I-V曲线
I-V曲线的相关文献在1990年到2022年内共计122篇,主要集中在电工技术、无线电电子学、电信技术、物理学
等领域,其中期刊论文79篇、会议论文3篇、专利文献18690篇;相关期刊53种,包括哈尔滨师范大学自然科学学报、大连交通大学学报、太阳能等;
相关会议3种,包括第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)、2003年中国太阳能学会学术年会、第十六届全国测控、计量、仪器仪表学术年会等;I-V曲线的相关文献由403位作者贡献,包括杨宗军、俞雁飞、詹亮等。
I-V曲线—发文量
专利文献>
论文:18690篇
占比:99.56%
总计:18772篇
I-V曲线
-研究学者
- 杨宗军
- 俞雁飞
- 詹亮
- 邹云飞
- 朱炬
- 丁坤
- 倪华
- 刘恒
- 李元良
- 毛翌春
- 陈翔
- 云平
- 周康
- 富笑男
- 年夫来
- 张彦虎
- 张志祥
- 朱文星
- 王信春
- 程莉娜
- 罗艳伟
- 邓允长
- 邹绍琨
- 陈东
- 于坤
- 于心宇
- 何俊明
- 何根新
- 全鹏
- 冯成
- 刘忠德
- 刘永杰
- 吴中贤
- 吴佳兵
- 吴军
- 吴小利
- 周光远
- 唐恒敬
- 孙凯
- 孙松源
- 宋昊
- 尹海涛
- 张可锋
- 张惠珍
- 张济民
- 张经炜
- 张维连
- 张荣哲
- 张鹏
- 律海朝
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吴文涛;
陈志聪;
吴丽君;
程树英;
林培杰
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摘要:
针对在现实生活中光伏阵列大部分运行在正常的工作状态,缺少故障数据的问题,提出一种改进初始化的方法代替随机初始化来训练深度学习模型,以提高故障诊断模型的可靠性.同时,提出基于残差-密集连接网络的光伏故障诊断模型,并基于I-V曲线与最大功率点、温度、辐照度和填充因子作为输入特征.最后,通过多种光伏阵列故障数据检测所提出的方法的性能.实验结果表明,改进初始化的残差-密集连接网络在小样本的情况下仍具有高收敛速度、高准确性以及高稳定性,且能稳定分类各种环境下的光伏阵列故障.
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涂彦昭;
高伟;
杨耿杰
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摘要:
随着光伏发电装机容量的不断上升,如何及时检测并解决光伏组件故障和异常,减少组件能量损失,提高光伏系统的发电效率成为一项重要任务。本文通过研究光伏阵列处于不同故障状态下的I-V曲线之间的特征差异性,直接以I-V曲线作为故障诊断的输入量,提出一种融合卷积神经网络(CNN)与长短期记忆(LSTM)网络的光伏系统故障辨识方法。实验结果表明,该方法不仅能识别出单一故障,如短路、遮阴、老化等,而且能有效识别出双重故障同时存在的情况。
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律海朝;
尹海涛
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摘要:
二硫化钼(MoS_(2))作为新兴的类石墨烯二维材料,具有层状结构、天然的带隙、大的比表面积等优异的物理化学特性,是制作新型高灵敏度气敏传感器的理想材料.利用密度泛函与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了吸附NO2对MoS_(2)纳米带输运性质的影响.研究发现吸附了NO_(2)的MoS_(2)纳米带在偏压小于0.5 V时电流一直为0 A,与未吸附NO_(2)的MoS_(2)纳米带输运性质相比,表现出较大的差异性.这表明MoS_(2)纳米带在NO2气体传感器上有着良好的应用前景.
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律海朝;
尹海涛
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摘要:
二硫化钼(MoS2)作为新兴的类石墨烯二维材料,具有层状结构、天然的带隙、大的比表面积等优异的物理化学特性,是制作新型高灵敏度气敏传感器的理想材料.利用密度泛函与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了吸附NO2对MoS2纳米带输运性质的影响.研究发现吸附了NO2的MoS2纳米带在偏压小于0.5 V时电流一直为0 A,与未吸附NO2的MoS2纳米带输运性质相比,表现出较大的差异性.这表明MoS2纳米带在NO2气体传感器上有着良好的应用前景.
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孙扬;
金传洪
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摘要:
透射电子显微镜利用电子束与样品相互作用成像,可提供原子分辨率的结构和成分信息、原子尺度的空间结构和化学成分等信息,是研究材料微观结构与性能关系的有效手段.随着材料尺寸的不断缩小,其电学性质受结构、形貌的影响显著,在纳米乃至原子尺度下研究纳米材料的电学性能十分必要.通过半导体微制造工艺,设计、制备了一款原位电镜用四电极电学芯片,并结合原位样品杆和高精度数字源表,测量了不同条件下制备的单层二硫化钼材料的电流-电压特性曲线.
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王顺权;
朱冰洁;
王亿;
宋昊
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摘要:
针对自主研制的标准太阳电池进行了验收测试,包括外观测试、反射率测试、RTD温度性能测试、STC条件下的I-V特性测试、暗态下的性能测试、光老化测试、光稳定性测试,以及光老化后标准太阳电池的相关性能测试.上述验收测试通过后,才能认定标准太阳电池的材料透过率、电性能、温度性能及稳定性均符合要求,可以投入使用.
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张珍;
黄强;
胜献雷;
郑庆荣
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摘要:
基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别计算小偏压范围(0~20 mV)和大偏压范围(0~0.6 V)下的自旋极化电流曲线。发现在小偏压范围内,器件的隧穿磁电阻(tunneling magnetoresistance,TMR)高达100%,并在这一偏压范围内维持稳定;在电极极化方向平行构型(parallel configuration,PC)下的自旋注入效率也高达100%,具有很强的稳定性。在大偏压范围内,随着偏压的增加TMR逐渐减小,PC构型下的自旋注入效率一直保持100%不变。最后,通过对器件投影态密度图的分析,解释上述物理现象。
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张根苗;
党政;
魏新凤
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摘要:
用于卫星测试评估用的电源阵列模拟器应具备卫星帆板电源的电输出特性,能够模拟太阳能阵列的IV曲线.文章以此为背景,研究一种卫星帆板电源阵列模拟器.根据卫星帆板电源的物理模型建立IV曲线指数数学模型,采用XC6SLX16-2CSG225C作为整机IV模拟的控制FPGA,使用多路线性压控电流源电路并联实现整机功率调整输出,最后构建实际电路进行验证.验证结果表明:设计的模拟器性能指标高,设置曲线和模拟曲线一致性好.
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朱学亮;
张克农
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
染料敏化太阳电池以它制作成本低和污染小的特点引起了广泛的关注.染料敏化太阳电池光电响应时间是硅太阳电池的数十倍,现有的染料敏化太阳电池测试仪器均使用了稳态光源,且有效测试面积一般小于20cm*20cm,因此不能满足工业生产对大面积染料敏化太阳电池的测试需要.本文介绍了一种新型染料敏化太阳电池测试仪,它的恒定光强光脉冲宽度为100ms.通过几种方法修正后,该测试仪器可以较为准确的测量出染料敏化太阳电池的I-V 曲线及其相关电参数.
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朱学亮;
张克农
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
染料敏化太阳电池以它制作成本低和污染小的特点引起了广泛的关注.染料敏化太阳电池光电响应时间是硅太阳电池的数十倍,现有的染料敏化太阳电池测试仪器均使用了稳态光源,且有效测试面积一般小于20cm*20cm,因此不能满足工业生产对大面积染料敏化太阳电池的测试需要.本文介绍了一种新型染料敏化太阳电池测试仪,它的恒定光强光脉冲宽度为100ms.通过几种方法修正后,该测试仪器可以较为准确的测量出染料敏化太阳电池的I-V 曲线及其相关电参数.
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朱学亮;
张克农
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
染料敏化太阳电池以它制作成本低和污染小的特点引起了广泛的关注.染料敏化太阳电池光电响应时间是硅太阳电池的数十倍,现有的染料敏化太阳电池测试仪器均使用了稳态光源,且有效测试面积一般小于20cm*20cm,因此不能满足工业生产对大面积染料敏化太阳电池的测试需要.本文介绍了一种新型染料敏化太阳电池测试仪,它的恒定光强光脉冲宽度为100ms.通过几种方法修正后,该测试仪器可以较为准确的测量出染料敏化太阳电池的I-V 曲线及其相关电参数.
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朱学亮;
张克农
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
染料敏化太阳电池以它制作成本低和污染小的特点引起了广泛的关注.染料敏化太阳电池光电响应时间是硅太阳电池的数十倍,现有的染料敏化太阳电池测试仪器均使用了稳态光源,且有效测试面积一般小于20cm*20cm,因此不能满足工业生产对大面积染料敏化太阳电池的测试需要.本文介绍了一种新型染料敏化太阳电池测试仪,它的恒定光强光脉冲宽度为100ms.通过几种方法修正后,该测试仪器可以较为准确的测量出染料敏化太阳电池的I-V 曲线及其相关电参数.
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朱学亮;
张克农
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
染料敏化太阳电池以它制作成本低和污染小的特点引起了广泛的关注.染料敏化太阳电池光电响应时间是硅太阳电池的数十倍,现有的染料敏化太阳电池测试仪器均使用了稳态光源,且有效测试面积一般小于20cm*20cm,因此不能满足工业生产对大面积染料敏化太阳电池的测试需要.本文介绍了一种新型染料敏化太阳电池测试仪,它的恒定光强光脉冲宽度为100ms.通过几种方法修正后,该测试仪器可以较为准确的测量出染料敏化太阳电池的I-V 曲线及其相关电参数.
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李宁;
甄红楼;
熊大元
- 《第十六届全国测控、计量、仪器仪表学术年会》
| 2006年
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摘要:
本文介绍Keithley公司的源测量单元(SMU)在n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器件的基本性能参数测量系统中的应用.利用通用接口总线GPIB(GeneralPurposeInterfaceBus),通过PCI插槽的GPIB控制卡将多台测试仪器与微机连接,采用NI公司的LabView7Express开发平台编写程序,遥控测量仪器,进行数据自动采集和数据实时绘制曲线,对自行研制的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器件(QWIPs-QuantumWellInfraredPhotodetectors)单元器件进行基本性能参数的测试.利用氦气循环致冷机测量探测器在不同温度下的电压一电流特性(I-V特性),比较了20K探测器工作温度下两台SMU对相同器件的I-V测试结果,两台SMU的测试条件相同,引线均采用三同轴屏蔽线(triaxcable)的3线接法,Keithley236SMU的最小可测电流达到10-10A的水平,另外一家公司的SMU电流分辨率为10-8A的数量级.
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李宁;
甄红楼;
熊大元
- 《第十六届全国测控、计量、仪器仪表学术年会》
| 2006年
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摘要:
本文介绍Keithley公司的源测量单元(SMU)在n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器件的基本性能参数测量系统中的应用.利用通用接口总线GPIB(GeneralPurposeInterfaceBus),通过PCI插槽的GPIB控制卡将多台测试仪器与微机连接,采用NI公司的LabView7Express开发平台编写程序,遥控测量仪器,进行数据自动采集和数据实时绘制曲线,对自行研制的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器件(QWIPs-QuantumWellInfraredPhotodetectors)单元器件进行基本性能参数的测试.利用氦气循环致冷机测量探测器在不同温度下的电压一电流特性(I-V特性),比较了20K探测器工作温度下两台SMU对相同器件的I-V测试结果,两台SMU的测试条件相同,引线均采用三同轴屏蔽线(triaxcable)的3线接法,Keithley236SMU的最小可测电流达到10-10A的水平,另外一家公司的SMU电流分辨率为10-8A的数量级.
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李宁;
甄红楼;
熊大元
- 《第十六届全国测控、计量、仪器仪表学术年会》
| 2006年
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摘要:
本文介绍Keithley公司的源测量单元(SMU)在n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器件的基本性能参数测量系统中的应用.利用通用接口总线GPIB(GeneralPurposeInterfaceBus),通过PCI插槽的GPIB控制卡将多台测试仪器与微机连接,采用NI公司的LabView7Express开发平台编写程序,遥控测量仪器,进行数据自动采集和数据实时绘制曲线,对自行研制的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器件(QWIPs-QuantumWellInfraredPhotodetectors)单元器件进行基本性能参数的测试.利用氦气循环致冷机测量探测器在不同温度下的电压一电流特性(I-V特性),比较了20K探测器工作温度下两台SMU对相同器件的I-V测试结果,两台SMU的测试条件相同,引线均采用三同轴屏蔽线(triaxcable)的3线接法,Keithley236SMU的最小可测电流达到10-10A的水平,另外一家公司的SMU电流分辨率为10-8A的数量级.
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李宁;
甄红楼;
熊大元
- 《第十六届全国测控、计量、仪器仪表学术年会》
| 2006年
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摘要:
本文介绍Keithley公司的源测量单元(SMU)在n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器件的基本性能参数测量系统中的应用.利用通用接口总线GPIB(GeneralPurposeInterfaceBus),通过PCI插槽的GPIB控制卡将多台测试仪器与微机连接,采用NI公司的LabView7Express开发平台编写程序,遥控测量仪器,进行数据自动采集和数据实时绘制曲线,对自行研制的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器件(QWIPs-QuantumWellInfraredPhotodetectors)单元器件进行基本性能参数的测试.利用氦气循环致冷机测量探测器在不同温度下的电压一电流特性(I-V特性),比较了20K探测器工作温度下两台SMU对相同器件的I-V测试结果,两台SMU的测试条件相同,引线均采用三同轴屏蔽线(triaxcable)的3线接法,Keithley236SMU的最小可测电流达到10-10A的水平,另外一家公司的SMU电流分辨率为10-8A的数量级.
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潘凯;
刘兆阅;
张清林;
王德军;
白玉白;
李铁津
- 《2003年中国太阳能学会学术年会》
| 2003年
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摘要:
制备了汞溴红敏化的ZnO/SnO复合光电化学池.在最佳混合比例下,ZnO/SnO复合光电池在30W/m522nm单色光的照射下得到0.892mA/cm的短路光电流(I)和0.411V的开路光电压(V),从而得到4.64﹪的光电转换效率(η).与ZnO和SnO光电池相比,复合光电池的I均提高,而V小于ZnO电池的V.光电压谱表明,在复合光电池中,ZnO可能包覆SnO粒子,染料主要吸附在ZnO粒子上,ZnO和SnO之间的能量势垒是短路光电流增大的原因.暗电流的测试表明,ZnO加入到SnO能有效抑制复合电池的暗电流.