饱和发生率
饱和发生率的相关文献在2008年到2022年内共计70篇,主要集中在数学、普通生物学
等领域,其中期刊论文70篇、专利文献162746篇;相关期刊42种,包括北华大学学报(自然科学版)、中山大学学报(自然科学版)、黑龙江大学自然科学学报等;
饱和发生率的相关文献由108位作者贡献,包括徐瑞、胡志兴、韦煜明等。
饱和发生率—发文量
专利文献>
论文:162746篇
占比:99.96%
总计:162816篇
饱和发生率
-研究学者
- 徐瑞
- 胡志兴
- 韦煜明
- 刘茂省
- 彭华勤
- 杨俊仙
- 赖祥鑫
- 陈辉
- 刘国永
- 崔倩倩
- 廖福成
- 张强
- 李桂花
- 王辉
- 田晓红
- 陈桦剑
- 丁亚君
- 卢金梅
- 吕学进
- 孔建云
- 孟新柱
- 李文俊
- 李灿
- 杨彩虹
- 杨霞
- 王雷宏
- 郭尊光
- 闫萍
- 马慧莲
- 马成军
- 云小龙
- 侯文涛
- 凌琳
- 刘浩
- 刘群12
- 刘苏雨
- 刘颖芬
- 吕闯
- 吴元翠
- 吴梦媛
- 吴琼
- 商宁宁
- 夏米西努尔·阿布都热合曼
- 孙法国
- 季语
- 尹珊珊
- 常琨
- 张学良
- 张晋珠
- 张晓丹1
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黎丽;
陈桦剑
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摘要:
提出一项具有饱和发生率和Levy噪声的随机SIQS传染病模型。首先,利用Lyapunov方法和Ito公式,讨论了模型全局正解的存在性和随机一致有界性质。其次,探讨对应的确定性模型平衡点附近的渐近行为。最后,定义随机SIQS模型的基本再生数Rs0。当Rs01,传染病持久。
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邢青红;
李灿;
马慧莲;
郭尊光
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摘要:
研究一类具有胞内时滞和饱和发生率的HIV感染动力学模型,通过计算得到了病毒感染的基本再生率。进而,通过分析特征方程根的分布,讨论了系统可行平衡点的局部渐近稳定性。根据构造的Lyapunov泛函,证明了当基本再生率小于1时,病毒未感染平衡点是全局渐近稳定的。利用无穷维动力系统的持续生存理论证明了当基本再生率大于1时,系统是一致持续生存的。最后,采用比较原理和单调迭代技巧,给出了病毒感染平衡点全局吸引的充分条件。
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赵彦军;
李辉来;
李文轩
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摘要:
考虑一类受环境噪声影响,具有饱和发生率和心理作用的随机SIR传染病模型.通过构造Lyapunov函数并利用It(o)公式,得到该模型正解的全局存在唯一性,并证明:当随机基本再生数R*≤1时,无病平衡点是随机渐近稳定的,此时疾病将灭绝;当R*>1时,疾病将随机持续下去.数值模拟结果验证了理论结果的正确性.
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云小龙;
赵景服
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摘要:
讨论了一类具有饱和发生率的传染病SEIQR模型,分析了平衡点的稳定性.首先给出了决定疾病流行与否的阈值——基本再生数R0,然后通过构造Lyapunov函数,由LaSalle不变集原理证明了R01时地方病平衡点P*的全局渐近稳定性.
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陈桦剑;
韦煜明
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摘要:
该文提出一个具有饱和发生率和恢复率的潜伏期时滞SEIR模型,讨论模型平衡点的存在性.通过构建李雅普诺夫函数,利用LaSalle不变集原理和Hurwitz定理讨论模型的平衡点稳定性,指出:当R_(0)≤1时,模型的无病平衡点全局渐近稳定;当R_(0)>1时,地方病平衡点局部渐近稳定.
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陈桦剑;
韦煜明
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摘要:
该文提出一个具有饱和发生率和恢复率的潜伏期时滞SEIR模型,讨论模型平衡点的存在性.通过构建李雅普诺夫函数,利用LaSalle不变集原理和Hurwitz定理讨论模型的平衡点稳定性,指出:当R0≤1时,模型的无病平衡点全局渐近稳定;当R0>1时,地方病平衡点局部渐近稳定.
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马艳丽;
褚正清;
李红菊
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摘要:
建立了一个具有饱和接触率和混合控制策略的SEIQR传染病模型,从理论和数值模拟方面分析了模型的稳定性.首先,得到了疾病灭绝与否的阈值——基本再生数R0;其次,当R01时,根据Routh-Hurwitz判据定理证明了地方病平衡点局部渐近稳定;然后,当R0>1时,运用周期轨道稳定性理论和第二加性复合矩阵证明了地方病平衡点全局渐近稳定,疾病持续存在;最后,利用计算机仿真,进一步证实理论分析的正确性.
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赖祥鑫;
韦煜明;
彭华勤
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摘要:
该文研究一类具有饱和发生率和受媒体报道影响的SIRI传染病模型,通过分析得到了确定性模型的基本再生数R0,讨论了确定性模型的无病平衡点和地方性平衡点的存在性;通过利用停时理论和构造Lyapunov函数,证明随机模型全局正解的存在唯一性,讨论随机模型的解在相应确定性模型的无病平衡点和地方性平衡点附近的震荡行为,最后通过数值模拟验证该结果.
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赖祥鑫;
韦煜明;
彭华勤
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摘要:
该文通过引入随机波动,从确定性框架到随机框架,研究了一类具有饱和发生率以及媒体报道的SIS传染病模型.该文首先考虑了确定性模型的动力学特性以及证明了随机模型具有唯一的全局正解,然后给出了随机模型疾病灭绝的两个充分条件,而且给出了疾病随机持久的一个充分条件,最后通过数值模拟验证以上结果.
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- 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
- 公开公告日期:2022-05-06
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摘要:
本发明涉及降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺,包括涂蜡贴附、粗抛、中抛、精抛、剥离及去蜡清洗工序。通过在抛光布不同布时期间,调整抛光压力、中精抛时间以及抛光液流量等工艺条件弥补布时中后期修复损伤层能力不足:中精抛布时周期均为80h,在布时50h之前采用一贯CMP工艺:中抛压力2.2~2.4kg/cm2,中抛光液流量1.9~2.1L/min,精抛光液流量0.4~0.6L/min,中抛时间8~12min,精抛时间7~9min,抛头和定盘转速35~45rpm;在布时50h之后,中抛压力提高到2.5~2.7kg/cm2,中抛光液流量提高到2.4~2.6L/min,精抛光液流量提高到0.7~0.9L/min,中抛时间延长到15~17min,精抛时间延长到9~11min,粗抛抛头和定盘转速55~65rpm,中精抛抛头和定盘转速35~45rpm。通过改进降低抛光雾的发生率,并在不降低抛光布使用寿命情况下使得整个布时周期过程均保持高抛光质量。
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