入射能量

摘要： 电弧危险分析有两种常用方法:1)入射能量分析法;2)电弧PPE分级法.入射能量分析法是一种定量精确计算法,电弧PPE分级法是依据《工作场所的电气安全标准》(NFPA 70E-2018标准)的查表对照法.两种方法各有其适用条件和实施要求,通过对两种分析方法的说明和对比,认为我国工厂企业适宜采用入射能量分析法.基于IEEE 1584-2018实验推导模型的入射能量分析法,提供了全面的实施步骤和说明,可以帮助工厂企业全面规范地进行电弧危险评估与控制.

摘要： 针对肿瘤带电粒子治疗计划系统入射能量之难以确定,本文通过模拟计算一定能量带电粒子在几种组织辐射等效材料中的射程与此能量带电粒子在水中射程的比值,用SRIM2008程序验证此比值可能为定值。研究CT值与此比值的函数关系;结合CT技术将带电粒子实际射程等效为水中的射程,反推入射带电粒子的能量。结果表明:在一定能量范围内,带电粒子在辐射等效材料中的射程与此能量带电粒子在水中的射程的比值恒定。CT值与此比值存在相关系数为R=0.999的函数关系。本结果可为CT技术用于肿瘤带电粒子治疗计划系统提供参考。

摘要： 非晶碳氢薄膜(a-C:H film)是一类具有亚稳态非晶结构的薄膜材料,具有许多优异特性,如极好的力学性能、光学透过性、生物相容性、极低真空摩擦系数等。文章介绍了不同沉积粒子在不同入射能量及角度的情况下,对非晶碳氢薄膜C、H原子含量、沉积率,薄膜粗糙度和sp3键组态的碳含量的影响。

摘要： 弧闪是电气危险的一种,可造成人员和设备的严重损失,进行弧闪分析意义重大.本文详细介绍了弧闪危害的计算方法,同时介绍了几种有效的个人防护措施.

摘要： 对于入射能量为40~150keV的X射线,高Z材料的光电效应截面较康普顿散射截面大,而低Z材料则正相反;入射光子的能量越高,发出的背散射光子越少,能被探测区域接收的背散射光子也越少,因此为了X射线成像装置有更好的响应,背散射X射线的能量还需要尽可能的小。为提高有效收集面积,龙虾眼光学结构的材料应设计为使X射线的临界掠射角尽量大,而尺寸应

摘要： 正在太阳入射能量和地球表面热能的共同作用下,地表水不断被蒸发成为水蒸汽,进入大气。水蒸汽遇冷后凝结成水或冰,在地球重力作用下,以降水的形式落至地表。水的这个周而复始的运动过程称为水循环。据统计,每年大约有50.5万立方千米的水从海洋表面蒸发到大气中,这其中约90%的水以降水的形式再次返回海洋,其余10%被风带到大陆上空,与陆地表面蒸发的约7.2万立方千米的水汇合,形成大陆每年11.9万立方千米的总降水量。落至地表的11.9万立方千米水中,有4.7万立方千米水通过河流重新流入海洋,

摘要： 离子束修形(IBF)技术成为光学零件获得超高面形必不可少的加工工艺.修形过程中采用光阑获取小的束径、稳定的去除函数是获得超高面形精度的前提.不同材料和工艺参数等不同条件下获得的去除函数都不相同,每次修形前都要重新测量去除函数.研究了不同入射能下、不同靶距下以及有无光阑时去除函数的变化.发现在离子光学系统几何参数一定的条件下,离子束去除函数的效率变化与入射能量、离子体浓度引起的离子鞘形状、束散角、温度、靶距、净加速电压与总加速电压之比的变化等因素都有关.当增大入射能量时,去除效率随之增加,但当入射能量大于一定值后就会出现随着入射能量增加而去除效率降低的“拐点”现象.有无光阑只改变去除效率的大小而不会改变“拐点”现象.因此不选用入射能量增大而去除效率减小的“拐点”之后的入射能量修形.

摘要： The relation between the incident energy incident angle and secondary electron emission coefficient at higher incident electron energy in theory on the basis of dominant physical processes of secondary electron emission is discassed. By calculating the parameter, we get the formula for secondary electron yield from metal Al at higher incident electron energy and different incident angle. After comparison with experimental data, the formula is well applicable.%根据分析二次电子的入射过程及二次电子发射系数的定义，从理论上推导出铝的较高能二次电子发射系数与原电子入射能量及入射角度的关系。通过计算，得出了发射系数的具体表达式。用该表达式计算得到原电子以不同角度轰击下铝的较高能二次电子发射系数理论值。根据该表达式得到的理论数据与已有实验数据比较符合。

摘要： 在考虑沉积原子入射能量影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的动力学蒙特卡罗模型,并对薄膜生长的初期过程进行了研究。结果表明：随着入射率的降低和温度的升高,不同入射能量对扩散距离影响的差异逐渐减小。在一定的入射能量和入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射能量的增大而降低；随着入射率的降低,不同能量对最佳成岛温度影响的差异越小。

摘要： 本研究通过分析Bethe-Block公式和利用蒙特卡罗方法SRIM2008程序模拟,得出特定能量范围(单核能量为0.01 MeV-500MeV)碳离子束在机体组织中的射程与此能量碳离子束在水中的射程的比值存在一定的比例系数关系(Ci),通过Origin8.0软件对此射程比例系数(Ci)和相应机体组织的CT值进行指数函数拟合,得出相关系数为r=0.999的函数关系.利用此函数和不同组织的CT值,将特定能量碳离子束在机体组织中的射程等效为水中的射程,进而计算入射碳离子的能量.本研究为CT技术用于碳离子治疗计划系统提出了一种新的探索.

摘要： 利用分子动力学模拟方法研究了2～3nm厚的类金刚石(DLC)薄膜的静态结构和动态生长过程.在静态结构方面,计算了类金刚石薄膜的重要结构参数,如薄膜密度、sp3杂化比例等,以及其受不同入射能量的影响.载能原子入射是生长均匀、连续、致密固体薄膜的前提,入射原子能量在20～60eV时,薄膜可以获得最优性能.在动态生长过程方面,按照运动特点把入射原子行为分为表面冷冻、迁移、注入和反弹几种模式,利用统计分析手段给出了入射能量对沉积原子表面行为的影响,提出了避免岛状生长的措施.

摘要： 在较大的连续角区范围内测量了27Al+27Al耗散反应产物的激发函数,入射束流的能量从114到127 MeV,能量步长200keV.分析激发函数的角度关联,角度相干宽度超过40°,各个角度之间反应产物的互关联系数在0.6以上.用宏观条件下的量子态叠加讨论了这种大角度关联.

摘要： 在较大的连续角区范围内测量了27Al+27Al耗散反应产物的激发函数,入射束流的能量从114到127 MeV,能量步长200keV.分析激发函数的角度关联,角度相干宽度超过40°,各个角度之间反应产物的互关联系数在0.6以上.用宏观条件下的量子态叠加讨论了这种大角度关联.

摘要： 在较大的连续角区范围内测量了27Al+27Al耗散反应产物的激发函数,入射束流的能量从114到127 MeV,能量步长200keV.分析激发函数的角度关联,角度相干宽度超过40°,各个角度之间反应产物的互关联系数在0.6以上.用宏观条件下的量子态叠加讨论了这种大角度关联.

摘要： 在较大的连续角区范围内测量了27Al+27Al耗散反应产物的激发函数,入射束流的能量从114到127 MeV,能量步长200keV.分析激发函数的角度关联,角度相干宽度超过40°,各个角度之间反应产物的互关联系数在0.6以上.用宏观条件下的量子态叠加讨论了这种大角度关联.

摘要： 在较大的连续角区范围内测量了27Al+27Al耗散反应产物的激发函数,入射束流的能量从114到127 MeV,能量步长200keV.分析激发函数的角度关联,角度相干宽度超过40°,各个角度之间反应产物的互关联系数在0.6以上.用宏观条件下的量子态叠加讨论了这种大角度关联.

摘要： 在较大的连续角区范围内测量了27Al+27Al耗散反应产物的激发函数,入射束流的能量从114到127 MeV,能量步长200keV.分析激发函数的角度关联,角度相干宽度超过40°,各个角度之间反应产物的互关联系数在0.6以上.用宏观条件下的量子态叠加讨论了这种大角度关联.

摘要： 在较大的连续角区范围内测量了27Al+27Al耗散反应产物的激发函数,入射束流的能量从114到127 MeV,能量步长200keV.分析激发函数的角度关联,角度相干宽度超过40°,各个角度之间反应产物的互关联系数在0.6以上.用宏观条件下的量子态叠加讨论了这种大角度关联.

摘要： 本发明提出一种空间带电粒子入射位置及能量的探测器，所述探测器包括位置探测单元阵列和后端电路分析处理模块；所述位置探测单元阵列在Y方向和X方向上有若干独立的电荷输出通道，每个电荷输出通道用于在空间带电粒子入射后，在入射位置点的Y方向和X方向上输出不同的电流信号；所述后端电路分析处理模块，对若干电荷输出通道输出的电流信号进行采集，将采集到的电流信号转化为差分电压信号，并将此差分电压信号转换为单端信号进行采集，从而得到带电粒子入射位置和能量。本发明的探测器可以实现对空间带电粒子入射位置的探测，甄别FPGA发生的SEU是否由空间带电粒子引起，并对该空间带电粒子的能量进行检测，为在轨排故提供更加明确的数据支持。

摘要： 一种能量收集器(RF)，用于将与射频信号即RF信号相关联的入射RF能量转换成直流能量，其包括：整流器(5)，该整流器(5)包括预储存电容器(4)，其中所述整流器被布置为对传入的RF能量(3)进行整流，从而将RF能量储存到预储存电容器(4)中；之后是能量传递单元(6)，其包括储存输出电容器(8)，储存输出电容器(8)的值高于预储存电容器(4)的值，能量传递单元被布置为将来自预储存电容器的能量传递到包括控制单元(2)的储存输出电容器中。

摘要： 提出了一种能量产生透明(EGT)结构以及一种利用入射到EGT结构的光来产生能量的方法。所述EGT结构由具有与反射结构相邻的内表面的窗玻璃构成。所述方法接受入射到窗玻璃的外表面的光，并且将可见光谱的光透射通过窗玻璃和反射结构。然而，将近红外(NIR)光谱的光从反射结构反射回窗玻璃中，以便将反射的NIR光谱的光供应至窗玻璃的边缘。例如，如果所述光的角度大于或等于在窗玻璃外表面和空气之间发生TIR的角度，则将反射的NIR光谱的光供应至窗玻璃边缘。可以将反射的NIR光谱的光转换为电能或热能。

摘要： 基于金属互补结构电磁超表面的双频宽入射角极化不敏感能量收集器,涉及无线能量传输与收集领域。解决现有能量收集装置超表面负载电阻数量多、收集阻值大和现有能量收集装置在收集双频、极化不敏感、宽入射角的能量效率低的问题。本发明提供一种能量收集器的金属互补结构，所述金属互补结构包括电磁能量收集单元，电磁能量收集单元为完全旋转中心对称结构，完全旋转中心对称结构包括一个位于旋转中心的中心开口、n个谐振槽和n个连接槽，n为大于1的整数，n个谐振槽均匀分布在中心开口的周围，每个谐振槽与中心开口通过一个连接槽联通。金属互补结构开设有n个通孔，n个通孔均匀分布在中心开口的周围。本发明适于无线能量收集。

摘要： 本发明提供了一种不同能量入射粒子辐照器件的缺陷演化仿真方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取入射粒子辐射器件后产生的PKA的信息，对所述器件进行网格化处理，并获取每个网格中的所述PKA的信息；建模；利用分子动力学模拟方法进行PKA在器件中级联碰撞的微观损伤过程模拟；利用动力学蒙特卡罗方法进行缺陷演化模拟；S5，改变所述入射粒子的能量数值，重复上述步骤，获取不同入射粒子能量与所述器件中缺陷信息之间的关系。本发明采用不同模拟方法分别覆盖不同的时间尺度，模拟计算更为精确，模拟过程与实际情况更为贴合，模拟结果与实验数据也较为贴合，且计算法方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。

摘要： 本发明提供了一种不同入射粒子能量效应智能预测方法及系统，所述预测方法包括：步骤一，采用机器学习方法预测不同能量的入射粒子辐照器件所产生的初级离位原子的信息；步骤二，根据所述初级离位原子的信息，采用区域增长算法，进行所述初级离位原子在所述器件中的移位级联动态演化仿真。本发明对拥有不同能量信息的入射粒子对空间半导体器件辐照损伤所造成的移位级联进行智能动态地预测和仿真，为快速准确地计算入射粒子与移位级联的相互作用提供基础，从而有助于揭示不同能量粒子对材料产生的物理作用现象。

摘要： 本发明提出一种空间带电粒子入射位置及能量的探测器，所述探测器包括位置探测单元阵列和后端电路分析处理模块；所述位置探测单元阵列在Y方向和X方向上有若干独立的电荷输出通道，每个电荷输出通道用于在空间带电粒子入射后，在入射位置点的Y方向和X方向上输出不同的电流信号；所述后端电路分析处理模块，对若干电荷输出通道输出的电流信号进行采集，将采集到的电流信号转化为差分电压信号，并将此差分电压信号转换为单端信号进行采集，从而得到带电粒子入射位置和能量。本发明的探测器可以实现对空间带电粒子入射位置的探测，甄别FPGA发生的SEU是否由空间带电粒子引起，并对该空间带电粒子的能量进行检测，为在轨排故提供更加明确的数据支持。

摘要： 本实用新型公开了一种活检系统快速导入射频能量的导入装置，其中，包含依次连接的插头、线缆、剪刀式夹持件，夹持件包含通过连接轴连接的第一金属夹头与第二金属夹头、连接于第一金属夹头一端的第一手垫、连接于第二金属夹头一端的第二手垫以及安装于第一手垫与第二手垫之间的压簧，线缆连接于第一金属夹头或第二金属夹头，在使用时由第一金属夹头与第二金属夹头对活检针针管进行侧方夹持的方式进行夹持，利用压簧初始性能闭合第一金属夹头与第二金属夹头，压簧压缩后打开第一金属夹头与第二金属夹头，随后将插头与射频装置连接进行射频能量导入至活检针针管，进行活检组织的射频消融术。

摘要： 一种校准晶圆片正面入射能量密度的方法，包括：提供未掺杂的晶圆，采用不同能量密度的激光进行退火，未经校准的能量密度通过反馈回路控制，提供在任意单位的入射能量密度的测量；在退火工艺中，通过AFM对晶圆片进行表面粗糙度测试，获得表面熔化开始时的阈值变化点及所对应的实际入射能量密度；根据任意单位入射能量密度和阈值变化点时所对应的实际入射能量密度，进行入射能量密度校准。本发明利用AFM测量的表面粗糙度在晶圆表面熔化开始时的突然阈值变化来校准入射激光脉冲能量密度；对硅衬底在1300°C下亚熔体硼掺杂活化进行入射ED周期监测；在1200°C或以下使用非晶掺杂硅磷层的外延再生长进行工具和工艺匹配，并且匹配在能量密度的1％范围内。

摘要： 本申请涉及一种基于CT技术的带电粒子入射能量确定方法和装置，利用CT技术获得各组织单元介质的CT值及带电粒子入射至各组织单元的实际长度，并根据相应的CT值计算各组织单元的射程比值；根据各组织单元的实际长度及射程比值计算与各组织单元的实际长度相对应的水中等效长度，并将各组织单元的水中等效长度加权求和，得到带电粒子实际射程的水中等效射程；通过水中等效射程，计算带电粒子的入射能量；本申请基于CT技术得到带电粒子入射路径体层中各组织单元的实际长度，依据等效关系将实际长度转化为水中等效长度，各组织单元水中等效长度加权求和得到水中等效射程，以通过带电粒子水中等效射程实现精确计算出带电粒子的入射能量目的。