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摘要： 我国原创的一类新药甘露寡糖二酸钠(GV-971)已完成III期临床试验,对防治阿尔茨海默病迈出了关键的一步,是近16年阿尔茨海默病治疗研究的重要进展。

摘要： 目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管,从而提高了静电控制和驱动电流。瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)和中国的Enkris半导体公司所制造的材料结构由5个平行层组成,包括10nm氮化铝镓(AlGaN)阻挡层,1nm AlN间隔层和10nm GaN沟道(图1)。

摘要： The compound, tris-(5-methylbenzimidazole) tris-(oxalato)-aluminate (III) trihydrate, (C8H9N2)3[Al(C2O4)3]·3H2O, was synthesized by slow evaporation at room temperature and characterized by single crystal X-ray diffraction and X-ray powder diffraction, infrared (IR), ultraviolet (UV-visible) spectroscopies, and thermal analysis. The results show that this complex crystallizes in the monoclinic system, space group P21/c, with the mesh parameters a = 13.499(7) Å, b = 14.872(9) Å, c = 16.995(5) Å, β = 91.44(3)°, V = 3411(3) Å3 and Z = 4. The formula unit is composed of tris-(oxalato)-aluminate [Al(C2O4)3]3- anions, tris-(5-methylbenzimidazole) cations and three uncoordinated water molecules. The geometry of the aluminum ion is octahedral, formed by six oxygen atoms belonging to three oxalate anions serving as chelating ligands. Cohesion of the structure is ensured by intermolecular hydrogen bonds of O-H...O, N-H...O type linking ionic entities and water molecules as well as by π-π and π-π* between cycles of 5-methylbenzimidazole cations. In order to clarify the intermolecular interactions formed by the organic cations and inorganic anions, an analysis of the calculated Hirshfeld surfaces was used. The UV-Vis spectrum reveals an optical band gap width of 2.88 eV, which shows that this compound has a semiconductor material behavior.

摘要： The maritime industry is currently facing the challenges of adopting new technologies and operational practices with stricter international, national and local rules in order to reduce exhaust gas emissions from ships. The most objective of regulations introduced and presented by the Worldwide Sea Organization such as International Maritime Organization (IMO) and the US Environmental Protection Agency (EPA) is to lessen the commitment shipping makes to worldwide and local discharges. This paper analyzes emissions from marine engines and the process of waste exhaust gas formation and provides a summary of the emission reduction technologies to satisfy MARPOL NOx tier III and EPA tier IV rules. The results showed the possibility of achieving a valuable emission reduction percentage if future diesel engines are equipped with pre-treatment, internal-treatment and/or post-treatment techniques. Economics impact for medium and low speed for category 3 marine diesel engines is also presented.

摘要： Class III malocclusion associated with posterior crossbite, anterior open bite pattern with asymmetric occlusion in adults can be a challenging orthodontic problem, especially for the nonsurgical treatment. Skeletal Class III anteroposterior discrepancies in adult patients are generally managed either by surgical-orthodontic treatment or by orthodontic camouflage through dentoalveolar compensation. Although correction with surgery may be the most effective and stable way, many patients refuse surgical treatment plan because of the costs and traumas it may bring. This case report describes the successful use of TADs with expansion auxiliary wire to treat a 24-year-old man with skeletal class III malocclusion, posterior crossbite, anterior open-bite and asymmetric occlusion, mild upper and lower dental spacing and a chief manifestation of anterior crossbite. The patient refused surgery. A treatment plan was formulated consisting of using auxiliary expansion wire to expand the maxillary arch, 8 mm mini-screws between the roots of the mandibular canines and first premolars, preadjusted edgewise brackets to align the teeth, Class III and asymmetric elastics to correct the canines, premolars, and molars relationship and midline deviation, reverse curve of the nickel-titanium wire combined with anterior vertical elastics to intrude molars and correct the anterior open-bite. In this case, without going through surgery, the posterior cross-bite was corrected, and ideal overjet and overbite relationships, midline coincidence and functional occlusion were all achieved. Satisfactory occlusal, functional, esthetic and stable results were obtained.

摘要： 全国卷III：围绕以下三条标语写作，1981年深圳特区：时间就是金钱，效率就是生命；2005年浙江：绿水青山就是金山银山；2017年雄安：走好我们这一代的长征路。北京卷：请以“新时代新青年一一谈在祖国发展中成长”为题，写一篇议论文。

摘要： 第三章党的中央组织 第十九条党的全国代表大会每五年举行一次，由中央委员会召集。中央委员会认为有必要，或者有三分之一以上的省一级组织提出要求，全国代表大会可以提前举行；如无非常情况，不得延期举行。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明描述一种制备III-N体晶和自支撑III-衬底的方法以及III-N体晶和自支撑III-N衬底，其中，III代表选自元素周期表III族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，其中，III-N体晶通过气相外延在衬底上生长，并且其中生长速率是即时测量的。通过原位，即在外延生长过程中，主动测量和控制生长速率，可以将实际生长速率保持在基本恒定。由此，可以获得在生长方向上以及在与生长方向垂直的生长平面内分别具有优异晶体质量的III-N体晶以及从上面分离的单个的III-N单晶衬底。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al

摘要： 本发明描述一种制备III-N体晶和自支撑III-衬底的方法以及III-N体晶和自支撑III-N衬底，其中，III代表选自元素周期表III族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，其中，III-N体晶通过气相外延在衬底上生长，并且其中生长速率是即时测量的。通过原位，即在外延生长过程中，主动测量和控制生长速率，可以将实际生长速率保持在基本恒定。由此，可以获得在生长方向上以及在与生长方向垂直的生长平面内分别具有优异晶体质量的III-N体晶以及从上面分离的单个的III-N单晶衬底。

摘要： 本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和氢元素，N型掺杂剂的浓度为1×1020cm‑3以上，氢元素的浓度为1×1019cm‑3以上。

摘要： 本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和锗元素，N型掺杂剂的浓度为1×1019cm‑3以上，锗元素的浓度为N型掺杂剂的浓度的9倍以上。

摘要： 本发明提供一种含有酸与巯基化合物的III‑V族元素的氧化物的去除液、抗氧化液或处理液及使用这些的方法、以及含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液及使用该处理液的半导体基板产品的制造方法。