GD

摘要： 一只CH341A编程器,能正常读写Winbond、KH及GD等品牌的25系列闪存,但在读写标识为cFeon或XMC的25系列闪存时,总是提示“芯片内容与缓冲区内容不一致” ,如图1所示。用不同版本的烧录软件试验,无法解决问题。

摘要： 广东省会展业标准化技术委员会3月3日举行大会,会上宣读了《关于成立广东省会展业标准化技术委员会的通告》,广东省会展业标准化技术委员会编号为GD/TC142,秘书处设在广东会展组展企业协会。广东省商务厅、广东省市场监督管理局相关领导出席了成立大会。在成立大会上,广东省市场监督管理局标准化处副处长刘永谭宣读了《关于成立广东省会展业标准化技术委员会的通告》。广东省会展业标准化技术委员会编号为GD/TC142,秘书处承担单位为广东会展组展企业协会。技术委员会由31名委员组成。

摘要： Win GD未来技术部的总经理Andreas Schmid讨论了以氨或甲醇为燃料的双燃料发动机燃烧解决方案的进展。Win GD的首席执行官Klaus Heim在2021年11月接受The Motorship杂志采访时表示,Win GD公司将在2024年-2025年,陆续将甲醇和氨燃料发动机推向市场。

摘要： 目前,索泰推出P G F玩家力量至尊、X-GAMING OC、天启等多个显卡系列,以满足不同玩家的需求。其中,X-GAMING OC就是专为对性能和品质有较高需求的玩家推出的主流显卡系列。MC此前也评测过多款索泰X-GAMING O C系列的显卡,在我们的印象中,上一代索泰X-GAMING OC系列显卡就像是一位沉着且气质不凡的侠客,而这一代索泰X-GAMING OC系列显卡则蜕变为一位阳光且充满活力的“奶油小生”。近日,索泰GeForce RTX 3060Ti-8GD6 X-GAMING OC显卡抵达评测室,下面我们就来看看这位“奶油小生”的表现如何。

摘要： 本文对GD X1/X2包装机组目前在实际使用过程中,本身自带的主机、小盒透明纸包装机、条盒及条盒透明纸包装机检测功能旁通按钮按下去之后忘记及时释放,致使正常生产过程中检测功能未能恢复正常,造成质量不合格的产品没有被及时检出剔除的原因进行了分析,并提出了解决该问题的必要性和实际方案,阐述了方案实施后的优点.

摘要： 本研究计划构建能同时表达牛病毒性腹泻病毒(BVDV)和牛传染性鼻气管炎病毒(IBRV)优势抗原基因的重组质粒并研究其免疫效果,旨在为BVD-IBR二联核酸疫苗的研制提供参考.采用PCR扩增目的基因E0及gD并将其依次连接至真核表达载体pVAX1-1RES中,构建pVAXl-E0-IRES-gD重组真核表达载体;将pVAX1-E0-IRES-gD转染至293T细胞中,间接免疫荧光法检测目的基因在细胞中的表达情况;将pVAX1-E0-IRES-gD以不同剂量采用肌内注射的方式接种小鼠,通过抗体水平和细胞因子检测以及脾淋巴细胞增殖试验对该重组质粒的免疫效果进行评价.结果表明,成功构建pVAX1-E0-IRES-gD重组质粒,目的基因在293T细胞内成功表达.在抗体和细胞因子水平以及脾淋巴细胞增殖能力这3个指标,重组质粒组均极显著高于空载体和阴性对照组,高剂量免疫组优于中、低剂量组;另外,高剂量重组质粒免疫组与二联灭活疫苗组相比无显著性差异.结果显示,成功构建了共表达BVDV E0和IBRVgD基因的重组质粒,体外表达检测证明目的蛋白具有良好的反应原性,动物免疫试验证明其能刺激机体产生良好免疫应答.

摘要： 镁合金作为"21世纪绿色环保工程材料",具有广阔的应用前景.在诸多类型的镁合金中,Mg-Al系合金是目前应用范围最广、牌号最多的镁合金.合金化一直是改善镁合金性能的重要手段,在围绕Mg-Al系合金开展的众多合金化研究中,加入稀土元素Gd是一个重要的研究方向.近年来,许多研究者围绕微观形貌、力学性能与腐蚀行为三个方面对含Gd的Mg-Al系合金广泛开展了研究.在Mg-Al系合金中加入Gd后,合金第二相的种类与结构会发生相应的变化.其中,最常见的变化为脆性第二相Mg17 Al12转换为高硬度第二相Al2 Gd.Al2 Gd在合金凝固时可作为非均质形核点,使合金的晶粒尺寸得到明显的细化,力学性能也得到提高(细晶强化).此外,Al2 Gd作为热稳定相,在随后的热处理及热加工过程中,不会发生回溶或分解,因此其可以钉扎晶界,抑制晶粒异常长大.2011年有学者首次在含Gd的Mg-Al系合金中发现了LPSO相,但相比于Mg-Zn合金,目前Mg-Al系合金中关于LPSO的研究还比较少,LPSO相的潜力还未得到充分发挥.一般而言,Gd可提升铸态Mg-Al系合金的力学性能,但其对热处理态及热挤压态Mg-Al系合金力学性能的影响更为复杂,还需进一步探究.腐蚀行为方面,加入Gd不仅可以减少Mg-Al系合金晶界处Cu、Fe、Ni等有害杂质元素的偏析,抑制有害杂质元素带来的腐蚀,还可以使腐蚀产物膜更加稳定、致密,从而减缓腐蚀.当然,加入Gd后,Mg-Al系合金第二相的成分、含量、形态及分布发生了改变,导致第二相与基体相的电位差、第二相起到屏蔽腐蚀离子的作用发生改变,也会使合金的腐蚀行为发生相应变化.本文综述了国内外含Gd的Mg-Al系合金的研究现状,介绍了Gd对Mg-Al系合金微观形貌、力学性能和腐蚀行为的影响,并分析了目前研究的不足,最后展望了含Gd的Mg-Al系合金的研究趋势.

摘要： 在MC的印象中,索泰近几年推出的显卡大多拥有比较豪华的PCB用料,同时在散热、性能等方面的表现也几乎没有短板。随着GeForce RTX 3060显卡正式发布,索泰也推出了4款非公版新品,它们分别隶属于天启、X-GAMING、毁灭者和霹雳版这4个显卡系列。近日抵达MC评测室的索泰GeForce RTX 3060-12GD6天启OC是上述4款新品中GPU频率最高的一款。那么这款显卡的PCB用料是否也足够豪华,它的性能表现究竟如何呢?

摘要： 本文介绍了GD&T的基础知识和概念,解释了工程应用中GD&T得到广泛应用的原因。详细阐述了GD&T在底盘副车架上的应用及如何创建合适的基准体系等,为副车架的公差设定提供了参考。

摘要： 采用晶间腐蚀、应力腐蚀和电化学腐蚀试验,结合光学显微镜、扫描电镜和透射电镜,研究微量稀土元素Gd对7056铝合金微观组织与腐蚀性能的影响.实验结果表明:在7056铝合金中添加质量分数为0.11％Gd,形成L12-Al3(Gd,Zr)弥散相,强烈阻碍位错与晶界运动,提高合金再结晶抗力,使基体保留更多的细小亚晶组织;相比于大角度晶界,亚晶界与晶内的腐蚀电位差更小,腐蚀驱动力减弱;相比于7056铝合金,7056-Gd铝合金具有更大的应力腐蚀抗力,其临界应力强度因子KI由5.45 MPa·m1/2增加至10.59 MPa·m1/2;两种合金的开路电位、电化学阻抗谱和循环极化曲线的监测结果具有一致性,均表明7056-Gd铝合金具有较好的耐腐蚀性能.

摘要： 本文参考高氯酸脱水重量法测定Si及草酸盐重量法测定Gd的分析方法,建立了钆硅锗系合金中主成分Si和Gd联合测定的方法,并详细考查了共存元素及杂质元素对测定的影响。合金共存元素Ge在盐酸的存在下,绝大部分可以GeCl4的形式被蒸发,达到与被测元素分离的目的;以GeO2形式随SiO2沉淀的残留Ge也不会影响Si的测定。熔样过程引入的杂质元素Ni可与被测元素Gd,通过氨水沉淀被分离,残留Ni不足以影响Gd的测定。方法 回收率在98.5﹪以上,Si和Gd的测量相对标准偏差分别在2.6﹪~3.0﹪和0.4﹪~0.5﹪。

摘要： 本文参考高氯酸脱水重量法测定Si及草酸盐重量法测定Gd的分析方法,建立了钆硅锗系合金中主成分Si和Gd联合测定的方法,并详细考查了共存元素及杂质元素对测定的影响。合金共存元素Ge在盐酸的存在下,绝大部分可以GeCl4的形式被蒸发,达到与被测元素分离的目的;以GeO2形式随SiO2沉淀的残留Ge也不会影响Si的测定。熔样过程引入的杂质元素Ni可与被测元素Gd,通过氨水沉淀被分离,残留Ni不足以影响Gd的测定。方法 回收率在98.5﹪以上,Si和Gd的测量相对标准偏差分别在2.6﹪~3.0﹪和0.4﹪~0.5﹪。

摘要： 本文参考高氯酸脱水重量法测定Si及草酸盐重量法测定Gd的分析方法,建立了钆硅锗系合金中主成分Si和Gd联合测定的方法,并详细考查了共存元素及杂质元素对测定的影响。合金共存元素Ge在盐酸的存在下,绝大部分可以GeCl4的形式被蒸发,达到与被测元素分离的目的;以GeO2形式随SiO2沉淀的残留Ge也不会影响Si的测定。熔样过程引入的杂质元素Ni可与被测元素Gd,通过氨水沉淀被分离,残留Ni不足以影响Gd的测定。方法 回收率在98.5﹪以上,Si和Gd的测量相对标准偏差分别在2.6﹪~3.0﹪和0.4﹪~0.5﹪。

摘要： 本文参考高氯酸脱水重量法测定Si及草酸盐重量法测定Gd的分析方法,建立了钆硅锗系合金中主成分Si和Gd联合测定的方法,并详细考查了共存元素及杂质元素对测定的影响。合金共存元素Ge在盐酸的存在下,绝大部分可以GeCl4的形式被蒸发,达到与被测元素分离的目的;以GeO2形式随SiO2沉淀的残留Ge也不会影响Si的测定。熔样过程引入的杂质元素Ni可与被测元素Gd,通过氨水沉淀被分离,残留Ni不足以影响Gd的测定。方法 回收率在98.5﹪以上,Si和Gd的测量相对标准偏差分别在2.6﹪~3.0﹪和0.4﹪~0.5﹪。

摘要： 本文对外加剂KJ-5RL、FDN、GM和GD对预拌砂浆稠度的影响进行研究，经试验结果表明:单独掺加KJ-5RL能使砂浆的凝结时间延长到4～6h,砂浆的其他指标满足有关标准的要求;单独掺加GM,能使砂浆的使用时间延长到24h,但强度达不到要求;同时掺加GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到60h,砂浆和易性能好,不泌水、不离析,但强度达不到要求;同时掺加FDN、GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到12h,其他指标满足要求,值得在实际应用中参考.

摘要： 本文对外加剂KJ-5RL、FDN、GM和GD对预拌砂浆稠度的影响进行研究，经试验结果表明:单独掺加KJ-5RL能使砂浆的凝结时间延长到4～6h,砂浆的其他指标满足有关标准的要求;单独掺加GM,能使砂浆的使用时间延长到24h,但强度达不到要求;同时掺加GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到60h,砂浆和易性能好,不泌水、不离析,但强度达不到要求;同时掺加FDN、GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到12h,其他指标满足要求,值得在实际应用中参考.

摘要： 本文对外加剂KJ-5RL、FDN、GM和GD对预拌砂浆稠度的影响进行研究，经试验结果表明:单独掺加KJ-5RL能使砂浆的凝结时间延长到4～6h,砂浆的其他指标满足有关标准的要求;单独掺加GM,能使砂浆的使用时间延长到24h,但强度达不到要求;同时掺加GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到60h,砂浆和易性能好,不泌水、不离析,但强度达不到要求;同时掺加FDN、GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到12h,其他指标满足要求,值得在实际应用中参考.

摘要： 本文对外加剂KJ-5RL、FDN、GM和GD对预拌砂浆稠度的影响进行研究，经试验结果表明:单独掺加KJ-5RL能使砂浆的凝结时间延长到4～6h,砂浆的其他指标满足有关标准的要求;单独掺加GM,能使砂浆的使用时间延长到24h,但强度达不到要求;同时掺加GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到60h,砂浆和易性能好,不泌水、不离析,但强度达不到要求;同时掺加FDN、GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到12h,其他指标满足要求,值得在实际应用中参考.

摘要： 本文对外加剂KJ-5RL、FDN、GM和GD对预拌砂浆稠度的影响进行研究，经试验结果表明:单独掺加KJ-5RL能使砂浆的凝结时间延长到4～6h,砂浆的其他指标满足有关标准的要求;单独掺加GM,能使砂浆的使用时间延长到24h,但强度达不到要求;同时掺加GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到60h,砂浆和易性能好,不泌水、不离析,但强度达不到要求;同时掺加FDN、GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到12h,其他指标满足要求,值得在实际应用中参考.

摘要： 本文对外加剂KJ-5RL、FDN、GM和GD对预拌砂浆稠度的影响进行研究，经试验结果表明:单独掺加KJ-5RL能使砂浆的凝结时间延长到4～6h,砂浆的其他指标满足有关标准的要求;单独掺加GM,能使砂浆的使用时间延长到24h,但强度达不到要求;同时掺加GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到60h,砂浆和易性能好,不泌水、不离析,但强度达不到要求;同时掺加FDN、GM和GD,能延长砂浆的使用时间达到12h,其他指标满足要求,值得在实际应用中参考.

摘要： 本发明纳米粉末催化材料Gd3-xBixSbO7(0.5≤x≤1)、In3-xBixTaO7(0.5≤x≤1)或Gd3-xYxSbO7(0.5≤x≤1)。采用高温固相烧结的方法制备，以纯度为99.99％的Gd2O3、Bi2O3和Sb2O5为原材料，将Gd、Bi、Sb以所述分子式的原子比的Gd2O3、Bi2O3和Sb2O5充分混合，然后在球磨机中研磨，粉末的粒径达到0.5-2微米，在200±40°C烘干4±1小时，压制成片，放入高温烧结炉中烧制。将炉温升至720±20°C，保温8±2小时后随炉冷却，将粉末压片取出粉碎至粒径为0.4-1.6微米，再将这些粉末压制成片，放入高温烧结炉中烧结，最高炉温为750±20°C，保温6±1小时后随炉冷却，将粉末压片取出粉碎至粒径为0.3-1.4微米，再将这些粉末压制成片，第二次放入高温烧结炉中烧结，用于降解有机污染物。

摘要： 本发明提供了一种Gd(OH)3和Gd2O3纳米管的制备方法，不需要任何模板和表面活性剂，通过简单的直接沉淀的方法，在较低反应温度下合成出了尺寸均一、分散性良好的Gd(OH)3纳米管；把得到的Gd(OH)3纳米管通过高温煅烧，得到了相同形貌的Gd2O3纳米管。XRD图谱表明，直接沉淀生成的纳米管为纯六方Gd(OH)3，结晶较好。经过煅烧后，生成立方相Gd2O3，无其它杂质峰出现。扫描电镜照片显示，本方法制备的Gd(OH)3产品为分散均匀的纳米管，直径约为50nm，长度约为300nm。经过煅烧后，产品的形貌并无明显变化。具有制备工艺简单、易于控制、生产成本低、能耗小、适于较大规模生产等优点。

摘要： 一种GD包装机GD‑Q2跳闸故障快速分析方法，本发明涉及卷烟制造技术领域，包括将现有技术中可编程控制器与GD包装机输入输出板卡之间的信号线去掉；可编程控制器与GD包装机输入输出板卡之间用DEVICE NET通讯线连接，GD包装机输入板卡上的信号，不再直接接入主站可编程控制器上，而是利用从站远程I/O控制器接入主站可编程控制器。自动化程度高，采用从站技术，精准有效的对设备中输入输出信号进行采集、传输，简化配线，避免了潜在的错误点并节省了安装。

摘要： 本发明公开了一种低Gd含量的Mg‑Gd合金及其制备和热处理方法。所述低Gd含量的Mg‑Gd合金，包含以下质量百分比的化学成分：Gd：2~5%，Li：2~5%，Y：1~3%，Nd：1~2%，Zr：0.2~0.6%，余量为镁和不可避免的杂质。所述制备方法为S1、按照低Gd含量的Mg‑Gd合金的配比进行备料；S2、在SF6+CO2气体保护下，在电阻炉中将合金材料熔化后精炼2~4 min，再在电阻炉内静置25~30 min后浇铸到金属模具中获得铸件。所述热处理方法为将铸件放入坩埚中，将坩埚放入马弗炉中升温至480~500°C后进行保温处理，保温时间2~4 h；保温完成后取出所述坩埚立刻在水中淬火，完成热处理。本发明利用固溶态的Li促进MgGd相在低合金含量下形成，降低了Gd在Mg‑Gd合金中的含量。

摘要： 本发明公开了TLR7配体GD联合CEA抗原制备特异性GD‑DC‑CTL的方法，包括如下步骤：1)采集外周血，分离提取单个核细胞；2）诱导活化DC细胞与CTL细胞；3）使用TLR7配体联合CEA抗原刺激未成熟DC细胞；4）进一步通过细胞因子诱导未成熟DC细胞成为成熟DC细胞；5）将成熟DC细胞与CTL细胞共培养，获得具有CEA抗原特异性GD‑DC‑CTL细胞。本发明所制备的GD‑DC‑CTL细胞与常规方法制备的CIK细胞比较，杀伤CEA阳性肿瘤细胞的活性显著增强，达到90%以上。同时具有制备成本低廉、工序简单、条件易控、对设备的要求较低、易于规模化生产等优势。本发明所制备的GD‑DC‑CTL细胞主要应用于癌症病人的治疗。

摘要： Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储材料属于微电子领域。本发明通过对Ge-Sb-Te或Sb-Te相变材料掺杂Gd元素，提出一种提高Ge-Sb-Te和Sb-Te相变性能的技术和薄膜制备方法，其化学结构式为Gd

摘要： 本发明纳米粉末催化材料Gd3-xBixSbO7(0.5≤x≤1)、In3-xBixTaO7(0.5≤x≤1)或Gd3-xYxSbO7(0.5≤x≤1)。采用高温固相烧结的方法制备，以纯度为99.99％的Gd2O3、Bi2O3和Sb2O5为原材料，将Gd、Bi、Sb以所述分子式的原子比的Gd2O3、Bi2O3和Sb2O5充分混合，然后在球磨机中研磨，粉末的粒径达到0.5-2微米，在200±40°C烘干4±1小时，压制成片，放入高温烧结炉中烧制。将炉温升至720±20°C，保温8±2小时后随炉冷却，将粉末压片取出粉碎至粒径为0.4-1.6微米，再将这些粉末压制成片，放入高温烧结炉中烧结，最高炉温为750±20°C，保温6±1小时后随炉冷却，将粉末压片取出粉碎至粒径为0.3-1.4微米，再将这些粉末压制成片，第二次放入高温烧结炉中烧结，用于降解有机污染物。

摘要： 本发明提供了一种Gd(OH)3和Gd2O3纳米管的制备方法，不需要任何模板和表面活性剂，通过简单的直接沉淀的方法，在较低反应温度下合成出了尺寸均一、分散性良好的Gd(OH)3纳米管；把得到的Gd(OH)3纳米管通过高温煅烧，得到了相同形貌的Gd2O3纳米管。XRD图谱表明，直接沉淀生成的纳米管为纯六方Gd(OH)3，结晶较好。经过煅烧后，生成立方相Gd2O3，无其它杂质峰出现。扫描电镜照片显示，本方法制备的Gd(OH)3产品为分散均匀的纳米管，直径约为50nm，长度约为300nm。经过煅烧后，产品的形貌并无明显变化。具有制备工艺简单、易于控制、生产成本低、能耗小、适于较大规模生产等优点。

摘要： 本实用新型提供了用于GD包装机的推手组件及GD包装机。该推手组件包括：保护套、曲轴、推手座和推手，保护套固定安装于曲轴的外侧，推手安装于推手座的中间，且推手构造有第一通孔，推手座构造有第二通孔，保护套依次穿过第一通孔和第二通孔，且与第一通孔之间为转动设置。该GD包装机包括上述用于GD包装机的推手组件。本实用新型提供的一种用于GD包装机的推手组件及GD包装机，通过在推手和曲轴之间增设保护套，使得保护套和曲轴之间无相对运动而又和推手之间可自由转动，不改变整个机构的运动状态，既避免了曲轴磨损，且保护套更换方便，提高了工作效率。

摘要： 一种GD包装机GD‑Q2跳闸故障快速分析系统，本实用新型涉及卷烟制造技术领域，GD包装机的输入输出卡板上的接线端子与从站远程I/O控制器连接，从站远程I/O利用DEVICE NET通讯线7与主站可编程控制器连接；上述主站可编程控制器中的主站电源模块12的接线端子与交流电源连接，主站可编程控制器中的主站通讯模块14的接线端子与直流电连接；上述从站远程I/O控制器中的从站数字量输入模块16的接线端子与直流电源连接。自动化程度高，采用从站技术，精准有效的对设备中输入输出信号进行采集、传输，简化配线，避免了潜在的错误点并节省了安装空间。