革命性变化

摘要： 一张从北美寄往国内的亲人照片可能需要价格不菲的邮寄费,但若换个方式,照片由互联网传送到国内商业服务机构,并在中国当地城市代为印制,附上问候祝福和精美的包装,相同的费用下甚至还足以再附送一束鲜花。在这个互联网时代下的简单商业模式中,却蕴含了带来革命性变化的新兴交叉学科--服务计算。

摘要： 交通运输是推动人和物载运的重要支撑,社会发展步伐的加快、人民生活质量的提高、经济全球化发展联系日益紧密,都伴随着交通运输的革命性变化,交通运输行业逐渐成形,各类职业应运而生。《职业》杂志为大家介绍交通运输行业发展过程中重要职业的产生与发展,以飨读者。

摘要： “这十年是中国特色现代企业制度成熟定型的十年,是国有企业发展最全面、活力效率提升最显著、布局结构优化最明显的十年。”稍早,在中宣部举行的“中国这十年”系列主题新闻发布会上,国务院国资委副主任翁杰明介绍。2012-2021年,全国国资系统监管企业累计实现增加值111.4万亿元,年均增长9%,超过GDP年均增速2.3个百分点。截至2021年底,全国国资系统监管企业资产总额达到259.3万亿元.

摘要： 交通运输是推动人和物载运的重要支撑,社会发展步伐的提速、人民生活质量的提高、经济全球化发展日益紧密,都伴随着交通运输的革命性变化,交通运输行业逐渐成形,各类职业应运而生。《职业》杂志为大家介绍交通运输行业发展史中重要职业的发展历程,以飨读者。

摘要： 工业革命以来的历次经验告诉我们:当生产力水平发生革命性变化的时候,必定有科学技术层级的提升。而科技革命与生产力变革,共同作用于管理学理论与管理实践的格局性变革。

摘要： 有一说一,如果你听说有个人只是想找一枚别针,结果却阴差阳错地找到了一枚基尼a金币,那这事儿十有八九就发生在我的好朋友吉本教授身上。我以前听过不少研究人员出乎意料地大获成功的事情,但没有一件能跟他的发现相提并论。实事求是地说,这次吉本真的发现了能让人类生活产生革命性变化的东西,一点儿也不夸张。他当时仅仅是想找到一种全功能型神经兴奋剂,让那些毫无生气的人振作起来,挺过那些难熬的日子。类似的东西我试过好几回了,我所能做的,只是尽力向吉本描述它在我身上产生的效果。对所有那些寻求各种新鲜刺激的人士来说,令人瞠目结舌的体验在等着他们,这一点很快就会变得明白无疑。

摘要： 2021是“十四五”开局之年,生态环境治理产业也将迎来全新的发展格局。未来十年,我国将实现碳达峰,并于2060年实现碳中和。而要实现碳达峰、碳中和,并非是在重点行业改变能源结构那么简单,每个行业、每个人都不会置身事外。小到平时的工作和生活习惯,大到传统行业产生革命性变化,都能为减碳做出贡献。作为耗能的污水治理产业,积极参与到实施“十四五”生态环境保护中去,助力深入打好污染防治攻坚战,为百年变局背景下可持续发展的中国未来贡献自己的力量,是企业责无旁贷的社会责任。

摘要： 今年是中国共产党成立100周年。100年来,在中国共产党的领导下,我们国家的面貌发生了前所未有的改变。随着科技飞速发展,以互联网为核心的新一轮科技和产业革命蓬勃兴起,不断给人们的生产方式和生活方式带来革命性变化。出版,凝结着人类的思想和智慧,集聚了人类的发明创造和社会实践活动的经验与成果,反映了社会生活的各个侧面。出版的历史就是人类文明的历史。

摘要： 以OTT TV (Over The Top TV)为代表的智能大屏商业化至今已逾8年,在这8年里,智能大屏在用户端发生了天翻地覆的变化。本文将从买方视角看待智能大屏的商业化进程,对智能大屏未来商业发展给出合理的建议。智能大屏在用户端发生了革命性变化从影音配件到主流设备,智能大屏成为家庭收视主力从硬件层面来看,不论是保有量,还是激活量,智能大屏已经成为家庭收视场景的主流设备。

摘要： 本发明提供一种能够检测使用了电流控制元件的存储单元阵列的故障存储单元的电阻变化型非易失性存储装置的检查方法及电阻变化型非易失性存储装置。具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）和读出电路（206）的电阻变化型非易失性存储装置（200）的检查方法，包括以下步骤：当基于第2电压读出存储单元的电阻状态时，若电阻变化元件（R11）是低电阻状态且电流控制元件（D11）中流过规定值以上的电流，则判定为电流控制元件（D11）具有短路异常的步骤；当基于第1电压读出存储单元的电阻状态时，判定电阻变化元件（R11）的状态是低电阻状态还是高电阻状态的步骤。

摘要： 一种电阻变化型非易失性存储装置，具有：多层位线（BL）；在多层位线（BL）的层间分别形成的多层字线（WL）；存储单元阵列，具有在多层位线（BL）与多层字线（WL）的交点上分别形成的多个存储单元（MC），由多个基本阵列面构成；与多个基本阵列面分别对应设置的全局位线（GBL）；与多个基本阵列面分别对应设置的第1选择开关元件以及第2选择开关元件的组；在不同的基本阵列面间，连续访问与相同字线连接的存储单元，不改变向字线以及位线施加的电压，以使流过存储单元的电流的朝向相同的方式选择存储单元。

摘要： 提供一种能够使电阻变化元件的动作窗口最大化的电阻变化元件的适当的写入方法。该写入方法是对根据被施加的电压脉冲的极性而可逆地转变为高电阻状态和低电阻状态的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，包括准备步骤(S50)和写入步骤(S51、S51a、S51b)；在准备步骤(S50)中，通过一边对电阻变化元件施加电压逐渐变大的电压脉冲一边测量电阻变化元件的电阻值，决定高电阻化开始的第1电压V1以及电阻值为最大的第2电压V2；在高电阻化步骤(S51a)中，通过对电阻变化元件施加具有第1电压V1以上且第2电压V2以下的电压Vp的电压脉冲，使电阻变化元件从低电阻状态(S52)转变为高电阻状态(S53)。

摘要： 提供可以使电阻变化元件的动作窗口最大化的电阻变化元件最适合的成形方法。该成形方法用来使电阻变化元件(100)进行初始化，包含：判断步骤(S35)，判断电阻变化元件(100)的电阻值是否比高电阻状态时小；施加步骤(S36)，在判断为不小时(S35中的“否”)，施加不超过下述电压的电压脉冲(S36)，该电压是在成形电压中加上成形余量而得到的；判断步骤(S35)和施加步骤(S36)对于存储器阵列(202)中的全部存储器单元进行重复(S34～S37)。

摘要： 本发明提供一种电阻变化型非易失性存储元件的塑造方法及电阻变化型非易失性存储装置，与以往相比能够降低塑造电压且能够回避塑造电压在每个电阻变化元件中的偏差。该塑造方法是电阻变化元件(100)初始化的塑造方法，包括：判断1T1R型存储器单元电流是否大于基准电流的步骤(S24)；在判断为并不大的情况下(S24中“否”)，施加脉冲宽度(Tp(n))上升的塑造用正电压脉冲的步骤(S22)；以及施加具有脉冲宽度(Tp(n))以下的脉冲宽度(Tn)的负电压脉冲的步骤(S23)，重复步骤(S24)、施加步骤(S22)及施加步骤(S23)，直到塑造完成为止。

摘要： 本发明提供一种即使是能出现半LR的状态的电阻变化元件也能修正为正常的低电阻状态并能最大限确保电阻变化窗口的电阻变化元件的写入方法。一种针对根据所施加的电压的极性而可逆地转变高电阻状态与低电阻状态的电阻变化元件(10a)的数据的写入方法，其包括：高电阻化写入步骤(405)，作为以下部电极(14t)为基准施加于上部电极(11)的电压，施加正的电压以使电阻变化元件(10a)成为高电阻状态(401)；低电阻化写入步骤(406)和(408)，施加负的电压以使电阻变化元件(10a)成为低电阻状态(403)和(402)；以及低电阻稳定化写入步骤(404)，通过在由低电阻化写入步骤(408)施加了负的电压之后施加正的电压，从而使电阻变化元件(10a)经过低电阻状态成为高电阻状态(401)。

摘要： 一种系列控制算法(48)，在显示器(22)上生成交互性用户界面屏幕(46)，并使得用户能够通过在系列层上交互性地选择和查看从存档(16)检索到的医学图像，来同时控制与所选择的诊察相关联的系列和图像层操作，所述存档(16)包括在诊察、系列和图像层(60，62，64)上分层组织的多个医学图像。

摘要： 电阻变化型非易失性存储元件(20)具备第一电极(2)、第二电极(4)和电阻变化层(3)，该电阻变化层(3)夹在第一电极(2)与第二电极(4)之间，并且基于施加于两电极之间的电信号而使电阻值可逆地变化。电阻变化层(3)具有第一电阻变化层(3c)和第二电阻变化层(3d)，该第一电阻变化层(3c)是由缺氧型的第一金属氧化物构成的，该第一金属氧化物由第一金属元素和氧形成，该第二电阻变化层(3d)由第一金属元素、与第一金属元素不同的第二金属元素和氧形成，并且由缺氧度与第一金属氧化物不同的复合氧化物构成。复合氧化物的缺氧度比第一金属氧化物的缺氧度小，复合氧化物在室温下的氧扩散系数比由第一金属元素和氧形成并且缺氧度与复合氧化物的缺氧度相等的第二金属氧化物在室温下的氧扩散系数小。

摘要： 一种电阻变化型非易失性存储装置，具有：多层位线（BL）；在多层位线（BL）的层间分别形成的多层字线（WL）；存储单元阵列，具有在多层位线（BL）与多层字线（WL）的交点上分别形成的多个存储单元（MC），由多个基本阵列面构成；与多个基本阵列面分别对应设置的全局位线（GBL）；与多个基本阵列面分别对应设置的第1选择开关元件以及第2选择开关元件的组；在不同的基本阵列面间，连续访问与相同字线连接的存储单元，不改变向字线以及位线施加的电压，以使流过存储单元的电流的朝向相同的方式选择存储单元。

摘要： 本发明提供一种能够检测使用了电流控制元件的存储单元阵列的故障存储单元的电阻变化型非易失性存储装置的检查方法及电阻变化型非易失性存储装置。具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）和读出电路（206）的电阻变化型非易失性存储装置（200）的检查方法，包括以下步骤：当基于第2电压读出存储单元的电阻状态时，若电阻变化元件（R11）是低电阻状态且电流控制元件（D11）中流过规定值以上的电流，则判定为电流控制元件（D11）具有短路异常的步骤；当基于第1电压读出存储单元的电阻状态时，判定电阻变化元件（R11）的状态是低电阻状态还是高电阻状态的步骤。