价电子结构

摘要： 应用固体与分子经验电子理论系统地研究液态金属池Na‖Sb-Pb-Sn电极的价电子结构与热、电性能.研究结果表明:电极合金的价电子结构与其性能密切关联.阴极合金Na1-xIAx(IA=K,Rb,Cs)的晶格电子随着掺杂量的增加而减少,诱发合金的熔点、结合能随掺杂量的增加而降低.Na离子输运到阳极,与阳极Sb-Sn-Pb形成产物NaSb3,NaSn,Na15Sn4,NaPb.其理论熔点与实验相符.NaSb3的平均晶格电子数最少,开路电压最高.研究表明:对于Na‖Sb-Pb-Sn液态金属电池体系而言,晶格电子扮演重要的角色,可以调控电极的热、电性能.

摘要： 基于固体与分子经验电子(Empirical electron theory of solids and molecules,EET)理论,计算了Ω相的价电子结构,分析了主键络的空间分布形态,研究了最强共价键与位错运动、共价电子密度与析出相强度、成键能力与析出相稳定性的关系.结果表明:Ω相共价主干键络呈三维"梅花"状分布,"花心"由Cu-Cu原子最强共价键连接;基体α最强共价键的键合力n1α 为0.20857,Ω相的n1Ω 为0.49056,基体{111}晶面上析出的Ω相使{111}晶面上位错滑移的阻力增加135.20％;从共价电子密度看,Ω相强度比S、θ'相的分别大2.67％和15.83％;从成键能力看,Ω相的稳定性比S和θ'相的分别大91.31％和291.92％;从共价电子结构看,{111}晶面析出的Ω相的沉淀硬化能力比{001}晶面析出的S、θ'相强.

摘要： 目的分析离子渗氮层中Fe-N金属间化合物的价电子结构与渗层性能之间的关系。方法以45号钢为研究对象,测试45号钢离子渗氮后的硬度、渗层厚度、物相组成、摩擦磨损性能、耐蚀性和力学性能。根据XRD测试结果,应用EET理论,对渗层中的Fe-N金属间化合物相的价电子结构、键能、结合能等进行计算,并分析性能与Fe-N金属间化合物价电子结构之间的关系。结果渗氮温度为520°C、氮氢流量比为3∶1时,渗层的硬度以及耐磨、耐蚀性均最高,但渗层的脆性最高,其冲击吸收功下降至母材的26%。计算结果表明,α-Fe、Fe_(4)N、Fe_(3)N和Fe_(2)N的共价电子密度计算值分别为299.13、367.68、416.45、458.78 nm^(-3),晶体的平均键合能分别为412.65、444.02、472.48、486.61 kJ/mol,晶格电子密度的计算值分别为133.36、108.58、84.72、81.74 nm^(-3),晶体的塑性因子分别为76.20、14.75、3.66、3.65。结论ε相对渗层的塑韧性影响最大,适当降低离子渗氮温度以及氮氢流量比,能够有效减少ε的含量,以改善渗氮件塑性差的问题。

摘要： 应用固体与分子经验电子理论系统地研究液态金属池Na||Sb-Pb-Sn电极的价电子结构与热、电性能.研究结果表明:电极合金的价电子结构与其性能密切关联.阴极合金Na_(1–x)IA_x (IA=K, Rb, Cs)的晶格电子随着掺杂量的增加而减少,诱发合金的熔点、结合能随掺杂量的增加而降低. Na离子输运到阳极,与阳极Sb-Sn-Pb形成产物NaSb_3, NaSn, Na_(15)Sn_4, NaPb.其理论熔点与实验相符. NaSb_3的平均晶格电子数最少,开路电压最高.研究表明:对于Na||Sb-Pb-Sn液态金属电池体系而言,晶格电子扮演重要的角色,可以调控电极的热、电性能.

摘要： 采用固体与分子经验电子理论(EET)研究AlN对Mg-Al合金凝固组织的影响机理,建立了Mg、AlN晶体结构的计算模型,利用自洽键距差法(SCBLD)计算了Mg、AlN晶体的价电子结构与结合能.在此基础上,采用断键法计算了Mg、AlN晶体(0001)晶面的表面能,进而计算了Mg/AlN异质界面上的界面能.研究结果表明:Mg/AlN之间的界面能大于Mg自身均匀形核时的固/液界面能,因此,熔体中的Mg原子不能依附于AlN(0001)晶面进行生长,AlN对Mg-Al合金的细化效果不明显,这从电子层次上解释了AlN在Mg-Al合金凝固过程中的微观作用机制.

摘要： 采用熔体旋淬法制备了(Fe0.76Si0.096B0.084P0.06)100-xCux(x=0,0.1,0.3,0.5)非晶合金,使用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM))对其进行表征,结果表明,制备的急冷条带均为非晶态.利用固体与分子经验电子理论,从价电子层次上计算了(Fe0.76Si0.096B0.084P0.06)100-xCux(x=0,0.1,0.3,0.5)非晶合金的价电子结构和磁矩,磁矩的理论计算值163.918、163.692、163.231、162.800 emu/g与实验值160.1、159.0、155.6和153.3 emu/g的误差均小于10％.为新的合金成分设计提供了一种新思路.

摘要： Based on the empirical electron theory of solids and molecules (EET),the valence electron structures (VESs) of FeB and Fe2B were calculated,and then the relationship between them and hardening in boronizing layer of steel surface was analyzed.It is showed that after boronizing,the basic reason of the increase of hardness and abrasive resistance in steel surface lies in the binding forces of the strongest bond of FeB and Fe2 B are far bigger than that of α-Fe in matrix.The hardness of FeB is bigger than that of Fe2 B,which microscopic essence lies in the binding force of the strongest bond,the binding force of the main bond structure connection and the covalence density in FeB is 27.12 ％,4.8 ％ and 3.66 ％ bigger than that of Fe2 B respectively.Compared with Fe2B,the covalence bond space distribution is more nonuniform of FeB while its main bond structure has stronger covalence but that of Fe2 B has stronger metallicity,which is the basic reason that brittleness of FeB is bigger than that of Fe2 B.The bonding power of FeB is only bigger than that of Fe2B 0.85％,so Fe2B priority to formed easily changes to FeB and lead to the brittleness increase in boronizing layer of steel surface.%依据EET理论,计算了FeB和Fe2B价电子结构并分析了它们与钢渗硼层硬化的关系.研究发现:渗硼表面改性后,钢表面硬度和耐磨性提高的根本原因在于FeB和Fe2B最强键的键合力远大于基体a-Fe最强键的键合力;FeB的硬度比Fe2B大的微观本质在于FeB相最强键的键合力、主键络连接键的键合力和共价电子密度分别比Fe2B的大27.12％、4.8％和3.66％;FeB相比Fe2B脆性大的微观本质在于FeB共价键空间分布更不均匀,FeB相主键络具有较强的共价性,而Fe2B相主键络具有较强的金属性;由于FeB相成键能力仅比Fe2B的成键能力大0.85％,因此优先形成的Fe2B相极易转变为FeB相,使得钢表面渗硼层的脆性增强.

摘要： 基于固体与分子经验电子理论(EET),计算了Al-Zr合金熔体中相及相界面的价电子结构,获得了表征合金性能关系的价电子结构参数统计值,并利用这些参数讨论了Zr对纯铝晶粒细化的机理.结果表明:Zr对纯铝的细化机理可以追溯到熔体中Al3Zr与α-Al相晶面间的界面共价电子密度差的统计值△ρ',即△ρ'＜10％且△ρ'值越小,合金中的异质形核效应越好,晶粒细化效果越好.△ρ'值小(2.789 04％)的Al-Al原子团簇能较容易地被异质形核核心(Al3Zr晶体)吸附,促进异质形核及晶粒细化作用;而△ρ'值大(15.698 70％)的Al-Zr原子团簇容易从异质晶核上脱离,削弱异质形核及晶粒细化效应.

摘要： 试验采用真空感应炉冶炼钢锭,并锻造成棒材,再进行热处理,检测其热处理后的力学性能.根据EET理论,用键距差(BLD)法计算了试验钢的价电子结构参数.根据试验数据和价电子结构参数,建立了结构形成因子S与试验钢抗拉强度和屈服强度关系的经验公式;并对原子状态组数σN的影响因素进行分析、对比得知,考虑σN的影响时,经验公式预测的强度值与实测值的误差更小.

摘要： 钛合金的热氢处理（thermo-hydrogen treatment,THP）可以增加塑性相的体积分数,促进位错运动和降低流动应力,从而改善超塑性性能,有效降低钛合金的热加工难度,目前对钛合金热氢处理作用机理的解释多在晶粒和组织层面,少量电子结构层面的分析也不够明确,无法从本质上解释氢的固溶对α-Ti和β-Ti的致塑机理.本文运用固体与分子经验电子理论（empirical electron theory,EET）研究了氢在α-Ti,β-T_i的不同位置固溶时Ti的价电子结构变化,通过键距差方法（bond length diffrence method,BLD）计算得出了Ti原子间共价键电子对数、键能大小及滑移面间晶格电子密度,指出氢固溶后,滑移系上Ti-Ti键间共价电子对数、键能的明显下降及滑移面间晶格电子密度的增加是钛合金氢致超塑性的重要原因.

摘要： 通过对碳锰结构钢奥氏体中各类晶胞出现概率的计算表明在分析钢相变过程中不应忽视Fe-Mn晶胞所起的作用.并利用EET理论计算出该晶胞的价电子结构,结果表明由最强键和次强键可以形成一种八面体结构.该结构对相变及其他性能都具有重要的影响作用.同时还提出了碳锰结构钢奥氏体中C-Mn偏聚区原子分布及晶胞结合模型.

摘要： 根据固体与分子经验电子理论(EET理论),采用键距差(BLD)方法,计算了稀土元素在钢中与O、S生成的RE2O3、REO2、RE2O2S、RE2S3、RES化合物的晶胞价电子结构,用相价电子结构参数阐述了稀土在钢中形成的氧、硫化合物的特性,解释了它们的生成顺序及形成条件,证明了温度低对提高RE的脱硫效果是有利的.

摘要： 对TC1蜂窝夹层结构试件的钎焊界面组织进行观察、分析并确定了界面生成相的晶体结构,并利用以上实验结果,采用EET理论中BLD方法和平均原子模型,计算和分析了钎焊界面的价电子结构.从原子间结合力的角度分析了钛合金蜂窝夹层结构钎焊界面的价电子结构,探讨了界面结构与力学性能的本质关系.研究表明,钎焊过程中界面处生成了六方晶体结构TiNi3(Cu,Zr)化合物和体心立方结构Ti(Ni,Zr,Cu)相.从原子间成键角度,最大共价电子数和晶格电子数分别反映了晶体的强度和塑性.TiNi3(Cu,Zr)化合物和Ti(Ni,Zr,Cu)相的最大共价电子数分别为0.0558和0.3037,晶格电子分别为0.9935和1.3928,而界面处基体的最大共价电子数和晶格电子数分别为0.3059和1.3973.因此,与TiNi3(Cu,Zr)化合物相比,Ti(Ni,Zr,Cu)和Ti固溶体晶胞不仅具有较高的强度,还具有相对良好的塑性,而TiNi3(Cu,Zr)化合物相的存在和连续分布不利于钎焊界面的强度和塑性.

摘要： 材料的物理、化学和力学等性能是由其内部结构等因素决定的。对于镁橄榄石的转化合成机理以及性能改善等方面的研究也需要对其晶体结构和原子之间的键合情况有进一步充分的了解。本文采用余瑞璜提出的固体与分子经验电子理论EET (Empirical electron theory of solids and molecules)对镁橄榄石的价电子结构进行了计算，从电子结构层次研究其键合强弱、空间键络分布，为进一步研究其微观结构与相关性能的关系提供了理论参考和依据。

摘要： 基于固体与分子经验电子理论,计算了Al-Cu-Mg-Ag合金主要析出相θ'、S'和Ω的价电子结构与结构单元总成键能力,研究了析出相价电子结构、结构单元总成键能力与其竞争析出的关系.发现:θ'相的Fθ'值比Ω相的FΩ值大81.4％,S相的Fs值比Ω相的FΩ值大0.2％,从析出相析出驱动力看,Ω相的析出驱动力远大于θ'相的析出驱动力,Ω相的析出驱动力与S相的析出驱动力相近,从析出相析出阻力的角度看,Ω相时效析出阻力小于S相的析出阻力.

摘要： 基于EET理论和BLD方法,计算了6种Al-Ce稀土化合物的价电子结构和化学键键能,探讨了价电子结构与强度、塑性和稳定性的关系,从理论上预测了6种Al-Ce稀土化合物强度、塑性和稳定性的相对大小.计算结果表明,CeAl4对铝合金的室温强度、高温稳定性和高温强度都有显著的贡献,同时对铝合金的塑、韧性影响最小;CeAl3的增强作用不大;β-Ce3Al和CeAl的脆性大;α-Ce3Al的稳定性差.因此,在稀土-铝合金的制备中,应促进CeAl4相的生成,避免α-Ce3Al、β-Ce3Al、CeAl及CeAl3的出现.

摘要： 根据铁基合金在液锌中的腐蚀规律，运用固体与分子经验电子理论计算了铁基固溶体、Fe2B 、 Fe3Si 、FeSi 、FeSi2 、Fe3Al 和FeAl 的价电子结构，并从原子结构层次上探讨了Fe 基合金在液锌中腐蚀性能。结果表明，原子间最强键的键能越大，材料与液锌润湿需要的时间越长；当金属间化合物的最大键能大于180kJ/mol 时，金属间化合物在液锌中几乎不润湿，即金属间化合物最强键的键能越大，材料越稳定，耐液锌腐蚀性能越好。Fe 基合金在液锌中腐蚀发生了Fe 的溶解，生成铁锌化合物。D Fe E 能很好的表示Fe 基合金腐蚀时Fe 成为自由原子所克服的能量，D Fe E 值越大，铁基合金的耐腐蚀性能越好；D Fe E 值接近或大于1671.92 kJ/mol ，铁基合金在锌液中发生反应腐蚀越困难。

摘要： 本文建立了稀土固溶在奥氏体中形成的γ-Fe-RE和γ-Fe-C-RE相空间电子结构计算模型，采用EET 理论计算了它们的相结构因子及与奥氏体界面结合因子，从而建立了固溶稀土的价电子结构与稀土合金化的关系，揭示了钢中固溶稀土会产生C-RE偏聚，从而影响奥氏体的均匀化，同时稀土对MC(M=V,Nb,Ti)晶界移动产生阻力，通过细化晶粒，提高V、Nb、Ti 的微合金化作用。

摘要： 应用“固体与分子经验电子理论”(EET)系统的研究了黄铜矿结构CuIn0.5Ga0.5Se2的价电子结构,以此为基础分析了CuIn0.5Ga0.5Se2的熔点和光吸收性质.计算结果和实验值符合的很好,计算得到In,Ga中S电子杂化后的跃迁可以使CuIn0.5Ga0.5Se2吸收光子,CuIn0.5Ga0.5Se2吸收光子的能量主要分布在1.17eV-1.56eV之间,禁带宽度接近较小值.

摘要： 利用气雾化方法制备了FeMnX1、FeMnX2 NiY2FeMnX2CoY2(X1=X2+Y2，X2>Y2，0价电子结构和界面电子密度连续理论分析了不同的M3C型碳化物对合成条件的影响，解释了FeMn基触媒合成金刚石条件高于FeNi触媒的原因。

摘要： 本发明涉及电子结构、电池结构、和用于制造电子结构的方法。依据各种实施例，可以提供电子结构，所述电子结构可以包含：半导体载体，以及与半导体载体单片集成的电池结构，所述电池结构包含多个薄膜电池。

摘要： 本发明公开了一种堆栈电子结构以及一种形成一堆栈电子结构的方法。该堆栈电子结构包括一基板以及一磁性装置，其中多个电子装置以及多个桥接结构设置在所述基板上，其中一封装体封装该多个电子装置。所述磁性装置具有一磁性本体，其设置在所述封装体以及所述多个桥接结构的上方。所述磁性装置之一第一电极以及一第二电极分别设置在所述磁性本体的一底面上，其中，该第一电极与该第二电极分别设置在所述多个桥接结构的一对应的导电柱上并电性连接所述对应的桥接结构，而不使用任何基板。

摘要： 一种电子结构以及电子结构阵列，该电子结构包括重布线路结构、第一支撑结构、第二支撑结构、多个第一接合凸部、多个第二接合凸部、第一封胶以及第二封胶。第一支撑结构具有第一开口，配置于重布线路结构的第一面上。第二支撑结构具有第二开口，配置于重布线路结构相对于第一面的第二面上。第一接合凸部配置于重布线路结构的第一面上，且位于第一开口中。第二接合凸部配置于重布线路结构的第二面上，且位于第二开口中。第一封胶填充于第一开口与第一接合凸部之间。第二封胶填充于第二开口与第二接合凸部之间。本发明能提升结构强度且降低其制程的生产成本。

摘要： 公开了一种用于使芯片（40）上的焊料凸块的顶表面处于相同平面中以确保芯片（40）与衬底（62）之间的更可靠的键合的技术。芯片（40）提供有可以具有不同高度的焊接垫（42,44）。电介质层（50）形成在焊接垫（42,44）之间。相对厚的金属层（52）电镀在焊接垫（42,44）之上。对金属层（52）平面化以使焊接垫（42,44）之上的金属层（52）部分的顶表面处于相同平面中并且处于电介质层（50）上方。基本上均匀薄的焊料层（58）沉积在平面化的金属层部分（52）之上使得焊料凸块的顶表面基本上处于相同平面中，该平面可以基本上平行于芯片（40）的顶表面或者在相对于芯片（40）的顶表面的角度处。芯片（40）然后定位在具有对应金属垫（64）的衬底（62）之上，并且使焊料（58）回流或超声键合到衬底垫（64）。

摘要： 本发明涉及一种用于车辆中的电气/电子结构(1)的传感器装置(10)，该传感器装置(10)具有用于获取至少一个物理量的至少一个传感器模块(22、32)和用于与第一总线系统(26)通信的至少一个第一接口(24)，本发明还涉及一种所属的用于车辆的电气/电子结构(1)。根据本发明，存在用于与第二总线系统(36)通信的至少一个第二接口(34)，其中，该至少一个传感器模块(22、32)的数据通过两个总线系统(26、36)是可输出的。

摘要： 在不同的实施方式中提供一种电子结构(100)，所述电子结构具有至少一个有机层(112)和至少一个生长到有机层(112)上的金属生长层(114)和至少一个在金属生长层(114)上生长的金属层(116)，其中至少一个金属生长层(114)包含锗。

摘要： 本发明涉及电子结构、电池结构、和用于制造电子结构的方法。依据各种实施例，可以提供电子结构，所述电子结构可以包含：半导体载体，以及与半导体载体单片集成的电池结构，所述电池结构包含多个薄膜电池。

摘要： 本发明公开了一种堆栈电子结构以及一种形成一堆栈电子结构的方法。该堆栈电子结构包括一基板以及一磁性装置，其中多个电子装置以及多个桥接结构设置在所述基板上，其中一封装体封装该多个电子装置。所述磁性装置具有一磁性本体，其设置在所述封装体以及所述多个桥接结构的上方。所述磁性装置之一第一电极以及一第二电极分别设置在所述磁性本体的一底面上，其中，该第一电极与该第二电极分别设置在所述多个桥接结构的一对应的导电柱上并电性连接所述对应的桥接结构，而不使用任何基板。

摘要： 一种应用价电子结构理论预测纯铜和铜合金绝热剪切敏感性的方法，以材料性能参数和应变率为变量的产生绝热剪切带所需能量的大小作为衡量绝热剪切敏感性的指标；应用价电子结构理论，得到价电子结构参数与铜合金性能参数之间的关系，在相同切削条件下，从电子结构层次揭示合金元素与绝热剪切敏感性之间的本质关系，预测纯铜和铜合金发生绝热剪切现象的难易程度，为设计具有不同绝热剪切敏感性的材料提供依据，研究结果有助于进一步认识锯齿形切屑绝热剪切现象形成机理，丰富切削理论，为高速切削加工生产实践服务。

摘要： 一种应用价电子结构理论预测纯铜和铜合金绝热剪切敏感性的方法，以材料性能参数和应变率为变量的产生绝热剪切带所需能量的大小作为衡量绝热剪切敏感性的指标；应用价电子结构理论，得到价电子结构参数与铜合金性能参数之间的关系，在相同切削条件下，从电子结构层次揭示合金元素与绝热剪切敏感性之间的本质关系，预测纯铜和铜合金发生绝热剪切现象的难易程度，为设计具有不同绝热剪切敏感性的材料提供依据，研究结果有助于进一步认识锯齿形切屑绝热剪切现象形成机理，丰富切削理论，为高速切削加工生产实践服务。