高通

摘要： 5月17日,2022年世界电信和信息社会日大会在内蒙古自治区呼和浩特市盛大开幕。数字经济是本次大会热议的话题,作为ICT产业的代表,高通是数字经济产业的重要参与者和贡献者,高通中国区董事长孟樸代表高通在大会上发表了题为《以开放创新生态,推动数字经济高质量发展》的精彩演讲。

摘要： 全面屏手机的迅速崛起,明确了人们对"高屏占比"的追求。屏下指纹不仅提供安全可靠、极速识别和颇具未来感的便携解锁体验,还能满足用户对更大、更完整和更美观的屏幕视觉追求,成为当前普及度最广、认可度最高的解锁方案之一。今天高通官方再次带来了对3D Sonic Max超声波指纹传感器的介绍,大尺寸+双指纹,解锁更快更安全。因为出汗潮湿、油污、灰尘等导致的指纹解锁失败大概是每一个使用手机指纹解锁的用户都会遇到的问题。

摘要： 2022年世界移动通信大会(以下简称MWC2022)于2月28日—3月3日在西班牙巴塞罗那会展中心举办。作为信息通信发展的风向标,世界移动通信大会上的展览展示与最新发布备受瞩目。发布新品牌Snapdragon Connect,进一步部署“统一的技术路线图”作为无线网络连接和移动芯片发展的领头羊,高通在连接技术、终端侧AI、计算处理领域长期处于领先地位。随着智能网联边缘的不断扩展和元宇宙的兴起,其潜在市场规模不断扩大。高通也在通过“统一的技术路线图”把握这些机遇,所覆盖的业务也随之越来越多元化。

摘要： 最近我们聊新机总离不开新一代骁龙8移动平台,其热度如此之高,不仅“归功”于此前高通骁龙888系列的“热度”话题,更在于新平台将直接定义2022年高端手机性能的起跑线。继高通骁龙855、骁龙870之后,将“首发”刻入DNA的联想再度出手,凭借全新旗舰moto edge X30拿下了新骁龙8的全球首发(不是PPT发布的那种)。我们正好凭借这款新机,一边零距离考察新一代骁龙平台的性能表现,一边来看看摩托罗拉这一曾经的手机巨头能否实现“王者归来”。

摘要： 这是2022年的第一期杂志,首先还是和大家说声新年快乐,我们彼此之间新一年的陪伴就此开始啦,谢谢各位读者朋友一直以来的支持和关爱。2021年的最后一个月,消费电子业界最热的,自然就是智能手机旗舰SoC的话题了,今年又是特别精彩,一个你来我往的时间线,简直太有意思了。11月,联发科抢在高通之前推出了天玑9000真旗舰级别的处理器,成功“截胡”了在每年12月初发布的高通骁龙8系列旗舰,将4nm工艺/Cortex-A510/Cortex-A710/Cortex-X2等一系列新特性抢先公布于世,让按部就班的高通好不郁闷。

摘要： 2020年,Wi-Fi 6标准的设备才开始大量普及,2022年初,支持下一代无线网络技术“Wi-Fi 7”标准的设备就已经在MWC世界移动通信大会(以下简称MWC)上“闪亮登场”。这就是芯片巨头高通宣布推出的全球首个Wi-Fi 7解决方案—FastConnect 7800。该方案带来了5.8Gbps的峰值下载速度、低于2ms的持续低时延以及高频多连接并发等多项革新性技术。

摘要： 高通日前正式宣布,已完成对以色列移动网络自动化与管理企业Cellwize的收购,以进一步增强高通在推动5G无线接入网(RAN)创新和普及方面的领先优势。

摘要： 可穿戴设备经过数年发展之后,如今已经被市场和用户广泛认可,成为一个重要的智能产品类别。在过去几年中,高通、MTK、苹果等都推出了可穿戴平台的相关芯片,但是其中大部分产品的整体效能和实际使用体验还存在一些缺陷,比如电池续航时间不够长、性能过于孱弱等。2022年7月,高通发布了全新骁龙W5系列可穿戴平台,针对过去此类芯片的痛点进行了全面革新。那么,这一全新可穿戴平台在性能、架构和续航方面的表现如何?它真的能在很大程度上改善现有可穿戴设备的各种问题吗?

摘要： 至瑧拍摄体验----vivo X60 Pro+系列手机发布在2021年1月21日,vivo X60 Pro+手机正式发布。作为注重成像素质的影像旗舰产品,vivo X60 Pro+较X60、X60 Pro有全方位的提升。处理器方面,X60 Pro+全球首批搭载5nm制程工艺的高通骁龙888芯片,在性能、5G、拍照、Al和游戏方等面都有突破性的全面提升。

摘要： 1月26日,摩托罗拉终于正式为中国市场带来了其全新智能手机—motorola edge s,这不仅是摩托罗拉在国内发布的首款edge机型,也是全球首款采用高通骁龙870旗舰级芯片的智能手机新品。官方对于edge系列的定义是“edge既代表着当下Z时代人群守界亦破界的态度,也是对他们不甘现状勇拼搏状态的完美诠释”。2020年摩托罗拉推出的edge+风靡海外,一度被摩粉誉为“高端旗舰,王者归来”,这也是此次首次登陆国内市场的motorola edge s备受瞩目的重要原因之一。而GEEK也在发布会开始前一周就拿到了这款新机,因此有机会为大家带来最新鲜的使用体验报告。

摘要： 本发明的课题为，提供一种在高浓度铁基合金组成范围内具有相当高的玻璃形成能力，具有1.60T以上的高饱和磁通密度、低矫顽力、高有效磁导率、以及良好的非晶形成能力和优越的机械强度和延展性、加工性的高磁通密度软磁铁基非晶合金。通过以下特征以解决上述课题，含有作为合金元素的铁、硼、硅以及磷，合金组成表示为Fe

摘要： 本发明涉及一种高饱和磁通高传输能力高直流叠加的软磁材料，其包含如下含量的主成分：Fe2O3为58～65mol％、ZnO为11～15mol％、NiO为4～6mol％、余量为MnO；相对主成分的总重量还包含如下含量的副成分：CaO为0.01～0.04wt％，Nb2O5为0.02～0.05wt％，TiO2为0.02～0.08wt％，MoO3为0.01～0.03wt％，V2O5为0.02～0.06wt％。本发明软磁材料具有超越传统锰锌铁氧体性能上限的较高饱和磁通密度Bs和较大磁通偏移量ΔB，因而具有较强抗饱和性能和功率传输能力；相比金属磁芯材料具有较低的功耗，特别适合在直流叠加很大、电压较低、频率不高的多种应用场合实现更稳定的电感功能。

摘要： 本发明的课题为，提供一种在高浓度铁基合金组成范围内具有相当高的玻璃形成能力，具有1.60T以上的高饱和磁通密度、低矫顽力、高有效磁导率、以及良好的非晶形成能力和优越的机械强度和延展性、加工性的高磁通密度软磁铁基非晶合金。通过以下特征以解决上述课题，含有作为合金元素的铁、硼、硅以及磷，合金组成表示为Fe

摘要： 本发明涉及一种高饱和磁通高传输能力高直流叠加的软磁材料，其包含如下含量的主成分：Fe2O3为58～65mol％、ZnO为11～15mol％、NiO为4～6mol％、余量为MnO；相对主成分的总重量还包含如下含量的副成分：CaO为0.01～0.04wt％，Nb2O5为0.02～0.05wt％，TiO2为0.02～0.08wt％，MoO3为0.01～0.03wt％，V2O5为0.02～0.06wt％。本发明软磁材料具有超越传统锰锌铁氧体性能上限的较高饱和磁通密度Bs和较大磁通偏移量ΔB，因而具有较强抗饱和性能和功率传输能力；相比金属磁芯材料具有较低的功耗，特别适合在直流叠加很大、电压较低、频率不高的多种应用场合实现更稳定的电感功能。

摘要： 本发明的一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器，包括设置在压电基板上的天线端子、发射端子和接收端子，天线端子与发射端子之间连接有发射滤波器，天线端子与接收端子之间连接有接收滤波器，所述接收滤波器具有串联臂以及与串联臂连接的多个并联臂，串联臂上设置有DMS滤波器和多个串联臂谐振器，每个并联臂上设置有并联臂谐振器；所述DMS滤波器与接收滤波器的所有并联臂谐振器进行共地连接。本发明所提供的双工器，在不增加额外器件以及结构复杂度的情况下，能够较好的改善了通带隔离度以及提高了高通频带低频侧的陡峭度，提高了双工器性能，具有较强的实用性。

摘要： 本发明涉及半导体集成电路领域，其公开了一种新型的高稳定性、功耗小且占用面积小、容易集成的基于忆阻器件的低通滤波器，该低通滤波器具有输入端和输出端，其包括第一忆阻器件及负载电阻，所述第一忆阻器件的顶电极连接输入端，其底电极接输出端并通过所述负载电阻接地。此外，本发明还公开了基于忆阻器件实现的高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器，均具备高稳定性、功耗小且占用面积小、容易集成的优势，适用于对信号的滤波。

摘要： 本发明的一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器，包括设置在压电基板上的天线端子、发射端子和接收端子，天线端子与发射端子之间连接有发射滤波器，天线端子与接收端子之间连接有接收滤波器，所述接收滤波器具有串联臂以及与串联臂连接的多个并联臂，串联臂上设置有DMS滤波器和多个串联臂谐振器，每个并联臂上设置有并联臂谐振器；所述DMS滤波器与接收滤波器的所有并联臂谐振器进行共地连接。本发明所提供的双工器，在不增加额外器件以及结构复杂度的情况下，能够较好的改善了通带隔离度以及提高了高通频带低频侧的陡峭度，提高了双工器性能，具有较强的实用性。

摘要： 通过在例如连接到放大器输入、输出或两者的多级阻抗匹配网络中使用低通型宽带阻抗变换器（LPMN）而不是宽带匹配网络，来提高宽带RF放大器（M1）的工作带宽。多级阻抗匹配网络包括串联连接的三个级。第一级是低通型宽带阻抗变换器（LMPN，LPMN1），其提供宽带低反射基波阻抗和用于二次谐波的高反射。第二级是控制二次谐波反射系数相位的位置的相移器。第三级是高通输入匹配电路（MN，MN1），其将复共轭器件输入阻抗变换为实阻抗。三级阻抗匹配网络提供用于宽带操作的基波和谐波频率阻抗以及二次谐波反射系数相位的可控性，其中，器件性能跨预期带宽是一致的。

摘要： 本发明提出一种具有带通和高通双重功能的基于体声波谐振器的滤波器，包括一条串联支路和N条并联支路，N为大于等于3的正整数，其中：串联支路中包含N+1个串联体声波谐振器；每条并联支路中包含1个电感和1个并联体声波谐振器，电感第一端连接在串联支路中的两个相邻的串联体声波谐振器之间，电感第二端与该电感所在的并联支路中的并联体声波谐振器的第一端连接，该并联支路中的体声波谐振器的第二端与电学地平面连接，并联支路之间接有跨接电容。该滤波器利用体声波谐振器和电感级联形成高滚降带通和高通滤波器。

摘要： 本实用新型公开了一种LC电路结构，所述结构包括：相连的电容和电感，所述电感为第一单层微带线，所述电容为沿一条直线间隔分布的第二单层微带线和第三单层微带线，所述第一单层微带线和所述第二单层微带线相连。在高频段工作状态下使用上述结构时，电感值更加精确，电容值可调节到极小状态，同时又避免了电容击穿情况的发生；并且，单层微带线的使用减小了电路的体积，节约了生产成本。相应地，本实用新型公开的低通LC电路结构、高通LC电路结构和高低通数字移相器，也同样具有上述技术效果。