伏安特性曲线

摘要： 物理实验能力是指运用所学物理理论知识和技能,采用科学方法顺利完成物理实验活动的个性心理特征。具体分为物理实验操作能力、物理实验条件控制能力、物理实验现象和数据记录与处理能力、表达实验结果和运用测量结果解决现实问题的能力等。创造性地利用实验原理、选择新颖的实验方法、有效处理实验数据是创新能力在物理实验学习中的具体表现。

摘要： 对伏安特性曲线实验的电路设计、故障判断、“工作点”确定等通过进行多角度设问,对可能的命题方向及其易错点、创新点等从核心素养和评价体系的视角进行分析。

摘要： 以新课标的实验要求为导向,基于高中物理实验教学的现状设计了基于虚拟仪器LabVIEW的“小灯泡的伏安特性曲线”实验,展示了实验器材的选择、电流电压物理量的测量和记录及曲线的描绘等功能.从而创设真实实验情境,引导学生自主进行实验探究与实验规律的自然建构,帮助落实核心素养,为LabVIEW虚拟仪器与实验教学的结合提供参考.

摘要： 我们知道,在小灯泡的伏安特性曲线中ΔU/ΔI与U/I是不相等的。至于原因,=人会说:R=U/I是电阻的定义式,电阻就是这么定义的,电阻并没有定义成ΔU/ΔI,所以,在小灯泡伏安特性曲线中用U/I求其在某一电流下的阻值,而不是用ΔU/ΔI求小灯泡的电阻。此种说法好像难以让人心悦诚服。比如,对=定值电阻,既可用R=U/I也可用R=ΔU/ΔI求其电阻。

摘要： 在原子蒸气激光同位素分离技术中用直流电源实现原子化和激发电离过程,低气压下使用焊锡短路阴、阳极得到了金属铜等离子体稳定射流.在气压10?3Pa、功率0.9kW下,测得稳定放电的伏安特性曲线和光谱强度图.通过计算得到电子密度在109cm?3左右、电子温度在0.69eV左右.

摘要： 文章介绍了大兴机场线0.4 kV系统两种接地故障保护设置方式及其动作原理,结合大兴机场线具体故障情况,提出多CT并联式接地保护不适用于冲击性负荷回路的假设,通过对比试验,验证了其在冲击性负荷回路中存在偶发性误动作的现象.最后通过分析,得出多CT并联式接地保护不适用于大兴机场线冲击性负荷回路的结论,并实施了相应的解决方案,为大兴机场线0.4 kV系统的平稳运行奠定了坚实的基础.

摘要： 电学实验历来都是高考的重点,自然也是高三物理复习的重要内容,而且在复习过程中,以电学实验为载体,教师还可以进一步提升学生对恒定电流知识的理解,促使学生深度感悟物理研究方法,推动他们思维的升华。一、以问题群组来唤醒学生对基本知识的记忆在高三复习中,教师都有这样的体会,如果只是单纯的引导学生对知识进行梳理,学生由于新鲜感缺失而很难提起兴趣。在这种情形下,我们要善于以问题群组的形式来给予学生刺激.

摘要： 对于小电珠的伏安特性曲线,通过传统实验的方法(伏安法),无论是教材还是各类参考书都描绘为一条开口向上的曲线.笔者用传感器和DataStudio软件探究了小电珠的伏安特性曲线,得到了与传统实验不一样的结果.这一结果引起了学生的关注和思考,并设计了相关实验进行深入研究,寻找问题的真相,培养了学生的科学探究精神.

摘要： 对于小电珠的伏安特性曲线,通过传统实验的方法(伏安法),无论是教材还是各类参考书都描绘为一条开口向上的曲线.笔者用传感器和DataStudio软件探究了小电珠的伏安特性曲线,得到了与传统实验不一样的结果.这一结果引起了学生的关注和思考,并设计了相关实验进行深入研究,寻找问题的真相,培养了学生的科学探究精神.

摘要： 采用低频试验方法测量变压器伏安特性曲线可以降低电源容量及试验电压等级,但是现有的低频法需要采用变频正弦波电源作为试验电源,而大容量变频正弦波电源制造难度大、成本高,所以提出一种基于低频方波的变压器伏安特性曲线的试验和计算方法.该方法利用变频方波电源进行空载试验,对实测的励磁电压和励磁电流进行折算,按照从低频方波到同频率正弦波,再到工频正弦波的折算步骤,使得折算后的伏安特性曲线与工频正弦波激励下的结果有较好的一致性.并且在单相变压器上开展试验,10,15,20Hz的方波折算后的励磁电流与50Hz正弦波实测结果的相对误差小于6.6％,励磁电压相对误差小于0.32％.结果表明,本方法折算精度高,具有工程应用价值.

摘要： 文章分析研究了#5炉电除尘的各种典型工况,收集了各种工况下的电压电流数据,并绘制出各种典型工况下的伏安特性曲线得到了能够反映电除尘实际运行工况的伏安特性曲线.运行、检修人员可以根据对伏安特性曲线的研究、学习、分析从而提高对电除尘设备的监控、调节和故障判断能力。从而更深入的理解电除尘的各项参数。

摘要： 本文通过对UDM模型原理的分析,提出了对于纳米交叉器件适合的拟合精度高,拟合公式相对比较简单的方法,并讨论了各种因素对拟合结果产生的影响。该方法能够有效地模拟纳米交叉结构的双稳态磁滞型伏安特性曲线。

摘要： 本文解释了静电除尘“伏安特性曲线”随电场阻抗变化而变迁的事实,分析了DESP的放电条件和高压供电装置的电气工作条件,定义了“优势放电点”的概念,阐述了恒流电源消除电场放电缺陷的基本原理,指出:利用恒流电源的消缺功能,电场阻抗和伏安特性将朝向有利于电晕功率增大的方向变化.文中介绍了恒流电源工作机制在DESP方面的应用以及选用恒流电源应注意的事项.呼吁:业内人士进一步挖掘高压电源的功能潜力,以极少的资源消耗满足超低排放目标,为电除尘器在环保领域的应用重塑辉煌.

摘要： 高温下仍能保持低电阻率、高可靠性的金属引线电极是抗恶劣环境的MEMS压力传感器芯体的重要组成部分.高温环境金属电极层与层之间的相互反应和扩散会导致电极电阻率升高甚至导致彻底的接触失效.本文提出了以TiN作为阻挡层的材料隔离型引线电极制作方法,在蓝宝石(SOS)压力芯片上设计了以TiN作为阻挡层的多层金属电极(Ti/TiN/Al),通过电子束蒸发和磁控溅射方法进行了样品制作.通过对样品的测试,证明多层金属电极(Ti/TiN/Al)在400°C环境下能够保持正常工作,伏安特性曲线线性度良好.

摘要： 本文首先阐述了利用Langmuir探针诊断等离子体参数的基本原理,然后对由激波管产生的高温等离子体进行了密度诊断,通过合理设置测试参数,实时得到了较为完整的等离子体伏安特性曲线与密度参数等.将Langmuir探针直接诊断结果与采用伏安特性曲线后处理的结果及本文实验提供的参考数据进行比较,三者较为接近,误差在可接受范围内,因此验证了采用本实验装置诊断等离子体的可靠性和正确性.为高温高密度等离子体的研究提供一种有效的诊断手段.

摘要： 为了研究介质阻挡放电放电间隙的伏安特性,搭建同轴介质下介质阻挡放电的电路模型,研究其放电过程中的电压和电流关系从而得到其伏安特性曲线,对放电过程中的气体电压、放电电流和电荷变化进行分析.搭建忆阻器（全称记忆电阻）Matlab仿真模型,仿真得到忆阻器的伏安特性曲线,对忆阻器电气特性进行分析.通过分析,比较发现介质阻挡放电过程中具有忆阻特性.

摘要： 通过外部磁场驱动产生相对均匀的等离子体是一种可能的用于改进等离子体喷涂质量的工艺手段.本文主要研究了外部磁场引起直流电弧等离子体炬放电特性的变化.利用高速摄像技术和虚拟仪器技术观察并测量了大气条件下、非均匀磁场驱动的直流电弧等离子体的阳极弧根的运动和伏安特性.结果发现非均匀外部磁场驱动下的直流电弧等离子体,在旋转力(U)θ和稳弧力(U)z的作用下阳极弧根旋转,射流范围变大,均匀性提高;伏安特性曲线上移,直流电弧等离子体炬的功率提高.进一步分析表明参数得到优化的磁驱动直流电弧等离子体炬,有望改善喷涂的效率和涂层的质量.

摘要： 通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极，用真空荧光显示器的封装工艺，制备了碳纳米管场发射显示器试验性样管。比较测试可知，直接测量显示屏的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的，用后者代替前者不够合理。通过光亮度与电压、电流、功率的关系曲线比较分析可知，用光亮度与电流成线性关系的结论表征碳纳米管场发射显示屏的性能比用电压更合理，更利于器件的分析和设计。

摘要： 通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极，用真空荧光显示器的封装工艺，制备了碳纳米管场发射显示器试验性样管。比较测试可知，直接测量显示屏的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的，用后者代替前者不够合理。通过光亮度与电压、电流、功率的关系曲线比较分析可知，用光亮度与电流成线性关系的结论表征碳纳米管场发射显示屏的性能比用电压更合理，更利于器件的分析和设计。

摘要： 本发明涉及一种辐照后半导体激光器伏安特性曲线测量系统及测量方法。该测量系统包括源表、辐照板、矩阵开关、控制计算机以及线缆；辐照板的输入端与被测半导体激光器一一对应，且相互连接，辐照板的输出端与矩阵开关的开关单元输入端一一对应，且通过线缆连接；矩阵开关的开关单元输出端与源表输入端通过线缆连接，源表输出端与控制计算机连接，且控制计算机与矩阵开关控制端连接。本发明突破了实验场地对半导体激光器辐照中(辐照后)实验数据测试的限制，可以适用于各种辐射源测试环境，解决了长线电阻对半导体激光器伏安特性曲线测量时所带来的影响。

摘要： 本发明公开了一种校准太阳能电池伏安特性曲线的方法，包括以下步骤：(1)装配带有不同孔径大小的遮蔽罩；(2)对太阳能电池进行伏安特性曲线的测试，以遮蔽罩孔径面积为测试面积，计算得到短路电流密度数值；(3)处理得出多对孔径倒数‑短路电流密度值；(4)对多对孔径倒数‑短路电流密度值进行二次曲线拟合得到函数关系，其中的零阶拟合函数常数即为有效短路电流密度，从而得到校准后的短路电流密度。本发明通过建立孔径倒数与短路电流密度值两者拟合的函数关系，可校准得到有效短路电流密度值，有效减小遮蔽罩上孔的边缘效应对太阳能电池伏安特性曲线测试造成的误差，从而解决伏安特性曲线测试结果不准的技术问题。

摘要： 本发明公开了一种伏安特性曲线拟态测试扫描方法，属于光伏测试领域，本发明在对光伏组件伏安特性测试时，引入组件输出电压作为反馈控制信号参与组件电流控制电路，实现对组件输出电流步进控制的修正，并根据电流的变化趋势，设计二阶步进斜率，使输出电流的步进在曲线上能够更加均匀，贴合光伏组件的电流变化曲线，从而以最少的测试点实现光伏组件伏安特性曲线的形态拟合。

摘要： 本发明涉及一种基于伏安特性曲线的电池分选方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，所述方法包括：获取待分选电池的电池电压及电池电流，利用所述电池电压及电池电流生成伏安特性曲线；获取标准分选曲线，利用所述标准分选曲线和所述伏安特性曲线进行电池分选。本发明提供的基于伏安特性曲线的电池分选方法，能够对电池进行精确分选，保证了电池参数的一致性。

摘要： 本发明公开了一种校准太阳能电池伏安特性曲线的方法，包括以下步骤：(1)装配带有不同孔径大小的遮蔽罩；(2)对太阳能电池进行伏安特性曲线的测试，以遮蔽罩孔径面积为测试面积，计算得到短路电流密度数值；(3)处理得出多对孔径倒数‑短路电流密度值；(4)对多对孔径倒数‑短路电流密度值进行二次曲线拟合得到函数关系，其中的零阶拟合函数常数即为有效短路电流密度，从而得到校准后的短路电流密度。本发明通过建立孔径倒数与短路电流密度值两者拟合的函数关系，可校准得到有效短路电流密度值，有效减小遮蔽罩上孔的边缘效应对太阳能电池伏安特性曲线测试造成的误差，从而解决伏安特性曲线测试结果不准的技术问题。

摘要： 本发明涉及一种辐照后半导体激光器伏安特性曲线测量系统及测量方法。该测量系统包括源表、辐照板、矩阵开关、控制计算机以及线缆；辐照板的输入端与被测半导体激光器一一对应，且相互连接，辐照板的输出端与矩阵开关的开关单元输入端一一对应，且通过线缆连接；矩阵开关的开关单元输出端与源表输入端通过线缆连接，源表输出端与控制计算机连接，且控制计算机与矩阵开关控制端连接。本发明突破了实验场地对半导体激光器辐照中(辐照后)实验数据测试的限制，可以适用于各种辐射源测试环境，解决了长线电阻对半导体激光器伏安特性曲线测量时所带来的影响。

摘要： 本发明公开了一种基于伏安特性曲线分析的避雷器健康状态判定方法，首先进行老化和受潮试验，采集电网电压和对应的泄漏电流，绘制老化和受潮情况下MOA的伏安特性曲线，进行傅里叶描绘子的边缘分析，构建老化和受潮情况下的傅里叶描绘子数据表；然后采集待测避雷器的电网电压和对应的泄漏电流，绘制待测MOA的伏安特性曲线，进行傅里叶描绘子的边缘分析，确定待测情况的傅里叶描绘子数据表；最后对比待测情况的傅里叶描绘子数据表与老化和受潮情况下的傅里叶描绘子数据表，判断避雷器的健康状况。本发明方法能够定量的从伏安特性曲线上对避雷器的健康状况进行分析。

摘要： 本发明公开了一种伏安特性曲线拟态测试扫描方法，属于光伏测试领域，本发明在对光伏组件伏安特性测试时，引入组件输出电压作为反馈控制信号参与组件电流控制电路，实现对组件输出电流步进控制的修正，并根据电流的变化趋势，设计二阶步进斜率，使输出电流的步进在曲线上能够更加均匀，贴合光伏组件的电流变化曲线，从而以最少的测试点实现光伏组件伏安特性曲线的形态拟合。

摘要： 本实用新型公开了一种灯泡的伏安特性曲线实验装置，它涉及实验器具技术领域；底座的上表面固定安装有网格式写字板，固定块的上表面设置有数个均匀的下凹的弧形槽，且弧形槽的上表面固定安装有导电片，数个导电片相连通并与连接片连接，连接片穿接在固定块内并延伸出固定块的外部，固定块的上中部固定安装有导向柱体，导向柱体上套接有上压块体，上压块体的底部设置有数个与弧形槽相对应的压线体，压线体的底部设置有数个卡线锯齿，上压块体的上端连接有连接弹簧，连接弹簧的上端固定安装有压片；本实用新型在实验时能实现导线的快速连接，且连接后不易松脱，效率高，能节省时间；便于实现伏安特性曲线绘制，使用方便，操作简便。

摘要： 本实用新型涉及一种适用于辐射效应研究中长距离对半导体器件伏安特性曲线进行测量的测量系统，具体涉及一种基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统。该测量系统包括控制计算机、源表、矩阵开关、测试板和辐照板；所述控制计算机分别与源表和矩阵开关相连；所述源表、矩阵开关与测试板构成测试回路；所述测试板与辐照板相连；所述源表的sense hi端口和sence lo端口与测试板形成电压测量回路；所述源表的source hi端口和source lo端口与测试板形成电流测量回路。本实用新型改变了长线电阻与半导体器件PN结及电压电流表之间的电路关系，从原理性上妥善解决了长线电阻在辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量中的问题，可以在相当宽的电流范围内保持较高的测量精度。