非制冷

摘要： 本文涉及非制冷红外机芯图像像素缺陷点(在非制冷红外机芯图像中表现为与周围众多像素点不同的较亮或较暗的像素点,简称缺陷点)检测技术,提出了一种基于图像采集卡检测非制冷红外机芯图像像素缺陷点的方法。

摘要： 非制冷红外热像仪随着环境温度、电源波动以及吸收红外辐射的增加,将会产生严重的温度漂移现象,这将影响到红外探测器的响应特性,从而导致输出信号受一定的影响.本文针对应用在测温检测方面的非制冷红外热像仪开展研究,提出了一种红外热像仪稳定性验证试验方法,并通过此方法对国内外多款非制冷红外热像仪进行了稳定性测试,绘制其输出信号随时间变化的曲线.根据稳定性情况确定针对热像仪温度漂移的温度补偿算法,提升应用产品的测温精度.

摘要： 为提高InSb红外探测器室温下的工作性能,设计了GaSb/InSb/InP异质结构,并对结构中俄歇复合与肖克莱-瑞德复合两种复合机制对漏电流的影响进行研究.利用TCAD仿真工具对InSb探测器件进行建模,分析得到能带结构与载流子分布.以能带参数为基础,根据连续性方程,结合漂移扩散模型,分析了俄歇复合在反偏压下的衰减效应,并综合肖克莱-瑞德复合的影响,计算出不同缺陷浓度下器件的漏电流.利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术制备GaSb/InSb/InP异质外延样品,对其漏电流进行测试,并与仿真结果进行对比分析.实验结果表明,计算结果与实验结果一致,器件工作性能的主要限制为肖克莱-瑞德复合机制,器件的漏电流为0.26 A?cm-2,品质因子R0 A为0.1Ω?cm2.相比于同质InSb结构,器件的R0 A提高了一个数量级,已接近实用化水平.

摘要： 红外光学系统相比于可见光光学系统,其成像质量受温度波动影响很大.基于光学被动式无热化原理,分析红外系统各部分光学参量受温度变化的影响因子,设计了一个工作波段3～5μm,焦距120mm,F#=2的红外光学系统,选用分辨率为384pixel×288pixel、像元大小为25μm的非制冷型红外探测器.该系统采用四片式的结构形式且全部为球面光学元件,采用硅和锗两种常见的中波红外材料满足了消热差和消色差的要求,故具有较高的加工可行性和较低的生产成本,在工作温度范围-40°C～60°C之间都能保持优良像质,并且满足非制冷型中波红外系统的使用需求.

摘要： 随着非制冷型热像仪工作时间的增长,其内部器件、机械结构所积累的热量越来越多,其温升所导致的热辐射势必会对热像仪的测温精度产生严重影响.因此,要实现热像仪的准确测温,必须对其内部的各温升影响因素进行相应的修正.本文通过对影响测温精度的镜筒辐射温度、探测器靶面温度以及热像仪工作累积时间三个因素进行评估和建模,并对其相互关系进行评价,根据数据模型对热像仪辐射测温值进行修正.结果表明,在实验室条件下,经过修正,非制冷型红外热像仪测温精度可控制在±1°C以内,其稳定性可控制在±0.5°C以内.修正后的温度结果基本不受内部温升的影响,有效的提高了非制冷测温型热像仪的稳定性、可重复性以及测温精度.

摘要： 简述机器人红外视觉系统的光学设计、结构设计过程,在设计过程中,对光学性能、结构设计、装调工艺进行分析;通过实验验证和指标测试,机器人红外视觉系统光学性能优良、探测距离远,能够满足机器人红外探测的使用需求.

摘要： 研制出一款640×512高性能17μm非制冷氧化钒红外焦平面探测器.读出电路输入级采用镜像电路获得盲像元(Rd)和感光像元(Rs)电流差的积分电流(Iint),并能够有效抑制输入偏压噪声;同时采用逐行积分、逐列读出模式.氧化钒采用单层微桥工艺;像元桥臂间距缩至0.8μm,以尽可能增大桥面及VOx面积,有效提高像元响应率.器件采用高可靠性的金属真空封装.测试结果表明,器件的噪声等效温差(NETD)小于45 mK,响应率大于15 mV/K,热响应时间小于10 ms.%A 640×512 high-performance 17μm uncooled VOx infrared focal plane detector is developed. A readout integrated circuit (ROIC) in the input stage uses mirror circuits to obtain the difference between the currents flowing through the blind pixel (Rd) and photosensitive pixels (Rs), which is the integrating current (Iint), and can effectively reduce the noise contribution of input bias voltages; furthermore, the ROIC adopts a rolling-shutter mode for integration and a pixel-by-pixel mode for readout. In order to increase the responsivity and decrease the negative electron-transfer dissociation (NETD), the pixel bridge arm spacing is reduced to 0.8μm and the sensitive area of VOx is maximized. The device uses a high-reliability metal vacuum package. The experimental results show that the NETD of the device is less than 45mK, the corresponding responsivity is greater than 15mV/K, and the thermal time constant is less than 10ms.

摘要： 文中对非制冷980nm泵浦激光器的封装技术进行了研究.整个封装技术涉及光学、电学、热学、机械等,精度达微米数量级.采用光纤直接耦合的小型化全金属化封装工艺,以及双布拉格光纤光栅波长锁定技术,最终封装出小型化980nm泵浦激光器,其在0～70°C工作温度范围内的出纤功率达120mW,且具有较好的边模抑制比和波长稳定性.为满足光纤放大器对泵浦激光器大功率、长寿命、高可靠、小尺寸、低功耗、低成本的要求奠定了基础.

摘要： 本文叙述了国外非制冷传感器探测器的发展,介绍了国外在非制冷红外探测器方面开发的一些成果.热辐射计非制冷红外传感器是国外研究进展较快的一个方面,澳大利亚国防科学技术组织在非制冷红外探测器的研究方面也有一定成果.最后,介绍了非制冷红外探测器在制导应用方面的进展.

摘要： 非制冷红外焦平面技术在过去的几年里出现了飞速的发展.高性能的红外传感器、先进的集成电子技术和强大的数据处理能力广泛地开拓了红外传感器的应用领域.许多过去曾是制冷型红外探测器占据的应用领域,现在逐渐为价格低、重量轻、体积小、功耗低、性能可靠、操作方便的非制冷红外探测器所代替.目前非制冷红外焦平面阵列探测器材料主要是钽酸钪铅(PST)和钛酸锶钡(BST)等铁电型陶瓷材料,和非晶硅(α-si)和氧化钒(VO)等热电阻型材料.中规模凝视型PST和BST阵列已可批量生产,但都是混合型的.美、英等国还在研制集成型的铁电型焦平面红外探测器,集成的α-si和VO焦平面红外探测器也做到了320×240元的中规模水平,噪声等效温差小于100mK(F/1,30Hz),有的性能已接近制冷型的探测器.最大规模的非制冷红外焦平面阵列达到640×480元,那是由VO微桥构成的.估计在以后的几年里非制冷红外焦平面阵列探测器将会达到目前在用的制冷型红外焦平面阵列探测器的水平.

摘要： 该文叙述低成本非制冷的硅微辐射热计焦平面阵列长波(8～12m)红个探测器的结构、性能和应用。低成本、高性能、体积小、重量轻、低维护是其特点。可广泛地应用于军事和民用。

摘要： 本文采用了谱平面刀口滤波方法,将双材料(SiNx/Au)微梁阵列接收热像后的转角变形转化为像平面上微梁阵列的像所对应的光强变化,并设计制作了无基底单层膜结构微梁阵列(100×100pixels,微梁尺寸200×200μm2,厚2μm).用该阵列在光学读出系统中,获得了室温下人体的热图像.该系统在室温时(300K)噪声等效温度差(NETD)达到0.2K.

摘要： 昆明物理研究所于2003年3月成功实现了128×128热释电焦平面探测器的成像演示,国内非制冷焦平面器件研制取得了突破性进展.本文从热释电晶片制备技术、高吸收率吸收结构设计与制作、网格化热隔离技术、铟柱制备技术和倒装互连技术及探测器组件成像演示技术等方面简要介绍了该进展.

摘要： 提供了一种非共沸混合制冷剂和一种使用非共沸混合制冷剂的制冷设备。非共沸混合制冷剂可以包括异丁烷和丙烷。非共沸混合制冷剂可以是以50％≤异丁烷≤90％的重量比提供的。因此，可以在使用非共沸混合制冷剂的制冷系统中获得高效率。

摘要： 一种使用非共沸混合制冷剂的制冷设备，包括：压缩机，能以连续操作模式操作并且被配置为压缩非共沸混合制冷剂；冷凝器，被配置为使由压缩机压缩的制冷剂冷凝；膨胀器，被配置为使由冷凝器冷凝的制冷剂膨胀；以及蒸发器，被配置为使由膨胀器膨胀的制冷剂蒸发。非共沸混合制冷剂的压力差(△P)具有包括在340kPa<△P<624.7kPa的范围内的值。因此，可以进一步提高使用非共沸混合制冷剂的制冷设备中的部件(诸如活塞)的可靠性。

摘要： 本发明讨论了利用由制造厂限定的绝缘体上硅（SOI）的互补金属氧化物半导体（CMOS）晶片制成非制冷红外检测器的多种方法，各SOI-CMOS晶片均可包括：基体层；绝缘层，其具有像素区和围绕像素区的壁区；像素结构，其形成在绝缘层的像素区上；壁结构，其邻近像素结构形成，并位于绝缘层的壁区上；介电层，其覆盖像素结构和壁结构；像素掩膜，其形成在介电层内部，并在干式蚀刻工艺过程中保护像素结构；以及壁掩膜，其形成在介电层内部，并在干式蚀刻工艺过程中保护壁结构，由此在干式蚀刻工艺之后，释放在壁结构和像素结构之间限定的空间。

摘要： 本发明涉及一种非制冷红外探测器的制备方法及非制冷红外探测器，制备方法包括采用CMOS工艺制备CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构；制备CMOS红外传感结构包括采用RDL工艺在CMOS测量电路系统的顶层金属上制备第一金属互连层或者以CMOS测量电路系统的顶层金属作为第一金属互连层；在第一互连柱上方沉积第三金属互连层以形成梁结构；采用通孔工艺和CMP平坦化工艺制备第二互连柱，沉积第四金属互连层和第二介质层以形成吸收板。通过本发明的技术方案，解决了传统MEMS工艺非制冷红外探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差的问题，优化了非制冷红外探测器的性能。

摘要： 本发明提供非制冷探测器的晶圆级封装方法，包括：提供红外探测器晶圆和SOI硅片；在SOI硅片的Si器件层表面形成留有图形化刻蚀窗口的光刻胶层，并刻蚀去除与刻蚀窗口对应的Si器件层，进行腐蚀去除与刻蚀窗口对应的SOI硅片的第一氧化层，形成深腔结构，再去除光刻胶层；在深腔结构的底面上形成第一增透膜层；在SOI硅片上的Si器件层上形成第一键合环；在红外探测器晶圆上形成第二键合环；释放微结构；将盖帽硅片和红外探测器晶圆进行对位键合。还提供非制冷探测器及其制备方法。本发明的封装方法工艺周期短、成本低、封装效果好，得到的非制冷探测器的窗口表面平整、透射率高，探测器产品使用寿命长，小型化满足市场需求。

摘要： 本发明讨论了利用由制造厂限定的绝缘体上硅（SOI）的互补金属氧化物半导体（CMOS）晶片制成非制冷红外检测器的多种方法，各SOI-CMOS晶片均可包括：基体层；绝缘层，其具有像素区和围绕像素区的壁区；像素结构，其形成在绝缘层的像素区上；壁结构，其邻近像素结构形成，并位于绝缘层的壁区上；介电层，其覆盖像素结构和壁结构；像素掩膜，其形成在介电层内部，并在干式蚀刻工艺过程中保护像素结构；以及壁掩膜，其形成在介电层内部，并在干式蚀刻工艺过程中保护壁结构，由此在干式蚀刻工艺之后，释放在壁结构和像素结构之间限定的空间。

摘要： 本发明针对现有技术中在制备非制冷红外探测器中的热敏薄膜的过程中，PECVD方法的工艺窗口狭窄、形成热敏薄膜的过程中易导致工艺波动的缺陷，提供了一种非晶硅热敏薄膜的制备方法以及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法，能够提供宽的工艺窗口并克服热敏薄膜制备过程中的工艺波动。一种非晶硅热敏薄膜的制备方法，该方法包括：将晶圆放入等离子增强化学气相淀积反应腔中，对所述晶圆进行本征非晶硅薄膜淀积；对淀积后的本征非晶硅薄膜进行注入掺杂。

摘要： 本实用新型涉及光电系统技术领域，且公开了一种整体式非制冷红外探测器框架及非制冷红外机芯结构，包括红外镜头，还包括：红外探测器设置在红外镜头一侧，图像处理电路板设置在红外探测器一侧，防护壳设置在图像处理电路板外部，固定螺栓设置在防护壳一侧。本实用新型解决了现有非制冷红外机芯大多为结构件组装而成，强度、刚度、稳定性、耐冲击、振动能力等能力很难达到相关技术要求，而且在组装过程较为繁琐的问题。

摘要： 本公开涉及一种非制冷红外探测器的自热补偿电路及非制冷红外探测器，自热补偿电路包括偏压电路，第一偏压电路根据第一设定电源信号生成第一偏压信号，第二偏压电路包括偏压控制子电路和多个选通驱动子电路，偏压控制子电路根据行控制信号控制选通驱动子电路分别产生对应的第二偏压信号；列控制电路，包括多个列控制子电路，列控制子电路与选通驱动子电路对应设置；列控制子电路包括有效像元和盲像元，镜像像元与有效像元在相同环境温度下的温度漂移量相同。通过本公开的技术方案，有效补偿了镜像像元与有效像元由于自热效应而发生的阻值变化，提高了偏压电路的驱动能力。

摘要： 本实用新型涉及一种紧凑型非制冷红外监控镜头及非制冷红外热像仪，其中监控镜头包括从物方至象方依次同轴设置的第一弯月正透镜和第二弯月正透镜，所述的第一弯月正透镜和第二弯月正透镜的物面均为球面，所述的第一弯月正透镜的象面为非球面，所述的第二弯月正透镜的象面为球面。采用该种结构的紧凑型非制冷红外监控镜头及非制冷红外热像仪，镜头结构简单，易于加工组装，体积小巧，结构紧凑，便于携带，可以应用在非制冷红外热像仪中，成像质量清晰；制成的非制冷红外镜头，光学传递函数在25lp/mm时，中心视场光学传递函数可达0.6以上，边缘视场可达0.5以上，接近衍射极限，具有更广泛的应用范围。