元四家

摘要： 《富春山居图》——一旦走近它,绝非只是看清了一卷画,而是靠近了一种淡净却百折不挠的生命态度。这幅高0.33米、长约7米的山水画,被誉为中国山水画长卷的“第一神品”“画中之兰亭”,被后世誉为“中国十大传世名画”之一,属国宝级文物。作者黄公望,元代画家、书法家,元四家之一。50岁后始画山水,晚年大变其法,自成一家。他以书法中的篆草笔法入画,笔墨简远逸迈。

摘要： “新安画派”是明末清初生活在徽州地区及寓居外地的重要徽籍画家组成的绘画团体。画家们多受徽州地域文化及传统文人画(“元四家”为代表)的熏陶,用枯淡疏简的笔墨,貌写家山,借景抒情,具有鲜明的士人逸品格调,开创了明末清初师法自然的绘画新风。“新安画派”书画作品是安徽博物院的特色收藏之一。围绕着“新安画派”作品,安徽博物院在保护、研究及展示等领域,不断探索创新,为传承安徽优秀传统文化,满足公众高质量文化生活需求,发挥着博物馆的特殊作用。

摘要： 墨戏是中国绘画史上极为独特的一种现象,它既是一种笔墨实践,又是一种绘画样式,还是一种美学形态,有着极为丰富的含义。泛泛地说,墨戏即文人画,无论元四家、吴门一脉的小写意,还是青藤白阳一路的大写意,都可称之墨戏。墨戏背后所承载的是中国画的写意精神。最近青年学者谷疏博的一部专著《墨戏研究》出版。该作以墨戏为研究对象,正文分为六章,对墨戏分别从名实概念考辨、历史脉络梳理、形成原因探析、美学特征概括、哲学价值阐发五个维度进行系统性的立体式研究。这五个维度几乎涉及墨戏问题的所有方面,可谓“目前研究墨戏方面最为全面、最有深度的成果”(张晶教授《序》)。从中也可以看出作者宏大的学术抱负。

摘要： 从图像的形式层面与观念层面探寻元代山水画及其特殊的符号象征。元四家从山水外在符号的空间搭建,到笔下山水物象的人格化,都显示了中国传统文化精神的生活美学和时代文化语境,是具有文化承载意义的中国式符号。

摘要： 吴镇(1280-1354)字仲圭,号梅花道人、梅花和尚、梅沙弥等,元嘉兴魏塘(今属浙江嘉善)人,与黄公望、王蒙、倪瓒并称“元四家”。吴镇不仅是一位杰出的画家,还是一位著名的隐士。从明正德到清光绪的各个版本《嘉善县志》中,都把吴镇放在人物志“隐逸”篇中来记载,而与吴镇同时期的画家盛懋、张观等人则被记录在“艺术”篇。

摘要： "元四家"一词,虽已成为概括黄公望、王蒙、吴镇、倪瓒四位元代画家的专有名词,但该词在清代才首次出现.与其意义相似的"元四大家""元季四大家""元季四家"等也是明嘉靖、隆庆时期才相继被王世贞、董其昌、朱谋垔等人使用.以王世贞为代表的尊"赵"派与以董其昌为首的崇"倪"派,直至清代,也未能对赵孟覜与倪瓒谁当列为"元四大家"形成共识.

摘要： 王蒙(1308—1385),字叔明,吴兴(今浙江湖州)人,元末明初画家,与黄公望、吴镇、倪瓒合称"元四家"。王蒙于元末弃官,隐居杭州黄鹤山,自号"黄鹤山樵",直至晚年才出仕,于明初任山东泰安知州;后因"胡惟庸案"牵累,死于狱中。其山水画受其外祖父赵孟頫影响,又集诸家之长而自创风格。作品以繁密见胜,气势磅礴,变化多端。

摘要： 倪瓒(一三○一—一三七四),字元镇、玄瑛,号云林、云林子等。别号众多,如幻霞生、净名居士等,江苏无锡人。尝自署懒瓒,后人常称倪迂。他生于富豪之家,父早丧,青年时在优裕的家境中闭门读书、出门求友,过得逍遥自在。中年后散尽家财,开始了长达二十余年的漂泊生活,漫游于太湖周围的宜兴、常州、湖州、嘉兴、松江一带,或以舟为家,或借宿古寺道观,或寄寓友人家中,与黄公望、王蒙、陈惟寅等画家交谊至深。倪瓒作为无锡绘画史上成就最为卓著的画家之一,与王蒙、黄公望、吴镇并称"元四家",其作品追求清幽散淡的独特审美风格,被后世视为"逸品"的代名词,成为明清乃至后世文人雅士力捧和追求的目标。

摘要： 沈周(一四二七—一五○九),字启南,号石田,晚号白石翁,长洲(今江苏苏州)人。明代杰出的书画家。沈家世代书香,曾祖父沈良琛与王蒙友善,祖父沈澄(字孟渊)、父亲沈恒(字恒吉)、伯父沈贞(字贞吉)均工诗善书画,为苏州有名的画家。沈周少承家学,生平不应科举,专事书画及诗文创作。诗文效苏轼、陆游,著有《石田集》等。书法宗黄庭坚,遒劲奇崛,神采可人。绘画造诣尤深,尤善山水,兼工花卉、鸟兽、人物。山水融糅掺杂,博采众长,出入宋元各家。初学董、巨,后从"元四家"法,于王蒙、黄公望、吴镇下功夫最深.

摘要： 10.沈周仿倪云林难,仿梅花道人更难。梅花道人,即元四家的另一位大家吴镇。吴镇一生隐居不仕,达生知命;梅花之笔,清旷野逸。其墓在梅花庵侧,故世人称他梅花庵主。沈周是仿吴镇的妙手,臻于出神入化之境,却仍然自认差之毫厘,以至曾赋诗感言:"梅花庵主墨精神,七十年来未用真。"吴镇的墨法精气充盈,神采奕然,沈周竟说自己画了七十年都未曾完全仿真,甚可叹也!

摘要： 本发明涉及用于

摘要： 本发明涉及一种四元探测器的制备方法，包括提供外延片；以光刻胶为掩膜对外延片进行光刻，获得台面；采用直流反应磁控溅射的方法在台面上淀积氮化铝绝缘接触层，采用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在氮化铝绝缘接触层上淀积氮化硅钝化加固层，从而得到氮化铝和氮化硅双层薄膜；在氮化铝和氮化硅双层薄膜和台面上开刻电极窗口；在电极窗口中制作P型金属电极和N型金属电极，从而得到铟镓砷铋四元探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的铟镓砷铋四元探测器。本发明的氮化铝和氮化硅双层薄膜有效覆盖凸台的侧表面，提升绝缘钝化性能，降低了过渡到凸台的台阶处的漏电流的产生，进而大大提升了探测器的响应率和可靠性。

摘要： 采用Cu-M-Zn的三元合金或四元合金涂层覆盖适用于橡胶产品增强的狭长钢元件，M是选自钴、镍、锡、铟、锰、铁、铋和钼中的一种或两种金属。涂层中的铜含量为58重量％-75重量％，涂层中的所述一种或两种金属的含量为0.5重量％-10重量％，余量是锌和不可避免的杂质。所述一种或两种金属存在于整个涂层中。磷以每平方米涂层大于1毫克和每平方米涂层小于4毫克的量存在于所述涂层之上和/或之中。涂层还包含在涂层中与铜络合以在其表面上形成不溶性膜的一种或多种化合物。已获得了蒸汽老化和固化湿气黏附的良好结果。此外，公开了用于制造这样的狭长钢元件的相应方法。

摘要： 本发明公开了一种普通六元瓜环‑钙离子‑对称四甲基六元瓜环‑对苯二酚四元超分子框架，其特征在于：其晶体结构单元如下所示：该超分子自组装体采用了两种不同的六元瓜环(Q[6]和TMeQ[6])、金属离子(Ca2+)和有机客体分子(对苯二酚)构建四元超分子体系，使瓜环构筑有序化，形成具有三维分子管道结构的超分子自组装实体，可用于多元酚的富集与分离、气体吸附，并有望在金属离子的富集、污水处理、化合物分离、储能等方面的应用奠定了一定基础。

摘要： 本发明涉及用于

摘要： 本发明公开了高镍四元正极材料前驱体及制备方法、高镍四元正极材料及制备方法、锂离子电池。高镍四元正极材料前驱体包括镍、钴、锰和铝元素，自高镍四元正极材料前驱体的核心至表面的方向，镍和铝的含量逐渐降低，钴和锰的含量逐渐升高，或者自高镍四元正极材料前驱体的核心至表面的方向，在预定区域内镍、钴和铝的含量保持不变，在预定区域以外镍和铝的含量逐渐降低，钴和锰的含量逐渐升高，或者自高镍四元正极材料前驱体的核心至表面的方向，在预定区域内镍、钴、铝和锰的含量保持不变，在预定区域以外镍和铝的含量逐渐降低，钴和锰的含量逐渐升高，预定区域包括高镍四元正极材料前驱体的核心。该高镍四元正极材料前驱体具有良好的结构稳定性。

摘要： 本发明提供的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，将衬底放入生长腔内，以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长ZnMgGaO四元合金薄膜，通过生长温度、锌源、镁源、镓源和氧气流量的精确控制，实现了高质量ZnMgGaO四元合金薄膜的生长，为制备相应的高性能紫外光电器件打下了良好的材料基础。

摘要： 本发明提供一种高镍四元正极材料前驱体及高镍四元正极材料、制备方法和用途，高镍四元正极材料的化学式如式Lia(Ni1‑x‑y‑zCoxAlyMnz)O2；x、y、z、a为摩尔分数，0.03＜x≤0.15，0.01＜y＜0.05，0.01＜z＜0.05，0.6＜1‑x‑y＜0.9，1≤a≤1.1。本发明将可溶性镍盐、可溶性钴盐、可溶性铝盐和可溶性锰盐配成溶液，镍盐、钴盐、铝盐和锰盐能够均匀的分布在溶液中，采用均匀分布镍盐、钴盐、铝盐和锰盐的溶液制备高镍四元正极材料前驱体。然后采用该高镍四元正极材料前驱体与锂盐混合经过四次烧结得到高镍四元正极材料。本发明的高镍四元正极材料结构稳定，安全性能高，且循环寿命长、热稳定性好。

摘要： 本发明涉及一种四元探测器的制备方法，包括提供外延片；以光刻胶为掩膜对外延片进行光刻，获得台面；采用直流反应磁控溅射的方法在台面上淀积氮化铝绝缘接触层，采用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在氮化铝绝缘接触层上淀积氮化硅钝化加固层，从而得到氮化铝和氮化硅双层薄膜；在氮化铝和氮化硅双层薄膜和台面上开刻电极窗口；在电极窗口中制作P型金属电极和N型金属电极，从而得到铟镓砷铋四元探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的铟镓砷铋四元探测器。本发明的氮化铝和氮化硅双层薄膜有效覆盖凸台的侧表面，提升绝缘钝化性能，降低了过渡到凸台的台阶处的漏电流的产生，进而大大提升了探测器的响应率和可靠性。

摘要： 一种倒装四元系发光二极管外延结构、倒装四元系发光二极管及其生长方法，适用于倒装四元系LED结构。倒装四元系LED外延结构包括：腐蚀截止层、电流扩展层、N型层、发光层、P型层，通过提出采用AlGaAs材料作为电流扩展层代替传统的AlGaInP层，达到程序时间缩短（降低成本）及长晶质量提升的技术效果，通过该外延结构获得的发光二极管的ESD提升率为20%以上。