GeForce2

摘要： 故障现象：一台配置为P3 1GHz CPU，某名牌大厂815E主板、256MB内存、Geforce2 MX 32 MB显示卡、20GB硬盘的电脑。出现“黑屏”不能启动。

摘要： 问：我的电脑用了快一年，配置是技嘉845D主板、P4 1.6GHz CPU、三星256MB DDR内存、GeForce2 MX400显卡、三星16×DVD—ROM光驱，Windows 98操作系统。前两天光驱托盘不知为什么老是自动弹出，偶尔也会自动关上。试过重装系统还是不行，我想知道是硬件问题还是软件问题，该如何解决？

摘要： 经不住3D游戏的诱惑力．笔者狠下心来购入一块GeForce FX5600显卡．取代GeForce2 MX400．与原有的Barton 2500＋、七彩虹龙战士nForce2主板、256MB x 2双通道内存构成一套配置不错的系统。

摘要： 在国内的中低端显卡市场，曾经出现过无数个“经典”的产品。虽然它们的性能并不是全部令人激动，但是由它们所刨下的一路飘红的销售记录让每一个下游显卡厂商的脸上部写满了笑容。在TNT2 M64／Vanta、GeForce2 MX、GeForce4 MX 440系列大获成功后，其后来者GeForceFX 5200却没有很好地接班，

摘要： 电脑主板是GA-8IRXI，P4 1．7GHz，显卡是nVIDIA GeForce2 MX400，以前在Windows 98平台下各种游戏都玩得很正常，但装了Windows XP后，发现刷新频率为60Hz时屏幕闪得很厉害，调到75Hz屏幕不再闪烁。但是以前装的好几个游戏都玩不起来了，屏幕五颜六色的。第一次装Windows XP的时候800×600模式不能用，重装系统后，连其它的模式都不支持。去网上下载了最新的显卡驱动程序，但还是不支持800×600模式。

摘要： 《天堂2》这款全3D的在线角色扮演游戏采用了《虚幻2》的引擎制作，其宏大雄伟的场景，逼真细腻的人物以及华丽眩目的战斗都让人赞叹不已，毫不夸张地说，《天堂2》是目前网络游戏中画面最优秀的一款作品。不过想要尽情地在《天堂2》中遨游，玩家们所付出的代价是不低的《天堂2》基本要求配置为：Pentium 3 800MHz以上等级的CPU，256MB以上的内存，GeForce2以上的3D加速卡以及3GB以上的硬盘空间，而这样的配置仅仅能够进入游戏，如果要流畅享受《天堂2》电影般的画面品质，那么玩家必须要拥有Pentium 4 1GHz的以上等级的CPU，512MB以上的内存以及Geforce 4 Ti以上的3D加速卡。在这里，笔者推荐两款不同价位的配置，希望能对那些想玩《天堂2》而不知如何升级的玩家有所帮助。

摘要： 前段时间，笔者由于超频失误烧坏了一块主板和两块CPU，更换显卡的计划只好搁浅了下来，让曾经辉煌一时的小影霸GeForce2MX400继续超龄服役。没想到，一次偶然让笔者的MX400再度焕发青春，在实际使用性上有了一次质的飞跃。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在阳极An和阴极Ka之间的发光层E和合适的话至少一个其它层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其它层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定可视显示单元、移动的可视显示单元和照明单元的器件。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件；本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制备方法。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在阳极An和阴极Ka之间的发光层E和合适的话至少一个其它层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其它层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S－氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S－二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定可视显示单元、移动的可视显示单元和照明单元的器件。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件；本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制备方法。

摘要： 本发明的苯二甲撑二氨基甲酸酯，按质量基准计以下述式(1)～(4)所示的杂质的总量低于100ppm的比例含有下述式(1)～(4)所示的杂质(上述式(1)～(4)中，R表示1价的烃基)。

摘要： 本发明涉及一种通过乙二醇醇解反应解聚消费后的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)的酶促方法。该发明还涉及一种再循环消费后的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)的方法以及通过所述方法获得的再循环的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)。

摘要： 本发明提供了一种树脂共混物，该树脂共混物包含间苯二酚二邻苯二甲腈醚树脂和双酚M二邻苯二甲腈醚树脂的共混物。提供了另一种树脂共混物，该树脂共混物包含间苯二酚二邻苯二甲腈醚树脂和双酚T二邻苯二甲腈醚树脂的共混物。树脂共混物在固化之前具有相比于单独的间苯二酚二邻苯二甲腈树脂更有利的加工和固化特性，从而使得能够更易于制造。

摘要： 根据本发明，提供一种含有羟基当量为规定值以下的含酚性羟基的树脂的二次电池负极用树脂组合物。本发明的一个方式的二次电池负极用树脂组合物含有：羟基当量为300g/eq以下的含酚性羟基的树脂；和沸点温度或热分解温度超过上述含酚性羟基的树脂的自缩合温度的磷酸酯或磷酸衍生物。

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够形成正极的非水系二次电池正极用粘结剂组合物，通过该正极可得到即使是在低温和低充电深度条件下实施了老化处理的情况下也具有优异的寿命特性的非水系二次电池。本发明的粘结剂组合物包含第1粘结材料，而且包含铁、以及钌和铑中的至少一者，铁以及钌和铑的合计含量相对于100质量份的第1粘结材料为5×10‑3质量份以下。

摘要： 本发明提供可提供使充放电容量密度和充放电循环特性进一步提高的锂离子二次电池的锂离子二次电池用碳材料、锂离子二次电池用负极合剂、锂离子二次电池用负极以及锂离子二次电池。上述锂离子二次电池的制造方法包括：混合工序，将含有酚醛树脂和二氧化硅粒子的树脂组合物混合而得到混合物；喷雾工序，将上述混合工序中得到的混合物喷雾而形成液滴；第一热处理工序，对上述喷雾工序中得到的液滴实施第一热处理而生成碳前体；以及，第二热处理工序，对上述第一热处理工序中得到的碳前体实施温度比第一热处理工序高的第二热处理而生成含有碳和由SiOx（0＜X＜2）表示的氧化硅的碳材料。