传统体制

摘要： 论文从政治发展的角度,对晚清社会以洋务运动、戊戌变法和清末新政为标志进行分析,宏观描述晚清社会在传统体制 内从政策创新、制度变革再到体制创新的政治发展变化概况,对发展变化的特点和效果方面予以评价。

摘要： 当前,要在稳杠杆与稳增长之间取得平衡,坚持“稳中求进”。“稳”着眼于短期,突出需求侧管理。稳住总杠杆,才能稳住总需求。这就需要中央政府加杠杆,以及地方隐性债务的显性化,比如适当提高地方政府一般债务限额与专项债务限额。“进”要着眼于中长期,突出金融供给侧改革。供给侧改革旨在消除传统体制的弊端,包括推进无效特别是僵尸企业的破产重组,让市场清理机制发挥作用;硬化国企与地方政府的预算约束,破除政府兜底幻觉;突出竞争中性,纠正金融体系的体制偏好等。

摘要： 下海是从上世纪80年代初开始并在1987年和1993年形成高潮的一种社会现象。具体是指一个较为庞大的群体,随着市场经济的逐渐繁荣而不满于现状,放弃传统体制里的各项保障,到新的经济社会空间里去从事风险和回报都非常高的商业活动和创业活动。

摘要： 1999年，作为中国围棋市场化的重要一步。中国围棋甲级联赛正式从传统体制内团体赛中剥离开来，告别原有的短时期固定一地进行比赛的模式。转为面向全国各地的主客场制，从而调动起更长期、更广泛的资源。

摘要： 日本制造业造假事件仍在持续发酵。缘何造假？直接动因显然是为了不当利益。何谓不当利益？即正常市场竞争中，企业实际能力无法获得的超额收益。但归根结底，是面对市场环境和要素条件的深刻变化未及时调整、改革传统体制，难以满足一贯的高收益预期，长期积累的潜在矛盾便通过造假事件浮出水面。

摘要： 第十三届全运会网球团体比赛落下帷幕，并不出人意料，天津女队蝉联三连冠，江苏男队则强势卫冕。本届全运会的一大特点，是打破了球员结构的区域胜，队员组成的培养模式也不再单一。既有彭帅、张帅这样传统体制下成长起来的运动员，也有王雅繁、王子怡等俱乐部身份的代表，

摘要： 改革开放，春天的故事年年有，算起来已经是三个鸡年。回想20多年前，真有点雄鸡破晓的意思，大江南北，迎着春潮，迈出大步。那时候，人们的精神状态是亢奋的，思想解放的成果有待在指导实践中获得更多例证，体育算是走在前头的，胆子和步子都不小。足球先试，篮球紧跟，虽然职业化、俱乐部都不再神秘，但雏形难免幼稚，传统体制和传统观念惯性犹在，在不少地方、不少事情上还好使。处在浅水区里，人们还未及考虑日后的深层矛盾。

摘要： 习近平总书记指出：有效应对我国人1：7老龄化，事关国家发展全局，事关百姓福祉，要立足当前、着眼长远，加强顶层设计。我国目前是世界上人口老龄化速度最快、规模最大、挑战最严峻的国家。党和政府高度重视应对老龄化。然而，当前的应对措施主要体现在部分民生保障上，对老龄化带来的经济、社会、文化乃至政治文明等方面的挑战还未仔细考量。不仅如此，现在的格局仍然是按传统体制、机制与路径的分割应对，老年人群体被制度分割，养老金制度被地区分割，养老服务存在供需脱节，相关产业并未成为预期中的经济新增长点，这表明现行政策及体制、机制还不能适应老龄化的发展变化及已经呈现出来的新情况、新问题。

摘要： 当代艺术（油画）在颠覆传统体制的时候，也赢得全世界喝彩。而中国画一路蹒珊至今，受到当代新观念水墨画家的挑战，仍未被彻底颠覆!当代艺术水墨画家中谁才可以被看作是重量级学术型大家还没有历史定论，这需要再过几十年后依据中国现状以及当代艺术水墨画家思想和技术的深度来判断，可能更准确。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。

摘要： 本发明为一种结合标识密码系统和传统公钥密码系统的方法，可以解决标识密码系统的私钥托管隐患。和其他同类方法比较，如基于证书的密码系统CBE、无证书公钥密码系统CL-PKC或自证书公钥系统SC-PKC，本发明具有公钥密码系统不受限制的优点。本发明提供的方法包括签名方法和加密方法，签名方法包括3个步骤：1.生成标识签名；2.生成消息签名；3.验证消息签名；加密方法包括3个步骤：1.生成标识签名；2.加密消息；3.解密还原消息。

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体以及具备该合成气体制造用催化剂结构体的合成气体制造装置。本发明的合成气体制造用催化剂结构体(1)是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，其具备：多孔质结构的载体(10)，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质(20)，存在于载体(10)内，载体(10)具有相互连通的通道(11)，催化剂物质(20)为金属微粒，存在于载体(10)的至少通道(11)。

摘要： 问题：提供能够由以二氧化碳为主要成分的分离气体稳定地制造以一氧化碳为主要成分的生成气体的气体制造装置。解决手段：提供气体制造装置(1)，其具备分离回收部(5)、反应部(4)、压力调节部(7)以及流量调节部(6)，所述分离回收部(5)从废气设备的管线的中途导出的废气中分离回收以二氧化碳为主要成分的分离气体；所述反应部(4)与分离回收部(5)的下游侧连接，并且具备至少一个反应器，该反应器在容纳还原剂的同时，能够在还原反应的体系内分离从二氧化碳脱离的氧原子的至少一部分，所述还原剂通过因与分离气体而接触发生的二氧化碳的还原反应而生成一氧化碳；所述压力调节部(7)与反应部(4)的下游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的压力；所述流量调节部(6)与分离回收部(5)的上游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的流量。

摘要： 本发明提供能够长时间稳定地维持优异的催化活性而不使其下降、并且能够效率良好地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体等。合成气体制造用催化剂结构体是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，所述合成气体制造用催化剂结构体(1)具备由沸石型化合物构成的多孔质结构的载体(10)和存在于前述载体(10)内的至少1种催化剂物质(20)，前述载体(10)具有相互连通的通道(11)，前述载体(10)的长边尺寸L相对于厚度尺寸d之比(L/d比)为5.0以上，前述催化剂物质(20)存在于前述载体(10)的至少前述通道(11)中。

摘要： 本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置，并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1)，具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。

摘要： 本发明的课题是提供一种烧结磁体制造用模具，该烧结磁体制造用模具能够提高合金粉末的填充密度的均匀性，同时，内部容易清扫，并且，合金粉末难以咬入盖和模腔之间的间隙。主体(11)具有：从主体面(110A)起设置到主体(11)的内部的主体模腔(111)，该主体模腔(111)由长方体状的上部模腔(111A)和与上部模腔(111A)的下部相连接的向下凸出的作为圆筒形状的一部分的下部模腔(111B)构成；作为圆筒形状的一部分的侧模腔(112)，其在上部模腔(111A)的在主体面(110A)上的开口的、作为所述圆筒的一部分的轴向的两外部分别从主体面(110A)起设置到内部，具有与下部模腔(111B)的作为圆筒的一部分的轴线平行的轴线。盖(12)具有与主体面(110A)对应的基础面(110A)和从该基础面(110A)与两个侧模腔(112)以及连接这两个侧模腔(112)的圆筒形状的一部分的假想模腔对应地突出的凸肋(122)。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。