nm was obtained. The optical to optical conversion efficiency was 4.9%, the laser instability was about 5%. The experiment result shows that the intra-cavity sum-frequency in V-type resonant cavity can obtain 593 nm laser, and the method has structure compact and high conversion efficiency advantages, and can be used in many sum-frequency laser.%报道了一种单LD泵浦Nd:YVO4双晶体腔内和频实现黄光激光的有效方法,并对其进行了理论分析、实验装置的设计和实验验证.该装置由半导体激光器、光学耦合系统(CO)、Nd:YVO4镀膜晶体、镀高反膜的平凹镜、镀增透膜的LBO、镀高透膜的全反镜组成.实验采用V型谐振腔,在中心波长为808.7nm、5W抽运功率下,利用Ⅰ类临界相位匹配LBO作为和频晶体,获得了244mW、593 nm的黄光输出,光-光转换率为4.9％,激光不稳定度为5％.实验结果表明:采用V型谐振腔进行腔内和频,可以获得593nm的黄光激光,并且结构紧凑、转换效率高,可以应用到很多种和频激光器中.

摘要： 异地保护与迁移开发已成为当今皖南古建筑保护的又一种重要形式，然而产权不清一直制约着这一文物保护形式的发展。本文创作于《物权法》对历史文化遗产保护的新要求之下，阐述了基于现代公私伙伴关系下的三种产权界定模型。

摘要： 互动投影新时代LBO公司推出的多点触摸微型投影机Light Touch“，可以在任何平面上进行激光投影。得益于激光驱动的全息投影技术和红外触摸感应系统，它具

摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种LBO晶体生长原料的合成方法，在100°C去离子水中加入Li2MoO4和H3BO3，制得乳状物；将乳状物烘干、磨成粉末，获得生长原料，再进行烧结获得烧结体。还提供了一种制备LBO晶体的方法，将上述烧结体放入晶体生长炉中，升温至熔化后，搅拌溶液，冷却至饱和点温度以上5～10°C，得到混合均匀的熔体；将籽晶预热后缓慢引入晶体生长炉，当24h后籽晶未熔未长，开始以0.1～1°C/day的降温速率缓慢生长；晶体生长结束后从熔体中提出晶体，降至室温，取出制得LBO晶体。本发明避免了固相合成在高温下反应组分偏离，使生长的LBO晶体质量好，无包裹体等晶体缺陷。

摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种LBO晶体生长原料的合成方法，在100°C去离子水中加入Li2MoO4和H3BO3，制得乳状物；将乳状物烘干、磨成粉末，获得生长原料，再进行烧结获得烧结体。还提供了一种制备LBO晶体的方法，将上述烧结体放入晶体生长炉中，升温至熔化后，搅拌溶液，冷却至饱和点温度以上5～10°C，得到混合均匀的熔体；将籽晶预热后缓慢引入晶体生长炉，当24h后籽晶未熔未长，开始以0.1～1°C/day的降温速率缓慢生长；晶体生长结束后从熔体中提出晶体，降至室温，取出制得LBO晶体。本发明避免了固相合成在高温下反应组分偏离，使生长的LBO晶体质量好，无包裹体等晶体缺陷。

摘要： 本发明涉及一种硼10‑LBO晶体的生长方法，属于晶体制备的技术领域。本发明以碳酸锂和硼‑10酸为原料，三氧化钼和三氧化钨为助熔剂，在晶体生长炉中加热熔解后，加入籽晶，经过降温生长获得硼10‑LBO晶体。本发明解决了硼10‑LBO晶体容易开裂的问题，原因是采用氧化钼‑氧化钨为新型的助熔剂时，熔体粘度较小，便于物料流动和传质，生长出高质量的硼10‑LBO晶体且不易开裂。使用本发明的晶体生长方法获得的硼10‑LBO晶体，可以作为中子探测用晶体材料，解决目前中子散射探测器的需求。

摘要： 本发明涉及一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，属于晶体制备的技术领域。本发明是将原料混合均匀后置于带盖的坩埚中，然后将其置于晶体生长炉内，升温化料；种晶后，采用向上提拉的生长方式，经过程序降温生长获得高质量的LBO晶体；所述原料包括碳酸锂和硼酸。本发明通过在坩埚上加盖子的方法可以有效避免环境污染物进入熔液中，减少挥发物的形成和损失；同时在晶体生长过程中通过控制一定向上提拉速度，有效避免了晶体包料和开裂现象，获得高质量LBO晶体。

摘要： 本发明涉及LBO晶体技术技术领域，且公开了一种LBO晶体用的生长装置，包括箱体和装料桶，所述装料桶位于箱体的内部，所述箱体的内底壁固定安装有数量为两个的支柱，所述支柱的顶部固定安装有安装块。该LBO晶体用的生长装置，通过将连接块放置在安装槽槽内，连接杆在安装弹簧的作用下向上移动，连接杆带动推杆沿着竖槽向上移动，推杆挤压推块，使得两个推块相向移动，推块带动移动块沿着安装腔移动，移动块带动卡块移入卡槽的槽内，从而通过连接块实现对装料桶的固定，当需要对装料桶进行拆卸时，向下拉动连接杆带动推杆向下移动，使得推块在复位弹簧的作用下复位，从而带动卡块移出卡槽，解除对连接块的固定，实现了便于对装料桶的拆卸。

摘要： 本发明涉及LBO晶体切割技术领域，且公开了一种基于自动化的LBO晶体用的切割装置，包括底座和安装板，安装板位于底座的上方，所述底座的顶部左右两侧均固定安装有安装柱。该基于自动化的LBO晶体用的切割装置，通过设置第一伺服电机和第二伺服电机，根据不同的LBO晶体切割要求，启动第一伺服电机带动螺纹杆转动使得螺纹块上下移动，致使两个活动块带动安装板上下移动，使得切割组件与LBO晶体保持适宜的高度，启动第二伺服电机带动齿轮转动，使得啮合的齿板在安装板的底部左右移动推动连接杆推动安装盒左右摆动，改变刀片与LBO晶体的接触角度，实现了对不同大小的LBO晶体进行不同角度的切割，方便了使用者的使用。

摘要： 本发明涉及晶体制备技术领域，具体涉及一种硼11‑LBO晶体的生长方法及应用，包括以碳酸锂、硼‑11酸为原料，以三氧化钼、三氧化钨为助熔剂，将原料及助熔剂装入铂金坩埚置于晶体生长炉中，升温至第一温度化料，降温至第二温度后向熔体中下入籽晶，晶体开始生长，继续降温至晶体生长结束，将晶体提离液面降温至室温即得。本发明采用氧化钼‑氧化钨作为助熔剂，得到的熔体粘度小，便于物料流动和传质，生长制得高质量的硼11‑LBO晶体且不易开裂；本发明制得高质量硼11‑LBO晶体，可以作为中子探测用晶体材料，解决目前中子散射探测器的需求。

摘要： 本实用新型涉及激光器技术领域，尤其涉及一种基于LBO倍频输出颜色可控激光器，包括激光器本体，所述激光器本体包括泵浦源、准直透镜、聚焦透镜、耦合镜、Nd:YAG激光晶体、电光调Q开关、度全反镜、度偏振片、LBO晶体A、LBO晶体B、LBO晶体C、复合玻片A、复合玻片B、复合玻片C与全反镜。本实用新型提出一种可以输出颜色在可见光范围内可控的激光器，利用Nd:YAG晶体可以产生946nm、1064nm、1319nm三种波长激光，而这三种激光倍频后分别可产生473nm、532nm、660nm蓝、绿、红三种激光；以这三种颜色为光的三基色，控制三种光的比例可以产生不同的可见光颜色。

摘要： 本实用新型涉及一种LBO晶体超光滑抛光设备，包括支撑板、磨块盘、抛光驱动机构、切换装置和若干打磨块，所述磨块盘上转动安装有若干连接杆，若干所述打磨块一一对应的固定安装在连接杆上，所述抛光驱动机构用以带动与其相对应的连接杆旋转，所述切换装置用以带动磨块盘相对于支撑板转动以使不同的连接杆与抛光驱动机构相对应。本实用新型设置有若干打磨块，通过切换机构和抛光驱动机构，能够随时切换打磨块对晶体进行打磨，而定位柱、定位孔与顶出气缸的配合，能够在切换打磨块后对其进行定位，保证稳定的打磨效果，整体上该设备能够对晶体进行由粗到细的逐步抛光，对粗加工的晶体甚至是毛坯件均可进行高精度的打磨抛光。

摘要： 本实用新型公开了一种用于生产LBO晶体的熔盐炉；涉及LBO晶体生产设备技术领域；解决现有技术中籽晶杆高度调节不够精确的问题；包括炉体、密封法兰、真空泵、氩气源、高度调节结构、晶转结构和籽晶杆，所述炉体的炉膛内部放置有坩埚，其中，所述炉体的一侧竖直设置有高度标尺，所述高度标尺上设置有高度刻度线和预定高度线，所述坩埚内壁上设置有液位线，所述籽晶杆露出所述炉膛顶部的所述密封法兰的位置设置有指示线，所述指示线处可拆卸连接有高度指示件，且所述高度指示件设置在靠近所述高度标尺的一侧。所述熔岩炉能精确控制所述籽晶杆下降的高度，从而消除不同的科研人员操作之间的差异。