Flash存储器

摘要： 本文利用60 MeV质子束流,开展了NAND(not and)flash存储器的质子辐照实验,获取了浮栅单元的单粒子翻转截面,分析了浮栅单元错误的退火规律,研究了质子辐照对浮栅单元的数据保存能力的影响.实验结果表明,浮栅单元单粒子翻转截面随质子能量的升高而增大,随质子注量的升高而减小.浮栅单元错误随着退火时间的推移持续增多,该效应在低能量质子入射时更为明显.经质子辐照后,浮栅单元的数据保存能力有明显的退化.分析认为高能质子通过与靶原子的核反应,间接电离导致浮栅单元发生单粒子翻转,翻转截面与质子注量的相关性是因为浮栅单元单粒子敏感性的差异.质子引起的非电离损伤会在隧穿氧化层形成部分永久性的缺陷损伤,产生可以泄漏浮栅电子的多辅助陷阱导电通道,导致浮栅单元错误增多及数据保存能力退化.

摘要： 为进一步提高列车运行速度、缩短追踪间隔、减少建设运营维护成本,提出下一代列控系统即CTCS-4级列控系统,其关键技术包括移动闭塞、基于卫星列车精确定位、基于卫星列车完整性检查、高速铁路车地双向传输等技术。CTCS-4级列控系统采用基于电子地图辅助卫星实现列车精确定位,其中电子地图文件在车载设备FLASH存储器中如何存取还没有统一的技术标准规范。分析电子地图不同数据文件特点与FLASH存储器的管理机制,根据FLASH容量、电子地图文件数目和不同文件数据大小,并考虑电子地图文件存取过程中的耗时情况,提出一种高效且不影响车载设备其他业务模块运行的电子地图文件存取管理方案。

摘要： 例1:乐视超3-X55(928平台)液晶电视,无法连接WIFI。分析检修:此故障的原因主要有三点:一是无线WIFI密码或网络设置异常,可参照用户手册重新设置即可;二是软件异常,可换上已烧好程序的Flash存储器,或通过U盘重新升级;三是WIFI模块U1301(AP6269LV)或天线不良,此时先检查同轴天线与主板的连接是否正常。

摘要： 针对芯片制造工艺存在的不稳定性以及芯片的个体性能差异化问题,提出一种在MCU内部增加修调控制电路的设计方法,并基于此修调电路设计一套特定的修调方法。设计以内部DAC模块为例,通过分析其控制电路中的自锁机制,探讨引导区程序划分及其功能实现,使用模块特定的修调方法获得修调值,并将数据固化在FLASH中,实现每颗芯片的可变式调节功能。通过在Cadence中完成整体电路模型仿真,验证设计与方法的合理性,为MCU应用领域的DAC修调相关实践提供有效的理论支撑。

摘要： 随着Flash存储器在航天系统中的大量应用,其单粒子效应评价至关重要.首先综述了Flash存储器单粒子效应研究进展,总结出在重离子辐照实验中常见单粒子效应及其故障原因,包括由存储单元故障和外围电路故障造成的单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子闭锁.随后,归纳出常见单粒子效应的测试区分方法、测试算法和测试流程,为相关测试实验研究提供参考.

摘要： 在工程机械电控系统开发过程中,由于原用Flash存储器M25P16停产,对电控系统存储功能的开发带来了消极的影响.本文通过实验,对Flash存储器W25Q16JVSNIQ与M25P16的存储功能性能进行对比测试,研究Flash存储器W25Q16JVSNIQ是否可以替代M25P16进行使用.

摘要： 针对25 nm商用Flash存储器,利用中国科学院新疆理化技术研究所的60Coγ射线源和兰州重离子加速器先后进行了总剂量效应和单粒子效应实验.实验中器件先辐照30 krad(Si)的γ射线,然后再辐照不同线性能量转移(Linear Energy Transfer,LET)的重离子,得到了不同条件下Flash存储器浮栅单元错误的退火特性.实验结果表明与只进行重离子辐照相比,总剂量和重离子协同作用下器件浮栅单元错误消失的比例会发生变化,且在不同LET离子的辐照下表现出相异的趋势.分析认为辐照总剂量会引起浮栅单元电荷丢失和电荷俘获,影响浮栅单元的错误退火特性.

摘要： 轻量级FAT文件系统的兼容性强,但面向Flash存储器时存在容量利用率低与可用寿命缩短的问题.提出了FAT文件系统的优化设计:创建空闲队列、有效队列以及无效队列,分类管理FAT表中各个簇的使用情况,以高效执行垃圾回收操作;每次从随机簇号开始查找空闲簇,从而实现簇对应的Flash物理块之间磨损均衡.

摘要： 本文研究了不同偏压条件对flash存储器总剂量辐照效应的影响，结果发现随着总剂量的增加，flash存储器输出低电压VOL和电源电流ICC都会增大，且PORT端口接高电位的偏置时flash存储器的参数变化更加剧烈，其原因可能是总剂量辐照产生的漏电流使电路参数发生超差。

摘要： 本文介绍了一种基于FPGA可逻辑器件开发的可对FLASH存储器的读数据、页编程、块擦除等操作测试仪.文中主要从硬件电路、逻辑程序和上位机软件设计等三方面详细介绍了FLASH存储器测试仪的工作原理.本测试仪具有可靠性高、系统稳定、通用性好等优点,被广泛应用于航空航天领域中对火箭和导弹弹载数据记录器的可靠性测试工作.

摘要： 本文介绍了一种基于FPGA可逻辑器件开发的可对FLASH存储器的读数据、页编程、块擦除等操作测试仪.文中主要从硬件电路、逻辑程序和上位机软件设计等三方面详细介绍了FLASH存储器测试仪的工作原理.本测试仪具有可靠性高、系统稳定、通用性好等优点,被广泛应用于航空航天领域中对火箭和导弹弹载数据记录器的可靠性测试工作.

摘要： 本文介绍了一种基于FPGA可逻辑器件开发的可对FLASH存储器的读数据、页编程、块擦除等操作测试仪.文中主要从硬件电路、逻辑程序和上位机软件设计等三方面详细介绍了FLASH存储器测试仪的工作原理.本测试仪具有可靠性高、系统稳定、通用性好等优点,被广泛应用于航空航天领域中对火箭和导弹弹载数据记录器的可靠性测试工作.

摘要： 本文介绍了一种基于FPGA可逻辑器件开发的可对FLASH存储器的读数据、页编程、块擦除等操作测试仪.文中主要从硬件电路、逻辑程序和上位机软件设计等三方面详细介绍了FLASH存储器测试仪的工作原理.本测试仪具有可靠性高、系统稳定、通用性好等优点,被广泛应用于航空航天领域中对火箭和导弹弹载数据记录器的可靠性测试工作.

摘要： 本文介绍了一种基于FPGA可逻辑器件开发的可对FLASH存储器的读数据、页编程、块擦除等操作测试仪.文中主要从硬件电路、逻辑程序和上位机软件设计等三方面详细介绍了FLASH存储器测试仪的工作原理.本测试仪具有可靠性高、系统稳定、通用性好等优点,被广泛应用于航空航天领域中对火箭和导弹弹载数据记录器的可靠性测试工作.

摘要： 本文描述了Flash存储器中Content Addressable Memory(CAM)结构的总剂量特性。CAM结构是AMD等公司生产的Flash存储器中的一种经典结构。目前，国外对Flash存储器的总剂量效应研究非常多，但是对CAM结构的总剂量效应研究未见报道。本文将首次介绍CAM结构的总剂量效应，并进行理论分析。它的总剂量效应主要表现为电荷丢失(charge lose)。CAM单元与浮栅单元(floating gate)在结构上大同小异，但是往往总剂量效应(电荷丢失)对CAM单元的影响更大。试验结果显示，CAM单元已经成为带有这种结构的新一代Flash存储器的总剂量效应的薄弱点。

摘要： 本文描述了Flash存储器中Content Addressable Memory(CAM)结构的总剂量特性。CAM结构是AMD等公司生产的Flash存储器中的一种经典结构。目前，国外对Flash存储器的总剂量效应研究非常多，但是对CAM结构的总剂量效应研究未见报道。本文将首次介绍CAM结构的总剂量效应，并进行理论分析。它的总剂量效应主要表现为电荷丢失(charge lose)。CAM单元与浮栅单元(floating gate)在结构上大同小异，但是往往总剂量效应(电荷丢失)对CAM单元的影响更大。试验结果显示，CAM单元已经成为带有这种结构的新一代Flash存储器的总剂量效应的薄弱点。

摘要： 本文描述了Flash存储器中Content Addressable Memory(CAM)结构的总剂量特性。CAM结构是AMD等公司生产的Flash存储器中的一种经典结构。目前，国外对Flash存储器的总剂量效应研究非常多，但是对CAM结构的总剂量效应研究未见报道。本文将首次介绍CAM结构的总剂量效应，并进行理论分析。它的总剂量效应主要表现为电荷丢失(charge lose)。CAM单元与浮栅单元(floating gate)在结构上大同小异，但是往往总剂量效应(电荷丢失)对CAM单元的影响更大。试验结果显示，CAM单元已经成为带有这种结构的新一代Flash存储器的总剂量效应的薄弱点。

摘要： 本文描述了Flash存储器中Content Addressable Memory(CAM)结构的总剂量特性。CAM结构是AMD等公司生产的Flash存储器中的一种经典结构。目前，国外对Flash存储器的总剂量效应研究非常多，但是对CAM结构的总剂量效应研究未见报道。本文将首次介绍CAM结构的总剂量效应，并进行理论分析。它的总剂量效应主要表现为电荷丢失(charge lose)。CAM单元与浮栅单元(floating gate)在结构上大同小异，但是往往总剂量效应(电荷丢失)对CAM单元的影响更大。试验结果显示，CAM单元已经成为带有这种结构的新一代Flash存储器的总剂量效应的薄弱点。

摘要： 本申请实施例提供一种Flash存储器、Flash存储器的文件管理方法和装置，该方法包括当待存储文件为至少一个时，对于每个待存储文件，确定待存储文件的目标设置页，将与待存储文件的数据相关的目标设置信息写入目标设置页中；其中，目标设置信息包括相应待存储文件的目标数据页的首页信息；对于每个待存储文件，根据相应的首页信息，确定相应目标数据页的首页，并从该首页开始，将获取的目标数据连续写入Flash存储器中。本申请实施例文件的数据页和设置页分开设置，数据写入过程的方便快速，并可保证在需要得到多个待存储文件时，数据写入过程的方便快速。

摘要： 本发明公开了一种NAND Flash存储器、NAND Flash存储器实现方法及其系统，所述NAND Flash存储器包括寄存器、比较器、地址译码器和存储阵列，可实现第一次使用时预先在所述寄存器中存储所述NAND Flash存储器的存储模式和配置信息，将存储模式配置成包括部分SLC模式部分MLC模式、部分SLC模式部分TLC模式、部分MLC模式部分TLC模式、部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式中的一种模式，其中配置信息包括存储块的地址和存储块的类型，其中所述存储块类型为SLC类型、MLC类型或TLC类型。本发明能实现对各存储块的灵活配置，以实现多种存储模式，使存储器的自由度更高。

摘要： 本发明公开了一种Nand？Flash存储器及实现Nand？Flash存储器连续读操作的方法，该Nand？Flash存储器的Flash存储器单元阵列中的存储页分为奇存储页和偶存储页，每一奇存储页对应一奇字线，每一偶存储页对应一偶字线；该Nand？Flash存储器的奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页，并将读取的奇存储页的数据和偶存储页的数据送至外部接口；其中，在将读取的偶存储页的数据送至外部接口的同时，奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页。

摘要： 本发明涉及一种存储器的数据写读方法、系统及存储器，本发明的数据写读方法包括数据的写入和数据的读取，数据写入前，在写入数据中加入包括数据标识和数据长度的数据结构头组成数据包，数据写入时根据所述数据标识和数据长度进行数据写入的寻址，从一个数据的起点偏移该数据的长度即为下一个数据的起点。本发明的系统为实现上述方法的系统；本发明的存储器为采用前述系统的存储器。本发明的技术方案具有提高存储器使用效率，降低存储器擦除次数的有益效果。

摘要： 本申请实施例提供一种Flash存储器、Flash存储器的文件管理方法和装置，该方法包括当待存储文件为至少一个时，对于每个待存储文件，确定待存储文件的目标设置页，将与待存储文件的数据相关的目标设置信息写入目标设置页中；其中，目标设置信息包括相应待存储文件的目标数据页的首页信息；对于每个待存储文件，根据相应的首页信息，确定相应目标数据页的首页，并从该首页开始，将获取的目标数据连续写入Flash存储器中。本申请实施例文件的数据页和设置页分开设置，数据写入过程的方便快速，并可保证在需要得到多个待存储文件时，数据写入过程的方便快速。

摘要： 本发明公开了一种NAND Flash存储器、NAND Flash存储器实现方法及其系统，所述NAND Flash存储器包括寄存器、比较器、地址译码器和存储阵列，可实现第一次使用时预先在所述寄存器中存储所述NAND Flash存储器的存储模式和配置信息，将存储模式配置成包括部分SLC模式部分MLC模式、部分SLC模式部分TLC模式、部分MLC模式部分TLC模式、部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式中的一种模式，其中配置信息包括存储块的地址和存储块的类型，其中所述存储块类型为SLC类型、MLC类型或TLC类型。本发明能实现对各存储块的灵活配置，以实现多种存储模式，使存储器的自由度更高。

摘要： 本发明公开了一种Nand Flash存储器及实现Nand Flash存储器连续读操作的方法，该Nand Flash存储器的Flash存储器单元阵列中的存储页分为奇存储页和偶存储页，每一奇存储页对应一奇字线，每一偶存储页对应一偶字线；该Nand Flash存储器的奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页，并将读取的奇存储页的数据和偶存储页的数据送至外部接口；其中，在将读取的偶存储页的数据送至外部接口的同时，奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页。

摘要： 本发明实施例公开了一种NAND Flash存储器和存储器中坏块的处理方法，所述存储器包括：多个存储块和标记存储器；所述标记存储器包括第一存储区域，所述第一存储区域中比特个数与所述存储块的个数相等；所述第一存储区域中的每个比特与所述存储块一一对应；所述第一存储区域中的比特的值标识与所述比特对应的存储块的块状态。本发明实施例提供的技术方案，查询存储块是否为坏块的速度较快，提高了存储过程的工作效率，在标记存储器中设置有备用存储空间，避免影响存储块的使用，提高了存储器的可靠性。

摘要： 本发明公开了提供一种flash存储器的制备方法，包含：提供基底，在基底上形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上依次沉积层间绝缘膜和金属间绝缘膜；去除层间绝缘膜和金属间绝缘膜内的水汽；以及沉积紫外线氮化硅薄膜以覆盖层间绝缘膜和金属间绝缘膜。该方法在紫外线氮化硅薄膜沉积步骤之前添加融合过程，改善了flash存储器的循环性能。本发明同时提供一种使用该方法制备的flash存储器。

摘要： 本发明提供了一种NOR flash存储器编程的方法、装置以及NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：存储单元，所述方法包括：接收编程操作指令，判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值，若阈值电压大于预设值，则对阈值电压大于预设值的待编程存储单元执行低压编程操作。本发明在执行编程操作时，对大于预设值的存储单元执行低压编程操作，使得该存储单元执行编程操作后不会被编程到很高的阈值电压，低压编程操作后存储单元的阈值电压相对更加集中，并且因为低压编程操作后存储单元的阈值电压相较于正常编程操作后存储单元的阈值电压低，其执行擦除操作就会比正常编程操作后存储单元快一些，从整体上提高NOR flash存储器的编程性能和擦除性能。