低相位噪声

摘要： 本文介绍了一种新型的X波段低杂散、低相噪频率源设计方法。设计主要采用ADI公司生产的AD9914芯片,采用其低杂散,低相噪以及时钟分配器和可编程等特性,直接合成DDS输出频率(360~560 MHz多点跳频)。将DDS输出频率与倍频振荡器产生的频率通过混频产生一本振频率;再将倍频振荡器产生的2.4 GHz与1.1 GHz混频、滤波、放大产生采样时钟频率;系统时钟频率均由2.4 GHz分频、滤波、放大、功分产生。文章详细分析了直接合成频率源具有良好的低杂散、低相噪性能。

摘要： 基于TSMC 180 nm CMOS工艺,提出了一种振荡频率为2~3 GHz的宽频率范围、低相位噪声的单子带压控振荡器(VCO)。采用双平衡吉尔伯特混频结构,将单子带5~6 GHz压控振荡器与固定频率3 GHz压控振荡器进行下混频,可得到振荡频率为2~3 GHz的单子带压控振荡器,实现相对带宽从18.18%到40%的展宽。其中5~6 GHz单子带压控振荡器采用互补交叉耦合结构,更易达到起振条件,采用两组可变电容的并联形式以提高调谐曲线的线性度,拓宽压控振荡器的输出频率调谐范围。通过芯片测试验证,在1.8 V电源电压下,调谐电压变化范围为0.6~2.8 V时,实际输出频率范围为1.85~3 GHz,最大调谐灵敏度为1000 MHz/V,2 GHz频点处相位噪声为-123.2 dBc/Hz@1 MHz,芯片尺寸为1.2 mm×0.7 mm。

摘要： 在微波原子钟里,微波用于激励原子的钟跃迁以获得鉴频信号,微波的相位噪声是限制微波原子钟短期频率稳定度的主要因素之一。在本工作中,实现了一种用于相干布居囚禁(CPT)原子钟的低噪声、结构简单的微波频率合成器,以满足高性能CPT原子钟需要。合成器主要由100 MHz恒温晶体振荡器(OCXO)、声表面滤波器、带锁相的介质振荡器(PDRO)和直接数字合成器(DDS)组成。经测量,对于1 Hz、100 Hz、1 kHz和10 kHz频率偏移处,其输出的3.417 GHz信号的绝对相位噪声分别为-61、-107、-118.6和-124 dBc/Hz。在1 s平均时间处,预期的交调效应对原子钟短期频率稳定的限制仅为5.8×10^(14)。该设计不仅为小型化高性能CPT原子钟提供一种结构简单的微波合成器,还可应用于POP、冷原子CPT等微波原子钟。

摘要： 在通信侦察系统中,超外差接收体制为适用范围很广的一种侦察体制,频率合成器是其中必不可少的重要组成部分.针对现在工程项目中实现频率合成器宽频带、细步进、低相位噪声的目的,相比于单环锁相环设计,文中通过多环设计方法实现了频率合成器杂散抑制、相位噪声等技术指标上的提高.通过在某机载项目上进行验证,实现了3.7～6.8 GHz、步进1 MHz、杂散抑制优于70 dBc、相位噪声优于-100 dBc/Hz@10 kHz的技术指标,满足实际工程应用要求.

摘要： 设计了一种基于直接模拟频率合成与DDS技术相结合的S波段捷变频频率合成器,该合成器具有低相位噪声、低杂散、高集成度的性能优点.介绍了该频率合成器的设计思路,并给出了相关实物测试结果.通过相关电路设计,可使其在S波段实现输出信号的频率、功率可调,能满足多方面应用需求.

摘要： 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团(TSE:6723)今日宣布,推出三款适用于4G和5G射频的新型低相位噪声、高频RF时钟解决方案,以及两种全新成功产品组合以扩展瑞萨通信时钟产品阵容,满足市场对全信号链解决方案的需求。全新8V19N850射频时钟同步器和8V19N880、8V19N882 JESD204B/C时钟抖动衰减器可提供符合ITU-T标准的网络时钟同步、出色的低相位噪声和高时钟频率。

摘要： 本文介绍了一种相噪较低的、恒温的、标称频率为10MHz的晶振的设计研发思路,分析了哪些因素对晶振的相位噪声产生了较大影响.电源电路、晶体振荡电路、调频电路、选频电路以及恒温槽电路等部分是组成该晶振的核心电路.

摘要： 该文设计了一款低相噪、低温漂同轴介质振荡器,该振荡器主要包括三部分:负阻电路部分、同轴介质谐振部分、输出缓冲放大部分.其中,负阻部分和缓冲放大部分使用MMIC工艺实现,谐振部分采用同轴介质和薄膜工艺实现,整体组装采用微组装工艺,在实现产品小型化的同时,达到了低相噪、低温漂的设计目标.最终产品的尺寸为:14 mm×14 mm×5 mm.测试结果表明:在电源电压+9 V、电调电压0～9 V条件下,该产品的输出频率为2.958～2.988 GHz,相位噪声为-107 dBc/Hz@10 kHz,温漂为:3 MHz.

摘要： CML Microcircuits宣布推出一款完全集成、并带有压控振荡器(VCO)的分数型(Fractional-N)射频合成器CMX940,能够以低功耗单芯片解决方案实现低相位噪声和出众的杂散噪声性能。CMX940已经超越了行业设定的性能要求标准,可实现新一代专用移动无线电(PMR)、数据调制解调器、航海无线电和其他无线系统。

摘要： 该文提出了一种频率为2.4 GHz的低功耗低相位噪声的改进型电容电感型压控振荡器(LC-VCO)。采用有源金属氧化物半导体(MOS)晶体管取代电阻和电容以优化电路结构,有效减小版图面积和功耗,同时抑制无源器件引起电路精度的恶化,提升VCO综合性能。基于TSMC 65 nm/1.8 V CMOS工艺进行电路设计和仿真,结合理论建模和小信号等效电路分析,调试关键MOS器件参数。结果表明,改进后的VCO的调谐范围从2.365~2.506 GHz,调谐带宽为141 MHz,-127.272 dBc/Hz@1 MHz的相位噪声,1.8 V电源电压下功耗低至1.323 mW,综合优值高达-193.84 dBc·Hz-1,优于多数同频段同类型的压控振荡器。

摘要： 本文采用混频锁相技术研制X波段宽带锁相频率源，解决了低相位噪声6GHz本振倍频源、宽带环路滤波器的参数优化设计等关键技术，频率源系统中采用X波段VCO的二分频输出信号进行混频，省略射频输出信号耦合取样电路，降低本振倍频链路的倍频次数，有利于改善整个系统的相位噪声性能。研制的X波段频率源性能实测结果为：在10.6GHz～11.8GHz和12.27GHz～13GHz频段内相位噪声优于-102dBc/Hz@10kHz，可以为低相位噪声毫米波锁相频率源的研制提供关键的低相位噪声、频率可调的本振信号源。

摘要： 设计了一种具有缺陷接地结构(DGS-Defected Ground Structure)的低相位噪声毫米波平面振荡器.给出了DGS和毫米波电路的仿真结果。仿真结果显示DGS结构在中心频率为f0 =35.6GHz时,信号传输衰减-30dB.设计了两种振荡器电路,一种有DGS结构,另一种没有DGS结构。仿真结果表明具有DGS结构的振荡器与没有DGS结构的振荡器相比,相位噪声降低了5dB.

摘要： 这篇论文介绍了X/Ku波段低相位噪声推—推介质谐振器振荡器的原理、结构、性能、设计和初步试验结果.该部件采用硅双极晶体管产生振荡,输出二次谐波功率≥3dBm,相位噪声优于—100dBc/Hz/10KHz.

摘要： 微波源是现代微波系统的核心器件之一,微波源的相位噪声决定了整个系统的相位噪声水平。本文应用脉冲倍频锁相环和介质振荡器对2856MHz低相噪微波源进行了研究。阐述了微波源中相位噪声概念,并简要介绍了脉冲倍频技术和介质振荡器,对制成的样品进行了测试,达到了预期的相位噪声指标-110 dBc/Hz-20KHz。本文中介绍的利用脉冲倍频技术和介质振荡器技术设计的锁相介质振荡器具有相位噪声低、体积小、Q值高、频率温度稳定性好等优点,并且频率范围大(可达毫米波段)在微波电路中得到广泛的应用。

摘要： 详细分析了基于小信号S参数的宽带VCO设计方法，采用低相位噪声HEMT管作为有源器件分别设计了共源和共漏两种反馈形式的X波段压控振荡器，分析比较了这两种电路结构的性能特点。仿真得到共源结构VCO在8～10.2GHz调谐带宽内输出功率为10dBm±1dB；共漏结构VCO在8.3～10GHz调谐带宽内输出功率为9dBm±1dB。

摘要： 频率合成器对无线通信系统性能有着重要的影响,本文介绍了一种低相噪锁相源的设计,实验表明其相位噪声达≤-87dBc/Hz@10kHz,提升了整个通信系统的性能.锁相环(PLL)由鉴相器(PD)、压控振荡器仅CO)和环路滤波器(LP)构成，它是一种利用外部输入的参考信号控制环路内部振荡信号反馈控制电路。锁相环的被控制量是相位，被控对象是压控振荡器。如果锁相环路中压控振荡器的输出信号频率发生变化，则输入到鉴相器的信号相位θv(t)和θr(t)必然会不同，此时相位比较器会输出一个与相位误差成比例的误差电压Vd(t)，经环路滤波器输出一个缓慢变化的直流电压Vc(t)，从而控制压控振荡器输出信号的相位，使输入和输出相位差减小，直到两信号之间的相位差等于常数。此时，压控振荡器的输出信号频率和输入信号频率相等，环路处于锁定状态。

摘要： 频率合成器对无线通信系统性能有着重要的影响,本文介绍了一种低相噪锁相源的设计,实验表明其相位噪声达≤-87dBc/Hz@10kHz,提升了整个通信系统的性能.锁相环(PLL)由鉴相器(PD)、压控振荡器仅CO)和环路滤波器(LP)构成，它是一种利用外部输入的参考信号控制环路内部振荡信号反馈控制电路。锁相环的被控制量是相位，被控对象是压控振荡器。如果锁相环路中压控振荡器的输出信号频率发生变化，则输入到鉴相器的信号相位θv(t)和θr(t)必然会不同，此时相位比较器会输出一个与相位误差成比例的误差电压Vd(t)，经环路滤波器输出一个缓慢变化的直流电压Vc(t)，从而控制压控振荡器输出信号的相位，使输入和输出相位差减小，直到两信号之间的相位差等于常数。此时，压控振荡器的输出信号频率和输入信号频率相等，环路处于锁定状态。

摘要： 频率合成器对无线通信系统性能有着重要的影响,本文介绍了一种低相噪锁相源的设计,实验表明其相位噪声达≤-87dBc/Hz@10kHz,提升了整个通信系统的性能.锁相环(PLL)由鉴相器(PD)、压控振荡器仅CO)和环路滤波器(LP)构成，它是一种利用外部输入的参考信号控制环路内部振荡信号反馈控制电路。锁相环的被控制量是相位，被控对象是压控振荡器。如果锁相环路中压控振荡器的输出信号频率发生变化，则输入到鉴相器的信号相位θv(t)和θr(t)必然会不同，此时相位比较器会输出一个与相位误差成比例的误差电压Vd(t)，经环路滤波器输出一个缓慢变化的直流电压Vc(t)，从而控制压控振荡器输出信号的相位，使输入和输出相位差减小，直到两信号之间的相位差等于常数。此时，压控振荡器的输出信号频率和输入信号频率相等，环路处于锁定状态。

摘要： 频率合成器对无线通信系统性能有着重要的影响,本文介绍了一种低相噪锁相源的设计,实验表明其相位噪声达≤-87dBc/Hz@10kHz,提升了整个通信系统的性能.锁相环(PLL)由鉴相器(PD)、压控振荡器仅CO)和环路滤波器(LP)构成，它是一种利用外部输入的参考信号控制环路内部振荡信号反馈控制电路。锁相环的被控制量是相位，被控对象是压控振荡器。如果锁相环路中压控振荡器的输出信号频率发生变化，则输入到鉴相器的信号相位θv(t)和θr(t)必然会不同，此时相位比较器会输出一个与相位误差成比例的误差电压Vd(t)，经环路滤波器输出一个缓慢变化的直流电压Vc(t)，从而控制压控振荡器输出信号的相位，使输入和输出相位差减小，直到两信号之间的相位差等于常数。此时，压控振荡器的输出信号频率和输入信号频率相等，环路处于锁定状态。

摘要： 本文描述了C波段低相噪、低杂散、锁相跳频源模块的方案设计和工程实现。本方案采用了双环及环内混频的方法,并使用了低底噪鉴相器,实现低相噪和低杂散指标。文中给出了设计过程,样品及测试结果,并结合实际说明了工程设计中的关键问题。

摘要： 本文一般性地描述了用于幅度噪声降低的微波振荡器和方法的实施例。振荡器可以包括谐振器和RF桥，用以将入射RF信号与反射RF信号组合。振荡器还可以包括幅度噪声降低回路，该幅度噪声降低回路可以被配置为使用第一基带控制信号以执行振荡器反馈信号的幅度调制(AM)以用于降低振荡器输出信号上的幅度噪声。

摘要： 本文一般性地描述了用于幅度噪声降低的微波振荡器和方法的实施例。振荡器可以包括谐振器和RF桥，用以将入射RF信号与反射RF信号组合。振荡器还可以包括幅度噪声降低回路，该幅度噪声降低回路可以被配置为使用第一基带控制信号以执行振荡器反馈信号的幅度调制(AM)以用于降低振荡器输出信号上的幅度噪声。

摘要： 本发明公开了一种低相位噪声时钟频率源装置，包括依次连接的100MHz参考源、二倍频器、第一带通滤波器、第一微波放大器、三倍频器、第二带通滤波器、第二微波放大器、四倍频器、第三带通滤波器、第三微波放大器、二功分器、三分频器、第一低通滤波器、五分频器、第二低通滤波器、混频器、第四带通滤波器、第四微波放大器。本发明相位噪声低，与理论值相当，无明显恶化；近端噪声低；体积小、功耗低。

摘要： 本发明涉及一种低相位噪声的双谐振腔噪声滤波压控振荡器，属于微波集成电路设计技术领域。由交叉耦合对管、固定电容阵列、可变电容阵列、源漏耦合变压器以及二次谐波阻挡电路组成。交叉耦合对管由两个对称的射频晶体管组成，用来补偿电感电容谐振腔中的损耗，固定电容阵列由2对被外部数字码控制的电容组成，可变电容阵列由一对变容管组成，源漏耦合变压器由65nm工艺中的极厚第九金属层绕线组成，二次谐波阻挡电路由谐振在载波频率二倍频的电感电容谐振腔组成。本发明采用变压器耦合的源漏同向摆动以增大振荡器的摆幅，采用在振荡器底部串接二次谐波抑制电路，以抑制振荡器中二次谐波电流导致的闪烁噪声上的变频，从而降低了压控振荡器的相位噪声。

摘要： 本发明公开了一种基于基片集成波导滤波混合网络的低相位噪声振荡器，包括基片集成波导滤波混合网络、有源放大单元和环路调相微带线；所述的基片集成波导滤波混合网络包括顶部馈电层、中间空气基片集成波导谐振腔和底部金属结构；基片集成波导滤波混合网络的同相输入端口连接有源放大单元的输入端，基片集成波导滤波混合网络的第一个输出端口连接有源放大单元的输出端，基片集成波导滤波混合网络的第二个输出端口连接振荡器的信号输出端口，基片集成波导滤波混合网络的反相输入端口连接匹配负载，环路调相微带线连接基片集成波导滤波混合网络与有源放大单元。本发明不仅可有效提高品质因数，降低振荡器的相位噪声，而且能实现良好的阻抗匹配和紧凑的电路尺寸。

摘要： 提供了一种降低相位噪声的晶体振荡器和含晶体振荡器的半导体芯片。所述晶体振荡器包括：跨导电路，电连接到晶体；负载电容器，连接到跨导电路；反馈电阻电路，连接在跨导电路的输入端子与跨导电路的输出端子之间，反馈电阻电路被配置为提供反馈电阻；和可变电阻控制器，被配置为生成用于控制反馈电阻的电阻控制信号，电阻控制信号使得反馈电阻在第一时段中具有第一值并且在第二时段中具有第二值，第一值小于第二值，第一时段对应于时钟信号的周期的第一部分，并且第二时段对应于所述周期的与第一部分不同的第二部分。

摘要： 本发明涉及变容管电路技术领域，且公开了一种低相位噪声的变容管电路，包括两个电容和两个电阻，两个所述电容和两个所述电阻串联，且两个电阻位于两个电容之间，两个所述电阻之间并联有多个第一可变电容器，且两个公共端节点位于电容和电阻之间，两个所述公共端节点上并联有多个第二可变电容器，且第一可变电容器和第二可变电容器增益相同但极性相反。本发明选取第一可变电容器与增益相同但极性相反的第二可变电容器，同样方式连接到电阻上，则电阻的热噪声在某一时刻通过第一可变电容器产生的相位噪声刚好可以被第二可变电容器产生的相位噪声抵消掉，这样，电阻就可以选取一个较大的值来提高品质因子Q值。

摘要： 本发明公开了一种超低相位噪声频率合成器，其加入了超窄带晶振锁相环，使两路信号相位噪声非相关，叠加后实现相位噪声优化，主要由10MHz恒温晶振，功分器，10MHz‑100MHz超窄带晶振锁相环、5.8GHz低相位噪声取样锁相介质振荡器（PDRO）、电调移相器、电调衰减器、放大器和合路器组成。两路信号经过合路器后输出最终信号。本发明的方案利用非相关相噪叠加原理，使两路信号相位噪声非相关，并利用DRO的低相位噪声进行合路输出，能够有效改善相位噪声，电路结构简单，易于实现。

摘要： 本发明提供一种基于增强群时延滤波技术的5G低相位噪声振荡器，包括：上层介质基板、顶部金属贴片、下层介质基板、振荡电路、滤波结构短路针、放大电路短路针、金属地板和电源滤波短路针；其中，顶部金属贴片设置在上层介质基板的上表面；振荡电路设置在下层介质基板的上表面；滤波结构短路针从上至下依次贯穿上层介质基板和下层介质基板，并将顶部金属贴片和金属地板连接起来；本发明通过引入基于基片集成同轴线的山字形谐振器和L形枝节的滤波技术实现了高选择性和高群时延，提高了振荡器的相位噪声性能。其滤波结构通过山字形谐振器和L形枝节在滤波通带的上下边缘引入了传输零点，并实现了传输零点位置和群时延的调节功能。

摘要： 本实用新型公开了一种超低相位噪声的雷达用取样锁相介质振荡器，包括壳体和集成电路板，所述壳体的内部设置有集成电路板，所述壳体的顶端设置有连接线，所述壳体的一端焊接有固定块，所述固定块之间设置有盖板，所述壳体和盖板的外部活动套接有固定套，所述连接线外部壳体的顶端焊接有固定槽。该超低相位噪声的雷达用取样锁相介质振荡器通过设置有固定槽、通槽和防护套，首先将防护套通过通槽套接在连接线的外部，之后将防护套的底端嵌在固定槽的内部进行卡接固定，连接线的接口处则被包裹在通槽中，使得防护套可对连接线接口处易断的位置进行防护，解决了连接线接口处在与连接口连接时容易发生断裂的问题。