体制原因

摘要： 我国产能过剩的原因是多方面的，根本在于体制。产能过剩的体制原因在于GDP导向下的考核机制、分税制下的财政管理体制、公共权力的监管制度等。为克服产能过剩需要转变发展理念，完善政绩考核机制；深化税制改革，完善财政管理体制；运用法治思维和法治方式，遏制不负责任的投资现象。

摘要： 我国正在全面推进的众多改革中，被称为“三块地”改革的农村集体经营性建设用地入市改革、宅基地制度改革和征地制度改革备受市场关注。人们常说，农村土地是一笔“沉睡的资产”。由于体制原因，过去农民很难从土地上取得财产性收入。

摘要： 我有幸在苏联末期访问过莫斯科，那时红色帝国首都给我最深的印象之一，就是苏联少年儿童满街向外国人讨口香糖。我当时猜想要么是苏联口香糖生产销售渠道不畅，要么是因体制原因使口香糖成为紧俏货。后来，我还特意对苏联口香糖历史做过一点调查。

摘要： 在经济增长不断趋缓而货币供给不断增加的情况下,中国货币和准货币M_2与GDP的比率不断增加,已远远超过全球样本的平均水平,我国的杠杆率并不低,加货币与去杠杆的关系值得讨论的有以下几个方面：一是货币的流向问题。究竟是流向杠杆率较低的部门,还是流向杠杆率较高的部门,其影响完全不同。根据测算,小企业的杠杆率低于大企业,但由于金融业本身的嫌贫爱富,再加上体制原因,中小企业融资难、融资贵的问题呈加剧之势,中小企业盼“输血”,现行体制在“抽血”.

摘要： 近年来,我国学前教育事业取得了较大的发展。但由于起点低、底子薄、欠账多,学前教育仍然是教育体系的薄弱环节,城乡普惠性资源依然短缺。2014年我国学前教育毛入学率70.5%,《关于实施第二期学前教育三年行动计划的意见》提出要求：＂到2016年,全国学前三年毛入园率达到75%左右＂,即使如此,仍有1/4的适龄儿童无法接受学前教育。

摘要： 司法腐败是最黑暗、破坏力最强的腐败，其带来的社会危害难以估量。然而，司法腐败的案例常常走入我们的视线，法官、检察官个人腐败甚至法院、检察院集体腐败的案例屡见不鲜。导致司法腐败的因素有很多，司法不独立是其中重要的体制、结构原因。司法独立能够从体制上、根源上对遏制司法腐败产生一定的积极作用。

摘要： 曾唯忠是瑞昌市赛湖农场人大联络站主任,平常与老百姓生活在一起。一年多来,他亲身参与赛湖农场人大代表联系选民的平台建设。透过实践,他认为代表联络站的建立,对赛湖农场而言有利无弊,至少有四大好处。一是就地填补了工作空白。赛湖农场虽然在社会管理和公共服务上承担了乡镇一级政府的一般职能,但由于体制原因,农场没有乡镇一级的人民代表大会和人大

摘要： 文明的建立不仅要靠道德水平的提升,也要靠体制的建立。当下,教育的问题很多,归根结底,是教育体制的问题。＂片追＂是教育最大的困扰,是全面实施素质教育最大的障碍,是与新一轮基础教育课程改革背道而驰的。它没有＂人＂只有＂分＂。十多年前,台湾学者高震东就说大陆的教育是有教无育;前些天,

摘要： 长期以来，由于体制原因，我国公办养老机构多为民政部门主管的事业单位，用工性质多为事业编制，绩效考核也一直沿用机关事业单位考核办法。然而，公办养老机构职能处于政府机构与企业的中间地带，绩效指标不能照搬政府机关，也不能完全参照企业，而是要根据其自身特点进行设立。

摘要： 哈佛大学校长科南特曾说过:"一个学校要站得住,教师一定要出名。"这句话充分说明了名优教师队伍对学校发展的重要性。然而,民办学校因为体制原因,受到政策制约,教师队伍建设一直是民办学校发展的最大瓶颈。笔者所在的湖南省浏阳市新文学校在创办初期,教师队伍流动率一直处于25%左右,常年招聘教师。

摘要： 为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出，基于该标绘点和所述边界的位置关系，确定有无异常的发生以及异常的种类。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出，基于该标绘点和所述边界的位置关系，确定有无异常的发生以及异常的种类。

摘要： 描述了一种用于确定影响在衬底上制造器件的过程中的产率的根本原因的方法，该方法包括：获得产率分布数据，产率分布数据包括产率参数在整个衬底或其一部分上的分布；获得量测数据的集合，每个集合包括在整个衬底或其一部分上与衬底的不同层相对应的过程参数的空间变化；基于相似度度量来比较产率分布数据和量测数据，相似度度量描述产率分布数据与量测数据的集合中的单独集合之间的空间相似度；从测量数据组中确定量测数据的第一相似集合，就对应层的处理顺序而言，量测数据的第一相似集合是量测数据的第一集合，量测数据的第一相似集合被确定为与产率分布数据相似。

摘要： 在半导体制造工艺中测试晶圆以及找出产生缺陷原因的方法。一种在晶圆上形成当前最上层之后测试晶圆的方法。在形成当前最上层后收集晶圆的由多个晶圆曲率变化量推导得出应力数据。应力数据包括：晶圆上有限区域集合中各区域的x方向应力与y方向应力，上述应力是由各区域的x方向及y方向晶圆曲率变化量推导得出；以及由xy平面晶圆曲率变化量推出的xy平面剪切应力，其中xy平面晶圆曲率变化量为有限区域集合中各区域的晶圆扭转变化量。计算并使用应力梯度向量(及其基准)评估一个或多个目前层。本发明能指出有问题的步骤或程序，实现测试方法的完全自动化。

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体以及具备该合成气体制造用催化剂结构体的合成气体制造装置。本发明的合成气体制造用催化剂结构体(1)是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，其具备：多孔质结构的载体(10)，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质(20)，存在于载体(10)内，载体(10)具有相互连通的通道(11)，催化剂物质(20)为金属微粒，存在于载体(10)的至少通道(11)。

摘要： 问题：提供能够由以二氧化碳为主要成分的分离气体稳定地制造以一氧化碳为主要成分的生成气体的气体制造装置。解决手段：提供气体制造装置(1)，其具备分离回收部(5)、反应部(4)、压力调节部(7)以及流量调节部(6)，所述分离回收部(5)从废气设备的管线的中途导出的废气中分离回收以二氧化碳为主要成分的分离气体；所述反应部(4)与分离回收部(5)的下游侧连接，并且具备至少一个反应器，该反应器在容纳还原剂的同时，能够在还原反应的体系内分离从二氧化碳脱离的氧原子的至少一部分，所述还原剂通过因与分离气体而接触发生的二氧化碳的还原反应而生成一氧化碳；所述压力调节部(7)与反应部(4)的下游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的压力；所述流量调节部(6)与分离回收部(5)的上游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的流量。

摘要： 本发明提供能够长时间稳定地维持优异的催化活性而不使其下降、并且能够效率良好地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体等。合成气体制造用催化剂结构体是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，所述合成气体制造用催化剂结构体(1)具备由沸石型化合物构成的多孔质结构的载体(10)和存在于前述载体(10)内的至少1种催化剂物质(20)，前述载体(10)具有相互连通的通道(11)，前述载体(10)的长边尺寸L相对于厚度尺寸d之比(L/d比)为5.0以上，前述催化剂物质(20)存在于前述载体(10)的至少前述通道(11)中。

摘要： 本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置，并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1)，具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。

摘要： 本发明的课题是提供一种烧结磁体制造用模具，该烧结磁体制造用模具能够提高合金粉末的填充密度的均匀性，同时，内部容易清扫，并且，合金粉末难以咬入盖和模腔之间的间隙。主体(11)具有：从主体面(110A)起设置到主体(11)的内部的主体模腔(111)，该主体模腔(111)由长方体状的上部模腔(111A)和与上部模腔(111A)的下部相连接的向下凸出的作为圆筒形状的一部分的下部模腔(111B)构成；作为圆筒形状的一部分的侧模腔(112)，其在上部模腔(111A)的在主体面(110A)上的开口的、作为所述圆筒的一部分的轴向的两外部分别从主体面(110A)起设置到内部，具有与下部模腔(111B)的作为圆筒的一部分的轴线平行的轴线。盖(12)具有与主体面(110A)对应的基础面(110A)和从该基础面(110A)与两个侧模腔(112)以及连接这两个侧模腔(112)的圆筒形状的一部分的假想模腔对应地突出的凸肋(122)。