倒装结构

摘要： 石墨烯具有优异的力学性能与电学性能,为开发高灵敏度微纳机电系统(M/NEMS)压力传感器提供了巨大的潜力。但悬浮结构的石墨烯易出现破损和漏气以及裸漏的石墨烯易受环境影响,对此本文设计了一种倒装结构石墨烯压力传感器,传感器通过顶部芯片与底部芯片倒装键合而成,石墨烯完全与外界隔离,不受环境影响。通过Comsol有限元仿真对传感器敏感膜片进行压力敏感特性研究,仿真结果表明,方形敏感膜片灵敏度最高,在0~100 kPa量程范围内,敏感膜片的最优尺寸为边长300μm、厚度为100 nm,此时得到的最大应变为0.444%。本文为高可靠性、高灵敏度的石墨烯压力传感器的设计与研制提供了理论基础。

摘要： 考虑采用半刚性基层作为底基层、级配碎石作为基层的倒装结构沥青路面较传统半刚性沥青路面具有显著的优越性,基于沥青材料与无机结合料的疲劳寿命方程,利用数值分析软件,对倒装结构沥青路面的两阶段疲劳性能进行研究,分析不同材料层对整体结构寿命的影响。

摘要： 公路工程中,沥青路面的结构形式很多,本文针对半刚性基层、级配碎石基层、倒装结构以及全厚式沥青路面这几种典型的结构形式,总结了国内外工程中部分典型的结构组合,并分析了各自的优缺点、适用性以及受力特性。然后本文基于我国长寿命沥青路面的发展需要,基于有限元的方法,着重分析了倒装结构层的受力特点,总结了各层模量和厚度变化对力学计算指标的影响规律。最后提出了对我国长寿命沥青路面的思考,指出了我国倒装结构在理论上有实现长寿命的潜能和优势,但还需要大量工程实践的摸索和证明。

摘要： 道路材料是一种典型的拉压模量不同的材料,而我国现行公路沥青路面设计规范采用压缩模量为材料参数指标,假定材料为各向同性弹性体,未充分考虑材料的拉压力学性能不同的特点。因此,本研究运用拉压不同模量理论,将路面材料假定为拉压弹性不同模量的材料,通过ABAQUS有限元软件的UMAT用户子程序功能,将拉压不同模量的材料本构进行二次开发,建立两种路面力学模型进行数值分析比较。结果表明,采用拉压不同模量模型计算得到的最大横向拉应力与基于压缩模量为材料参数的模型存在较大差异,最大横向拉应力可降低26.3%,采用拉压不同模量模型计算得到的最大拉应变增加了13%,而对于两种模型计算得到的最大剪应力变化非常小。

摘要： 根据新能源汽车门把手的结构特点设计了1模2腔热流道系统的模具,通过前期CAE分析得到制品的初步成型工艺参数及可能出现的缺陷;根据制品外观面的要求采用了侧浇口,模具采用倒装结构,即将推出系统与型芯设计在定模,型腔板设计在动模,便于待成型制品反面进料保证外观质量要求,制品正面采用双滑块成型。模具投入生产后,各机构运动良好,制品废品率低,证明了此模具机构的合理性,为成型类似要求制品的模具设计提供了参考。

摘要： 级配碎石过渡层含水率过大,将会影响到结构层整体强度。通过对广河高速惠州段施工过程弯沉数据分析,研究降水对级配碎石过渡层施工工艺的影响,结合仁博高速新博段级配碎石过渡层上封层试验段,提出级配碎石过渡层上封层防水施工工艺及要求,为国内外同行提供一些有益借鉴和参考。

摘要： 为验证级配碎石沥青路面倒装结构的基本性能,对级配碎石提出三种配合比设计方案,并分别对其进行了室内击实试验、CBR试验、动态三轴压缩试验,测得相关性能指标,并针对级配的变异性,对三种不同配合比设计的级配碎石进行持续击实做功,分析级配的变异程度,提出两种级配碎石沥青路面倒装结构并进行试验段铺筑,测量其压实度与弯沉值.研究结果表明:三种不同配合比设计的级配碎石基本性能均满足规范要求;室内试验实测CBR值分别为230％,105％,120％,回弹模量分别为259 MPa,208 MPa,233 MPa;悬浮密实结构级配的变异程度较为稳定;铺筑后两种倒装结构的压实度与弯沉值均满足施工技术要求,满足路用性能要求.

摘要： here be句型是初中英语中常用句型,表示"某地有某人或某物",基本结构是:There be+某人/某物+介词短语/副词。在此结构中there是没有实际含义,There be后面的名词是句子的主语,属于类似倒置式或倒装结构。一、There be句型的用法(一)There be句型的含义There be句型翻译为"有",表示某地有某人或某物。基本结构是There be+某人/某物+某地例如:There are a lot of rules in our school.在我们学校有许多的规则。There is atall building near our school?我们学校附近有一栋高楼。

摘要： 采用沥青稳定碎石排水基层(ATPB)和级配碎石做沥青面层和半刚性基层之间的过渡层,形成倒装路面结构,分别在四川省高速公路工程中应用,较为实际地分析了倒装结构在抗沥青路面反射裂缝中的作用.结果表明,相对对比路段,两种倒装结构沥青路面抗反射裂缝性能显著,级配碎石的倒装结构在中、轻交通的道路上采用较好,ATPB倒装结构更适用于交通量较大的路面.

摘要： 为了揭示不同季节倒装结构沥青路面温度场和温度应力的分布规律,结合试验路段的实测数据,确定下基层底面的温度值.应用ABAQUS有限元软件,在沥青路面下基层底面设置温度边界条件,模拟了倒装结构在不同季节温度场变化的全过程,通过温度传感器的实测数据验证有限元模拟的正确性;应用有限元模型分析倒装结构冬季、春季及夏季的温度场和温度应力,确定了倒装结构的不利区.分析结果表明:春季和冬季面层温度小于下基层温度,温度趋于恒温,由此确定下基层底面的边界条件;通过ABAQUS有限元软件对沥青路面结构进行温度场分析,发现考虑边界进行分析是符合实际的,趋势上与实测数据基本一致;倒装结构的不利区出现在中面层和上面层,不利区位于距道路表面0～10 cm.从层位看,不同季节的温度应力分布规律相同,级配碎石层温度应力最小,面层次之,水泥稳定碎石基层温度应力最大.从时间看,夏季面层温度应力最大值为0.45 MPa,冬季面层温度应力最大值为0.94 MPa.

摘要： 通过采用Bisar3.0对倒装结构应力特性进行全面分析的基础上，对高速公路沥青路面倒装结构的厚度设计进行了研究。得出了倒装结构在我国高速公路上的应用条件,即级配碎石防裂基层必须具有较高的强度，其模量应达到400MPa左右，并设计了一种强度高、渗(排)水能力大、施工性能良好的骨架嵌挤密实型的级配碎石级配。同时,得出了各结构层的适宜厚度或最佳厚度值，即：沥青面层的厚度宜大于12cm，最好在15～18cm之间;级配碎石基层的厚度应采用12～18cm为宜，最好采用15cm;半刚性层厚度以采用40cm左右为宜。

摘要： 从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag等多种倒装结构P电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED P电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属化体系在大功率LED应用中存在的热稳定性问题及Ru,Ir等新型金属体系实现GaN P电极接触的潜在优势.

摘要： 本发明提供一种芯片倒装封装方法，包括下述步骤：提供一封装基板；在封装基板上的芯片倒装焊一面压合半固化树脂片作为芯片的底填料，另一面压合塑性树脂片；压合温度低于半固化树脂片的固化温度；分板：将整张封装基板分割成条，每条基板上有多个对应芯片的单元；倒装焊接芯片：在整条基板上每个基板单元倒装贴芯片；在封装基板的半固化树脂片一面倒装焊芯片，倒装焊接过程中，芯片通过倒装焊机焊头压在封装基板的基板电极上，并通过焊头加温，在半固化树脂片固化前使得芯片的芯片焊球与对应的基板电极键合，本步骤中保持半固化树脂片未固化状态；后续进行半固化树脂片的固化、塑封、植球等步骤。本发明避免封装过程中产生气泡，降低封装成本。

摘要： 本发明实施例公开了一种倒装芯片的倒装封装结构及倒装芯片，涉及芯片封装技术领域，解决了现有芯片温度测量方式不准确测量倒装芯片的裸片工作时的温度的缺陷。本发明的芯片倒装封装结构包括封装基板，以倒装方式焊接于所述封装基板上的裸片、封装外壳以及至少一个温度测量元件，其特征在于，所述至少一个温度测量元件设置在所述封装基板中的位于所述裸片下方的第一空间中，所述第一空间中除去所述至少一个温度测量元件所占用的空间以外的剩余空间填充有绝缘导热物质。

摘要： 本发明提供一种倒装芯片的测试结构、倒装芯片和倒装芯片的制作方法。所述倒装芯片的测试结构中所述倒装芯片包括晶元和封装基板，所述测试结构包括：一个或多个通孔链结构，设置在所述晶元内；多个电连接单元，设置在所述晶元的功能面上且连接所述通孔链结构，多个所述电连接单元通过所述通孔链结构串联在一起；两条测试引线，固定在所述封装基板上，所述测试引线与位于首尾位置的所述电连接单元分别一一对应连接。所述倒装芯片的测试结构能够同时测试封装效果和封装后晶元是否发生翘曲或漏电，不仅实现对倒装芯片良率的精确监控，而且提高了测试效率。

摘要： 本发明提供一种芯片倒装封装方法，包括下述步骤：提供一封装基板；在封装基板上的芯片倒装焊一面压合半固化树脂片作为芯片的底填料，另一面压合塑性树脂片；压合温度低于半固化树脂片的固化温度；分板：将整张封装基板分割成条，每条基板上有多个对应芯片的单元；倒装焊接芯片：在整条基板上每个基板单元倒装贴芯片；在封装基板的半固化树脂片一面倒装焊芯片，倒装焊接过程中，芯片通过倒装焊机焊头压在封装基板的基板电极上，并通过焊头加温，在半固化树脂片固化前使得芯片的芯片焊球与对应的基板电极键合，本步骤中保持半固化树脂片未固化状态；后续进行半固化树脂片的固化、塑封、植球等步骤。本发明避免封装过程中产生气泡，降低封装成本。

摘要： 提供了一种倒装芯片型半导体发光器件以及用于所述倒装芯片型半导体发光器件的印刷电路板，所述倒装芯片型半导体发光器件具有电极面积相似的正电极和负电极，并在制造发光二极管灯时能够利用自对准效果来防止所述发光器件的错位。此外，采用倒装芯片型半导体发光器件1，其具有形成在半导体层的透明衬底侧的对侧上的负电极衬垫和正电极衬垫，其中以彼此相同的形状形成每一个所述电极衬垫，并且用于所述发光器件的印刷电路板具有以彼此相同的形状形成的成对的电极图形。此外，在每一个所述电极衬垫中包括焊接膜。

摘要： 本发明实施例公开了一种倒装芯片的倒装封装结构及倒装芯片，涉及芯片封装技术领域，解决了现有芯片温度测量方式不准确测量倒装芯片的裸片工作时的温度的缺陷。本发明的芯片倒装封装结构包括封装基板，以倒装方式焊接于所述封装基板上的裸片、封装外壳以及至少一个温度测量元件，其特征在于，所述至少一个温度测量元件设置在所述封装基板中的位于所述裸片下方的第一空间中，所述第一空间中除去所述至少一个温度测量元件所占用的空间以外的剩余空间填充有绝缘导热物质。

摘要： 本发明提供一种倒装芯片的测试结构、倒装芯片和倒装芯片的制作方法。所述倒装芯片的测试结构中所述倒装芯片包括晶元和封装基板，所述测试结构包括：一个或多个通孔链结构，设置在所述晶元内；多个电连接单元，设置在所述晶元的功能面上且连接所述通孔链结构，多个所述电连接单元通过所述通孔链结构串联在一起；两条测试引线，固定在所述封装基板上，所述测试引线与位于首尾位置的所述电连接单元分别一一对应连接。所述倒装芯片的测试结构能够同时测试封装效果和封装后晶元是否发生翘曲或漏电，不仅实现对倒装芯片良率的精确监控，而且提高了测试效率。

摘要： 一种倒装LED芯片结构包括外延片、多个LED芯片、金属条及绝缘层，多个LED芯片间隔分布于外延片表面，相邻两个LED芯片之间通过金属条电连接，每一LED芯片包括P极电极层及N极电极层，绝缘层填充于多个LED芯片之间的间隔处及P极电极层与N极电极层之间的间隔处，金属条嵌设于绝缘层中，位于外延片相对两侧最边缘的P极电极层与N极电极层外露于绝缘层。金属条嵌设于绝缘层里面，对金属条起保护作用，且金属条的宽度较大，提高了金属条的强度。多个LED芯片同时封装于一外延片上，减少或避免LED芯片的切割次数，防止切割对LED芯片的机械损伤，从而提高LED芯片的可靠性。同时提供一种倒装LED芯片封装结构。

摘要： 本发明公开一种薄膜倒装结构、金属凸块结构与形成薄膜倒装结构的方法。薄膜倒装结构包含用来完全覆盖位于金属焊垫上的金属凸块的帽盖层、夹置于金属凸块与帽盖层间的凸块合金层、完全覆盖与聚合材料层连接的引脚层的覆层、直接夹置于引脚层与覆层间的引脚合金层。凸块合金层、引脚合金层与界面合金层分别具有梯度组成。

摘要： 本发明公开一种薄膜倒装结构、金属凸块结构与形成薄膜倒装结构的方法。薄膜倒装结构包含用来完全覆盖位于金属焊垫上的金属凸块的帽盖层、夹置于金属凸块与帽盖层间的凸块合金层、完全覆盖与聚合材料层连接的引脚层的覆层、直接夹置于引脚层与覆层间的引脚合金层。凸块合金层、引脚合金层与界面合金层分别具有梯度组成。