位置分辨

摘要： 采用聚乙烯转换层的气体电子倍增器(Gas Electron Multiplier,GEM)探测器具有快中子探测、较高时间分辨及位置分辨等性能,能很好地满足中国散裂中子源(Chinese Spallation Neutron Source,CSNS)大气中子谱仪束流监测的需求.采用蒙特卡罗仿真软件Geant4 (GEometry ANd Tracking,version 4)对探测器的物理过程进行模拟,研究7 MeV、10 MeV、14 MeV三种不同能量中子的探测效率与聚乙烯转换层厚度的关系;并研究不同厚度阻止层对反冲质子出射能量、角度以及探测器探测效率的影响.此外模拟计算了反冲质子在不同厚度气体中的能量沉积以及探测器的γ射线灵敏度.最后根据模拟参数制作探测器样机并进行了初步的中子束流实验.实验结果表明:探测器采用2mm聚乙烯转换层、200μm铝阻止层以及4mm工作气体时,探测器具有良好的二维成像能力,位置分辨率可达2.9 mm.

摘要： 阻性板探测器具有时间分辨好、稳定性高以及造价低等优点.将阻性板探测器平台引入实验教学中,设计了基于多层阻性板探测器的实验平台,调试气路,选择合适的参量,设置电路时序逻辑,用示波器直观显示宇宙射线μ子在气体介质中的径迹为直线,体现了μ子具有强穿透性.通过对实验数据进行处理,重建了 μ子运动径迹,计算出一维位置分辨.

摘要： 为了给CSNS中子谱仪提供性能优异的能量分辨中子成像探测器,本文设计了兼具高探测效率和高位置分辨的中子探测器.根据中子灵敏微通道板(nMCP)的中子探测原理和信号产生机制,使用Geant4建立nMCP的模拟模型以及位置分辨的计算模型,使用蒙特卡罗模拟对硼钆混合掺杂nMCP的探测效率和位置分辨2个关键性能展开了优化,并对nMCP中由中子入射位置不同产生的响应不均匀性进行了研究.结果表明:对于8μm孔径,10μm孔间距,1°倾角的nMCP,混合掺杂摩尔百分比为10的B2O3和摩尔百分比为0.4的Gd2O3,在保持15μm位置分辨的同时可以最高达到28％的探测效率.相对于无倾角的nMCP,在有通道倾角的nMCP中这种响应不均匀现象更加严重.本文的模拟结果为开发用于能量分辨中子成像的高性能nMCP提供了有力的数据支持.

摘要： 研制了一种新型前端读出电路,用于重离子治癌装置中符合测量原型系统的研究和测试.电路主要包括能量链、时间链和数据处理单元.能量链由截止频率7 M Hz的抗混叠滤波器和模数转换器(ADC)组成,形成波形采样电路;时间链由高速比较器构成的定时甄别电路和时间数字转换器(TDC)组成;数据处理单元基于现场可编程门阵列(FPGA)设计实现.电路的线性度优于0.8％,噪声小于0.8 mV(RMS).配合LaBr3单晶体条测试,能量分辨为4.5％(FWHM),在与LYSO晶体阵列配合测试时,位置映射散点图清晰.该前端读出电路性能优于CAM AC系统,具有较好的实际应用前景.

摘要： [Background] Benefit by the position resolution at the micro-meter level and the extremely high detection efficiency, complementary metal oxide semiconductor (CMOS) pixel sensors were widely used for particle tracking. Pixel sensors have the ability to be assembled on a large scale and can be applied to muon radiography. [Purpose] This study aims to improve the position deviations of the sensors to be less than ten microns to prevent deterioration of the position accuracy for multi-layer muon radiography. [Methods] First of all, an iterative position correction method was established based on cosmic muon tracks fitted by straight line model. Then a muon radiography prototype consisting of 8 physical layers was simulated by using GEANT4 with 4 pixel sensors on each physical layer. Finally, artificial deviation in the x-y plane and rotation angle θ along z axis for all the sensors were introduced to simulate and correcte position deviations of the sensors. [Results] The results show that the precision of position correction is less than 5 μm. [Conclusion] The proposed chip position correction method can be used to correct the real position of the chip with high accuracy.%硅像素互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)芯片因具有微米级的位置分辨能力和极高的探测效率等特点,对于径迹精确重建具有举足轻重的作用.通过大面积拼接,能够将硅像素芯片用于μ子成像,但芯片拼接产生的机械误差,以及各层之间的相对位置误差,对μ子重建过程中的位置精度具有明显影响.本文利用μ子通过探测层时产生的观测点,建立了基于μ子径迹直线拟合模型的迭代芯片位置校正算法.通过在GEANT4程序中构建μ子成像探测原型装置,其中包含8个物理探测层,每层拼接了4块硅像素芯片,并添加芯片在x、y方向与旋转角θ三个自由度上的偏移量,模拟了真实情况下的机械误差对重建位置精度的影响.结果显示:该算法可用于芯片真实位置的高精度修正,使芯片位置修正精度小于5 μm.

摘要： Micromegas探测器是一种新型微结构气体探测器,于1996年由Giomataris等首先研制出来,它是目前最先进的气体探测器之一。该探测器具有优异的位置分辨、稳定的性能和很好的耐辐照性能等特点,能够在很高的计数率条件下工作,尤其适合用于高亮度环境,近年来在国际上得到迅速发展。使用光蚀刻技术制作的Micromegas探测器被称为Bulk Micromegas,制作流程主要为以下几步:拉伸丝网、覆感光膜、曝光、蚀刻、清洗和测试。

摘要： 研究中微子是否为自己的反粒子的其中一种方法便是寻找无中微子双贝塔衰变事件。要研究这种稀有的事件就需要极低的本底环境。位于中国锦屏地下实验室的PandaX-Ⅲ实验将使用近200kg的高压气氙制作的时间投影室对该事件进行观测。由于Micromegas探测器优越的能量分辨与位置分辨以及极低的本底,该实验将使用大量的Micromegas探测器作为时间投影室的读出探测器。

摘要： 中国散裂中子源需要建设一台多功能反射谱仪中子探测器,满足在10年运行期间内,50％(@2 (A))以上的探测效率、好于2 mm的二维位置分辨、200mm×200mm的灵敏面积、3倍的n/γ分辨能力及良好的二维成像性能.基于此要求,探测器因此采用基于高气压3He气体的多丝正比室,并以满足反射谱仪的探测效率、位置分辨、长期稳定工作和n/γ分辨能力为目标进行探测器的设计.本文经过模拟和实验计算得出:以9 mm厚的铝合金入射窗、铝丝密封的高气压腔体和6 bar 3He+2.5 bar C3H8的工作气体的设计,可满足探测器对2 (A)中子10年运行期间内54％以上的探测效率要求;探测器对中子的位置分辨可达到1.4 mm左右;设计的气体净化系统,拥有2 L/min的气流速度可有效去除探测器内的负电性杂质气体,气体循环净化后可提高探测器约27％的气体增益,保证探测器长期稳定的运行;通过对252Cf中子源的能谱测量和成像测量,得出探测器的n/γ分辨能力在5倍以上和均匀的成像结果.研制的探测器满足反射谱仪需求,并已在中国散裂中子源反射谱仪靶站就位联调.

摘要： 中国散裂中子源(CSNS)于2008年开始工程建设,2018年8月28日的首次打靶处束,它的建成使中国拥有一流的大型中子散射多科学研究平台.CSNS一期建成的三台谱仪中,通用衍射谱仪(General Purpose Power Diffractometer,GPPD)主探测器采用自主研发的大面积闪烁体探测器阵列(NSDA),该探测器单元由双层闪烁屏、波移光纤阵列、多阳极光电倍增管及其读出电子学构成,实现了4mm*4mm的位置分辨和好于45％的热中子探测效率,各项参数指标满足谱仪的物理需求.GPPD谱仪散射室内的探测器阵列由38台探测器单元构成,覆盖了底角、90度和高角区域约5m2的空间.该探测器阵列在2017年底完成现场安装及调试.2018年底第一次谱仪在束调试时,探测器阵列就配合谱仪,在线得到标准硅粉末样品的衍射数据,并得到的0.184％的谱仪分辨率.

摘要： 近年来,中子探测器使用得最多的是基于3He的多丝正比室气体探测器,相对于其他类型探测器,该探测器具有探测效率高、位置分辨好、n/γ分辨能力好、抗辐射能力强等优点,并且可以大面积制作.基于3He的多丝正比室气体探测器对中子的探测主要由两部分组成:中子与3He气体反应产生的次级粒子带来的位置偏差、多丝正比室自身的本征性能,次级粒子带来的偏差主要与3He气体的压强相关.本文主要对有效面积200mm×200mm多丝正比室原型样机的本征性能进行测试,针对两种不同的探测器结构,利用X射线源开展位置分辨、能量分辨、二维成像能力等性能的测试,比较不同结构下,探测器本征性能的好坏,优化探测器的结构,有助于中子的探测.

摘要： 报道一个二维位置灵敏X射线探测器的建造。探测器采用多丝正比室结构,有效面积200×200mm,采用阴极条感应电荷重心法确定入射X射线位置。经初步测试,探测器的位置分辨(fwhm)好于0.4mm。

摘要： 描述了用平面工艺技术研制基于硅多条的两维位置灵敏探测器的制备工艺技术及性能测试初步结果.这种探测器的灵敏面积为50×50 mm2.P掺杂面被等分成相互平行的长度为50mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间隔为100μm.硅条P掺杂层是一层均匀分布的电阻层,利用电荷分除法,可以得到入射粒子在该条上的位置(Y位置).当探测器工作在全耗尽偏压下时,大部分单条的反向漏电流＜30 nA.对239Pu α粒子得到能量分辨率＜2.5％,位置分辨＜0.5mm.

摘要： 本文介绍了基于微通道板的二维成像探测器的基本原理、结构,制作了有效面积直径达70毫米的微通道板延迟线探测器,并利用辐射源对研制的探测器位置分辨等性能进行了测试,得到的最好位置分辨为0.1毫米;讨论了进一步优化探测器性能的方法.

摘要： 为满足放射性束物理实验的需要,研制了低气压多丝正比室和二次雪崩PS-PPAC.得到1mm的位置分辨,并成功地应用于多个次级束物理实验.

摘要： 介绍了BESⅢ-闪烁光纤量能器预制研究的一些主要实验内容.建立了解一套进行单根光纤测量的实验装置,给出由这套装置获得闪烁光纤的光产额、衰减长度、时间分辨和位置分辨的实验方法和测量结果.系统地研究了闪烁光纤的特性,并对两种不同的光纤进行了比较.此外,还对来自意大利KLOE的铅-光纤量能器单元模型进行了宇宙线测试,给出初步实验结果.

摘要： 描述为RIBLL研制的一种双维位置灵敏PPAC,位置读出采用电荷分除法.在不同工作气体下进行了性能测试.在700Pa气压下,CF工作气体,阳极在+595V,对于三组分α粒子,位置分辨(FWHM)为0.68mm.使用异丁烷气体,阳极在+500V,位置分辨(FWHM)为0.76mm.现在,它已成为RIBLL上重要的束流诊断元件和RIB实验的重要位置探测器.

摘要： 描述了在重离子物理实验中最常用的几种位置灵敏平行板雪崩室(PS-PPAC)的(位置读出原理和)阴极结构特点.并着重描述了为了满足次级束重离子物理实验的要求而进行的重大改进,获得了≤1mm的位置分辨,从而成功地应用于多个次级束物理实验.

摘要： 描述了一种为RIBLL研制的在线束流监测用双维位置灵敏多极平行板雪崩探测器(Multi-plate PPAC).它主要由中心阳极、两个位置灵敏栅极和两个阴极平面组成.灵敏面积为100mm×100mm.使用异丁烷工作气体,气压稳定在650Pa,阳极在+400V,阴极在-350V时,对三组分a源测得探测器的位置分辨约0.58mm(FWHM),位置非线性±50μm,探测效率好于99.2﹪.由于该探测器明显的高增益,它适合探测较高能量的较轻粒子.

摘要： 在一种用于高空间分辨率地确定在样品中在一个或多个空间方向(x，y)上的分离的分子(24)的位置的方法的情况下，其中，分子(24)能够以激励光激励以发射发光，使激励光以以下强度分布对准样品：所述强度分布具有零点(20)和在空间方向(x，y)中的每个上在两侧邻接零点(20)的强度上升区域。对于样品中的零点(20)的不同位置(A‑D)中的每个记录由分子(24)发射的发光；由对于零点(20)的不同位置(A‑D)记录的发光的强度推导出样品中的分子(24)的位置。在此，零点(20)布置在样品中的不超过n×3个不同位置(A‑D)处，以便由对于零点(20)的不同位置(A‑D)记录的发光的强度推导出在n个空间方向上的分子(24)的位置。

摘要： 本发明涉及一种基于位置感知的高分辨遥感图像倾斜船舶目标检测方法，利用UNet‑like多尺度卷积网络提取多尺度深度特征图；利用提取出来的深度特征图通过基于锚点的旋转框回归模型直接预测每个锚点存在船舶的可能性得分和锚点所在预测框的位置；利用位置感知得分校正模型对锚点得分进行校正。本方法利用UNet‑like卷积神经网络提取兼备深度语义特征和浅层细节特征，在保证分类精度的同时提升模型定位精度，提升了小尺寸船舶的检测性能。同时利用位置感知得分校正模型进一步修正候选框得分，提高候选框定位精度。

摘要： 本发明涉及车辆且尤其是汽车的气囊装置，它有一个可通过充气机构来充气的气囊。在气囊面向乘客的那侧有一个传感器件，根据本发明，该传感器件由测量压力变化的交叉的传感器条构成。传感器条(1，2)对局部压力变化做出反应并将探测到的压力变化作为传感器信号传给控制机构。响应于该传感器信号地来控制由该充气机构提供的气体量。还要求保护一种用于分辨位置和/或时间地测量力或压力的传感器。该传感器具有电阻件(5′，15′)，这些电阻件具有由这些电阻件(5′，15′)的相互间隔的接触区(K)成行成列组成的矩阵场，其中，在两个电阻件(5′，15′)的一接触区(K)上的电阻取决于该接触区(K)所受的力或压力。改进在于，至少其中一个电阻件(5′，15′)能至少在其中一个接触区(K)里通过一个在该接触区(K)与该电阻件(5′，15′)电接触的导电件(4′，14′)来施加电压。

摘要： 本发明提供一种进行实时位置反馈并提高光谱分辨率的像切分器，包括像切分器,所述像切分器由七个大小相同的六边形微透镜组成。像切分器将目标光斑切分为七个部分，并在像切分器后表面将光耦合进入七根光纤中。七根光纤的另外一端排列成一排，对应光谱仪的入射狭缝。本发明可以切分目标光斑、减小输送至光谱仪中的光纤直径，提高光谱分辨率；同时成像系统像面上的光纤能够实时、准确跟踪目标光斑，使得接收到的目标光斑能量最大化。

摘要： 本发明涉及一种基于位置相关点扩散函数的超分辨图像重建方法及系统，以解决在大视场荧光单分子定位显微镜应用中光学像差对重建精度和准度的影响。本发明将首先对视场不同位置处的点扩散函数进行采集和拟合，然后对获取的点扩散函数中包含的各种光学像差(包括但不限于球差、彗差、场曲率和色差)进行校准，进而对视场中所处不同位置的荧光发射图案采用对应位置的校准点扩散函数拟合，获得精准可靠的超分辨图像重建，从而最大限度地扩大单分子定位超分辨显微镜的有效视场。

摘要： 本发明涉及合成孔径雷达技术领域，是关于一种轨道高分辨率SAR数据的目标三维位置反演方法和装置，方法包括：基于不同轨道高分辨率SAR数据，在不同SAR图像中搜索候选同名点；通过信号处理的方法，精确提取各候选同名点在不同SAR图像中的精确位置；根据每个候选同名点的精确位置，基于不同轨道的SAR几何模型，建立定位方程组；采用牛顿迭代和Taylor级数理论对定位方程组进行优化，并提取每个候选同名点的三维位置信息和定位误差信息；从所有候选同名点中剔除定位误差大于预设误差的候选同名点，以得到目标同名点；提取目标同名点的三维位置信息。通过该方案，能精确测量目标点的三维位置信息。

摘要： 本发明提供基于XML位置信息的高分辨率图像小目标训练方法及系统，方法包括：采集获取线路巡检高分辨率原图像，数据标注线路巡检高分辨率原图像，以生成的xml文件，提取xml文件的对应标注框位置信息；在线路巡检高分辨率原图像中裁剪标注框区域以及周边信息，生成适用新图像；获取线路巡检高分辨率原图像与适用新图像的坐标映射关系，根据坐标映射关系从线路巡检高分辨率原图像剪裁的左上角点和右下角点进行坐标重置，以获得适用新图像的左上角点和右下角点；根据坐标点映射关系同步更新xml文件中对应的目标标注框的位置以及适用新图像的高和宽；将适用新图像输入预置网络中训练，以得到目标区域训练结果。本发明解决了模型训练复杂以及训练效果不佳的技术问题。

摘要： 本发明公开了一种辅助分辨病变位置的LED白光与激光混合医用光源，涉及医用光源技术领域，该医用光源旨在解决现有技术下不具备激光调节功能，在不同光线下不能辅助医生分辨病变位置的技术问题。该医用光源包括外壳、安装在外壳前端的第一连接块、安装在外壳右端的第二连接块、安装在第一连接块上下两端的第一连接条、固定在第二连接块上下两端的第二连接条、固定在第一连接条和第二连接条之间的电源。该医用光源中激光源和白光源可随意切换，并且两种光可以混合使用，照射到病体反射出荧光，辅助医生一眼分辨病变位置，且激光源的颜色可调节，从而反射的荧光颜色发生改变，可以在不同光线下反射出病变位置，大大提高了医生的诊断效率。

摘要： 本发明公开了一种基于多分辨率上下文关联的位置预测方法及系统，方法包括以下步骤：步骤S1、根据用户历史轨迹数据，获取多分辨率时间信息；步骤S2、根据用户历史轨迹数据，获取多分辨率空间信息；步骤S3、根据获取的多分辨率时间信息和多分辨率空间信息，获取序列的多分辨率的时间和空间上下文规律；步骤S4、根据获取的序列的多分辨率的时间和空间上下文规律，获取位置预测信息。本发明提供的基于多分辨率上下文关联的位置预测方法，通过多分辨率的时间和空间信息，获取更丰富的用户时间空间序列行为规律，使得位置预测的精度更高。

摘要： 本发明提供了一种二维位置分辨硅探测器，包括基底，正面阴极环嵌入于基底正面，正面阴极环上方镀有正面铝层；阳极嵌入于基底反面，阳极远离基底的一面镀有反面铝层；二氧化硅层填充于正面铝层之间以及反面铝层之间；所述正面铝层上设置有正面探测信号输出点；所述反面铝层上设置有反面探测信号输出点。解决了现有技术中存在的探测信号引出点多，封装工作量和难度大，产品合格率低等问题。