高线性度

摘要： 近日,天津工业大学杨光课题组报道了一种基于静电纺氧化锡锑纳米纤维(ATO)的高灵敏度、方向识别、透明柔性应变传感器。该应变传感器不仅展示出了高透明度(透光率约80%)和出色的传感性能(包括高灵敏度、高线性度、低滞后、良好的重复性和耐用性),更重要的是传感器显示出显著的各向异性传感性能,实现了其不受干扰的单向传感能力,即仅响应沿纳米纤维方向的应变,为开发方向识别透明柔性传感器提供了一种新的思路。

摘要： 设计了一款基于相位失配的高线性度Doherty功率放大器(DPA),通过调节输出和输入相位失配网络,改善DPA的幅度-相位(AM-PM)特性并兼顾回退和饱和性能,并基于0.25μm Ga N HEMT工艺,设计了一款全集成DPA来验证上述方法。实测结果显示,在6.3 GHz处,AM-PM<2°,AM-AM<0.3 d B,饱和功率为41.1 d Bm,6 d B回退漏极效率为45%,使用峰均比(PAPR)为7.8 d B的100 MHz调制信号,在33 d Bm处,邻信道功率泄漏比(ACPR)<-43.6 d Bc。

摘要： 为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器的线性度和稳定静态电流。同时,为了扩展放大器的带宽和提高增益平坦度,设计了负反馈电路结构。基于2μm磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)工艺和达林顿结构,设计了单片微波放大器。电磁仿真结果表明:在5 V电压供电下,静态功耗为0.17 W,本放大器在0.05~10 GHz频率范围内,小信号增益最大为21 dB,输出功率三阶交调点最大为31.1 dBm,输出功率1 dB压缩点最大为16.1 dBm,回波损耗均小于-10 dB,高低温下静态电流波动±1.5 mA。

摘要： 针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)0.25μm工艺,设计了一款1~6 GHz正电压控制的高线性度微波单片压控衰减器(VCA)。该压控衰减器控制管芯选择电阻变化率更小的D-mode PHEMT晶体管,通过电压浮地技术和采用片上集成隔直电容的方式,对传统的T型衰减电路的拓扑结构进行改进,从而实现0~5 V的正电压控制和高线性度。芯片在片测试结果表明,基态插入损耗小于2.3 dB,端口输入、输出电压驻波比小于1.6∶1,压控衰减器的衰减动态范围为0~28 dB,芯片尺寸为1.75 mm×1.35 mm×0.1 mm。

摘要： 面向高速串行接口发送端应用,设计了具有二阶去加重均衡功能的高线性度大摆幅四电平脉冲幅度调制(4 pulse amplitude modulation, PAM4)电压模驱动电路。采用查表的方式对信道损耗进行灵活补偿;在输出端并联两个电阻解决传统电压模驱动电路设计中线性度较低的问题;采用反相器堆叠的推挽式结构实现了高输出摆幅;提出一种新型电平转移电路,解决了连续0或1数字码产生的直流电平漂移问题。仿真结果表明,驱动电路的电平失配率为97.9%,去加重均衡实现6.6 dB、13 dB和19.6 dB三种去加重级数,差分输出摆幅为2 V,功耗效率为2.3 mW/(Gbit/s)。

摘要： 采用0.5μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺技术设计了一款10～1000 MHz具有低噪声和高线性度的超短波低噪声放大器.该放大器利用有源偏置电路和共源共栅结构设计而成,提出的新型有源偏置电路使该低噪声放大器(LNA)能够在复杂的环境中稳定地工作.仿真结果表明,在工作频带内,增益高于22 dB,噪声系数低于0.7 dB,输出1 dB压缩点高于26 dBm,输出三阶交调点高于43 dBm.

摘要： 基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款应用于超高速光通信的四级脉冲幅度调制(PAM4)光发射机驱动电路.整体电路包括两路高速非归零码(NRZ)通道(最高有效位通道和最低有效位通道)、时钟缓冲级、电流模式逻辑(CML)加法器和输出缓冲级.鉴于PAM4信号的高线性度要求,为解决传统设计中电平失配率(RLM)较低的问题,设计了带有低压共源共栅电流镜的CML加法器,避免电流镜像不精确和输出阻抗随加法逻辑变化所带来的非线性因素.同时,针对传统输出级带宽不足与摆幅过小的问题,设计了有源电感负载的ft倍频器结构,在实现同等增益下更高电路带宽的同时,突破传统输出级设计中输出摆幅与阻抗匹配之间的矛盾.后仿真结果表明,在电源电压3.3 V、输入信号为两路100 mV的25 Gb/s NRZ信号的条件下,所设计的两路高速NRZ通道可实现约18.3 dB的增益和19.65 GHz的带宽,带宽范围内等效输入噪声电压小于37.6 nV/Hz.整体电路可实现50 Gb/s PAM4输出信号,输出眼图清晰,且获得了RLM为98.6％的高线性度,输出摆幅达1.5 V.

摘要： 针对大电流注入探头应用于大电流注入等效强场电磁辐射试验时阻抗容易发生非线性变化的问题,通过分析大电流注入的方式,对现有的商品化电流探头进行了线性度测试.测试结果表明,注入功率增大,不同频点的线性误差也随之增大.提出了研制大功率高线性度电流探头的方案,进行研制并通过了测试.自行研制的电流注入探头最大耐受功率可达500 W,插入损耗随注入功率变化具备良好的线性度0.3 dB@1-500 W,可以满足开展大电流注入等效强场电磁辐射效应试验的技术需求.

摘要： 采用0.5μm GaAs E-pHEMT工艺设计了一种0.1～6 GHz的高线性度射频放大器.结合达林顿电路与共源共栅电路结构,提出了一种新型放大器电路结构,以提高增益平坦度和扩展带宽.同时,针对线性度较低的问题,在有源反馈偏置电路中采用了并联反馈电容的方法来抑制谐波分量的影响,从而提高放大器的线性度.仿真结果显示:在放大器的工作频段内,小信号增益为22.5 dB,增益平坦度为±0.5 dB,噪声系数小于1.7 dB.在频率为4.2 GHz处OIP3可达48 dBm,0.8 GHz处P1dB可达21.4 dBm.版图尺寸为0.85 mm×0.85 mm.

摘要： 展示了一款基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计的高线性宽带放大器芯片,该芯片可覆盖P波段、L波段、S波段,实现宽带放大。放大器采用三级级联结构,包括输入级、中间级和输出级。输入级采用两级级联的共栅结构,在实现输入宽带匹配的同时,可有效提升隔离度,并提供一定的电压增益;中间级采用高输入阻抗的共源结构分布式放大电路,延展带宽,通过电压传递的方式降低级间匹配难度,减少片上电感使用;输出级在传统的共源结构基础上,通过电感负载及增加电阻负反馈的功率放大器设计方法,在延展带宽的同时提高了线性度,折中功率输出,PAE得到优化。芯片通过流片面积为0.7 mm×1.2 mm,测试结果显示,该放大器工作频率可覆盖500 MHz~2.5 GHz,工作带宽>1.5 GHz,相对带宽达到100%,OP_(1dB)>9 dBm,增益S_(21)>16 dB,达到了宽带放大和高线性度性能要求,验证了本文所述理论的正确性,满足综合射频(通信、雷达、电子战)应用需求。

摘要： 本文提出了一种新型的锯齿波产生电路,实现了满摆幅输出范围内锯齿波电压信号的高线性度。本文进行了理论分析,提出电路设计的改进方案,最后进行Hspice仿真验证。仿真结果表明改进之后的电路在满摆幅输出情况下能够达到很好的线性度。

摘要： 该文提出由ＶＭＯＳ器件组成电压／电流变换器即跨导运算放大器。分析了ＶＭＯＳ基本差动输入级的传输特性，提出一种可调高线性度ＶＭＯＳ电压／电流变换电路。

摘要： 一种功率放大器预失真校准技术以不同的功率电平发送两个数据包以在校准中使用。在发送每个数据包时，通过环回路径由相同的装置接收每个数据包。然后对两个所接收的数据包进行处理以形成进行数字预失真所需的信息。

摘要： 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的Cascode结构和创新的失真抵消通路，其中，所述失真抵消通路与所述Cascode结构的共射极晶体管集电极和共基极晶体管的发射极相连接，所述失真抵消通路包括并联了电容的共基极晶体管和集电极-基极短路连接的晶体管，所述低噪声放大器的阻抗匹配通过电阻串联电容的并联负反馈实现。本发明采用失真抵消通路，实现了宽带的高线性和线性度的可调谐；芯片面积有了极大的减小。

摘要： 一种功率放大器预失真校准技术以不同的功率电平发送两个数据包以在校准中使用。在发送每个数据包时，通过环回路径由相同的装置接收每个数据包。然后对两个所接收的数据包进行处理以形成进行数字预失真所需的信息。

摘要： 本发明涉及线性光电隔离的技术领域，具体涉及一种小体积高线性度的线性光耦器件，该器件包括：发光二极管芯片、厚膜基板、弯月穹顶以及两个光敏二极管芯片；厚膜基板的中心区域设置有镀金焊盘，在镀金焊盘的中心点安装有发光二极管芯片；两个光敏二极管芯片安装在镀金焊盘的表面，并且与镀金焊盘中心点对称；在镀金焊盘上印刷有导带，用导带连接各个芯片的引脚，使整个器件形成通路；弯月穹顶内表面电镀有粗糙化处理的反射镜面，弯月穹顶安装在厚膜基板上，且镀金焊盘上的芯片位于弯月穹顶内；本发明采用弯月穹顶结构，其内部采用粗糙化处理的反射镜面，让两个光敏二极管芯片能够均匀接收光源，实现了光敏电流的统一。

摘要： 本发明属于射频微波集成电路技术领域，具体为一种采用线性度优化技术的宽带高线性度低噪声放大器。该低噪声放大器主要包括：放大器和反馈电阻所组成的输入匹配级、中间放大级、噪声消除级和由自负载结构组成的线性度优化级。噪声消除级通过放大交叉耦合的输入信号，使得输入的有用信号在输出端叠加而噪声信号在输出端抵消，降低了整体噪声系数。本发明采用自负载技术作为线性优化级结构，对低噪声放大器的增益、输入匹配和噪声系数等影响较小，线性度提升较高；在0.3‑4GHz的工作频段内，能达到大于10dB的线性度优化效果。

摘要： 本发明涉及一种高线性度多通道光载无线通信链路系统及线性度优化方法，本发明将微波光子技术与拉格朗日乘子法最优化技术相结合，利用微波光子技术大带宽、高频率、抗电磁干扰的固有优势，对影响系统线性度的参数进行建模优化，求解系统的最优工作点，实现降低链路的非线性失真，提高系统的无杂散动态范围和带宽的目的，该发明方法利用激光器、偏振复用马曾调制器、偏振控制器、起偏器和光电探测器等器件，仅仅通过使用偏振控制器改变偏振入射角，即可实现三阶交调失真和二阶谐波失真的抑制，具有高线性度、大带宽、结构紧凑和操作简单的优点。

摘要： 本发明的各实施例涉及一种高线性度射频电路，其能够在不同电压、电流或功率水平下，电路特性能保持一致。本发明公开了包括级联的二极管和连接偏置支路的二极管模块的实施例以改善射频电路的线性度。所述二极管模块包括反向级联的多个二极管。此外，二极管模块还包括与二极管对并联的连接偏置支路。这种反向级联二极管与连接偏置支路交替联接的配置增加了二极管模块的鲁棒性以处理来自射频路径的高输入电压或功率，从而为射频电路提供了相较于单独的二极管配置更高的线性度。

摘要： 本发明公开了一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片，包括本振巴伦、射频巴伦、两个本振阻抗匹配网络、两个射频阻抗匹配网络、肖特基二极管混频核、中频滤波网络；其中，所述本振巴伦通过两个所述本振阻抗匹配网络与所述肖特基二极管混频核连接，所述射频巴伦通过两个所述射频阻抗匹配网络与所述肖特基二极管混频核连接，所述射频巴伦与中频滤波网络连接。本发明通过对肖特基二极管混频核和中频滤波网络拓扑结构的改变，优化了混频器的线性度和RF－IF隔离度，改变了电路拓扑结构，从而优化了混频器的整体性能，提高了芯片实用性。

摘要： 本发明涉及线性光电隔离的技术领域，具体涉及一种小体积高线性度的线性光耦器件，该器件包括：发光二极管芯片、厚膜基板、弯月穹顶以及两个光敏二极管芯片；厚膜基板的中心区域设置有镀金焊盘，在镀金焊盘的中心点安装有发光二极管芯片；两个光敏二极管芯片安装在镀金焊盘的表面，并且与镀金焊盘中心点对称；在镀金焊盘上印刷有导带，用导带连接各个芯片的引脚，使整个器件形成通路；弯月穹顶内表面电镀有粗糙化处理的反射镜面，弯月穹顶安装在厚膜基板上，且镀金焊盘上的芯片位于弯月穹顶内；本发明采用弯月穹顶结构，其内部采用粗糙化处理的反射镜面，让两个光敏二极管芯片能够均匀接收光源，实现了光敏电流的统一。

摘要： 本实用新型涉及一种通用小型化高线性度线性调频微波信号发生器，包括控制器，其第一输入端接外部SPI接口电路，其第一输出端与基带信号产生电路的第一输入端相连，其第二输出端与频谱扩展电路的第一输入端相连，射频开关电路的第一输入端接收外部参考输入信号，射频开关电路的输出端与基带信号产生电路的第二输入端相连，基带信号产生电路的输出端与频谱扩展电路的第二输入端相连，频谱扩展电路的输出端与输出驱动放大电路的输入端相连，输出驱动放大电路的输出端与谐波抑制电路的输入端相连，谐波抑制电路的输出端作为发生器的输出端。本实用新型可以方便的实现输出各种不同中心频率、不同带宽、不同调频周期的高线性度线性调频微波信号。