F-35

摘要： 这张图为拍摄于2021年2月,一架来自美国海军陆战队VMFA-122中队的E-35版战斗正在东非上空飞行.当时该机正在执行美国非洲司令部的“八度石英”行动。这一行动的目的是将原先应对东非极端组织的驻索马里美军调往阿拉伯半岛,加强美军在叙利亚与伊朗周边的存在.

摘要： 五代机受保持隐身性能的限制,长期以来难以完全融入美国空军的数据链系统中,特别是F-22战斗机,该机过去甚至与F-35都无法直接进行通信。为此,美军开发了多种通信节点中转技术和产品,以解决五代机与其他战机之间的通信问题。

摘要： 洛马和F-35联合项目办公室签署了一份价值7600万英镑的合同,将向英国提供F-35战斗机维护方面的额外服务,其中包括为飞行员、地勤人员和工程师提供定制的培训课程,以及为F-35机队提供后勤和技术支持服务。

摘要： 澳大利亚F-35A美国驻训2020年11月,澳大利亚空军的F-35A机组飞抵美国埃格林空军基地进行驻训。与以往的第4代战斗机不同,F-35A的优势并不在于飞行员的飞行技术,而在于飞行员对于机载态势感知系统的使用。

摘要： 尽管争议不断,F-35仍是一架极富魅力的战斗机。而在F-35绚丽多彩的能力光谱中,核打击能力无疑是最为隐晦、神秘的那部分。F-35拥有核打击任务能力是一个公开的秘密。在2019年年初,德国空军讨论替换其45架核攻击机时,F-35就是其中的备选方案之一。冷战时期,在北约的战略计划中,德国成为对抗苏联入侵的主战场。

摘要： F-35A战斗机近来似乎有些不妙。先是去年底美国《航空周刊》曝出美国空军最终采购的F-35A数量可能会削减超过40%,紧接着,今年1月,美空军采购、技术和后勤部前助理秘书威尔•罗珀透露,空军计划在2023年重新购买F-16战斗机。

摘要： F-35近年来一直受到美国国会、专家的批评,主要集中在各类技术问题层出不穷、性能不能令人满意、预算超支、价格太高、后勤保障困难等等。尤其是今年,美国国内针对F-35的批评更加密集。

摘要： 美国海军陆战队F-35B首飞美国海军陆战队宣布,VMFA-122战斗机中队4月6日在亚利桑那州尤马海军陆战队航空站完成了F-35B的首次试飞,以支持远征前沿基地作战(EABO)概念。

摘要： 英国皇家空军目前的座机是F-35B"闪电Ⅱ"隐形战斗机,是世界一流的先进战机,美国海军陆战队装备的就是F-35B.2019年1月15日对他进行了采访,以求得到与这种世界上最富争议的飞机相关的更多内容。你对F-35B的第一印象如何?从技术方面来讲,该机可以用惊艳来形容,是一个实实在在的工程奇迹!飞行员驾驶起来手感超级平顺,尤其是转换飞行模式的时候,从平飞转入低速或者垂直悬停,转换过成的平顺用任何华丽的广告语都不足以形容。

摘要： 美国空军参谋长布朗上将在今年2月提出,要设计一款全新的45代战斗机——相当于海军的F/A-18E/F Block 3,用以替代现役的F-16。当然,这一提议离板上钉钉还差得远,但美国空军已经服役F-15EX,答案似乎已经明朗了。那一直以来公认的“F-16之子”——F-35A究竟怎么了?短板过多的F-35。

摘要： 一种三五族半导体器件，包括:具有源极区及漏极区的衬底、源极，设置于衬底且对应于源极区、漏极，设置于衬底且对应于漏极区、栅极，设置于源极及漏极之间、第一保护层，具有第一凹槽及第二凹槽分别设置在源极及漏极上，且覆盖部分衬底，且于栅极及源极与漏极之间的衬底上没有覆盖所述第一保护层、第二保护层，设置在位于漏极的第一保护层的侧壁上，且侧壁相邻于所述栅极以及场板结构，设置于第一凹槽及设置于第二凹槽内并覆盖部分位于源极及漏极上的第一保护层，且在源极上的场板结构延伸至第二保护层上以及覆盖在相邻于第二保护层的部分第一保护层，其中在源极区上的第一保护层、场板结构及第一保护层环绕栅极，且场板结构与栅极之间具有空隙。

摘要： 本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于三五族化合物的外延片湿法制作方法，包括：步骤S1：形成一牺牲层，于所述牺牲层表面蚀刻形成多条沟槽；步骤S2：于所述牺牲层上沉积形成一外延层；所述外延层的材质为所述三五族化合物；步骤S3：对所述牺牲层进行蚀刻以去除所述牺牲层，以及所述外延层的底部区域；步骤S4：于所述外延层上形成衬底，以完成一外延片。本发明的有益效果在于：通过设置牺牲层对三五族化合物材质的外延层底部进行剥离，去除了晶格缺陷较多的外延层底部区域，避免了现有技术中三五族化合物在沉积过程中底部区域存在较多缺陷的问题，进而实现了较好的良率。

摘要： 本发明公开了一种用于三五(III‑V)族半导体外延生长的图案化硅衬底的制备方法，包括以下步骤：在预获取的硅衬底上制备掩膜层，获得制备有掩膜层的硅衬底；基于预设图案刻蚀所述制备有掩膜层的硅衬底中的掩膜层，形成第一沟槽；基于所述第一沟槽，腐蚀所述制备有掩膜层的硅衬底中的硅衬底，形成第二沟槽并露出硅的111面；清洗以去除第二沟槽内的氧化物，制备获得用于III‑V族半导体外延生长的图案化硅衬底。本发明的方法制备的图案化硅衬底，可用于进行外延生长单晶的III‑V族半导体薄膜，能够有效地抑制III‑V族半导体/Si界面的位错，III‑V族半导体薄膜的结晶情况较好，整体质量得到了极大的改善。

摘要： 本发明提供一种用于三五族半导体化合物光刻胶的剥离剂、其制备方法及用途。用于三五族半导体化合物光刻胶的剥离剂包括重量配比如下的各组分：混合有机胺1‑20份；有机溶剂70‑90份；缓蚀剂0.1‑10份；水1‑20份；所述混合有机胺包括脂环胺和脂肪胺。所述有机溶剂包含起溶解作用的环状结构溶剂和起剥离作用的链状结构溶剂。所述缓蚀剂包括主缓蚀剂氮苷类化合物和副缓蚀剂咪唑啉类化合物。本发明光刻胶剥离剂剥离能力优异，在能有效去除光刻胶的基础上，对三五族半导体化合物材料，特别是GaAs有很好的保护效果，能够抑制其腐蚀。本发明剥离剂在半导体化合物芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。

摘要： 本发明提供一种半导体三五族化合物晶圆加工方法，包括以下步骤：S1、制作带有中心孔的晶圆环；S2、将晶圆放置在晶圆环的中心孔处，并将晶圆与晶圆环进行粘贴固定；S3、将粘贴后的晶圆和晶圆环放置在设备承片位置，确认成片位置压力显示为35‑50区间后，选择相应程序晶圆完成自动加工，受晶圆材质影响需降低使用压力，压力范围：RR:1.5‑3.5、Z1:0.5‑2.5、Z2:0.5‑2.5；S4、晶圆加工完成后，通过自动解胶机将晶圆与晶圆环分开，得到独立晶圆。本发明提出的加工方法更加简单、有效。通过制作晶圆环的方式，实现小尺寸化合物半导体晶圆的有效化学机械抛光自动加工，提升晶圆表面状态及后续键合效果，且更加适合量产化加工。

摘要： 本发明公开了一种三五齿车载压缩机，包括气缸及驱动机构，所述的气缸内设有水平布置的阳转子和阴转子，所述的阳转子和阴转子相互啮合，所述的阳转子设有三齿，所述的阴转子设有五齿；所述的阳转子直径大于所述的阴转子直径；所述的驱动机构驱动所述的阴转子转动，所述的阴转子带动所述的阳转子转动。该三五齿车载压缩机结构简单且气量足。

摘要： 本实用新型公开了一种三五齿车载压缩机，包括气缸及驱动机构，所述的气缸内设有水平布置的阳转子和阴转子，所述的阳转子和阴转子相互啮合，所述的阳转子设有三齿，所述的阴转子设有五齿；所述的阳转子直径大于所述的阴转子直径；所述的驱动机构驱动所述的阴转子转动，所述的阴转子带动所述的阳转子转动。该三五齿车载压缩机结构简单且气量足。

摘要： 一种三五族半导体可视化晶体生长设备，涉及晶体生长设备技术领域，包括单晶生长炉，还包括可视化组件和监视器，所述的可视化组件位于单晶生长炉的上方，可视化组件包括上可视窗片和下可视窗片，两片可视窗片通过视窗固定器固定密封连接，两片可视窗片之间存在过冷却水的腔室，腔室的一端设置有进水口，腔室的另一端设置有排水口，上可视窗片的上方设置有摄像头，摄像头与监视器电性连接。本实用新型具备可视化的特点，因此能够及时的针对缺陷做出调整，做到最大可能降低缺陷，提升良品率。

摘要： 本专利涉及轨道交通技术领域，具体是宝桥三五开单轨道岔蜗轮减速机翻转安装工装，包括立架、两个横梁和若干葫芦，两个所述横梁固定在立架顶端，且两个所述横梁相互平行，若干所述葫芦分别安装在两个横梁上。通过本方案中分别位于两个横梁上的葫芦将蜗轮减速机吊起，并通过调节两个横梁上的葫芦释放的链条长度调整蜗轮减速机两侧的高度，最终完成对蜗轮减速机的翻转，解决了市面上缺少专门针对宝桥五开道岔蜗轮减速机更换时的翻转安装工装的问题。

摘要： 本实用新型公开了一种集约型三五挡换挡拨叉工装，包括工装底座，所述工装底座顶部固定连接有第一固定柱，所述第一固定柱的数量设置有两个，两个所述第一固定柱后部设置有第一固定块。本实用新型通过第一固定柱、第一固定块、第二固定柱和第二固定块进行整形，使用第三固定柱、第三固定块和控制块检测，在整形面使用外力让变形的叉角与凸起的第三固定柱贴合，在检验工装面进行检验，根据检测合格的产品缝隙进行第三固定块与控制块之间的距离调节，拉动控制块在第三滑槽内部滑动，第三丝杆进行位置固定，将产品平整的放置在工装上，将可移动的活块向产品推入第三固定块与控制块的空隙中，如果活块能推过变形的叉角整形就合格。