魅族

摘要： 除了物种自身在世代遗传中基因的变化,进化的涵义还表现为个体间你中有我我中有你的交融与演化。近日,小米的创始人更新微博称:自己除了做IT博主外,还要做汽车博主。这是继“为小米汽车而战”之后,雷军对汽车米粉的又一次高调表白。蔚来汽车不能容忍自己的未来被别人的手机启动和掌控,创始人李斌为提升用户体验宣布将自造手机。华为汽车已经成为车市的卖点,吉利善于用资本兑现扩张,对魅族的收购似乎已近尾声。

摘要： 近日,有媒体披露,吉利有意并购魅族手机,以期更快进入手机市场。若消息属实,那么吉利能否借此实现杀入移动终端市场的目标?又面临哪些机会和挑战?其实早在2021年9月,吉利就已经正式宣布进军移动终端市场(智能手机领域),并为此成立了湖北星纪时代科技有限公司,由吉利控股董事长李书福亲自担任董事长。

摘要： 造汽车、做手机、放卫星,吉利要当“中国特斯拉”?近日,国家市场监督管理总局反垄断执法二司发布《湖北星纪时代科技有限公司收购珠海市魅族科技有限公司股权案》,星纪时代已与魅族科技以及涉及交易的股东签署协议,拟收购魅族79.09%股权。在这场交易中,魅族彻底易主。

摘要： 关于吉利收购魅族的传闻,终于尘埃落定。近日,国家市场监督管理总局对湖北星纪时代科技公司(以下简称“星纪时代”)收购珠海市魅族科技公司(以下简称“魅族”)股权进行公示。公告显示,星纪时代拟收购魅族79.09%股权,取得绝对控股股东地位,而魅族创始人黄秀章在魅族的持股将降低至9.79%,此前持股27.23%的淘宝中国将退出。

摘要： 吉利收购魅族、罗永浩退出直播进军AR市场,把这两件事放在一起分析,你会得出一个什么样的结论?国内ICT行业,虽然每天都会发生很多事,但大多都平淡无奇,而且很多事件一经行业专家以行业术语解读,圈外的人一般就提不起兴趣了,比如5G R17标准版本的冻结;但有些事儿,在业内人士看来是小事,但却很值得玩味,比如本篇文章开头提到的那两件事。

摘要： 2022年6月魅族科技(MEIZU)正式开启“热爱如夏·魅族新品夏日奇旅”。魅族PANDAER携两大全新主题“GAME START”和“往日既视”系列的一众新品与消费者同游初夏时节。

摘要： 7月4日,吉利控股旗下的星纪时代与魅族科技在杭州举行签约仪式,正式宣布持有魅族科技79.09%的控股权,并取得对魅族科技的“单独控制”。此举也被业内认为,是吉利为了进一步掌控手机这把未来“车钥匙”而迈出的重要一步。星纪时代由吉利控股集团董事长李书福携手全球科技商业精英创建,致力于高端智能手机、 XR技术产品、可穿戴式智能终端产品的研发和生态建设。

摘要： 在很多人眼中,智能手机是近十年最炙手可热的行业。苹果、三星等厂商在全球市场上风生水起,小米、魅族等互联网厂商如雨后春笋般冒出,华为、OPPO、vivo等厂商也在不断深耕产品布局。在当时,互联网智能手机为人津津乐道。然而事实上,一帆风顺的背后,智能手机市场先后经历了三个截然不同的发展阶段。

摘要： 近日,成都氮矽科技有限公司(以下简称“氮矽科技”)完成数千万元A轮融资。本轮融资由前魅族联合创始人白永祥领投,兰璞资本、亚商资本跟投。本轮资金将主要用于产品研发以及产品销售等方面,继续加大研发投入以及拓宽应用市场,确保在2023年实现工业应用领域的突破,争取在2024年实现汽车应用领域的突破。

摘要： 十个月后,魅族18系列“提前到来”。这个小众的魅族,经历十八载,“活到了2021年”,并依旧不徐不疾地按照既定的计划推出了自己的年度新旗舰机型。没有那些跌宕起伏的“高管网怼”剧情,也没有各种“反转宣传”的套路,踏踏实实做好自己的“年度大菜”,这不只是稳中求生的格局,为的始终是稳中求胜的理想。一年做一套足以让人铭记于心的手机产品,在这个动辄“月月厮杀,日日见血”的市场,显得更容易出精彩的故事。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al