先驱体

摘要： 聚合物浸渍裂解(Polymer infiltration pyrolysis,PIP)工艺简单,可以净尺寸成型复杂构件,在陶瓷基复合材料制备中有着广泛的应用。但是其先驱体合成工艺复杂、陶瓷产率低、价格昂贵,且PIP工艺周期长,使得生产成本高昂,影响其发展和工程化应用。从陶瓷先驱体的低成本研发与高效率的致密化工艺两部分对陶瓷基复合材料的低成本制造进行了综述。

摘要： 为了降低成本和简化工艺,以SiC-ZrC复相陶瓷单源先驱体(聚锆碳硅烷,PZCS)作为原材料,通过先驱体浸渍-裂解(PIP)工艺成功制备得到C/C-SiC-ZrC复合材料.PZCS先驱体的裂解行为采用TG分析表征,高温裂解产物的相组成、微观形貌及元素分布等通过XRD、SEM及EDS表征.结果表明,PZCS先驱体能够得到ZrC、SiC均匀分散的均相SiC-ZrC复相陶瓷,其1000°C陶瓷产率为53.82％,可作为PIP工艺制备复合材料的新型先驱体材料.C/C-SiC-ZrC复合材料的弯曲强度达271MPa,断口形貌观察发现,大量纤维呈拔出状态,复合材料表现出准弹性破坏行为.

摘要： 以四氯化锆为锆源,苯甲醇为碳源,分别采用对二甲苯,间二甲苯和二甲苯3种不同溶剂,有机合成高碳锆比(原子比28:1)碳化锆陶瓷的先驱体苯甲醇锆(benzyl alcohol zirconium,BAZ).采用FT-IR对先驱体的基团结构进行表征,通过热重分析(TGA)和X射线衍射分析(XRD)对BAZ的耐热性和陶瓷转化过程进行研究.结果表明,采用不同溶剂制备的碳化锆先驱体在600～700°C时均全部热裂解,1500°C完全热解为ZrC,其中采用对二甲苯溶剂制备的先驱体在氩气气氛下1600°C保温1 h后的陶瓷产率最高,为51.8％,采用二甲苯溶剂制备的先驱体热裂解温度最高,为670°C.

摘要： 单一电极材料很难满足高性能超级电容器的需求.为开发兼具氧化物和碳材料优点的电极材料, 本文通过氧化Co/Ni混合配合物先驱体, 得到一种堆积紧密的NiCo2O4/C&S纳米复合材料.对该复合物的结构、组成和电化学性质进行了表征分析.用于超级电容器电极材料时, 该复合物展示出超长的冲/放电稳定性(＞20000圈).该复合物循环寿命的提高, 得益于它的超高稳定性.本文探讨了C和S对形成这种稳定结构的作用.

摘要： 单一电极材料很难满足高性能超级电容器的需求。为开发兼具氧化物和碳材料优点的电极材料,本文通过在400°C下氧Co/Ni混合配合物先驱体,得到一种堆积紧密的NiCo2O4/C & S纳米复合材料。应用多种检测手段,如粉末衍射、扫描电镜、透射电镜和元素分析等,对该复合物的结构特征和组成进行了表征。同时,利用循环伏安、恒流冲放电和阻抗分析等技术对该复合材料的电化学性质进行了分析。结果表明,该复合材料是由NiCo2O4纳米颗粒和未完全碳化、硫化的微量C和S均匀复合而成。当用于超级电容器电极材料时,该复合物展示出超长的冲/放电稳定性(>20,000圈)。该复合物循环寿命的提高,得益于它的超高稳定性。本文探讨了掺杂的C和S对形成这种稳定结构的作用。实验结果显示,NiCo2O4/C & S复合材料对开发实用型超级电容器电极材料具有重要参考价值。

摘要： 通过化学气相渗透法和先驱体浸渍裂解法相结合制备出密度为1.95 g/cm3的三维 C/C-HfC 复合材料,碳化铪陶瓷相均匀地填充于材料内部.探究了先驱体的物相转化过程和材料的耐烧蚀性能.结果表明:复合材料经等离子体烧蚀装置测试120 s后,样品的质量烧蚀率和线烧蚀率分别为:0.001 5 g/s和0.002 4 mm/s.通过先驱体浸渍裂解工艺引入到基体内的碳化铪陶瓷相在烧蚀过程中与氧化性气体生成的二氧化铪固体颗粒起既能起到一定的热障作用,也能作为抑制氧化性气体扩散的阻挡层,从而提高了材料的耐烧蚀性能.同时,氧化产物的生成和一氧化碳气体的挥发将消耗烧蚀区域内一部分热量,进而降低材料表面的温度,进一步提高材料的抗烧蚀能力.%A three-dimensional C/C-HfC composite with a density of 1.95 g/cm3 was fabricated by chemical vapor infiltration of carbon into a 3D woven carbon fiber felt to a density of 1.45 g/cm3 followed by vacuum impregnation and pyrolysis of a solution containing the HfC precursor.Results indicate that HfC particles are uniformly dispersed around the pyrocarbon.The 3D C/C-HfC composite exhibits a good ablation resistance at 2573 K.The mass and linear ablation rates after ablation for 120 s are 0.001 5 g/s and 0.002 4 mm/s, respectively.The resistance to ablation is attributed to the introduction of HfC into the C/C composite.The tree-coral-like HfO2 particles formed during the ablation act as thermal and oxygen diffusion barriers, protecting the composite from further ablation.Also, the oxidation of HfC and the volatilization of the ablation product (CO) absorb a large amount of heat from the composite.

摘要： Boron carbide (B4C) is a kind of advanced ceramics with excellent properties, which has been widely applied in military, nuclear, aerospace, and other high-tech fields. The fabrication of boron carbide by precursor derived method has been well developed in recent years. Comparing with other preparative approaches, the pre-cursor derived method has a variety of advantages including simple elemental composition, good formability, high ceramic yield, and low energy consumption, which has been widely applied to prepare boron carbide powder, fibers, mesoporous ceramics and ceramic microspheres. In this paper, current development of boron carbide pre-pared by precursor derived method was reviewed. Synthesis and application of boron carbide precursors were mainly discussed. In addition, the future efforts and application prospects of precursor-derived boron carbide ce-ramics were also analyzed.%碳化硼(B4C)是一种性能优良的特种陶瓷,在军事、核工业、航空航天等领域有着广泛的应用.近年来,采用先驱体转化法制备碳化硼陶瓷得到了长足的发展.相比碳化硼材料的其它制备方法,先驱体转化法具有元素组成简单、成型性好、陶瓷产率高、能耗低等优势,在制备碳化硼粉体、纤维、介孔材料、微球等方面有着广泛的应用.本文综述了先驱体转化法制备碳化硼陶瓷的最新研究进展,着重介绍了碳化硼先驱体的合成及应用,并对先驱体转化法制备碳化硼陶瓷的发展方向和应用前景进行了展望.

摘要： HfC陶瓷具有优异的耐超高温性能,在航空航天领域具有广阔的应用前景。本文以四氯化铪、乙酰丙酮、甲醇、1,4-丁二醇为原料合成了HfC陶瓷先驱体。采用元素分析、红外光谱、XPS、TG-MS等对先驱体的组成、结构及无机化过程进行了表征。结果表明:先驱体主要含有Hf、C、O、Cl元素,铪与碳以Hf-O-C键的形式相连。在无机化过程中部分碳链断裂,有大量的小分子逸出。另外采用元素分析、XRD、SEM等对陶瓷产物的组成、结构与性能进行了表征。结果表明:Ar气氛下1600°C处理后产物仍存在氧化铪相,真空条件下1200°C碳热还原发生,1600°C热处理后只有碳化铪陶瓷相。

摘要： The new composite ceramic precursor( ZPCSN) containing zirconium and silicon was prepared by blending tetrakis ( dimethylamido) zirconium( TDEZAZ) with phenylacetylene( PCSN) . The structure of ZPCSN was characterized by FT⁃IR;the cu⁃ring behavior of ZPCSN was analyzed by DSC and its thermal stability was studied by TGA;its ceramization performance was inves⁃tigated by XRD with XPS. The results show that ZPCSN can form dense three⁃dimensional network structure by cross⁃linking in cu⁃ring process and possess excellent heat resistance owing to the alkynyl in the molecular structure;in addition, ZPCSN can turn into multiple complex phases ceramics composed of ZrC, ZrN, SiC and Si3 N4 with a yield of 67.92%after sintering at 1 600°C in argon, thus it indicates that ZPCSN exhibits excellent ceramization performance.%将四⁃二乙氨基锆（ TDEAZ）和乙炔基苯胺封端的聚碳硅氮烷（ PCSN）进行液相共混，制备含有Zr、Si元素的新型复相陶瓷先驱体（ ZPCSN），并通过FT⁃IR对其结构进行表征，利用DSC与TGA分别探讨其固化行为及耐热性能；并通过XRD与EDS研究ZPCSN的陶瓷先驱体、耐高温陶瓷。陶瓷化性能结果表明，ZPCSN结构中含有C≡C键，在固化过程中交联形成致密的三维网状结构，赋予ZPCSN优异的耐热性能；在1600°C氩气氛围中，ZPCSN裂解形成ZrC／ZrN／SiC／Si3 N4多元复相陶瓷，保留率为67．92％，这表明ZPCSN具有优异的陶瓷化性能。

摘要： 以炔基聚硅烷（ PEPSI）为硅源和聚锆氧烷（ PNZ）为锆源，制备了SiC⁃ZrC复相陶瓷先驱体。 SiC⁃ZrC先驱体通过炔基的聚合、硅氢加成和锆氧烷与硅氢键的缩合，在260～340°C热固化。 SiC⁃ZrC先驱体中加入乙酰丙酮镍（ NIAA），会降低先驱体的固化温度、提高陶瓷产率和促进陶瓷结晶，表明乙酰丙酮镍（ NIAA）对SiC⁃ZrC先驱体具有催化固化和促进结晶的作用。 N2气氛下，先驱体PEPSI⁃0．8PNZ⁃NIAA（ PEPSI ∶ PNZ ∶ NIAA质量比为1．00∶0．80∶0．01）经1600°C裂解的陶瓷产率为43％。 XRD和SEM⁃EDS结果表明，SiC⁃ZrC先驱体在1600°C下发生碳热还原反应，得到了纯度较高的SiC⁃ZrC复相陶瓷，Si、Zr和C元素在陶瓷材料中均匀分布。 SiC⁃ZrC先驱体有望作为理想的高温陶瓷基体树脂。%A novel kind of SiC⁃ZrC multi⁃phase ceramic precursor was prepared by reactive blending of Ethynylpolysilane ( PEPSI, as silicon source) and Polyzirconoxanesal( PNZ, as zirconium source) . The thermal cure of SiC⁃ZrC precursor was realized by polymerization of ethynyl groups, hydrosilylation and condensation of zirconate with Si⁃H at 260~340°C. NIAA can reduce the curing temperature of the precursors, accelerate the pyrolysis and crystallization, and improve the ceramic yields, which shows that NIAA has an obvious catalytical effect on thermal cure and pyrolysis. For the optimized formula ( PEPSI⁃0.8PNZ⁃NIAA) , the mono⁃lithic ceramic was formed upon pyrolysis at 1 600°C in a yield of 43% under N2 atmosphere. XRD and SEM⁃EDS results show that:SiC⁃ZrC precursor is converted into almost pure SiC⁃ZrC multi⁃phase ceramic upon heat treatment at 1 600°C. Porous ceramic tex⁃ture can occur due to the carbon thermal reduction, which generate carbon oxides. The Si, Zr and C elements are distributed uni⁃formly in the obtained SiC⁃ZrC ceramic. The SiC⁃ZrC precursor is a promising candidate for the production of ultra⁃high temperature ceramics.

摘要： 将碳纳米管应用于增强碳化硅陶瓷材料,通过碳纳米管拔出和桥联增韧,可改善碳化硅陶瓷复合材料的力学性能,避免早期脆性断裂.本文通过化学修饰改性,制备了可均匀分散于聚碳硅烷的改性碳纳米管.通过向聚碳硅烷中掺入改性碳纳米管,得到了一种碳纳米管均匀分散的陶瓷先驱体CNT-PCS,该CNT-PCS熔体的流动指数大于1,粘流活化能为195.4 kJ/mol.该新型先驱体可用于制备高性能碳纳米管增强碳化硅陶瓷材料,也可进行熔融纺丝以制备碳纳米管增强的碳化硅纤维.

摘要： 半固态方法制备泡沫铝合金先驱体过冲中,需要将大量的发泡剂混合入半固态熔体中,并制备得到混合有氢化钛发泡剂的先驱体。发泡剂本身在先驱体中不易观察,因此通过实验观察发泡剂分解产生的初生起泡在不同位置的分布规律、大小尺寸以及随搅拌时间延长的变化规律,从而判断发泡剂的混合效果以及是混合过程中是否会发生团簇。

摘要： 硼吖嗪有“无机苯”之称，是氮化硼材料的先驱体，在空间材料等领域有广泛的应用。硼吖嗪单体在聚合的过程中易发生交联形成不溶不熔的聚合物，难以通过熔融纺丝制备氮化硼(BN)纤维，需要对硼吖嗪进行改性得到可熔融的聚合物，从而制备BN纤维。文中概括了硼吖嗪的一些改性方案，为制备BN纤维先驱体提供参考。

摘要： 在钠先驱体中,采用醋酸钠、甲醇钠、乙醇钠3种先驱体;在硼先驱体中,采用硼酸并用乙醇、甲醇、乙二醇甲醚为硼酸的先驱体溶剂;采用正硅酸乙酯为硅的先驱体,分别采用甲醇和乙醇为先驱体溶剂.对上述体系中不同的先驱体及溶剂进行交叉实验.结果表明:当以固体或液体为先驱体时,在多组分溶胶系统中,先驱体溶剂的选择组遵从结构相似相溶原理,可制备优质凝胶.

摘要： 在钠先驱体中,采用醋酸钠、甲醇钠、乙醇钠3种先驱体;在硼先驱体中,采用硼酸并用乙醇、甲醇、乙二醇甲醚为硼酸的先驱体溶剂;采用正硅酸乙酯为硅的先驱体,分别采用甲醇和乙醇为先驱体溶剂.对上述体系中不同的先驱体及溶剂进行交叉实验.结果表明:当以固体或液体为先驱体时,在多组分溶胶系统中,先驱体溶剂的选择组遵从结构相似相溶原理,可制备优质凝胶.

摘要： 在先驱体转化制备陶瓷基复合材料中,为提高复合材料性能,必须优化制备工艺,本文论述了不合氧的聚碳硅烷(PCS)、聚硅氮烷(PSZ)先驱体转化制备陶瓷基复合材料的方法,分析了不同先驱体制备陶瓷基复合材料工艺和性能的差异,提出了可用于提高复合材料性能的工艺途径.

摘要： 本文探讨了石英纤维和先驱体转化氮化硅的物理化学相容性。结果表明：石英纤维与先驱体转化氮化硅的热膨胀失配对纤维产生压应力损伤，而氮化硅基体则受拉应力，容易产生微裂纹；先驱体全氢聚硅氮烷中的活性基团与石英纤维表面的不饱和键和羟基基团发生化学反应，形成硅氧氮界面相，造成了强烈的化学结合。石英纤维与先驱体转化氮化硅的物理和化学相容性均不好，从而降低了石英纤维增强氮化硅复合材料的力学性能。

摘要： 本文通过有机聚合物先驱体法使用氯代硅氧烷[(SiOCl2)n]、烷基胺(RNH2)、三氯化硼(BCl3)为原料,对SiO2基陶瓷进行了B,C,N的原子级掺杂,制备了一种硅基复合陶瓷.通过有机-无机裂解转化制备了陶瓷的纳米粉体,其Si:B的摩尔比为80:20,将该粉体热压制备了复合陶瓷材料.通过力学分析,XRD,SEM,FT-IR,TEM等测试手段对材料的结构和性能进行了分析研究.陶瓷材料的密度在1.95g/cm3～2.15g/cm3之间,力学性能在1700°C,25Mpa热压条件下达到最高,其抗弯强度为150.50Mpa、维氏硬度为3.78GPa、断裂韧性为2.10Mpa·m1/2.得到的复合陶瓷在1700°C时仍保持非晶态,在1800°C时有少量的纳米级SiC球形颗粒析出.分析认为:B,C,N的原子级掺杂引入显著提高了SiO2基陶瓷材料的力学性能和析晶温度,十分有效的提高了陶瓷材料的热稳定性.

摘要： 本文对先驱体硅树脂高温(800°C～1400°C)转化陶瓷结合层连接石墨、陶瓷SiC及Cf/SiC复合材料进行了研究,着重对硅树脂固化裂解过程、裂解温度及惰性填料对连接性能的影响进行了探讨.结果表明,硅树脂的交联固化主要是通过消耗Si-OH来完成.对于石墨、SiC的连接,1200°C是较佳的处理温度,而对于Cf/SiC则最佳的处理温度为1400°C.加入5﹪惰性填料SiC可以提高硅树脂对Cf/SiC复合材料的连接性能.

摘要： 采用不同摩尔比的甲基乙烯基二氯硅烷和乙烯基三氯硅烷混合液，以乙二醇二甲醚作为反应溶剂，在反应釜内进行氨解反应，反应后的产物经副产物和溶剂分离后，得到聚氮硅烷，之后对先驱体进行1100°C裂解，制得相应的SiCN(O)材料。随着乙烯基三氯硅烷在溶液中含量的增加，陶瓷产率亦随之增加，陶瓷产率与乙烯基三氯硅烷的含量表现出明显的非线性关系，并体现出无序共聚的特点。

摘要： 本发明涉及一种富碳先驱体陶瓷的制备方法及制得的富碳先驱体陶瓷，所述方法包括：将碳源与含Si‑H键的聚硅聚合物混合均匀，得到混合液；将得到的混合液在65～80°C的条件下保温10～20h，得到混合料；将得到的混合料进行固化，得到固化产物；将得到的固化产物依次进行粉碎、研磨和过筛，得到固化产物的粉末，然后将所述粉末进行压制成型，得到先驱体；将得到的先驱体进行烧结，制得富碳先驱体陶瓷；其中，所述碳源选自由二乙烯基苯、乙烯基乙炔基苯和二乙炔基苯组成的组。本发明方法能够显著提高先驱体陶瓷中碳含量，本发明制备的富碳先驱体陶瓷碳含量高、电导率高。

摘要： 陶瓷先驱体聚合物纺丝熔体的均粘/脱泡一体装置及方法。该装置包括脱泡釜体，脱泡釜体的上部或者釜体上盖设有供料计量泵，脱泡釜体的底部设有纺丝计量泵，脱泡釜内腔中从上至下依次设置有一号伞形导流面、二号反伞形导流面、三号伞形导流面、四号导流均温弧形面，一号伞形导流面、二号反伞形导流面分别与脱泡釜体内壁的连接处设有第一溢流缝、第二溢流缝。本发明还包括使用陶瓷先驱体聚合物纺丝熔体的均粘/脱泡一体装置进行均粘/脱泡的方法。本发明将纺丝熔体内的气泡脱离干净的同时，实现熔体的均温均粘，提高脱泡效率和熔体粘度均一性，避免纺丝过程中的纺丝细流的中断、形变和纤维断裂，减少原丝维缺陷，提高成品陶瓷纤维的性能。

摘要： 熔融纺丝用陶瓷先驱体聚合物熔体连续供料装置及方法。该装置包括至少三个加热釜，各加热釜的顶部均设有釜盖，各加热釜内均设有搅拌叶片，各加热釜的底部分别通过不同的流体管道与过渡釜的顶部连通，流体管道的数量与加热釜的数量相同，流体管道与加热釜一一对应，各流体管道的上端分别与相应的加热釜的底部连通，流体管道的上端与加热釜的底部连接处设有截止阀，过渡釜底部的溶体流出管道与计量泵的入口端连通。本发明还包括使用该装置进行连续供料的方法。使用本发明，可以使不适合采用螺杆挤出机的聚合物，能实现连续不间断纺丝。纺丝效果好，成品率高。

摘要： 本发明公开了一种SiC先驱体溶液浸渍碳纤维预制体的装置及其工艺方法，属于C/SiC陶瓷基复合材料成型技术领域。一种SiC先驱体溶液浸渍碳纤维预制体的装置，包括注胶装置和浸渍装置，所述注胶装置包括料仓罐，所述料仓罐顶部安装有进胶口和加压口，所述料仓罐底部安装有出胶口，所述料仓罐与加热装置进行连接，所述浸渍装置包括上盖板和下盖板，所述上盖板和所述下盖板之间安装有垫板，所述垫板形成腔体，所述垫板两端安装有注胶口和出胶口，所述注胶装置的出胶口与所述浸渍装置的注胶口相连。本发明可以有效的提高SiC先驱体溶液浸渍碳纤维预制体的效率。

摘要： 一种陶瓷材料粉末坯体浸渍－先驱体裂解制备方法，包括以下步骤：①将陶瓷粉体采用公知方法制备成所需坯体；②将坯体进行干燥，干燥温度80-150°C，干燥时间1-30小时，得到多孔坯体；③将多孔坯体浸入液态陶瓷先驱体中，通过真空或压力浸渍≥1小时；④将浸渍有陶瓷先驱体的多孔坯体置于密闭高压釜中，充入惰性气体，在0.1-30MPa压力条件下，升温至60-300°C，保温10-55小时，使浸渍到粉末坯体孔隙中的先驱体交联固化；⑤将陶瓷先驱体固化后的坯体置于高温炉中，采用氮气保护，加热至1200-1400°C，保温50-70分钟，使固化后的先驱体裂解转化成陶瓷。本发明生产效率高，成品率高，制造成本低。可以用于制备碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮化硼、碳化硼、氧化铝、氮化铝、氧化锆等多种陶瓷材料。

摘要： 本发明涉及一种富碳先驱体陶瓷的制备方法及制得的富碳先驱体陶瓷，所述方法包括：将碳源与含Si‑H键的聚硅聚合物混合均匀，得到混合液；将得到的混合液在65～80°C的条件下保温10～20h，得到混合料；将得到的混合料进行固化，得到固化产物；将得到的固化产物依次进行粉碎、研磨和过筛，得到固化产物的粉末，然后将所述粉末进行压制成型，得到先驱体；将得到的先驱体进行烧结，制得富碳先驱体陶瓷；其中，所述碳源选自由二乙烯基苯、乙烯基乙炔基苯和二乙炔基苯组成的组。本发明方法能够显著提高先驱体陶瓷中碳含量，本发明制备的富碳先驱体陶瓷碳含量高、电导率高。

摘要： 陶瓷先驱体聚合物纺丝熔体的均粘/脱泡一体装置及方法。该装置包括脱泡釜体，脱泡釜体的上部或者釜体上盖设有供料计量泵，脱泡釜体的底部设有纺丝计量泵，脱泡釜内腔中从上至下依次设置有一号伞形导流面、二号反伞形导流面、三号伞形导流面、四号导流均温弧形面，一号伞形导流面、二号反伞形导流面分别与脱泡釜体内壁的连接处设有第一溢流缝、第二溢流缝。本发明还包括使用陶瓷先驱体聚合物纺丝熔体的均粘/脱泡一体装置进行均粘/脱泡的方法。本发明将纺丝熔体内的气泡脱离干净的同时，实现熔体的均温均粘，提高脱泡效率和熔体粘度均一性，避免纺丝过程中的纺丝细流的中断、形变和纤维断裂，减少原丝维缺陷，提高成品陶瓷纤维的性能。

摘要： 熔融纺丝用陶瓷先驱体聚合物熔体连续供料装置及方法。该装置包括至少三个加热釜，各加热釜的顶部均设有釜盖，各加热釜内均设有搅拌叶片，各加热釜的底部分别通过不同的流体管道与过渡釜的顶部连通，流体管道的数量与加热釜的数量相同，流体管道与加热釜一一对应，各流体管道的上端分别与相应的加热釜的底部连通，流体管道的上端与加热釜的底部连接处设有截止阀，过渡釜底部的溶体流出管道与计量泵的入口端连通。本发明还包括使用该装置进行连续供料的方法。使用本发明，可以使不适合采用螺杆挤出机的聚合物，能实现连续不间断纺丝。纺丝效果好，成品率高。

摘要： 本发明公开了一种SiC先驱体溶液浸渍碳纤维预制体的装置及其工艺方法，属于C/SiC陶瓷基复合材料成型技术领域。一种SiC先驱体溶液浸渍碳纤维预制体的装置，包括注胶装置和浸渍装置，所述注胶装置包括料仓罐，所述料仓罐顶部安装有进胶口和加压口，所述料仓罐底部安装有出胶口，所述料仓罐与加热装置进行连接，所述浸渍装置包括上盖板和下盖板，所述上盖板和所述下盖板之间安装有垫板，所述垫板形成腔体，所述垫板两端安装有注胶口和出胶口，所述注胶装置的出胶口与所述浸渍装置的注胶口相连。本发明可以有效的提高SiC先驱体溶液浸渍碳纤维预制体的效率。

摘要： 一种陶瓷材料粉末坯体浸渍－先驱体裂解制备方法，包括以下步骤：①将陶瓷粉体采用公知方法制备成所需坯体；②将坯体进行干燥，干燥温度80-150°C，干燥时间1-30小时，得到多孔坯体；③将多孔坯体浸入液态陶瓷先驱体中，通过真空或压力浸渍≥1小时；④将浸渍有陶瓷先驱体的多孔坯体置于密闭高压釜中，充入惰性气体，在0.1-30MPa压力条件下，升温至60-300°C，保温10-55小时，使浸渍到粉末坯体孔隙中的先驱体交联固化；⑤将陶瓷先驱体固化后的坯体置于高温炉中，采用氮气保护，加热至1200-1400°C，保温50-70分钟，使固化后的先驱体裂解转化成陶瓷。本发明生产效率高，成品率高，制造成本低。可以用于制备碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮化硼、碳化硼、氧化铝、氮化铝、氧化锆等多种陶瓷材料。