靶材

摘要： 近日,金堆城钼业股份有限公司技术中心科研团队顺利完成客户订购的3套高纯大尺寸钼铌合金管状靶材的交付,制备的钼铌合金管状靶材直径大于150 mm、长度达到2100 mm,纯度可达99.99%,O(氧)含量小于0.05%(质量分数)。钼铌靶材主要用于溅射制备LCD/OLED高端液晶显示屏及太阳能电池的电极和布线材料,是平板显示及光伏行业不可或缺的重要基材。团队经过不懈的努力,基于前期的基础研究,攻克了大规格钼铌合金靶材制粉、烧结、加工等关键工艺难题,掌握了大尺寸靶材的核心制备技术。经第三方机构检测,制备出的钼铌合金靶材的各项指标达到要求。在此基础上项目组承接了用户管状靶材的订购需求,并在约定的周期内顺利交付。此外,项目组也正在加紧液晶面板高世代线用大尺寸钼铌合金板状靶材的加工制备并及时交付用户认证。

摘要： 大尺寸高密度ITO靶材是我国当前的“卡脖子”技术,现有镀膜生产线对ITO靶材的相对密度要求达到99.7%以上,而ITO靶材在烧结初期的致密化过程对高密度ITO靶材的烧结至关重要。本研究着重对ITO靶材烧结初期的致密化过程进行了探讨,分析了喷雾造粒粉体的松装密度、生坯密度、烧结温度等对ITO靶材烧结初期致密化过程的影响。

摘要： 将6种不同组织结构的钼靶材进行抗氧化性试验,对靶材的金相组织,腐蚀速率,极化腐蚀表面进行表征,讨论分析了不同组织结构钼靶材的抗氧化性能。结果表明:对于同一等轴晶体的钼靶材,晶粒尺寸越大,抗氧化性能越优异;对于同一扁平态晶体的钼靶材,随着退火温度增加,晶界所占面积率越小,抗氧化性能越优异;不同组织形态的晶体,在抗氧化性上未表现出明显的差异;对于同一组织结构的样品,随着其表面粗糙度增加,抗氧化能力逐渐减弱。

摘要： 本研究选择3种典型纯度99.9%、99.99%、99.999%铜靶材模拟批次性差异,用相同磁控溅射工艺制备薄膜。用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、霍尔测试系统测试表征,分析不同溅射靶材对薄膜的微观结构和电阻率的影响。通过微加工光刻技术将上述铜薄膜制备成桥箔,用电爆炸测试系统研究了铜爆炸箔电爆炸性能。测试结果表明:在高电压2.1 kV时,99.999%Cu桥箔爆发时刻为257 ns,峰值电压为1473 V,峰值功率为1640400 W;而纯度为99.9%铜桥箔,相比于前者其爆发时刻延迟了12.45%,峰值电压降低了12.22%,峰值功率降低12.29%。说明在实际工程应用中,靶材纯度不同会影响电爆炸参数的一致性。

摘要： 以高纯稀土钇材料、铜及6061Al合金材料为研究对象,研究了高纯稀土钇靶材的钎焊与扩散焊接性能.结果 表明,稀土钇靶材对In焊料的浸润性差,需要对靶材进行金属化处理,提高靶材的焊接性能;研究不同钎焊焊接温度对稀土钇靶材焊接质量的影响,焊接温度越高靶材焊合率越高,与焊料的流动性提高有关;开展高纯稀土钇靶材与6061Al合金的扩散焊接技术研究,在焊接温度400°C,压力110 MPa,保温3h的扩散焊接后,扩散区深度约为8μm,焊接界面实现冶金结合,焊接强度达到70 MPa,满足8～12英寸大尺寸靶材的高溅射功率要求.

摘要： 近日,金堆城钼业股份有限公司(以下简称金钼股份)技术中心《钼镍系合金产品的研发与应用》项目组研发的钼镍系合金靶材顺利通过客户三轮次的严格认证,并喜获首个钼镍系合金靶材订单,订单总额超十万元。此订单不但属于靶材系列新产品订单,而且打破了公司以往靶材新品研发的市场跟随策略,以客户终端需求为目标,自主设计合金成分,积极解决客户应用问题.

摘要： 锇靶是制备M型阴极常用的一类靶材,须具有纯度高、致密度高、晶粒细小等特性,然而,传统工艺烧结因烧结温度较高获得的靶材晶粒较粗大,对阴极覆膜沉积不利.本研究对锇粉模压成圆饼压坯,之后采用微波烧结压坯.微波烧结锇压坯过程中以碳化硅、氧化锆作为辅助加热材料,氧化铝作为保温材料,升温速率在20～30 min/°C之间.结果 表明,当随着压强从100增加到300MPa,微波烧结1500°C保温60 min后,样品相对密度从80.61％快速增加到93.44％.当压强继续增加到400MPa时,相对密度随着压强的增长变缓达到94.25％.当压强从400增加到500MPa,烧结后样品的相对密度增长不明显,并有裂纹出现.锇烧结体的相对密度和直径收缩率随着保温时间的延长先快速增加,然后缓慢增加,最后增加趋于平缓.在微波烧结1500°C下,随着保温时间的延长直径收缩率从11.67％快速增加到14.99％,然后缓慢增加到15.56％,相对密度从87.97％快速增加到93.78％,然后缓慢增加到94.25％,而孔隙的数量和尺寸随着保温时间的延长而减小,最终呈球形,晶粒尺寸在1 μm左右.

摘要： 为探究在Si(100)上反应磁控溅射制备高熵合金氮化物薄膜的工艺,文中对靶材以及薄膜的微观结构、成分、杨氏模量、硬度等进行了表征,在以AlSiTiVCrNb合金为靶材的真空腔室中通入N2进行反应磁控溅射,制备(AlSiTiVCrNb)N高熵合金薄膜,并与传统硬质薄膜进行对比分析.利用SEM/EDS确定薄膜形貌结构,厚度及表面元素分布,利用XRD对薄膜进行相结构分析,采用纳米压痕测试高熵合金氮化物薄膜的表面硬度及杨氏模量.试验结果表明:高熵合金氮化物薄膜元素含量主要受靶材与溅射产额影响,随着溅射温度,靶功率,负偏压及反应气体通入量的改变薄膜力学性能变化显著;靶材与薄膜均为NaCl型FCC结构,但随工艺参数变化,薄膜的衍射峰出现移动,且出现非晶倾向;薄膜与基底间结合力普遍较高,硬度和杨氏模量随工艺变改化而变,硬度最高可达到37.24 GPa.因而在镀膜过程中通入N2,通过调控工艺参数,可在Si基底表面生成具有较高硬度和结合能力良好的高熵合金氮化物薄膜,为高熵合金及其氮化物薄膜在刀具等多领域中的一系列应用提供试验支持.

摘要： 磁控溅射靶表面磁场的非均匀分布使靶的溅射性能受到了靶材利用率低和刻蚀均匀性差的制约,因此寻求一种较高靶材利用率且在靶材表面的大面积范围内均匀溅射的方法成为研究的热点.简要介绍了辉光放电磁控溅射技术基本原理,综述了近20年来国内外研究机构和学者提高靶材利用率及刻蚀均匀性的主要方法.对已报道的优化磁极结构、辅助磁场、动态磁场等方法,以及反常刻蚀改进方法进行了详细介绍,并对比分析了各种方法优、缺点.对磁控溅射靶材优化方法的发展趋势及用途拓展进行了展望.

摘要： 采用真空烧结技术制备了RbF:CuZnSnSe(Rb-CZTSe)的陶瓷靶材,当RbF掺杂量为0.4％(质量分数)时,研究了不同烧结温度对CZTSe陶瓷靶材微观结构、致密度、电阻率及断面形貌的影响.结果表明,当烧结温度在660°C下所制备的陶瓷靶材表现出最优的各项性能,其电阻率188 kΩ·cm和相对密度为94.68％.表明此方法所制备的Rb-CZTSe陶瓷靶材能更好的应用于工业生产.

摘要： 20世纪90年代以来靶材已蓬勃发展成为一个专业化产业,中国及亚太地区靶材的需求占有世界70％以上的市场份额.大量不同的沉积技术用来沉积生长各种薄膜,而靶材是制作薄膜的关键,品质的好坏对薄膜的意义重大.常用靶形有电弧靶、平面靶、旋转管靶。靶材质量评判较为严格，要求杂质及氧含量低、纯度高;致密度高;成分与组织结构均匀;晶粒尺寸细小。采用专利特殊绑锭方法制做粉末冶金直冷钛铝旋转管靶，其微观结构合理，可以达到密封和防水效果。硅合金靶材主要是沉积超硬膜方面的靶材，在镀膜时是多种化合物共沉积的薄膜，这种金属碳化物陶瓷与碳化硅交替沉积和咬合的薄膜不仅提高了硬度，而且还保持了碳化硅表面磨擦系数很低的特性。水晶镀膜主推是旋转管靶和平面靶。以Cr-Si靶材为例，研究其玫瑰金镀层成分随深度的变化，结果表明，镀层最表面的成分，主要是吸附的碳和氧;刻蚀至15nm深处，其成分是金和铜，是玫瑰金色的金合金主要成分;刻蚀至80nm深处，成分主要是钛和氧，是玫瑰金层下的底层。

摘要： ZrB2薄膜作为核反应堆燃料芯块的可燃中子毒物而得以应用。本文采用等静压成型加高温烧结的方法制备出ZrB2靶材，以满足磁控溅射ZrB2薄膜的需要。利用X射线衍射和能谱的方法分析了靶材的物相及成分；利用扫描电镜对烧结产物的形貌进行了观察；采用阿基米德排水法测出了ZrB2陶瓷的密度；使用所制靶材，通过磁控溅射方法在UO2芯块表面制备了ZrB2薄膜。结果表明：2000°C可以烧结ZrB2粉体；靶材相对密度约为71%；所制靶材可用于UO2燃料芯块表面ZrB2薄膜的制备。

摘要： 为研究高速碎片侵彻某型号靶材过程中的材料参数变化对侵彻破坏效应的影响，评估靶材的侵彻破坏概率，将高速碎片的质量、密度、初速和靶材的弹性模量、屈服强度等参数视为基本随机变量，运用Monte-Carlo方法，利用AUTODYN软件对高速碎片侵彻靶材的破坏过程进行了数值模拟。对数值模拟结果进行Shapiro-Wilk W检验法分析，研究材料随机参数影响下靶材侵彻破坏的频次、均值和方差。研究结果表明，受材料参数随机分布的影响，靶材的侵彻破坏行为呈现较强地随机性，侵彻深度符合正态随机分布，为某型号靶材的结构可靠性评估提供了参考。

摘要： 随着微电子技术的发展,电子设备的微型化对电源提出了更高的要求.二十世纪八十年代以来,锂电池由于自身优点获得了长足的发展和广泛的应用.因此薄膜锂电池的制备被提上日程。本实验采用校内陶瓷重点实验室的热压炉,经由热压法制备靶材.本实验采用石墨、碳化硅、刚玉等多种材料的模具制作靶材,并对实验结果进行测试,对工艺进行了初步探讨。

摘要： 溅射法与真空镀膜等其他方法相比,溅射的粒子能量高,形成的膜致密性高;膜质的控制性及合金组成的再现性高;高熔点金属及氧化物也可以成膜;成膜中的净化度高;此外还有成膜效率高、设备简单、价格较低等优点.另外,溅射最显著的一个特点是它的普遍适用性,因为作为靶材涂覆到基片上是一种化学力和热力学方法.把靶材在溅射过程中变成气相,紧密地沉积在基片上,任何材料都可以被溅射上(通常采用直流电来溅射导电靶材,高频电溅射非导电靶材).正是由于溅射的广泛适用性和经济性,近几年作为溅射镀膜的靶材材料得到了飞速的发展,靶材的品种也趋于多样化.本文采用冷、热等静压工艺,研制出了大尺寸、高密度、高纯度、组织均匀的磁控溅射Cr-W合金靶材,经客户反馈信息表明使用效果良好.

摘要： 该文介绍了脉宽为30～40ns、功率密度为1×10～2×10Wccm的紫外脉冲激光与铝靶的相互作用的实验研究。通过靶面反射激光波形等光学诊断方法分析了靶前等离子体的特性及其对靶材冲量耦合系数的影响，并确定了等离子体点火时间的阈值功率密度。

摘要： 本文开展细长薄壁弹体穿甲屈曲的实验研究和数值仿真分析.实验观察到长/短型弹体动塑性屈曲破坏分别表现为轴向皱褶型和轴向外翻撕裂型两种基本模式.不同的屈曲破坏模式与弹体几何、撞击初条件以及靶材等密切相关的.数值模拟展示了以上两类弹丸的撞击过程，再现了不同情形下的破坏和失效模式，与实验现象相符合.

摘要： 本研究以电浆电弧为加热源蒸发钨靶材,并藉由气凝合成机制,外加一套吹气装置制备氧化钨奈米棒,分别探讨腔体压力与奈米棒平均直径及产率的关系.研究结果显示,W5O14奈米棒的平均直径和产率都随着腔体压力而增加.当腔体压力从200增加至760 torr时,粉末的产率会由0.383增加至0.729 g/h,而其平均直径也从13.2增加到28.4 nm.此外藉由穿透式电子显微镜的观察可得知氧化钨奈米棒是为单晶结构,其晶格平均间距(d-spacing)为0.38 nm,晶面则是以[010]方向来成长,其成长机制则可透过气-固相(Vapor-Solid,VS)模型来作解释.

摘要： 本发明涉及借助粉末冶金制造的靶的电弧蒸发，其中成分以金属间化合物的形式存在。为了靶制造而采用以下粉末，该粉末包含第一金属间化合物和第二金属间化合物和/或第一陶瓷化合物和第二陶瓷化合物。

摘要： 本文关于用于溅射系统的磁铁配置(800,900,1000)，其中磁铁配置适于溅射系统的可旋转靶材(126a,126b)并包含：第一磁铁元件(810,910,1010)，所述第一磁铁元件沿第一轴(X)延伸；第二磁铁元件(820,920,1020)，所述第二磁铁元件环绕第一磁铁元件与第一平面(A)对称地设置；其中第二磁铁元件包含至少一个扇区(826,827,926,927,1028)，所述至少一个扇区与第一平面相交；且其中至少一个扇区的磁轴(822,922,1022)相对第二平面(B)而倾斜，所述第二平面与第一轴(X)正交。此外，本文关于用于溅射系统的可旋转靶材的靶材背管、用于溅射系统的圆柱状可旋转靶材及溅射系统。

摘要： 本发明提供一种焊接溅镀靶材以形成一大的溅镀靶材的方法。本发明还提供具有经焊接的溅镀靶材牌的溅镀靶材组件的实施例。在一实施例中，在一电子束焊接室内焊接溅镀靶材的方法，包含在位于一支撑表面上的尚未定位的至少两个溅镀靶材牌间的预定的至少一交界线上，提供溅镀靶材材料条或粉末；以该至少两个溅镀靶材牌的边缘紧邻和在溅镀靶材材料条或粉末上形成至少一交界线的方式，将该至少两个溅镀靶材牌并列配置；排出该电子束焊接室内的气体；预热该至少两个溅镀靶材牌和溅镀靶材材料条或粉末至比该至少两个溅镀靶材牌开始熔化、承受物理状态改变、或基本承受分解的温度低的预热温度；将该并列配置的至少两个溅镀靶材牌焊接成为一大的溅镀靶材。

摘要： 本发明涉及一种复合金属氧化物靶材材料、靶材及靶材材料、靶材的制备方法。其中，一种复合金属氧化物靶材材料的制备方法，包括如下步骤：取90‑95.8重量份的氧化锌、8‑8.4重量份的氧化镁、2‑2.1重量份的氧化铝、0.15‑0.25重量份的分散剂、0.07‑0.08重量份的粘结剂、以及4‑5重量份的水混合后得到混合浆料；对所述混合浆料进行喷雾造粒。上述复合金属氧化物靶材材料的制备方法工艺简单、成本低廉。由此方法制得靶材材料的颗粒大小匀称，呈球形。此外，靶材材料颗粒中各元素均匀分布于靶材材料颗粒中，进而能够满足靶材材料溅射的特性需求。

摘要： 本发明提供一种用于溅射设备的可旋转靶材座装置，其中该靶材座装置适于在该靶材座装置上接收实体靶材圆柱，该可旋转靶材座装置包含：靶材座圆柱(4)，该靶材座圆柱(4)具有侧面(3)、中间部(12)、第一末端区(7)及与该第一末端区相对的第二末端区(9)，其中该第一末端区及该第二末端区至少之一具有基本上等于或小于该中间部的外径的最大外径。

摘要： 本发明属于靶材制造技术领域，公开了铁靶材或铁镍合金靶材的晶粒细化方法，包括以下步骤：（1）一次加热保温；（2）热锻造；（3）二次加热保温；（4）热轧；（5）热处理。采用热处理和热加工相结合的方式细化铁靶材和铁镍合金靶材的晶粒，过程工艺简单可控，晶粒的细化效果好。

摘要： 本发明涉及靶材清洗方法、用于其的装置、靶材制造方法和靶材、及再循环铸锭制造方法和再循环铸锭。本发明提供一种靶材的清洗方法，所述清洗方法包括下述工序：从用接合材料将主要由金属构成的靶材与支承构件结合而形成的溅射靶中分离前述靶材的工序；以及，通过向前述靶材的附着有前述接合材料的面喷射水，从而将前述接合材料从前述靶材除去的工序。

摘要： 本发明提供一种靶材检测平台、靶材检测装置以及靶材检测方法，所述靶材检测平台为长方体；在所述靶材检测平台的上表面设有两个沿长方形上表面的宽度方向，且相互平行的条形凹槽，用于在叉车将靶材放置在靶材检测平台上表面时，容纳叉车的叉条。因此，在采用本发明所提供的靶材检测平台做靶材弯曲度检测时，可以采用叉车将靶材放置到靶材检测平台上表面，较现有技术的人工搬运靶材更为方便安全。本发明还提供一种靶材检测的方法，包括：将靶材放置在所述靶材检测平台上表面；用塞尺插入靶材检测平台上表面与靶材之间的空隙中，测量靶材与靶材检测平台上表面间的空隙高度，所述方法成本低廉，并且量测时间较短，提高了生产效率。

摘要： 本文关于用于溅射系统的磁铁配置(800,900,1000)，其中磁铁配置适于溅射系统的可旋转靶材(126a,126b)并包含：第一磁铁元件(810,910,1010)，所述第一磁铁元件沿第一轴(X)延伸；第二磁铁元件(820,920,1020)，所述第二磁铁元件环绕第一磁铁元件与第一平面(A)对称地设置；其中第二磁铁元件包含至少一个扇区(826,827,926,927,1028)，所述至少一个扇区与第一平面相交；且其中至少一个扇区的磁轴(822,922,1022)相对第二平面(B)而倾斜，所述第二平面与第一轴(X)正交。此外，本文关于用于溅射系统的可旋转靶材的靶材背管、用于溅射系统的圆柱状可旋转靶材及溅射系统。

摘要： 本公开内容涉及一种用于靶材的保护构件，和一种用于在靶材处理期间保护靶材的系统。描述一种用于在靶材处理期间保护靶材的保护构件。所述保护构件被定位成覆盖靶材。所述保护构件包括密封件。所述密封件是具有内部空腔的可充气密封件。