高通公司

摘要： 高通钱堃:全球化仍是大势所趋8月23-24日,以“全球变局下知识产权国际合作与创新发展”为主题深圳知识产权国际合作论坛在广东省深圳市成功举办。高通公司全球高级副总裁、技术许可业务中国区总经理钱堃发表了题为《不忘初心,携手并进——以“发明、分享、协作”,共创数字未来》的主题演讲,深入阐述了高通商业模式中“创新为本、分享为要、协作为道”这三个维度,表示高通将不变初心,与中国产业伙伴携手推进创新合作,共同创造数字经济的美好未来。

摘要： 国际数据公司(IDC)发布的一份手机季度跟踪报告显示:2020年第四季度中国“5G手机芯片平台”的市场份额,高通占比20.1%。实际上一些人将IDC报告中“5G手机芯片平台”错误的等同于“5G芯片”。其实IDC数据统计的是手机中5G SoC的市场份额,用于揭示5G手机的市场现状。对手机芯片行业稍有了解的人都知道,苹果公司的手机SoC之所以称之为5G手机芯片平台,是因为全部采用了高通公司的5G基带芯片骁龙X55。假如要从IDC报告中看“5G芯片”份额的话,高通在中国市场的5G芯片份额比重就达到了42.5%,在2020年第四季度中排名第一。

摘要： 从2017年1月美国联邦贸易委员会(以下简称FTC)向加州北区地方法院提起诉讼并取得一审胜诉,历经3年的激烈对抗,高通公司在与FTC的角逐中取得了决定性的胜利。2020年8月11日,美国第九巡回上诉法院(以下简称上诉法院)在FTC提起的这起旷日持久的反垄断大案中作出了有利于高通的裁决。

摘要： [目的/意义]市场支配地位的滥用形式具有多样性、复杂性和隐蔽性,且在不断的改变与"进化"中.高通公司作为无线通信行业拥有最多标准必要专利的专利许可经营者、芯片制造商和销售商,近年来被全球范围的竞争执法和司法机构的高度关注.由于目前各国(地区)的行政处罚或司法裁判存在较大差异,并且在探索与相互学习、影响中,对高通的全球反垄断案件进行梳理和总结具有理论和实践的双重意义.[方法/过程]通过分析论证各国认定高通公司反垄断违法性的以下关键问题:市场支配地位的认定、"无许可,无芯片"政策、拒绝交易与搭售行为、忠诚折扣与独家交易、许可费率的确定.[结果/结论]总结高通公司垄断的核心在于纵向一体化商业模式,为我国同类专利许可与反垄断调查案件的经验借鉴尽绵薄之力.

摘要： 1月4日,高通公司正式发布了新一代4系移动平台—骁龙4805G移动平台(后简称骁龙480),这是首款支持5G的骁龙4系移动平台,在硬件规格上可以说是突破性的。那么作为高通旗下的5G普及之作,骁龙480有哪些亮眼的地方呢?骁龙480横空出世5G普及正当时对于移动通信行业而言,2020年可以称得上是戏剧化的一年。

摘要： 高通携手生态伙伴拥抱5G创新时代前不久,2021高通技术与合作峰会在北京水立方举行。峰会全景式呈现高通携手广泛的生态系统合作伙伴,随5G至万物,共创万物智能互联美好未来。在中国国际经济交流中心常务副理事长张晓强莅临峰会并致辞,他表示:“本次峰会以‘一起连接美好未来’为主题,契合当前国际社会共同关切,对推动5G技术持续演进、加强全球产业生态合作、加速万物互联具有重要的意义。作为国家高端智库,中国国际经济交流中心与高通公司一直保持密切合作,共同推进5G发展。我们也愿与各方携手合作,为构建开放型世界经济、加强科技创新国际合作继续贡献力量。”

摘要： 苹果打算挑战高通。苹果公司已然成为芯片大厂,在半导体产业的地盘里击败了该产业的若干家顶尖公司。不过,这家iPhone制造商即将开启该公司迄今为止最大的挑战,也就是以自己的设计取代高通公司的移动通信数据芯片。

摘要： 在2021年世界移动通信大会(MWC 2021)开幕首日,高通公司总裁兼候任CEO安蒙(Cristiano Amon)发表主题演讲,他表示,5G蕴藏着巨大机遇。从推动更加高效安全的交通系统的网联汽车,到未来的敏捷工厂,再到正在涌现的超连接企业,5G将影响几乎每个行业。安蒙在演讲中表示:“我知道许多人仍在努力应对疫情的影响,希望我们能够尽快战胜疫情。这一全球性挑战已经永远改变了全球各地人们未来工作、娱乐、医疗和教育的方式。”

摘要： 7月31日-8月3日,第十八届中国国际数码互动娱乐展览会(ChinaJoy)在上海新国际博览中心举办。作为全球领先的无线科技创新企业,高通公司(Qualcomm)在本届ChinaJoy期间再度携手产业链合作伙伴共同打造"高通骁龙?主题馆",吸引了众多玩家前来感受顶尖移动技术赋能的数字娱乐新体验。

摘要： 7月23日,ROG玩家国度在线召开“天生高能”ROG 2020新品发布会,秉承“以玩家为核心”的品牌理念。本次发布会上,备受关注的ROG游戏手机3(腾讯游戏深度定制)登场亮相,ROG冰刃双屏游戏本等一系列专业电竞装备也正式发布。ROG前沿科技带来的全新交互方式,进一步提升了游戏的魅力。腾讯副总裁王波、华硕共同执行长许先越、高通公司总裁克里斯蒂亚诺·阿蒙参与发布会并致辞,与全球玩家共同见证ROG品牌的创新与发展!

摘要： 本发明的一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器，包括设置在压电基板上的天线端子、发射端子和接收端子，天线端子与发射端子之间连接有发射滤波器，天线端子与接收端子之间连接有接收滤波器，所述接收滤波器具有串联臂以及与串联臂连接的多个并联臂，串联臂上设置有DMS滤波器和多个串联臂谐振器，每个并联臂上设置有并联臂谐振器；所述DMS滤波器与接收滤波器的所有并联臂谐振器进行共地连接。本发明所提供的双工器，在不增加额外器件以及结构复杂度的情况下，能够较好的改善了通带隔离度以及提高了高通频带低频侧的陡峭度，提高了双工器性能，具有较强的实用性。

摘要： 本发明的课题为，提供一种在高浓度铁基合金组成范围内具有相当高的玻璃形成能力，具有1.60T以上的高饱和磁通密度、低矫顽力、高有效磁导率、以及良好的非晶形成能力和优越的机械强度和延展性、加工性的高磁通密度软磁铁基非晶合金。通过以下特征以解决上述课题，含有作为合金元素的铁、硼、硅以及磷，合金组成表示为Fe

摘要： 本发明涉及一种高饱和磁通高传输能力高直流叠加的软磁材料，其包含如下含量的主成分：Fe2O3为58～65mol％、ZnO为11～15mol％、NiO为4～6mol％、余量为MnO；相对主成分的总重量还包含如下含量的副成分：CaO为0.01～0.04wt％，Nb2O5为0.02～0.05wt％，TiO2为0.02～0.08wt％，MoO3为0.01～0.03wt％，V2O5为0.02～0.06wt％。本发明软磁材料具有超越传统锰锌铁氧体性能上限的较高饱和磁通密度Bs和较大磁通偏移量ΔB，因而具有较强抗饱和性能和功率传输能力；相比金属磁芯材料具有较低的功耗，特别适合在直流叠加很大、电压较低、频率不高的多种应用场合实现更稳定的电感功能。

摘要： 本发明涉及半导体集成电路领域，其公开了一种新型的高稳定性、功耗小且占用面积小、容易集成的基于忆阻器件的低通滤波器，该低通滤波器具有输入端和输出端，其包括第一忆阻器件及负载电阻，所述第一忆阻器件的顶电极连接输入端，其底电极接输出端并通过所述负载电阻接地。此外，本发明还公开了基于忆阻器件实现的高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器，均具备高稳定性、功耗小且占用面积小、容易集成的优势，适用于对信号的滤波。

摘要： 本发明的一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器，包括设置在压电基板上的天线端子、发射端子和接收端子，天线端子与发射端子之间连接有发射滤波器，天线端子与接收端子之间连接有接收滤波器，所述接收滤波器具有串联臂以及与串联臂连接的多个并联臂，串联臂上设置有DMS滤波器和多个串联臂谐振器，每个并联臂上设置有并联臂谐振器；所述DMS滤波器与接收滤波器的所有并联臂谐振器进行共地连接。本发明所提供的双工器，在不增加额外器件以及结构复杂度的情况下，能够较好的改善了通带隔离度以及提高了高通频带低频侧的陡峭度，提高了双工器性能，具有较强的实用性。

摘要： 本发明的课题为，提供一种在高浓度铁基合金组成范围内具有相当高的玻璃形成能力，具有1.60T以上的高饱和磁通密度、低矫顽力、高有效磁导率、以及良好的非晶形成能力和优越的机械强度和延展性、加工性的高磁通密度软磁铁基非晶合金。通过以下特征以解决上述课题，含有作为合金元素的铁、硼、硅以及磷，合金组成表示为Fe

摘要： 本发明涉及一种高饱和磁通高传输能力高直流叠加的软磁材料，其包含如下含量的主成分：Fe2O3为58～65mol％、ZnO为11～15mol％、NiO为4～6mol％、余量为MnO；相对主成分的总重量还包含如下含量的副成分：CaO为0.01～0.04wt％，Nb2O5为0.02～0.05wt％，TiO2为0.02～0.08wt％，MoO3为0.01～0.03wt％，V2O5为0.02～0.06wt％。本发明软磁材料具有超越传统锰锌铁氧体性能上限的较高饱和磁通密度Bs和较大磁通偏移量ΔB，因而具有较强抗饱和性能和功率传输能力；相比金属磁芯材料具有较低的功耗，特别适合在直流叠加很大、电压较低、频率不高的多种应用场合实现更稳定的电感功能。

摘要： 通过在例如连接到放大器输入、输出或两者的多级阻抗匹配网络中使用低通型宽带阻抗变换器（LPMN）而不是宽带匹配网络，来提高宽带RF放大器（M1）的工作带宽。多级阻抗匹配网络包括串联连接的三个级。第一级是低通型宽带阻抗变换器（LMPN，LPMN1），其提供宽带低反射基波阻抗和用于二次谐波的高反射。第二级是控制二次谐波反射系数相位的位置的相移器。第三级是高通输入匹配电路（MN，MN1），其将复共轭器件输入阻抗变换为实阻抗。三级阻抗匹配网络提供用于宽带操作的基波和谐波频率阻抗以及二次谐波反射系数相位的可控性，其中，器件性能跨预期带宽是一致的。

摘要： 本发明提出一种具有带通和高通双重功能的基于体声波谐振器的滤波器，包括一条串联支路和N条并联支路，N为大于等于3的正整数，其中：串联支路中包含N+1个串联体声波谐振器；每条并联支路中包含1个电感和1个并联体声波谐振器，电感第一端连接在串联支路中的两个相邻的串联体声波谐振器之间，电感第二端与该电感所在的并联支路中的并联体声波谐振器的第一端连接，该并联支路中的体声波谐振器的第二端与电学地平面连接，并联支路之间接有跨接电容。该滤波器利用体声波谐振器和电感级联形成高滚降带通和高通滤波器。

摘要： 本实用新型公开了一种LC电路结构，所述结构包括：相连的电容和电感，所述电感为第一单层微带线，所述电容为沿一条直线间隔分布的第二单层微带线和第三单层微带线，所述第一单层微带线和所述第二单层微带线相连。在高频段工作状态下使用上述结构时，电感值更加精确，电容值可调节到极小状态，同时又避免了电容击穿情况的发生；并且，单层微带线的使用减小了电路的体积，节约了生产成本。相应地，本实用新型公开的低通LC电路结构、高通LC电路结构和高低通数字移相器，也同样具有上述技术效果。