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像增强器

像增强器的相关文献在1985年到2022年内共计1082篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、物理学、自动化技术、计算机技术 等领域,其中期刊论文258篇、会议论文13篇、专利文献2982467篇;相关期刊94种,包括光学精密工程、轻兵器、现代兵器等; 相关会议12种,包括中国空气动力学会五届四次测控会议、2006年国防光学及光电子学学术研讨会暨中国兵工学会光学专业委员会成立25周年年会、第五届全国夜视技术交流会暨2005年全国瞬态光学与光电子技术交流会等;像增强器的相关文献由1867位作者贡献,包括李晓峰、曾进能、常乐等。

像增强器—发文量

期刊论文>

论文:258 占比:0.01%

会议论文>

论文:13 占比:0.00%

专利文献>

论文:2982467 占比:99.99%

总计:2982738篇

像增强器—发文趋势图

像增强器

-研究学者

  • 李晓峰
  • 曾进能
  • 常乐
  • 李金沙
  • 褚祝军
  • 袁博
  • 周盛涛
  • 朱文锦
  • 杜培德
  • 李晓露
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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作者

    • 孙默涵; 钱芸生; 任莹楠; 智强; 孔祥宇; 郎怡政
    • 摘要: 为研究三代像增强器在强光环境下的有效保护措施,设计了一种基于荧光屏电流反馈来实现高照度环境下的自动亮度控制模型,并对该模型进行了仿真分析。制作了荧光屏亮度测试系统,对依托高照度自动亮度控制模型制作的门控电源像增强器进行了测试实验。通过测试像管响应时间和稳定时间,对像增强器门控电源在突发强光下产生理想控制效果的速度以及荧光屏亮度稳定的速度进行了分析。实验结果表明,荧光屏亮度变化趋势与仿真结果基本吻合,并且实验得到的荧光屏亮度曲线可以准确的反映门控电源的工作状态,为后续像增强器门控电源的性能测试提供了技术支持。
    • 李晓峰; 常乐; 刘倍宏; 须恃瑜; 丁易冰
    • 摘要: 为研究超二代像增强器在不同输入照度下的分辨力变化规律,在不同照度下分别对不同极限分辨力、信噪比以及等效背景照度像增强器的分辨力进行了测试。通过测试数据的分析,得出了极限分辨力、信噪比及等效背景照度在不同照度下对分辨力影响的规律。该规律表明,在5×10^(-2)lx~5×10^(-3)lx照度区间,不同性能参数像增强器的分辨力均等于其极限分辨力,并且分辨力不随照度的降低而降低;在5×10^(-3)lx~5×10^(-7)lx照度区间,分辨力不等于其极限分辨力,并且分辨力均随照度的降低而降低。在分辨力随照度降低的过程中,信噪比越高,等效背景照度越低的像增强器,其分辨力下降的速率越低,并且分辨力相对更高。在5×10^(-3)lx~5×10^(-6)lx照度区间,信噪比对分辨力的影响较大;但在5×10^(-6)lx~5×10^(-7)lx照度区间,等效背景照度对分辨力的影响更大。像增强器主要在弱光下使用,因此在弱光下的分辨力更重要。要使像增强器在5×10^(-3)lx~5×10^(-7)lx照度区间具有更高的分辨力,除需要提高极限分辨力外,还需要提高信噪比及降低等效背景照度。
    • 苏悦; 拜晓锋; 党小刚; 冯丹青; 程宏昌; 李周奎; 韩坤
    • 摘要: 亮度增益为微光像增强器的重要参数,影响微光夜视环境下以微光像增强器为核心的目标背景对比度测试结果精度。本文基于对比度测试原理,通过对不同亮度增益的ICCD进行目标背景对比度测试,分析得到亮度增益与目标背景对比度的变化关系及影响因素。测试结果表明:亮度增益分别为12000 cd/(m^(2)·lx)、8300 cd/(m^(2)·lx)、6000 cd/(m^(2)·lx)时,环境照度在[2×10^(-3),8×10^(-3)](lx)区间内,目标背景对比度受亮度增益影响较小。照度在区间外时,受亮度增益影响,目标背景对比度测试结果可能失真。本文研究结果为提高ICCD目标背景对比度测试精度提供数据支持。
    • 姚曹阳; 左永春; 许红; 何开远; 叶洪伟; 邢程
    • 摘要: 本文分析了三代像增强器在局部强景物长时间照射下,视场出现阴影的原因。发现了自动防护功能无法避免局部阴影出现的防护漏洞。通过对荧光屏平均电流的振幅和变化速率进行控制,提出振幅速率限制法来弥补自动防护功能的不足。该方法操作性强,简单且高效。
    • 李晓峰; 杜木林; 徐传平; 黄丽书; 陈俊宇; 常乐
    • 摘要: 在阴极灵敏度、微通道板固有增益、屏效以及屏压一定的条件下,超二代像增强器的最高亮度增益由微通道板增益所决定。实验中发现微通道板增益存在一个最高值,当微通道板增益超过最高值时,像增强器会产生自激发光。像增强器产生自激发光时,图像的对比度、分辨力消失,图像亮度的增强作用失去意义。因此超二代像增强器的最高亮度增益受自激发光的影响。超二代像增强器产生自激发光的原因是像增强器内部微通道板电子倍增形成了正反馈。微通道板的最高增益与光电阴极灵敏度、荧光屏铝膜的透过率成反比,所以在阴极灵敏度一定的条件下,影响微通道板最高增益的因数是荧光屏铝膜的透过率。在微通道板固有增益一定的条件下,提高微通道板的板压不会影响像增强器的分辨力和等效背景照度,但会降低像增强器的信噪比,因此信噪比又是影响超二代像增强器最高亮度增益的一个因数。要进一步提高超二代像增强器的最高亮度增益,在阴极灵敏度、屏效以及屏压一定的条件下,需要提高微通道板的固有增益,同时减小荧光屏铝膜的透过率。
    • 李亚情; 周盛涛; 王光凡; 褚祝军; 杜培德; 朱文锦; 李晓露; 左加宁; 朱世聪
    • 摘要: 针对匹配普通高压电源的超二代微光像增强器亮度增益在高温条件下大幅下降的问题,根据理论分析搭建了高低温试验平台,并分别对普通高压电源超二代像增强器、像增强管和普通高压电源的高低温特性进行研究。试验结果表明,匹配普通高压电源的超二代像增强器高温(55°C)亮度增益与低温(-55°C)相比衰减约65%;在阴极电压、MCP电压和阳极电压恒定的条件下,像增强管高温亮度增益仅衰减约20%,且主要是由于阴极灵敏度和荧光屏发光效率随温度升高而降低导致的;普通高压电源高温(55°C)与低温(-55°C)相比阴极电压降低约40 V,MCP电压降低约18 V,阳极电压降低约100 V,三者共同作用加剧了普通高压电源超二代像增强器高温亮度增益的衰减。因此,在高温条件下通过软、硬件的方式对电源阴极电压、MCP电压和阳极电压进行补偿是提高普通高压电源超二代微光像增强器高低温亮度增益一致性的有效手段。
    • 李晓峰; 何雁彬; 常乐; 王光凡; 徐传平
    • 摘要: 超二代和三代像增强器是两种不同技术的像增强器,其在光电阴极、减反膜、离子阻挡膜以及阴极电压方面存在区别。在极限分辨力方面,尽管三代像增强器Ga As光电阴极的电子初速小、出射角分布较窄以及阴极电压较高,但目前两种像增强器的极限分辨力均相同,三代像增强器Ga As光电阴极的优势在现有极限分辨力水平下并未得到发挥。在信噪比方面,尽管Ga As光电阴极具有更高的阴极灵敏度,但因为较高的阴极电压以及离子阻挡膜透过率的影响,使得两种像增强器的信噪比基本相同,三代像增强器Ga As光电阴极高灵敏度的优势也未得到发挥。在增益方面,尽管三代像增强器具有更高的阴极灵敏度以及较高的阴极电压,但超二代像增强器通过提高微通道板的工作电压来弥补阴极灵敏度以及阴极电压的不足,因此在现有像增强器增益的条件下,两种像增强器的增益完全相同。在等效背景照度方面,由于三代像增强器Ga As光电阴极的灵敏度更高,因此在相同光电阴极暗电流的条件下,三代像增强器可以获得更低的等效背景照度,所以三代像增强器较超二代像增强器具有更高的初始对比度。在光晕方面,由于三代像增强器光电阴极的灵敏度较高,同时具有离子阻挡膜,因此理论上讲,三代像增强器较超二代像增强器具有更高的光晕亮度,但实际的情况是两种像增强器的光晕亮度基本相同。在杂光方面,Ga As光电阴极具有减反膜,因此杂光较超二代像增强器低,所以三代像增强器的成像更清晰,层次感更好。在带外光谱响应方面,由于超二代像增强器NaKSb(Cs)光电阴极的带外光谱响应高于三代像增强器,因此在近红外波段进行辅助照明时,超二代像增强器较三代像增强器成像性能更好。在低照度分辨力方面,具有相同性能参数的超二代和三代像增强器具有相同的低照度分辨力。需要注意的是,这是在标准A光源测试条件下所得出的结论。当实际的环境发射光谱分布与标准A光源发射光谱分布不相同时,两种像增强器的低照度分辨力将会不同。
    • 韩正昊; 褚祝军; 刘璇; 金伟其; 王霞; 李力; 裘溯
    • 摘要: 以像增强器为核心成像器件的微光夜视技术一直是国内外重点发展的关键技术,广泛应用于军用夜视领域。直接对比分析不同型号像增强器输出图像特性的评测方法是评价像增强器成像性能最为直观的重要维度,但由于像增强器为直视型成像器件,带来野外实验光路搭建、多路视频同步录制、不同外型尺寸像增强器适配性等多方面的挑战。因此,本文研究了外场微光像增强器成像效果对比评测方法,研制了包含双像增强器成像光路、低照度CMOS成像光路与激光测距机的光轴平行对比评测系统,可实现同时观察和多路像相机的成像数字视频的采集;系统可便捷地适配安装多种不同外型尺寸、不同供电方式的典型像增强器,同时包含激光测距功能,可测量观察目标的距离;在上位机软件中集成多个无参考图像质量评价指标,可通过数字图像处理技术辅助观察者判断不同型号像增强器成像效果的优劣。实际外场测试实验表明测评系统方便可行,能够反映不同成像光路的成像效果,可反馈指导像增强器生产制造工艺的进一步优化,促进微光夜视技术的发展。
    • 周二瑞; 李刚; 杨少华; 严明; 李斌康; 郭明安; 刘璐; 白琼; 张雪莹
    • 摘要: 为使科学级CMOS图像传感器适用于高速瞬态过程成像,研制了基于像增强器的高时间分辨科学级成像系统。首先,对不同模式下科学级CMOS图像传感器曝光时间与像增强器选通时间的关系进行了分析,得到全局快门模式和全局复位卷帘快门模式下曝光时间与选通时间的相对关系;其次,根据曝光时间和选通时间的相对关系设计了相应的时序控制方法,给出了像增强器选通信号的生成方法;再次,设计了基于像增强器的高时间分辨科学级成像系统总体框架,将成像系统分为相机端、传输端和PC端3个部分,分别用于图像采集、数据传输和图像处理与显示;最后,基于硬件实现了该成像系统,并在脉冲氙灯下进行了成像实验。实验结果表明,该成像系统的时间分辨率为25 ns,像素量化位数为16 bit,帧频率为43 fps(1 fps为1帧/s)。该成像系统在保持科学级图像传感器特性的基础上具备了高时间分辨率,可用于高速瞬态过程成像。
    • 郭明安; 刘璐; 郭耀军; 严明; 李刚; 周二瑞; 杨少华; 刘偲
    • 摘要: 基于高速金属氧化物半导体场效应晶体管(metallic oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)设计了一款带输出监测的简单快速高压脉冲源,给出了设计参数和电路。该脉冲源驱动简单、体积小、输出幅度可由使用的高压电源调整、电流能达60 A及输出脉冲宽度和频率由输入信号确定。最小脉冲宽度为4.53 ns,250 V/30 A时,前沿为2.28 ns,后沿为3.34 ns,具有输出短路保护及电容、电感、负载调整能力,主要应用于高速成像的像增强器阴极快门。
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