介电弛豫

摘要： 笔者采用传统固相法制备了0.99(Ba_(1-x)Ca_(x))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_(3)-0.01BiFeO_(3)(BC_(x)ZT,x=0.00,0.06,0.12,0.18)无铅压电陶瓷,系统地研究了Ca含量对陶瓷相结构、微观形貌和电学性能的影响。研究结果表明:所有样品均为ABO_(3)钙钛矿结构固溶体,无其他杂相存在;随着Ca含量的增加,陶瓷晶体结构从三方相向四方相转变。Ca的加入对频率色散影响不明显,具有良好的频率稳定性。通过拟合修正后的Curie-Weiss定律,研究介电弛豫特性,γ值由1.76降到1.61,说明陶瓷弛豫程度下降。Ca取代Ba后,d_(33)和k_(p)均呈现先增加后减小的变化趋势,当x=0.12时获得最佳电学性能:ε_(r)=4448、tanδ=0.013、d_(33)=207pC/N、k_(p)=0.24。从P-E曲线观察出,P_(r)和E_(c)都先增后减,在Ca含量为0.12时,P-E曲线最为饱和,铁电性能最佳:P_(r)=1.7μC/cm^(2),E_(c)=0.30kV/mm。

摘要： 在电力装备的实际运行过程中,可能遭受诸如操作冲击电压、雷电冲击电压等瞬态电压激励的作用。此外,随着电力电子器件在直流输电装备中的大规模应用,装备内部器件的绝缘结构承受的电压不再是传统的交流电压或直流电压,而是正极性重复性方波电压。为了研究这些装备或器件内的绝缘结构在瞬态电压激励下的电场特性,需要在电准静态场下计算其瞬态电场分布。在交变电场中,绝缘材料具有介电弛豫现象,其介电常数在频域上为频变函数。由于瞬态电压激励时间短、变化快,对应的频谱宽。因而,瞬态电压激励下的瞬态电场计算需要考虑材料的介电弛豫特性。为此,该文提出了考虑介质介电弛豫过程的时域有限元法。首先,将材料的介电弛豫现象用时变的介电参数表征,对含时变介电参数的电准静态场控制方程进行时空离散,推导了时域有限元方程和边界电场约束方程;然后,通过对比PEEK材料极化电流的实验测量结果与计算结果,验证了所提方法的有效性;最后,分析了瞬态电压激励下考虑材料介电弛豫特性的复合绝缘结构的瞬态电场分布特性。

摘要： 为研究TbCrO_(3)低温下的磁相变和介电弛豫,采用溶胶凝胶自蔓延燃烧合成法制备了TbCrO_(3)材料,并对其磁、电性能进行了分析。利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜和综合物性测量系统对材料进行了物相和物性表征。X射线衍射结果表明,合成的TbCrO_(3)为单相多晶样品,空间群为Pbnm;直流磁化曲线表明,材料的奈尔温度T N=162 K,分子的有效磁矩理论值与通过磁化曲线高温顺磁段外推得到的实验值相吻合,说明样品的磁性遵循居里外斯定律,外斯常数为负值(-32.2 K),表明样品内部的反铁磁耦合特性;介电测量中,在低频、高温下,样品出现了介电色散和巨介电常数,归因于空间电荷极化。样品在200 K附近出现介电驰豫,损耗峰随着频率增大向高温移动,拟合出的活化能为0.358 eV,这与RCrO_(3)体系中其他样品的活化能接近。根据介电常数虚部与频率关系分析出驰豫为麦克斯韦-瓦格纳驰豫,由阻抗谱分析出驰豫是由晶界与晶粒共同作用的。TbCrO_(3)在低温下存在顺磁-反铁磁相变,介电弛豫显示出热激活行为。

摘要： 采用溶胶-凝胶燃烧法将Co掺杂到Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_(3)O_(12)(BNdT)基陶瓷中,制备出Bi_(15)Nd_(0.85)Ti_(3-x)Co_(x) O_(12)(BNdT-CX,x=0,0.2,0.4,0.6)陶瓷.使用X线衍射仪(XRD)对其晶体结构进行表征发现,掺杂并没有改变基陶瓷的晶体结构.通过扫描电子显微镜(SEM)对陶瓷微观形貌进行表征发现,其晶粒均呈现片状.通过掺杂探究该材料的介电弛豫机制,并根据拟合得到介电模量的激活能,结果表明其介电弛豫机制是由氧空位的缺陷所引起的.

摘要： 以双齿配位的草酸根为配体和FeCl3反应得到了化合物{(Me2NH2)2[Fe2(ox)2Cl4]·H2O}n(ox=oxalate)(1·H2O).在真空和加热的条件下,1·H2O脱水发生单晶到单晶的转变,得到了化合物{(Me2NH2)2[Fe2(ox)2Cl4]}n(1).磁性研究表明客体水分子存在与否对化合物磁相互作用没有明显影响.介电性质研究表明客体水分子的存在可影响化合物中客体胺和氢原子的动态弛豫过程.化合物1·H2O在250 K,80 K和50 K呈现三个介电弛豫过程,而化合物1仅在80 K表现出单一弛豫过程.

摘要： 利用固相反应法制备了La/Fe双掺杂BaTiO3陶瓷Ba_(0.9)La_(0.1)Ti_(0.9)Fe_(0.1)O_(3),利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和变温变频介电测试对陶瓷的结构和介电性质进行了分析。XRD结果表明,10%的La/Fe离子能够完全并入BaTiO_(3)主晶格,形成立方晶体结构。变频介电常数呈现明显的介电平台,并在损耗谱中出现弛豫峰,同时具有热激活特征。弛豫峰位与温度在高温区域符合Arrhenius关系,在低温范围内表现为极化子弛豫行为。电模量谱表明Ba_(0.9)La_(0.1)Ti_(0.9)Fe_(0.1)O_(3)具有晶粒和晶界两种电学结构,高频弛豫峰与晶粒相关,低频弛豫峰与晶界有关。巨介电常数和介电弛豫是晶界空间电荷极化和晶粒内部电荷运动共同作用的结果。

摘要： 利用固相反应法制备了La/Fe双掺杂BaTiO3陶瓷Ba0.9La0.1Ti0.9Fe0.1O3,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和变温变频介电测试对陶瓷的结构和介电性质进行了分析.XRD结果表明,10％ 的La/Fe离子能够完全并入BaTiO3主晶格,形成立方晶体结构.变频介电常数呈现明显的介电平台,并在损耗谱中出现弛豫峰,同时具有热激活特征.弛豫峰位与温度在高温区域符合Arrhenius关系,在低温范围内表现为极化子弛豫行为.电模量谱表明Ba0.9La0.1Ti0.9Fe0.1O3具有晶粒和晶界两种电学结构,高频弛豫峰与晶粒相关,低频弛豫峰与晶界有关.巨介电常数和介电弛豫是晶界空间电荷极化和晶粒内部电荷运动共同作用的结果.

摘要： 无表面活性剂微乳液近年来受到人们极大关注,但人们对该类微乳液体系的了解还不够深入,在许多基础问题上仍存在较大争议,因此十分有必要利用不同的技术手段对该类体系开展研究.介电谱是表征微乳液体系的有效方法之一,但在无表面活性剂微乳液体系中的应用还鲜有报道.根据水/乙醇/正辛醇所组成的三元体系相图,选取了 3条路径配制了不同相组成的微乳液样品,进而在40 Hz～110 MHz频率范围内测量了这些样品的介电谱.发现在1～10 kHz频率范围内出现了明显的介电弛豫现象,利用Cole-Cole公式对该介电弛豫行为进行了拟合解析,从而准确获取了表征该介电弛豫特征的介电参数.通过分析介电参数对微乳液样品的相组成的依存性,发现介电参数能够较为准确地区分该微乳液体系的不同微观相区,其结果与文献报道基本一致.对不同微观相区内介电参数随体系相组成的变化规律进行了分析和讨论,据此提出了不同相区内该弛豫可能的微观弛豫机制.结果表明,不同的微观相区中该弛豫的微观机制不同:在分子溶液相区,该弛豫来自于电极上双电层内离子的迁移或氢键形成的网络中离子的迁移;在水包油及双连续相区,该弛豫来自于水相中离子的跳跃迁移;而在油包水相区,该弛豫来自于分散水滴在油相中的转动极化.

摘要： 采用传统固相反应技术制备出赝立方相(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3(0.11≤x≤0.17)陶瓷.介电温谱测试结果表明,样品呈现"核-壳"结构.用Lichtenecker方程和典型的洛伦兹公式结合描述了核区域和壳区域对介电常数的贡献.随着SrZrO3含量增多,介电相变峰宽化,介电常数和损耗均下降.在高温下,通过阻抗图谱分析可知陶瓷样品中存在双电离氧空位,其弛豫行为可以用阿仑尼乌斯公式描述.同时,交流电导率满足普适介电响应定律.在直流电导中,温度越高热激活载流子浓度越大,随着SrZrO3掺杂量增加,晶格间载流子长程迁移或者跳跃变得更加困难.

摘要： 在电工材料介电性能测量时,可移动的载流子在电极-试样界面处积累形成空间电荷,产生宏观电极极化.电极极化通常被误认为是材料的本征电极化,或者覆盖材料的本征电极化,导致对材料介电性能的错误认知.因此,完善对电工材料电极极化特性的研究,对进一步理解材料的介电弛豫和正确分析材料的电气特性有重要的意义.该研究通过理论分析和电路模型对电极极化的特性进行分析,并通过有机交联聚乙烯绝缘、无机储能陶瓷和液体电缆油进行实验验证.研究发现,电极极化一般发生在低频1Hz以下,通常伴随着样品的高漏电导率,电极极化的产生将会在电极-试样界面产生附加电容,其特征是导致低频介电常数急剧增大,低频介质损耗随频率偏离成反比变化,同时复电导率虚部在低频区表现为随测量频率的下降呈先减小后增大的趋势.

摘要： 经高温热处理后的PZT95／05铁电陶瓷是铁电相斜方结构，介电分析表明：(1)PZT95／05陶瓷的介电常数比PZT75／25陶瓷高出十几倍。(2)PZT95／05陶瓷在高于103MHz时具有明显的介电弛豫。(3)样品的COLE-COLE实验图符合Davidson-Cole模型，结合理论计算获得了弛豫时间分布。

摘要： 报道了用内耗和介电弛豫方法研究新型氧离离子导体LaAMoO(其中,A=Ca,Bi,K;x=0-0.3)的最新结果.结果表明,在内耗-温度谱和介电损耗-温度谱上出现了两个与氧空位短程扩散有关的内耗峰和介电弛豫峰,说明氧空位扩散至少有两个不等同的弛豫过程.掺杂后,两弛豫峰都移向高温,氧空位的扩散激活能增加,高温弛豫峰高度降低而低温弛豫峰略有升高.在适当的掺杂条件下(30％Ca,5％Bi或5％K),低温下的电导率都有不同程度的提高.根据实验结果和晶体结构提出了氧空位(或离子)扩散的物理图像.

摘要： 采用高能球磨方法制备了0.98Na0.5K0.5NbO3–0.02Bi0.5Na0.5TiO3 (NKNBNT)纳米粉体。由于纳米粉体的表面缺陷和钠离子和钾离子的吸湿性，导致瓷体中绝缘的粉体颗粒和导电的水分子形成一个复合体系。这个体系在250-450K存在一个极大的非德拜弛豫，其介电常数要比NKN陶瓷高出3-4个数量级。这个非德拜弛豫中包含着三个弛豫区，其中渗流阈值附近的介电常数最大。这类材料预计可作为超级电容器或者湿敏探测器材料使用。

摘要： 本文采用电导测量和介电弛豫方法研究了Bi和K掺杂对新型氧离子体LaMoO的氧离子扩散和离子导电的影响.在掺杂的试样中观察到了两个与氧空位短程扩散有关的介电弛豫峰.Bi和K掺杂后,氧空位的扩散激活能增加.适当的掺杂可以有效地抑制相变,并且在2.5﹪K掺杂的试样中得到了最高的低温电导率.低温电导率的改善对该类材料的实际应用具有重要意义.

摘要： 用内耗和介电谱方法研究了LaAMoO试样,导出的最新结果(其中A=Ca,Bi,K等,x=0~0.3)表明,在内耗-温度谱和介电-温度谱上出现了两个与氧空位短程扩散有关的弛豫峰,这说明氧空位扩散至少有两个不等同的弛豫过程.在560°C左右出现了一个与相变相关的峰.对LaMoO的适当掺杂可以抑制高温相变的发生,从而提高低温下的电导率.掺杂后高温弛豫峰降低而低温弛豫峰略有升高,两弛豫峰都移向高温,氧空位的扩散激活能增加.

摘要： 利用传统固相反应法制备(1-x)Bi0.5Na0.5TiO3-xK0.5Na0.5NbO3陶瓷，对其高温阻抗谱进行研究.室温XRD图谱显示，随着铌酸钠钾含量的增加，晶格畸变增加，有从三方相到立方相变化的趋势.Cole-Cole图显示样品服从德拜弛豫，随着KNN量掺杂的增加，BNT-xKNN压电陶瓷的居里温度向低温方向移动，并且其介电损耗避渐变小.BNT-xKNN压电陶瓷中氧空位的热激活能随掺杂KNN量的增大而减小，可能是大半径的阳离子引入到钛酸铋钠晶格中，引起晶格畸变，导致晶格疏松，使得氧空位的扩散变得容易而引起.

摘要： 利用传统固相反应法制备(1-x)Bi0.5Na0.5TiO3-xK0.5Na0.5NbO3陶瓷，对其高温阻抗谱进行研究.室温XRD图谱显示，随着铌酸钠钾含量的增加，晶格畸变增加，有从三方相到立方相变化的趋势.Cole-Cole图显示样品服从德拜弛豫，随着KNN量掺杂的增加，BNT-xKNN压电陶瓷的居里温度向低温方向移动，并且其介电损耗避渐变小.BNT-xKNN压电陶瓷中氧空位的热激活能随掺杂KNN量的增大而减小，可能是大半径的阳离子引入到钛酸铋钠晶格中，引起晶格畸变，导致晶格疏松，使得氧空位的扩散变得容易而引起.

摘要： 利用传统固相反应法制备(1-x)Bi0.5Na0.5TiO3-xK0.5Na0.5NbO3陶瓷，对其高温阻抗谱进行研究.室温XRD图谱显示，随着铌酸钠钾含量的增加，晶格畸变增加，有从三方相到立方相变化的趋势.Cole-Cole图显示样品服从德拜弛豫，随着KNN量掺杂的增加，BNT-xKNN压电陶瓷的居里温度向低温方向移动，并且其介电损耗避渐变小.BNT-xKNN压电陶瓷中氧空位的热激活能随掺杂KNN量的增大而减小，可能是大半径的阳离子引入到钛酸铋钠晶格中，引起晶格畸变，导致晶格疏松，使得氧空位的扩散变得容易而引起.

摘要： 利用传统固相反应法制备(1-x)Bi0.5Na0.5TiO3-xK0.5Na0.5NbO3陶瓷，对其高温阻抗谱进行研究.室温XRD图谱显示，随着铌酸钠钾含量的增加，晶格畸变增加，有从三方相到立方相变化的趋势.Cole-Cole图显示样品服从德拜弛豫，随着KNN量掺杂的增加，BNT-xKNN压电陶瓷的居里温度向低温方向移动，并且其介电损耗避渐变小.BNT-xKNN压电陶瓷中氧空位的热激活能随掺杂KNN量的增大而减小，可能是大半径的阳离子引入到钛酸铋钠晶格中，引起晶格畸变，导致晶格疏松，使得氧空位的扩散变得容易而引起.

摘要： 本发明涉及一种提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能的方法。现有铁电薄膜介电和热释电性能不高，通过A/B位掺杂改性的方式提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能。本发明依次包括下述步骤：一、制备PMN‑PT前驱体溶液：二、利用稀土元素制备均匀掺杂稀土元素的PMN‑PT前驱体溶液；三、将掺杂稀土元素PMN‑PT前驱体溶液在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上旋涂均匀，薄膜退火结晶得到掺杂稀土元素PMN‑PT薄膜。本发明通过稀土元素掺杂，显著提高驰豫铁电PMN‑PT薄膜介电和热释电性能。

摘要： 为设计电介透镜，第一步确定预期的孔径表面分布，第二步将电能守恒定律、后表面一侧的菲涅耳定律以及代表光路长度规则的公式转换为联立方程，并根据从电介透镜的焦点到电介透镜后表面的主光线的方位角θ计算电介透镜的表面和后表面的形状，第三步，在电介透镜表面上的坐标达到预定的约束厚度位置时，使上述表示光路长度规则公式中的光路长度减小波长的整数倍。使上述方位角θ从其起始值依次变化，并重复第二步和第三步。于是，在构成电介透镜时使天线性能保持在良好状态的同时，通过分区，可实现尺寸减小和分区量化。

摘要： 一种高频介电陶瓷构件，其由包含Mg，Ba，Re，Ti，和O的氧化物陶瓷组成，其中Re是选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Dy，和Er的至少一种元素。所述氧化物陶瓷由化学式aMgO-bBaO-cRe

摘要： 可以获得具有介电常数(εr)为30～50、在1GHz时的Q值为15000或更高以及共振频率的温度系数(ιf)可以任意控制在0(ppm/°C)附近的高频介电陶瓷组合物。该组合物是以钙钛矿型晶体相为主的晶体，并且可以通过表达式为(1-x)MeTiaO1+2a-xLn(Ma1/2Mb1/2)bO(3+3b)/2来表示，其中Ln是一种稀土元素、Ma是选自包括Mg和Zn中的至少一种、Mb是选自包括Sn和Zr中的至少一种、以及Me是选自包括Ca和Sr中的至少一种，x为摩尔分数以及0.950≤a≤1.050、0.900≤b≤1.050和0.300≤x≤0.500。

摘要： 本发明涉及一种提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能的方法。现有铁电薄膜介电和热释电性能不高，通过A/B位掺杂改性的方式提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能。本发明依次包括下述步骤：一、制备PMN‑PT前驱体溶液：二、利用稀土元素制备均匀掺杂稀土元素的PMN‑PT前驱体溶液；三、将掺杂稀土元素PMN‑PT前驱体溶液在Pt/TiO

摘要： 其目的在于提供一种提高多层印刷电路板的内置电容器电路的位置精度、且除去了除电容器电路部以外的不必要的电介质层的介电层构成材料及电容器电路形成部件等。为了达成该目的，而采用介电层构成材料的制造方法，其特征在于，作为制造该介电层构成材料的工艺，在实施工序a后实施工序b，其中：工序a为第一电极电路形成工序，对在介电层的两表面上具有导体层的覆金属箔电介体的单面上的导体层进行蚀刻加工而形成第一电极电路；工序b为介电层除去工序，除去从第一电极电路之间露出的介电层而形成介电层构成材料。然后，作为制造电容器电路形成部件的工艺，采用在上述得到的介电层构成材料，并实施在与第一电极对峙的位置形成第二电极的工序。

摘要： 为设计电介透镜，第一步确定预期的孔径表面分布，第二步将电能守恒定律、后表面一侧的菲涅耳定律以及代表光路长度规则的公式转换为联立方程，并根据从电介透镜的焦点到电介透镜后表面的主光线的方位角θ计算电介透镜的表面和后表面的形状，第三步，在电介透镜表面上的坐标达到预定的约束厚度位置时，使上述表示光路长度规则公式中的光路长度减小波长的整数倍。使上述方位角θ从其起始值依次变化，并重复第二步和第三步。于是，在构成电介透镜时使天线性能保持在良好状态的同时，通过分区，可实现尺寸减小和分区量化。

摘要： 一种高频介电陶瓷构件，其由包含Mg，Ba，Re，Ti，和O的氧化物陶瓷组成，其中Re是选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Dy，和Er的至少一种元素。所述氧化物陶瓷由化学式aMgO－bBaO－cRe

摘要： 本实用新型涉及一种用于弛豫铁电单晶生长的料棒的制造装置，所述装置包括原料熔融区和浇铸控制区，所述原料熔融区具有容纳弛豫铁单晶原料的容纳部和对所述容纳部进行加热的第一加热部；所述浇铸控制区包括供熔体流通过的浇铸控制主体和对所述浇铸控制主体进行加热的第二加热部，所述浇铸控制主体与所述容纳部连接；所述装置还具备用于向所述容纳部通入气体的进气部。根据本实用新型的装置，能够大幅度减少弛豫铁电单晶制备的成本，能提高晶体的出片率。

摘要： 本申请涉及具有介电弛豫校正电路的图像传感器。一些图像传感器包括具有电容器的像素。电容器可用于在读出之前将电荷存储在成像像素中。电容器可以是易于受介电驰豫影响的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。介电驰豫可能导致电容器上的信号产生滞后，这在采样期间影响电容器上的信号。图像传感器可包括介电驰豫校正电路，该介电驰豫校正电路利用电压应力与滞后信号之间的线性关系来校正介电驰豫。图像传感器可包括屏蔽像素，该屏蔽像素使用与有源阵列中的成像像素类似的时序方案操作。来自屏蔽像素的经测量的滞后信号可用于校正成像数据。