光敏二极管

摘要： 目前,机械式播种器研究较为成熟,但因本身结构特点难于播种长圆、扁等各种不规则形状的作物种子,而气吸式播种器尤其擅于播种棉籽、打瓜、葫芦籽、甜菜及玉米等种子.目前,播种机的监测装置大多使用机械式、压电传感器针对播种管、种料箱进行信号采集,并非在播种器内部进行监测.为此,设计了一种运用光敏二极管模块、霍尔传感器和单片机微处理器的气吸式播种机播种监测装置,实现了对播种机漏播、播种数统计,以及漏种报警等功能.播种监测系统试验结果表明:监测单元安装误差不应大于2.2am,此时系统的漏播监测精度、播种数监测精度均大于95％.该气吸式播种监测系统符合监测要求,可避免过度漏播及无种空跑,提高了播种效率,降低了经济损失.

摘要： 本文主要指出了当前高中物理教学中存在的部分典型伪科学及做假的实验教具,并对其科学原理的真伪性进行了剖析.

摘要： 采用分子束外延制备了PbSe与MoSe2薄膜,使用Raman光谱和XRD衍射谱进行表征;并研制出PbSe/MoSe2异质结光敏二极管,研究了其光电响应特性.使用1300 nm红外光源照射,在零偏压和-5 V偏压加载下,所研制异质结光敏二极管的探测率分别为5×109 cm·Hz1/2·W-1和2.9×1011 cm·Hz1/2·W-1,显示出优异的光电响应特性.尤其在负偏压工作模式下,由于器件处于关断状态,具有更低的暗电流,因此,具有更高的光/暗电流比和更加优异的综合性能.

摘要： 通过实验,得到了发光二极管的各种特性及电光驱动特性,一些复合半导体材料(如GaAs等)形成的PN结正向偏置时,空穴与电子在PN结复合产生特定波长的光,其发光波长与相应半导体材料的能级间隙Eg有关.利用具有光电导效应的材料(如硅、锗等本证半导体与如硫化镉、硒化镉、氧化铅等杂质半导体)可以制成电导随入射光度量变化的器件,叫做光电探测器,即光敏电阻.

摘要： 基于美国国家仪器公司(简称NI)的NI USB-6003数据采集器,结合目前使用的D-GD-Ⅲ型号的光电传感器特性综合实验仪,用Lab VIEW设计了测量光电传感器特性实验系统,使用该系统测量了光敏二极管的光照特性和伏安特性,该系统具有测量方便灵活,实时直观,扩展性好等优点,测量的实验结果与传统的教学仪器测量结果吻合.

摘要： 考虑到非通信类专业对光纤通信原理实验项目的需求,设计了光纤通信原理实验仪.该仪器可以实现音频信号的半导体激光器发射及半导体发光二极管的信号发射.在信号传输部分,可以利用激光在空气中进行传输,也可以利用光纤传输.在信号接收部分,通过光敏二极管把光信号转化成电信号,通过扬声器体验光纤通信的质量.

摘要： 如今的衣服材质琳琅满目，但如果用一种可反复水洗的发光材料来编织衣物，这样会不会更特别呢？这不，麻省理工学院的研究人员成功地将包含发光二极管（LED）和光敏二极管在内的半导体器件嵌入纤维内，织成了耐水洗的柔性布料。相信不久之后，大家就能在市场上购买到用这种面料做成的衣服了。

摘要： 据Eurek Alert网站2018年8月8日消息,美国麻省理工学院研究人员将高速光电半导体器件（发光二极管LED和光敏二极管）嵌入到InmanMills织物中,开发出柔软、可清洗的可穿戴通信系统。

摘要： 利用光敏二极管作为颜色传感器的核心元件.通过滤光镜,将来自地面反射光中的红色光通过光敏二极管转换为电信号,用以控制水切割机工作.

摘要： 本文通过设计测试光敏二极管光照特性的实验,对光敏二极管光照特性进行了测试,从理论上分析了测试结果,使学生了解光电器件基本特性,正确解释实验现象和分析实验结果,初步体会其应用价值和意义.

摘要： 介绍了红外线的特点和应用,红外线通信的原理,制作了红外线通信实验装置并进行了通信试验,发现解决了红外接收光敏二极管可能存在的中心偏离问题,利用该仪器可以拓展应用,制作红外线报警演示装置.

摘要： 本文介绍一种采用电流镜放大读出电路的CMOS图像传感器.该读出电路能向光敏二极管提供恒定的接近于零的偏压,使二极管暗电流和暗噪声减小;它的输入阻抗低,注入效率高,动态范围大;光电流放大10倍后再去积分、输出,使器件灵敏度大大提高.采用2μmCMOS工艺研制出64位线阵样品,得到比较满意的实验结果.

摘要： 利用光敏二极管作为颜色传感器的核心元件.通过滤光镜,将来自地面反射光中的红色光输送给相对联结的光敏二极管,光敏二极管将红色光信号转换为电信号,用以控制水切割机工作.导引装置在新型养路机械中起先导作用,颜色传感器在导引装置中起识别颜色作用.

摘要： 该文介绍了MOS继电器之结构、工作原理、光电性能特点等，并就光MOS继电器的设计与工艺特点进行了详细探讨，解决关键技术问题，做出了高耐压、薄型塑封光MOS继电器，并批量生产。

摘要： 该文介绍了MOS继电器之结构、工作原理、光电性能特点等，并就光MOS继电器的设计与工艺特点进行了详细探讨，解决关键技术问题，做出了高耐压、薄型塑封光MOS继电器，并批量生产。

摘要： 该文介绍了MOS继电器之结构、工作原理、光电性能特点等，并就光MOS继电器的设计与工艺特点进行了详细探讨，解决关键技术问题，做出了高耐压、薄型塑封光MOS继电器，并批量生产。

摘要： 该文介绍了MOS继电器之结构、工作原理、光电性能特点等，并就光MOS继电器的设计与工艺特点进行了详细探讨，解决关键技术问题，做出了高耐压、薄型塑封光MOS继电器，并批量生产。

摘要： 一种发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装，发光二极管载具包含基板、导电层、粘着层以及反射元件。导电层设置于基板上，并具有接合部，接合部具有顶面高于导电层的延伸部的顶面。粘着层覆盖导电层的延伸部，并暴露导电层的接合部。反射元件设置于粘着层上。粘着层具有卡勾部，卡勾部接触反射元件的底角。本揭示的发光二极管载具是以具有卡勾部的粘着层为特征，粘着层的卡勾部与反射元件的底角相卡合，以牢固地将反射元件固定于粘着层上。此外，导电层具有隆起的接合部，保护粘着层不受发光二极管晶片所发出的光直接照射。

摘要： 本发明公开了用于有机光电二极管的化合物、由化学式1表示的化合物、用于有机光电二极管的组合物、利用它们的有机光电二极管、显示装置。化学式1的具体内容在说明书中限定。

摘要： 本发明公开了发光二极管模块和发光二极管以及制造发光二极管的方法。所述发光二极管模块包括印刷电路板和通过焊膏粘结至该印刷电路板的发光二极管。所述发光二极管包括电连接至第一导电型半导体层的第一电极焊盘和连接至第二导电型半导体层的第二电极焊盘，其中，第一电极焊盘和第二电极焊盘中的每个电极焊盘包括至少五对钛/镍层或至少五对钛/铬层和最上面的金层。因此，防止了焊膏中的例如锡等的金属元素的扩散，从而提供了可靠的发光二极管模块。

摘要： 在此公开了一种发光二极管、一种发光二极管模块和一种制造发光二极管的方法。所述发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分。

摘要： 一种用于有机光电二极管的化合物、包括其的用于有机光电二极管的组成物、有机光电二极管及显示装置。所述用于有机光电装置的化合物由化学式1与化学式2表示。在化学式1与化学式2中，各取代基的定义与说明书公开的内容相同。

摘要： 本说明书提供一种由化学式1表示的杂环化合物、一种包括其的有机发光二极管、一种用于有机发光二极管的有机材料层的组成物以及一种制造有机发光二极管的方法。

摘要： 提供了发光二极管溶剂、包含发光二极管溶剂的发光二极管墨以及用于制造显示器的方法。发光二极管墨包含发光二极管溶剂以及分散在所述发光二极管溶剂中并且各自包括多个半导体层和围绕所述半导体层的外表面的绝缘膜的发光二极管，其中所述发光二极管溶剂是具有7至15的pKa的有机溶剂。

摘要： 一种发光二极管（LED）封装组件（100）包括衬底（102）。衬底包括顶表面、底表面（122）、和穿过衬底（102）形成的开口。开口包括邻近顶表面的第一部分（104）和邻近底表面（122）的第二部分（106），该第二部分（106）比第一部分（104）更宽，使得衬底（102）的各部分悬于开口的第二部分（106）之上。焊盘（124）设置在悬于开口（102）的第二部分（106）之上的衬底（102）的各部分的底表面上。该组件还包括开口中的混合器件（210）。混合器件（210）包括具有顶表面、底表面、和顶表面上的互连的硅背板（214）。互连（148）电耦合到焊盘（124）。该混合器件还包括在硅背板（214）的顶表面上的LED阵列（212）。

摘要： 本申请提供的一种硅基二极管的制作方法、硅基二极管以及二极管器件，通过向所述槽体的底部注入第一浓度硼离子，以及向所述槽体的侧壁底部注入第二浓度硼离子，所述第一浓度低于所述第二浓度，该结构在较短的沟槽侧壁上制备了NMOS区，侧壁P+的存在可以有效耗尽该处的电场，防止反向耐压时被过早击穿，同时P+可以提升器件的抗浪涌能力；沟槽底部和顶部P区降低阳极注入效率，同时正向开启时可以激活NMOS注入电子，进一步降低阳极的注入效率，使该器件具备耐高压，高软度，正向电压低，反向峰值电流低特性。

摘要： 本申请涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法。其中，发光二极管芯片包括依次叠层设置的反射层、牺牲层、衬底、N半导体层、发光层和P半导体层。所述牺牲层包括叠层设置的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层设置于所述反射层和所述第二牺牲层之间，所述第二牺牲层设置于第一牺牲层和所述衬底之间，且所述第一牺牲层的折射率大于所述第二牺牲层的折射率。本申请提供的所述发光二极管芯片的亮度较高。