介电性

摘要： 以2,6-二氨基吡啶与L-酒石酸为原料在丙酮-水的混合溶剂体系内,通过H管缓慢扩散的方式,获得一种新型有机超分子晶体材料(2,6-diaminopyridinium2+)2(L-Tartrate4-)(1)。通过X单晶结构衍射仪测试结构显示,该化合物1属于六方晶系,空间群P65。酒石酸阴离子的羧基和羟基的氧原子与2,6-二氨基吡啶阳离子的氮原子通过N-H…O氢键相互作用,使得两类有机分子在晶胞内形成结构复杂的三维氢键网状结构。化合物的热重分析结构显示在435 K热稳定性较好,差示扫描量热法(DSC)结果显示化合物在415 K附近产生明显的吸热峰,表明存在固体相转移。化合物1的三轴向介电常数测试,结果与DSC数据一致。并在相同的温度产生明显的介电异常峰,证明固体相转移存在。

摘要： 目前混粉电火花加工液添加的粉末粒径主要局限于微米级,与工作基液不能形成均匀、稳定的悬浮液.本研究以乳化液为基液,纳米碳化硅粉体(SiC)为分散相,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)、羧甲基纤维素钠(CMC)等作分散剂,采用两步法制备了乳液基SiC纳米工作液,研究不同分散条件下SiC粉体在乳化液中的分散行为,分析了乳液基SiC纳米工作液的沉降稳定性、流变性和介电性.结果表明:质量分数为0.3％～0.6％的CMC对SiC纳米粒子的润湿、分散作用显著,而SDBS作用不明显;CMC分别与SDBS、SDS协同作用时,工作液均具有很好的沉降稳定性;当SDBS质量分数为0.3％,CMC为0.3％～0.6％时,工作液黏度呈非线性增加;当CMC质量分数为0.3％,SDBS为0.3％～1.4％时,工作液黏度先增大后快速降低;工作液电导率随CMC、SDBS分散剂质量分数的增加、液体温度的升高而增大.因此,当SiC质量分数为0.3％、添加0.3％～0.5％(质量分数)的CMC和0.3％～0.7％(质量分数)的SDBS,乳液基SiC纳米工作液有较好的沉降稳定性、流变性和介电性.

摘要： 用固相合成法制备了(0.94-y)Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaTiO3-yBiCrO3无铅压电陶瓷.讨论BaTiO3固定量的前提下,BiCrO3的添加对陶瓷的各项性能的影响.测试结果证明:少量BiCrO3的加入对所制备的陶瓷结构、形貌影响不明显;样品中BiCrO3的含量为0.02时,制备的试样的各项性能取得了较好的值.

摘要： 采用两步法制备了0.30Pb(In 1/2 Nb 1/2)O 3-(0.70-x)Pb(Ni 1/3 Nb 2/3)O 3-x PbTiO 3(PIN-PNN-PT,x=0.33,0.35,0.37,0.39)压电陶瓷。研究了PIN-PNN-PT压电陶瓷的相结构、介电、铁电和压电性能。研究表明位于准同型相界(MPB)的组分0.30PIN-0.33PNN-0.37PT具有最佳电学性能,其居里温度T C、压电系数d 33、平面机电耦合系数k p、自由介电常数ε'、介电损耗tanδ、剩余极化P r、矫顽场E C分别为200°C、386 pC/N、50%、2692、0.045、34μC/cm^2、18 kV/cm。结果显示PIN-PNN-PT三元系相比于PNN-PT有更高的居里温度,同时保持了优异的压电性能。

摘要： 该文采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了掺杂La元素的Pb1-0.05La0.05ZrTiO3(PLZT)、掺杂Sr元素的Pb1-0.05Sr0.05ZrTiO3(PSZT)、掺杂La和Sr元素的Pb1-0.1La0.05Sr0.05ZrTiO3(PLSZT)及未掺杂的锆钛酸铅(PZT)薄膜样品。对不同掺杂情况的样品分别进行了压电系数、电滞回线、介电特性的测试。结果表明,双掺杂样品PLSZT薄膜具有比其他样品更好的铁电性能,其剩余极化强度(Pr)为13.2μC/cm^2,饱和极化强度(Ps)为28.4μC/cm^2,矫顽场(Ec)为54.8kV/cm;双掺杂样品PLSZT薄膜的压电系数(d33)比其他3种样品高,达到153pC/N。掺杂后的样品与未掺杂的样品相比,其介电常数有略微提高;单掺杂La的样品的介电特性在高频环境下更稳定。

摘要： 采用固相法制备Ho3+离子掺杂铋层状结构Na0.5Bi8.5-xHoxTi7O27(NBT-BIT-xHo3+,0≤x≤0.02),研究了不同Ho3+含量对样品的结构、电学与上转换发光性能的影响.所有样品均为单相的共生结构,Ho3+掺杂未引入其他杂相;适量Ho3+离子掺杂使样品的居里温度升高、介电损耗降低、压电常数d33得到提高;当x=0.01时,样品具有最佳的综合电学性能,介电损耗tanδ=0.78％、压电性能d33=21pC/N、Qm=2887.在980 nm的红外激光对NBT-BIT-xHo3+陶瓷的激发下,从所有样品的上转换发光图谱可以观测到位于550 nm附近较强的绿光和657 nm附近较为微弱的红光,对应于5S2/5F4→5I8和5F5→5I8的跃迁.随着Ho3+离子浓度的增加,样品的发光颜色从黄绿色向绿色转变.

摘要： 采用溶胶凝胶与固相反应法制成多铁复合材料0.5NiFe2xMnxO4/0.5 BaTiO3(x=0,0.1,0.2,0.3).研究结果表明:在复合材料中,尖晶石结构NiFe2-xMnxO4和钙钛矿BaTiO3的衍射峰明显;材料由两种结构组成,有团聚现象;材料存在有序的磁结构,饱和磁化强度随着Mn含量变化;材料的介电常数在低频下随着频率的增加而下降,在高频下保持不变.

摘要： 为满足高频、高速通信技术对低介电性高分子材料的应用需要,本课题组通过分子设计,采用原位插层聚合反应法制备出新型羧基化石墨烯/苯并噁嗪纳米复合树脂,研究表明羧基化石墨烯的羧基官能团具有催化固化效果且与苯并噁嗪开环产生的酚羟基发生了化学键合作用而消除部分羟基.实验结果表明,羧基化石墨烯能够将纯苯并噁嗪树脂的固化放热峰值温度降低约10°C、玻璃化转变温度由192°C提高到223°C,提高了近30°C,介电常数从3.53降至2.87、介电损耗正切值从0.0122降到0.0067(5GHz),在覆铜板的制备应用中也取得较好的结果.

摘要： 将纳米SiC掺入热固性聚酰亚胺前驱体聚酰胺酸中,采用溶胶凝胶法,经两种不同的固化工艺制备了聚酰亚胺基复合材料.红外吸收光谱表明固化工艺直接影响亚胺化脱水成环,不同的加热脱水方法导致材料的吸湿性能不同,微观组织均匀分布也受到一定程度的影响;材料的介电常数有很大差异,常规单一温度固化工艺合成的复合材料介电常数为2.6,而采用多个不同温度依次加热固化材料的介电常数低达2.0.

摘要： 聚氨酯泡沫塑料具有质量轻、隔热性好及介电性能好的特点.本文对聚氨酯泡沫塑料的特性进行了分析,介绍了聚氨酯泡沫塑料在电子工业中的一些具体应用实例.阐述了聚氨酯泡沫塑料目前存在的问题及发展趋势,指出聚氨酯泡沫塑料在电子工业中有较好的应用前景.

摘要： 本文采用超声模板法法制备了平行束状纳米ZnO晶须,将其与压电高聚物PVDF复合,用热压法制备六种含平行晶须状纳米ZnO不同质量分数的ZnO/PVDF复合材料;及PVDF与不同形态、尺寸的ZnO复合的材料.经取向、极化后对其结构、形态和介电性和压电性能进行了系统测试,结果表明:尺寸与形态对压电复合材料的影响极大,球型、准球型、四针状纳米ZnO和非纳米ZnO与无定型PVDF复合,虽经同样条件极化处理,并无压电性能产生.与传统观念不同,即使主体为PVDF,但随着平行晶须状纳米ZnO含量的增加,电性能参数呈非线性增大,在ZnO含量仅为15％左右时就产生了复合材料介电常数ε和压电常数d33值的转折性突跃,与单一压电高聚物材料相比显著增加,且极化性能得到明显提高.

摘要： 本文以硫铝酸盐水泥为基体,铌锂锆钛酸铅(简称PLN)压电陶瓷颗粒为功能体制备了0-3型水泥基压电复合材料,重点研究了水泥基压电复合材料的介电性、铁电性和力电效应。

摘要： 研究液相多元添加对BaTiO微波介质陶瓷的烧结和介电性能的影响.通过添加(CuO和VO)烧结助剂来达到降低烧结温度的效果,并且使其保持较好的微波、高频性能.实验结果表明在添加合适的烧结助剂下,烧结温度为1180°C时,BaTiO微波介质陶瓷在1MHz下的介电性能:ε=41.2,tgδ=5,τ=82×10/°C.基本保持了良好的介电性能.

摘要： 金刚石具有非常优异的物理性能,如有最高的硬度、室温下最高的热导率、极小的热膨胀系数、全波段高光学透过率、声传播速度快、介电性能好、掺杂后具有半导体性质、并有极佳的化学稳定性.上述特性使其在机械、电子、化学、声学及国防等诸多领域有重要的应用价值.

摘要： 聚苯胺,钛酸钡的复合可有效改善聚苯胺或钛酸钡的电流变性能,在本论文中,研究了环境温度对这种复合材料组成的电流变液的流变性,介电性及导电性的影响.

摘要： 近年来,小分子金属-有机框架杂化化合物作为一类新型功能材料在配位化学和超分子化学领域发展的非常迅速.相比于传统的纯有机或无机化合物,它比较容易以功能模块形式导入超分子框架内形成杂化材料.

摘要： 近年来,小分子金属-有机框架杂化化合物作为一类新型功能材料在配位化学和超分子化学领域发展的非常迅速.相比于传统的纯有机或无机化合物,它比较容易以功能模块形式导入超分子框架内形成杂化材料.

摘要： 为设计电介透镜，第一步确定预期的孔径表面分布，第二步将电能守恒定律、后表面一侧的菲涅耳定律以及代表光路长度规则的公式转换为联立方程，并根据从电介透镜的焦点到电介透镜后表面的主光线的方位角θ计算电介透镜的表面和后表面的形状，第三步，在电介透镜表面上的坐标达到预定的约束厚度位置时，使上述表示光路长度规则公式中的光路长度减小波长的整数倍。使上述方位角θ从其起始值依次变化，并重复第二步和第三步。于是，在构成电介透镜时使天线性能保持在良好状态的同时，通过分区，可实现尺寸减小和分区量化。

摘要： 一种高频介电陶瓷构件，其由包含Mg，Ba，Re，Ti，和O的氧化物陶瓷组成，其中Re是选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Dy，和Er的至少一种元素。所述氧化物陶瓷由化学式aMgO-bBaO-cRe

摘要： 可以获得具有介电常数(εr)为30～50、在1GHz时的Q值为15000或更高以及共振频率的温度系数(ιf)可以任意控制在0(ppm/°C)附近的高频介电陶瓷组合物。该组合物是以钙钛矿型晶体相为主的晶体，并且可以通过表达式为(1-x)MeTiaO1+2a-xLn(Ma1/2Mb1/2)bO(3+3b)/2来表示，其中Ln是一种稀土元素、Ma是选自包括Mg和Zn中的至少一种、Mb是选自包括Sn和Zr中的至少一种、以及Me是选自包括Ca和Sr中的至少一种，x为摩尔分数以及0.950≤a≤1.050、0.900≤b≤1.050和0.300≤x≤0.500。

摘要： 其目的在于提供一种提高多层印刷电路板的内置电容器电路的位置精度、且除去了除电容器电路部以外的不必要的电介质层的介电层构成材料及电容器电路形成部件等。为了达成该目的，而采用介电层构成材料的制造方法，其特征在于，作为制造该介电层构成材料的工艺，在实施工序a后实施工序b，其中：工序a为第一电极电路形成工序，对在介电层的两表面上具有导体层的覆金属箔电介体的单面上的导体层进行蚀刻加工而形成第一电极电路；工序b为介电层除去工序，除去从第一电极电路之间露出的介电层而形成介电层构成材料。然后，作为制造电容器电路形成部件的工艺，采用在上述得到的介电层构成材料，并实施在与第一电极对峙的位置形成第二电极的工序。

摘要： 为设计电介透镜，第一步确定预期的孔径表面分布，第二步将电能守恒定律、后表面一侧的菲涅耳定律以及代表光路长度规则的公式转换为联立方程，并根据从电介透镜的焦点到电介透镜后表面的主光线的方位角θ计算电介透镜的表面和后表面的形状，第三步，在电介透镜表面上的坐标达到预定的约束厚度位置时，使上述表示光路长度规则公式中的光路长度减小波长的整数倍。使上述方位角θ从其起始值依次变化，并重复第二步和第三步。于是，在构成电介透镜时使天线性能保持在良好状态的同时，通过分区，可实现尺寸减小和分区量化。

摘要： 一种高频介电陶瓷构件，其由包含Mg，Ba，Re，Ti，和O的氧化物陶瓷组成，其中Re是选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Dy，和Er的至少一种元素。所述氧化物陶瓷由化学式aMgO－bBaO－cRe

摘要： 本发明一种能够提高耐电压、绝缘性、介电常数，特别能够减小高温下的介电损失，且能够薄膜化的非多孔质高介电性薄膜；以及含有(A)偏氟乙烯类树脂、(B)纤维素类树脂和(C)溶剂的高介电性薄膜形成用涂层组合物。

摘要： 本发明提供介电性降低剂、包含其的低介电性树脂组合物和降低树脂的介电性的方法。介电性降低剂包含具有低相对介电常数和低介电损耗角正切的特定环氧改性有机硅树脂，并且具有小于0.001wt％的离子性物质含量。

摘要： 本发明提供自熔合高介电性硅橡胶组合物和自熔合高介电性带。可通过挤出成型或采用压延辊的压延成型进行常压热空气硫化的自熔合高介电性硅橡胶组合物，其含有：(A)由下述平均组成式(1)表示、在1分子中含有至少2个与硅原子键合的烯基的有机聚硅氧烷：100质量份，R

摘要： 本发明一种能够提高耐电压、绝缘性、介电常数，特别能够减小高温下的介电损失，且能够薄膜化的非多孔质高介电性薄膜；以及含有(A)偏氟乙烯类树脂、(B)纤维素类树脂和(C)溶剂的高介电性薄膜形成用涂层组合物。