集成工艺

摘要： ABB机器人推出IRB5710与IRB5720近日,ABB全新推出两个机器人系列,进一步拓展现有大型机器人产品组合,以满足日渐复杂的制造应用需求。ABB IRB 5710与IRB 5720拥有包含集成工艺线缆在内的稳健设计,可在创造更高生产效率的同时提升正常运行时间,适用于电动汽车、铸造、锻造、橡胶、塑料和金属制造等不同行业应用。

摘要： 西安工业大学梁海锋团队自主设计、研发的快照式紧凑型光谱成像仪,通过精密光学设计、复杂光场调制、先进的光学制造和装备、结合智能深度学习的算法,实现了光谱、空间等多维度信息的融合获取。该成像仪应用于荧光剂、重金属残留;水果、蔬菜的农药残留;色温检测;伪装目标识别,有害气体检测;可拓展到天然气能量计量,装备未来家用燃气表。产品的核心光机组件包括:多通道阵列光场调控技术、复眼光谱成像阵列、光谱智能超分辨技术和一体化的集成制造技术。目前申请发明专利2项,获得制造和装配专利2项,拟围绕光场调控、光谱超分辨、集成工艺等核心技术申请发明专利6项。产品符合应用需求,也符合行业发展的方向,且快照式光谱成像仪的技术门槛较高,项目团队具有优越人才和基础设备条件,市场发展空间较大。

摘要： 为了解决煤制合成气的净化问题,本文提出了一种集成CO2捕集与存储和余热利用工艺的集成工艺.基于最优工艺,对合成气净化、有机朗肯循环和吸收式制冷循环工艺进行了集成.采用离子液体[bmim][Tf2 N]作为吸收剂,对常温下同时脱除粗合成气中CO2和H2S的工艺进行了研究.利用Aspen Plus软件,通过实验数据,验证了COSMO-SAC(CO2捕集和储存)、Peng Robinson(有机朗肯循环)和ELENCRTL(吸收式制冷循环)模型的精度.

摘要： 在新兴环保领域,膜蒸馏(MD)技术经最近10年研究的不断拓展、深入,产业链逐渐形成.瞄准膜蒸馏技术涉及的疏水膜、膜组件、工艺与应用3个重要方面,概述了膜蒸馏技术的最近10年研究现状及发展方向.从疏水膜制备的角度,重点探讨了兼具高通量、高强度、抗润湿及抗污染等特点的疏水膜制备方法;从膜蒸馏组件设计角度,重点探讨了结构形式优化、内/外场辅助等过程强化手段及具有稳定、高效、低耗传质特点的膜组件设计方法;从工艺与应用角度,概述了典型膜蒸馏集成工艺、清洁生产工艺及应用场景与国内外产业化现状.

摘要： 环球油品公司(UOP)提供了加氢裂化工艺装置与芳烃联合生产装置的集成工艺和最大化生产芳烃的方法。该方法包括将至少一部分二甲苯塔底物料送至重芳烃塔,与传统重芳烃塔底C+9A物料直接送至燃油池或汽油池不同,塔底C+9A被传送到加氢裂化反应器的第二段加氢裂化反应器单元发生加氢裂化。

摘要： 本文对复杂电子装备集成工艺管理进行了研究,分析了复杂电子装备的工艺性特点,提出了基于系统工程的复杂电子装备现代工艺管理思路.基于实践经验,讨论了复杂电子装备的一般工艺流程.从工艺顶层策划、工艺性审查、设计与工艺协同攻关、关重件控制等方面论述了复杂电子装备的现代工艺管理技术,阐述了复杂电子装备精细化工艺管理基本要点.可作为复杂电子装备集成工艺和同类产品工艺工作的参考.

摘要： 某石化公司溶聚丁苯橡胶污水含有一定浓度的聚羧酸盐类分散剂,悬浮物较高,极具发泡性,采用气能絮凝集成工艺技术处理后,聚羧酸盐类的去除率达到90％ 以上,悬浮物的去除率达到80％ 以上,有效消除了污水的发泡现象.该工艺主体装置采用一体化集成撬装方式,便于施工,操作简单.该集成工艺运行稳定,处理效果好,1t水运行处理成本仅2.71元,装置出水也保证了下游微气泡曝气及生化处理单元不受冲击而产生泡沫问题.

摘要： 采用高级氧化和混凝沉降集成工艺技术对焦化废水进行深度处理,以处理后焦化废水的化学需氧量(COD)为考察目标,研究废水初始pH、反应温度、高铁酸盐添加质量浓度、反应时间、混凝剂品种及添加量等诸多因素对处理效果的影响;基于DPS软件,采用二次多项式逐步回归算法对实验结果进行处理,优化操作条件.研究结果表明,最优工艺条件下,焦化废水COD质量浓度由原来的350 mg/L降低到32 mg/L,COD去除率达到90.86％,处理后的焦化废水COD质量浓度满足炼焦工业排放标准.

摘要： 吸收-吸附集成工艺因其有较好的回收效果在油气回收领域有很多的工业应用.本文针对当前吸收-吸附集成油气回收工艺存在的不适用于油气量少、系统进气不稳定等工况和能耗较高的问题进行了优化,设计了采用节能模式和全流程模式交替运行的吸收-吸附集成油气回收工艺.经过优化设计,该工艺在运行过程中采用节能模式和全流程模式交替方式运行,从而大幅降低系统综合能耗,可以很好地控制运行成本,具有更好的应用前景.

摘要： 利用微波真空干燥、亚临界流体丁烷萃取技术和超临界流体二氧化碳技术,研究了姜油树脂提取的集成工艺.结果 表明:在此工艺条件下,姜油树脂的萃取率达到97％以上,精制后姜油树脂的香辣素含量提高到29％以上,且未检出溶剂残留.

摘要： 文中主要阐述了微波功分网络集成工艺的关键技术和途径,包括层间电气互联、盲槽结构实现,以及内埋平面集成电阻等.设计制作了工作频段在6GHz～18GHz 的四层典型功分网络样件,该功分网络幅度一致性±1dB,相位一致性±15°,同套网络各端口间隔离≥20dB.采用该工艺制作的功分网络可以在有限尺寸内实现通道的相位和幅度控制以及不同组件间的幅相一致性补偿,这是采用传统的混合集成工艺完全无法实现的.

摘要： 为了达到涂装工艺的高效，低炭，节能，降本等目标，巴斯夫涂料从1994年开始就致力于发展集成工艺。人们专注于通过缩短，优化各个涂装步骤来到达整个工艺流程的简化。这个创新的优点在于较低的投资成本，运营成本，在节省材料消耗的同时可以提高产能，对于保护自然资源以及生态环境都有巨大的贡献。探讨了集成工艺Ⅱ技术，同时在当前全球变暖的大背景下，集成工艺Ⅱ作为一个绿色环保技术能够提供一种新的方案，在减少CO2排放方面做出重大的贡献，并总结了汽车生产商在应用过程中的常见问题。

摘要： 对卫星结构中的裂纹、脱层及其他损伤进行及时且准确定位是确保服役卫星可靠、长寿命运行的必要手段,基于光纤的复合材料结构健康监测技术逐渐成为卫星可靠性设计的前提条件.本文阐述了光纤监测复合材料成型过程的原理,从光纤与材料的兼容性和光纤传感系统的集成化工艺角度出发系统阐述了建立光纤/复合材料系统的可行性,为未来卫星在轨的结构健康监测提供技术支撑.

摘要： 上海白龙港片区污水处理厂污泥量多达1895～2775t/d(含水率80％的脱水污泥),而现状的污泥处理设施仅有各厂的浓缩脱水设施及白龙港污水处理厂的消化干化处理设施.污水处理过程中产生的大量的脱水污泥至今仍长距离运送至老港生活垃圾填埋场进行填埋处置,而污泥填埋过程中产生的污泥渗沥液仍需通过长距离管道输送回白龙港污水处理厂进行处理.提出的在白龙港污水处理厂内的高级厌氧消化和干化焚烧的集成工艺实现了片区污泥的全规划、全泥量、全系统、全过程和全循环的处理,可使工程建设成为具有国际水准的污泥综合处理中心.

摘要： 本文通过选取具有一定行业代表性的江苏某大型印染企业,进行MBR-RO工艺处理和回用印染废水的开发和应用研究,结果显示:MBR水质处理效果非常好且稳定,出水各污染物平均浓度完全符合江苏省地方标准《纺织染整工业水污染物排放标准》(DB32/67-2004); RO产水水质完全符合《印染用水水质标准》及该企业提供的《织布生产过程用水》的最佳水质基准;MBR和RO膜的运行性能也非常稳定,化学清洗后的膜性能恢复率高.另外,以该企业实际印染废水处理设施的设计规模6000m3/d为基础,对比分析实施废水回用前后的用水成本,计算结果显示实施废水回用后,每年可节约21％的用水成本,总计约230万元/年的用水费用,经济效益非常显著.

摘要： 随着MEMS惯性传感器的性能和集成度不断提高，基于MEMS惯性传感器的微惯性系统在航空、兵器等领域的应用需求凸显。论文研究了高性能微型惯性姿态系统基于定时中断的MEMS陀螺仪的多通道高速数据采集方法和MEMS加速度计的高精度数模转换电路，优化了微型姿态系统一体化集成工艺。论文开展了微惯性器件高低温环境与非正交误差标定试验建模研究，在实验室环境下对微惯性姿态系统的动静态性能进行了试验。结果表明，微惯性姿态系统在全温范围内，静态精度达到0.7度，恒定角速度转动及摆动条件下，动态精度达到1.5度。该系统可满足微小型飞行器姿态确定和新一代战斗机姿态备份的性能要求，具有广阔的应用前景。

摘要： 近年是我国宽带网络高速发展阶段,随着各种新业务的不断成熟和大规模部署,网络带宽需求将成倍增长.面对带宽增长的浪潮,现有100G OTN网络容量已日趋饱和.随着超100G OTN技术日渐完善,部署超100G OTN已成为必然趋势.分析超100GOTN系统的发展诉求及技术特点,基于OTN网络的现状对超100G在干线、城域网、大型IDC互联等网络中的应用进行分析探讨,有助于快速构建端到端全光传送网,实现业务的全光承载.

摘要： 近年是我国宽带网络高速发展阶段,随着各种新业务的不断成熟和大规模部署,网络带宽需求将成倍增长.面对带宽增长的浪潮,现有100G OTN网络容量已日趋饱和.随着超100G OTN技术日渐完善,部署超100G OTN已成为必然趋势.分析超100GOTN系统的发展诉求及技术特点,基于OTN网络的现状对超100G在干线、城域网、大型IDC互联等网络中的应用进行分析探讨,有助于快速构建端到端全光传送网,实现业务的全光承载.

摘要： 近年是我国宽带网络高速发展阶段,随着各种新业务的不断成熟和大规模部署,网络带宽需求将成倍增长.面对带宽增长的浪潮,现有100G OTN网络容量已日趋饱和.随着超100G OTN技术日渐完善,部署超100G OTN已成为必然趋势.分析超100GOTN系统的发展诉求及技术特点,基于OTN网络的现状对超100G在干线、城域网、大型IDC互联等网络中的应用进行分析探讨,有助于快速构建端到端全光传送网,实现业务的全光承载.

摘要： 近年是我国宽带网络高速发展阶段,随着各种新业务的不断成熟和大规模部署,网络带宽需求将成倍增长.面对带宽增长的浪潮,现有100G OTN网络容量已日趋饱和.随着超100G OTN技术日渐完善,部署超100G OTN已成为必然趋势.分析超100GOTN系统的发展诉求及技术特点,基于OTN网络的现状对超100G在干线、城域网、大型IDC互联等网络中的应用进行分析探讨,有助于快速构建端到端全光传送网,实现业务的全光承载.

摘要： 本发明提供一种间距减半集成电路工艺及通过该工艺制成的集成电路结构。在基板上方形成平行的基线图案，每个基线图案都与位于这些基线图案的第一侧或第二侧的锤头图案相连。这些锤头图案交替地布置在所述第一侧和第二侧，并且所述第一侧或第二侧的锤头图案以交错的方式布置。随后对上述图案进行修整。随后在每个基线图案和对应锤头图案的侧壁上形成间隔物，所述间隔物包含一对衍生线图案、环绕所述锤头图案的圈状图案，以及位于所述基线图案另一端的转折图案。随后将所述基线图案和锤头图案移除。随后将每个圈状图案的一部分以及每个转折图案的至少一部分移除，以使每对衍生线图案彼此不电连接。

摘要： 本发明涉及使用集成电路铸造相容工艺的单片集成电阻式存储器，提供电阻式存储器的单片集成，其具有利用集成电路铸造相容工艺的互补金属氧化物半导体。提供一种存储器装置，其包括衬底﹑第一绝缘体层和单片堆栈，该衬底包含一个或多个互补金属氧化物半导体装置，该第一绝缘体层形成于该衬底上。该单片堆栈包含作为单片工艺的一部分而被制造在该第一绝缘体层上方的多个层。该多个层包含第一金属层、第二绝缘体层、和第二金属层。该电阻式存储器装置结构是在该一个或多个互补金属氧化物半导体装置的热预算内的情况下形成在该第二绝缘体层内。该电阻式存储器装置结构被实现为柱形装置或通孔装置。此外，该第一金属层耦合到该第二金属层。

摘要： 本发明公开了一种在逻辑工艺中集成高压CMOS的工艺集成方法，包括：步骤一、形成高压CMOS的第一沟道区；步骤二、形成高压CMOS的第一漂移区；步骤三、进行第一次炉管热推阱；步骤四、采用第一次热氧化工艺形成高压栅氧化层；步骤五、形成浅沟槽隔离，位于高压CMOS的形成区域的第一浅沟槽隔离的深度小于位于逻辑器件的形成区域中的第二浅沟槽隔离的深度；步骤六、在逻辑器件的形成区域中完成栅极导电材料层的形成工艺之前的工艺，之后形成栅极导电材料层；步骤七、进行第一导电类型重掺杂的源漏注入。本发明能消除高压CMOS所需要的热过程对有源区产生的应力并从而消除由应力产生的有源区缺陷，提高高压栅氧化层的质量和高压CMOS的性能。

摘要： 本发明涉及一种用于生产供体衬底(20)的方法，所述供体衬底(20)用于制造三维集成结构(40)，所述方法包括以下步骤：‑提供半导体衬底(10)，所述半导体衬底(10)包括称为有源层的表面层(14)和包括多个空腔(12)的层(11)，所述空腔(12)在有源层下方延伸，每个空腔(12)通过隔离体(13)而与相邻的空腔分隔开，‑在与空腔(12)垂直的有源层(14)的区域(14A)中形成电子装置(15)，‑在有源层(14)上沉积保护掩膜(17)，以覆盖所述电子装置(15)，而同时暴露与每个隔离体(13)垂直的有源层的区域(16)，穿过被掩膜暴露的有源层的区域而植入原子物种，以在每个隔离体(13)中形成弱化区域(19)。

摘要： 本发明提供一种间距减半集成电路工艺及通过该工艺制成的集成电路结构。在基板上方形成平行的基线图案，每个基线图案都与位于这些基线图案的第一侧或第二侧的锤头图案相连。这些锤头图案交替地布置在所述第一侧和第二侧，并且所述第一侧或第二侧的锤头图案以交错的方式布置。随后对上述图案进行修整。随后在每个基线图案和对应锤头图案的侧壁上形成间隔物，所述间隔物包含一对衍生线图案、环绕所述锤头图案的圈状图案，以及位于所述基线图案另一端的转折图案。随后将所述基线图案和锤头图案移除。随后将每个圈状图案的一部分以及每个转折图案的至少一部分移除，以使每对衍生线图案彼此不电连接。

摘要： 本发明提供了一种集成光学器件、集成投射模组和集成光学器件的制作工艺。集成光学器件包括依次叠置的保护层、第一胶层、第二胶层和固定层，还包括：衍射结构；匀光结构；其中，衍射结构设置在第一胶层上，匀光结构设置在第二胶层上，衍射结构和匀光结构向固定层的投影不重合；或者衍射结构设置在第二胶层上，匀光结构设置在第一胶层上，衍射结构和匀光结构向固定层的投影不重合。本发明解决了现有技术中不同应用场景结构光投射模式与飞行时间投射模式切换困难的问题。

摘要： 本申请公开了一种三维集成电路、三维集成电路对准工艺及设备，该三维集成电路至少包括叠置的两个芯片。上述三维集成电路包括叠置的第一芯片与第二芯片，上述第一芯片具有第一磁性对准标记，第二芯片具有第二磁性对准标记。上述第一磁性对准标记和第二磁性对准标记由磁性材料制备。因此，第一磁性对准标记和第二磁性对准标记在磁场中能够被磁化产生磁场。上述第一磁性对准标记与第二磁性对准标记相对，即在第一芯片靠近第二芯片的表面上的投影，上述第一磁性对准标记的投影与第二磁性对准标记的投影至少部分重叠，具体的，上述投影的方向垂直于上述第一芯片靠近第二芯片的表面上。该方案的对准精度较高，对准方法较为简单。

摘要： 本发明公开了一种基于双极集成电路工艺平台的晶闸管集成技术，涉及微电子领域，属于半导体集成电路技术。本发明利用现有双极工艺平台中的埋层、埋硼、隔离、基区、发射区等几个工艺步骤，在结构上形成晶闸管的PNPN四个区域，再将电极通过接触孔和金属引线引出，实现了晶闸管的集成目标。本发明将传统晶闸管的四层三结纵向结构转化为纵向与横向相结合的平面结构，再将这种平面结构与半导体集成电路结构相结合，在传统工艺流程基础上不增加工艺成本的情况下，将晶闸管元件集成于半导体集成电路中，为单片集成电路的集成种类再添新成员，使晶闸管的集成吸收了集成电路的优点，克服了二次集成的工序冗长、损耗大、一致性差、生产效率低的缺点。

摘要： 本发明涉及一种集成电路制造用加工设备及集成电路制造工艺，包括：相互平行的第一侧板、第二侧板及第三侧板，所述第一侧板及所述第二侧板之间设置有第一输送机构，所述第二侧板及所述第三侧板之间设置有第二输送机构，所述第一输送机构及所述第二输送机构的输送方向相同；还包括转送机构，所述转送机构安装在与所述第二侧板固定的底板上且与设置在所述底板上的起顶机构连接，所述转送机构的输送方向与所述第一输送机构及所述第二输送机构的输送方向垂直，所述起顶机构用于驱动所述转送机构突出所述第一输送机构及所述第二输送机构的输送面；所述第三侧板上活动安装有两个相对设置的夹持件，所述夹持件与安装在所述第三侧板上的驱动件连接。

摘要： 本发明涉及电池散热技术领域，公开了一种在液冷板上集成隔热层和导热层的集成工艺，包括：通过喷涂集成工艺在液冷板主体的第一表面集成隔热层，通过辊涂集成工艺在液冷板主体的第二表面集成导热层；隔热层集成方法包括：将发泡料的各组分混合雾化；在液冷板主体的第一表面喷涂发泡料；使发泡料熟化形成隔热层；导热层的集成方法包括：将导热材料的各组分混合；在液冷板主体的第二表面涂布导热材料；通过涂布辊在液冷板主体的第二表面进行辊涂；使液冷板主体上的导热材料固化，形成导热层。本发明形成的隔热层和导热层会直接粘接固化在液冷板主体的表面，简化了制作工艺，提高了工作效率和液冷板的散热效率和能力，有利于自动化实现。