I2C

摘要： 随着CPU处理性能的不断提高,CPU功耗也不断增加。高功耗产生的热量如果无法及时散热,将引起CPU温度持续升高,不但影响CPU性能,甚至可能造成硬件损坏,CPU温度监控功能显得尤为重要。针对以上问题,提出了一种基于I^(2)C的CPU温度监控功能实现方法。通过I^(2)C总线获取ADT7461温度芯片采集的CPU温度值,根据采集到的温度值,控制辅助风扇运行状态作出对应散热处理。该方法可以根据需要随时采集温度,使CPU温度一直处于有效的监控之下,提高了运行环境的安全性。根据温度变化情况灵活确定是否打开辅助散热风扇,与一直开启风扇散热相比可以降低耗能。温度采集使用中断方式,利用天脉2操作系统提供的worker任务机制,在中断信号量没来之前可让CPU先执行其他任务,大大提高了CPU使用效率,避免造成分区任务超时。经验证该方法生成的驱动文件可移植性强,对于监控模块温度有一定的参考意义。

摘要： 光模块作为光纤通信系统中的核心器件有着十分重要的意义,而如何快速准确地测试光模块性能是一个关键环节,因此介绍了一种10 Gbit/s SFP+光模块测试平台的设计与优化过程。首先重点分析了多通道测试板的设计步骤,包括USB转I^(2)C和电源的设计方法;然后讨论了以SFF-8472协议为标准,利用数字诊断功能进行校准和监测重要数据的原理。最后对模块进行了测试,结果显示系统误码率在1E-13以下,光功率与标准值的误差稳定在±0.5 dBm之间,表明了所提出的用多通道测试的可行性,证明其可提升测试效率。

摘要： CPU处理器是嵌入式系统的核心器件,温度异常会影响系统的可靠性及寿命,为了监控CPU处理器的温度,设计实现了一种基于PowerPC处理器和数字测温芯片的温度监控电路。详细介绍了电路硬件结构、工作原理、软件设计流程及配置方法。电路以PC8640为主处理器,以ADT7461为测温芯片,通过I^(2)C总线实现了对处理器温度与产品温度的实时采集及监控,并具备超温报警功能。验证结果表明,电路能够精确获取到处理器温度及产品温度,工作性能稳定、可靠性高、实时性好,满足设计需求。

摘要： 针对组件对状态信息监控功能标准化的迫切需求,采取基于IPMI协议的状态信息监控方法,实现了对组件状态信息的实时监控。该方法通用性强,应用广泛,状态监控信息类型全、数据多且可编程,极大地增强了组件的适用性,有较高的工程应用价值。

摘要： 众所周知,物联网的规模得到迅速的提升,物联网设备连接数呈指数增长。而在物联网规模得到迅速的提升之时,其设备连接数也呈指数增长趋势。文章涉及MUC设计开发以及相关的验证,并根据一些特殊类型的计算得到一些集成系统。那么,在这些集成系统中,是如何进行芯片的回样验证的呢?下面从芯片的开发流程到芯片回样验证的内容各个方面予以解答。

摘要： 日前,纳芯微宣布推出一款表压压力传感器NSPGS5系列。该系列产品内部采用CMOS混合信号调理芯片对MEMS芯体的输出进行放大、校准和补偿,能将-10kPa至+10kPa的压力信号转换为可自定义输出范围(0~5V)的模拟信号以及数字I2C信号。同时,内置的MEMS差压压力芯体是基于高灵敏度的单晶硅压阻效应并采用先进的硅-硅键合CSOI MEMS微加工工艺设计而成,MEMS芯体生命周期内精度和稳定性优于1%FS。

摘要： 文章提出并实现了一种基于Linux系统的PCIE高速数据处理卡驱动设计方案,解决了Linux上位机与PCIE数据卡之间高效可靠的数据传输。驱动设计过程应用了DMA机制、软中断机制和多通道的思想,实现了用户层数据封装和数据交换。通过系统测试,验证了驱动设计的有效性、可靠性。随着软硬件国产化进程的加快,基于国产Linux操作系统的软件开发越来越重要。众多外设要想在国产化平台上使用,就必须开发对应的设备驱动程序。一款CPU提供的外设接口很多,例如I2C、SPI、SDIO、USB等,但是要论高速访问,PCIE接口通常是首选。

摘要： NXP公司的i.MX RT1020是工业交叉处理器,基于Arm?Cortex?-M7核,工作速率高达396MHz,提供高CPU性能和实时响应.i.MX RT1020处理器具有256KB片上RAM,可灵活配置成TCM或通用的片上RAM.器件集成了先进的功率管理模块和DC/DC转换器与LDO,从而降低了外接电源的复杂性和简化了加电次序. i.MX RT1020还提供多种存储器接口包括SDRAM, RAW NAND FLASH, NOR FLASH,SD/e MMC, Quad SPI和各种连接口包括UART, SPI, I2C, USB和CAN以及用来连接外设如WLAN,蓝牙?和GPS.器件还具有丰富音频特性包括SPDIF和I2S音频接口.此外还集成了各种模拟IP包括ADC,模拟比较器,温度传感器等.

摘要： Maxim公司的MAX31328是低成本极为精确(±3.5ppm)的I2C实时时钟(RTC),并集成了温度补偿晶体振荡器(TCXO)和晶体.器件采用电池输入,在设备主电源断电后能保持高精度计时.RTC维持秒,分,时,日,月和年的信息.当月小于31天时,月终的日期能自动进行到底调整,包括闰年的修正.时钟工作在24小时或带有AM/PM指示的12小时格式.提供可编程的日闹钟和可编方波输出.

摘要： 半双工同步串行I2C总线和电可擦除E2PROM存储器是嵌入式系统教学的重点和难点.本文设计了一个综合性实验,即STM32微控制器通过I2C总线访问E2PROM存储器实现多用户帐户管理功能.I2C总线实现MCU与存储器之间连接,通信简单可靠;E2PROM存储便于密码长久保存和在线修改;存储区设组合标志位,可实现初始密码功能,并有效降低误操作概率.项目实验具有广泛的工程实践意义,可大大激发学生学习兴趣,帮助学生较好地掌握I2C接口规范和E2PROM存储器应用方法.

摘要： TAOS公司新近推出一款光强传感器芯片TSL256x,以具有功耗低、体积小、速率高、可编程配置等诸多特点而得到广泛应用。本文介绍TSL256x的功能特点、引脚排列及工作时序,给出TSL256x与MCU的接口电路与编程设计方法。

摘要： TAOS公司新近推出一款光强传感器芯片TSL256x,以具有功耗低、体积小、速率高、可编程配置等诸多特点而得到广泛应用。本文介绍TSL256x的功能特点、引脚排列及工作时序,给出TSL256x与MCU的接口电路与编程设计方法。

摘要： TAOS公司新近推出一款光强传感器芯片TSL256x,以具有功耗低、体积小、速率高、可编程配置等诸多特点而得到广泛应用。本文介绍TSL256x的功能特点、引脚排列及工作时序,给出TSL256x与MCU的接口电路与编程设计方法。

摘要： TAOS公司新近推出一款光强传感器芯片TSL256x,以具有功耗低、体积小、速率高、可编程配置等诸多特点而得到广泛应用。本文介绍TSL256x的功能特点、引脚排列及工作时序,给出TSL256x与MCU的接口电路与编程设计方法。

摘要： TAOS公司新近推出一款光强传感器芯片TSL256x,以具有功耗低、体积小、速率高、可编程配置等诸多特点而得到广泛应用。本文介绍TSL256x的功能特点、引脚排列及工作时序,给出TSL256x与MCU的接口电路与编程设计方法。

摘要： 本文着眼于I2C总线结构在实际系统中的广泛应用,提出用FPGA/CPLD和单片机实现I2C总线的控制.两种设计方法比较常见.而且实际应用证明这两种方法设计的I2C控制器都非常可靠稳定.设计者可以根据自己的实际情况,选择不同的设计方案。

摘要： 本文着眼于I2C总线结构在实际系统中的广泛应用,提出用FPGA/CPLD和单片机实现I2C总线的控制.两种设计方法比较常见.而且实际应用证明这两种方法设计的I2C控制器都非常可靠稳定.设计者可以根据自己的实际情况,选择不同的设计方案。

摘要： 本文着眼于I2C总线结构在实际系统中的广泛应用,提出用FPGA/CPLD和单片机实现I2C总线的控制.两种设计方法比较常见.而且实际应用证明这两种方法设计的I2C控制器都非常可靠稳定.设计者可以根据自己的实际情况,选择不同的设计方案。

摘要： 本文着眼于I2C总线结构在实际系统中的广泛应用,提出用FPGA/CPLD和单片机实现I2C总线的控制.两种设计方法比较常见.而且实际应用证明这两种方法设计的I2C控制器都非常可靠稳定.设计者可以根据自己的实际情况,选择不同的设计方案。

摘要： 本文着眼于I2C总线结构在实际系统中的广泛应用,提出用FPGA/CPLD和单片机实现I2C总线的控制.两种设计方法比较常见.而且实际应用证明这两种方法设计的I2C控制器都非常可靠稳定.设计者可以根据自己的实际情况,选择不同的设计方案。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在阳极An和阴极Ka之间的发光层E和合适的话至少一个其它层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其它层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定可视显示单元、移动的可视显示单元和照明单元的器件。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件；本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制备方法。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在阳极An和阴极Ka之间的发光层E和合适的话至少一个其它层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其它层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S－氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S－二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定可视显示单元、移动的可视显示单元和照明单元的器件。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件；本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制备方法。

摘要： 本发明的苯二甲撑二氨基甲酸酯，按质量基准计以下述式(1)～(4)所示的杂质的总量低于100ppm的比例含有下述式(1)～(4)所示的杂质(上述式(1)～(4)中，R表示1价的烃基)。

摘要： 本发明涉及一种通过乙二醇醇解反应解聚消费后的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)的酶促方法。该发明还涉及一种再循环消费后的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)的方法以及通过所述方法获得的再循环的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)。

摘要： 本发明提供了一种树脂共混物，该树脂共混物包含间苯二酚二邻苯二甲腈醚树脂和双酚M二邻苯二甲腈醚树脂的共混物。提供了另一种树脂共混物，该树脂共混物包含间苯二酚二邻苯二甲腈醚树脂和双酚T二邻苯二甲腈醚树脂的共混物。树脂共混物在固化之前具有相比于单独的间苯二酚二邻苯二甲腈树脂更有利的加工和固化特性，从而使得能够更易于制造。

摘要： 根据本发明，提供一种含有羟基当量为规定值以下的含酚性羟基的树脂的二次电池负极用树脂组合物。本发明的一个方式的二次电池负极用树脂组合物含有：羟基当量为300g/eq以下的含酚性羟基的树脂；和沸点温度或热分解温度超过上述含酚性羟基的树脂的自缩合温度的磷酸酯或磷酸衍生物。

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够形成正极的非水系二次电池正极用粘结剂组合物，通过该正极可得到即使是在低温和低充电深度条件下实施了老化处理的情况下也具有优异的寿命特性的非水系二次电池。本发明的粘结剂组合物包含第1粘结材料，而且包含铁、以及钌和铑中的至少一者，铁以及钌和铑的合计含量相对于100质量份的第1粘结材料为5×10‑3质量份以下。

摘要： 本发明提供可提供使充放电容量密度和充放电循环特性进一步提高的锂离子二次电池的锂离子二次电池用碳材料、锂离子二次电池用负极合剂、锂离子二次电池用负极以及锂离子二次电池。上述锂离子二次电池的制造方法包括：混合工序，将含有酚醛树脂和二氧化硅粒子的树脂组合物混合而得到混合物；喷雾工序，将上述混合工序中得到的混合物喷雾而形成液滴；第一热处理工序，对上述喷雾工序中得到的液滴实施第一热处理而生成碳前体；以及，第二热处理工序，对上述第一热处理工序中得到的碳前体实施温度比第一热处理工序高的第二热处理而生成含有碳和由SiOx（0＜X＜2）表示的氧化硅的碳材料。