陶瓷基片

摘要： 随着厚膜电路技术的发展,混合集成电路的集成度越来越高,要求提高混合集成电路陶瓷基片布线密度,而陶瓷基片双面布线是提高集成密度的较好方式之一。双面布线需要在厚膜陶瓷基片上制作通孔,并对通孔进行导体填充,以实现陶瓷基片正反两面电性能导通和散热等功能,而制作性能良好的导体孔柱是厚膜工艺的难点。重点介绍了通过优化填孔设备压力参数和掩膜孔径的工艺参数提高双面布线厚膜陶瓷基片通孔填充质量的工艺研究,实现提高厚膜陶瓷基片通孔填充效率和质量的目标。

摘要： 为了改善碳化硅陶瓷基片的介电性能,开发不同于浆料烧结法的陶瓷基片制备新工艺.采用先驱体转化法,通过向先驱体中添加铍作为异质元素,再进行流延和烧成,制备出了含有铍元素的改性碳化硅陶瓷基片.对含铍碳化硅陶瓷基片的介电常数和介电损耗进行了表征,发现虽然其介电常数和介电损耗相比常用的Al2O3等陶瓷基片材料没有明显提升,但铍元素含量对介电常数和介电损耗曲线的峰值区频率有明显的影响,可通过调节碳化硅陶瓷中铍元素的含量制得在特定频率范围下具有低介电常数和低介电损耗的改性碳化硅陶瓷基片.

摘要： 近日，美国司法部宣布康宁公司日本子公司涉嫌操纵其供应美国市场以及其他地区的陶瓷基片的价格，竞标和销售，这些陶瓷基片用于催化转换器，并供应给美国和其他地区的汽车制造商。康宁公司日本子公司已认罪并同意支付6650万美元刑事罚款。

摘要： 三环集团(300408):公司深耕电子陶瓷40年,是陶瓷插芯及套筒领域的绝对龙头。毛利率高达50%,远超国内竞争对手。产量占全球总产量达50%,是泰科、安费诺、HUBER等世界知名光纤连接器企业的核心供应商。受益产业转移,陶瓷封装基座及陶瓷基片持续超负荷生产,募投项目产能释放将显著增厚利润。目前陶瓷封装基座和陶瓷基片主要是京瓷等日本企业生产。

摘要： 近日,中国航天科工二院203所成功研制了耐高温二氧化硅电缆组件,该电缆组件能够承受1000°C高温,产品性能达到了国内领先水平。为了解决行业内电缆组件耐高温的技术难题,203所设计师创新性地采用了具有耐高温特性的特种材料,克服了常用材料在某种特定使用环境下耐高温缺陷。同时,连接器的绝缘支撑采用陶瓷基片,通过优化设计、选材,保证了连接器产品的耐高温性,为耐1000°C高温电缆组件的成功研制奠定了基础。从选材到优化设计,

摘要： 主要介绍了 V500型 CO2激光机的结构、原理以及加工电子陶瓷基片的相关技术，利用激光加工α－96％Al2 O3陶瓷基板，是满足厚膜混合集成电路等产品生产和科研需要的主要方法之一。

摘要： 为了获得适用于单层陶瓷电容器的陶瓷基片,采用Ⅰ类陶瓷粉末为原材料制备基片生坯并将基片生坯烧结形成陶瓷基片.研究了烧制方法对烧结后基片平整度的影响.结果发现采用多个基片生坯和氧化锆膜交替地自然堆叠的方式装钵,并选择合适的升温速率进行烧结,得到的基片平整度高,制得的单层陶瓷电容器电性能好.

摘要： 本文主要介绍了一种基于机器视觉检测技术的陶瓷基片自动检测系统的设计。系统采用PC+PLC的控制架构，通过机器视觉技术对陶瓷基片尺寸进行检测和分类，按照分类结果控制机械手进行分别放置。

摘要： 流延成型是一种能够获得高质量陶瓷基片的方法,在微电子领域和材料领域得到广泛应用.通过改进实验装置,合理安排实验内容,将流延成型实验引入大学物理实验教学中,激发学生对物理实验的积极性.在实验中注重锻炼学生创新思维,从而培养学生的创新能力和创新精神.

摘要： 采用丝网印刷法在厚膜片式电阻用氧化铝陶瓷基片表面上制备CaO-2O3-SiO2系玻璃釉涂层，并在一定的温度下进行烧结处理，研究了玻璃釉涂层热膨胀系数对CaO-Al2O3-SiO2系玻璃釉涂层表面形貌的影响.制备出无缺陷、均匀、光滑平整的玻璃釉改性涂层，AFM分析表明，在10 Bm×10 μm的较大范围内实现峰-谷差在9 nm以内，均方根粗糙度由涂覆玻璃釉之前的6 μm减小到0.523 nm，且玻璃釉软化温度高于1300°C，获得了优化的氧化铝陶瓷基片表面平整化改性工艺.

摘要： 介绍了当前电子陶瓷基片材料的特性及其制备，指出水基注凝法制备氧化铝陶瓷基片具有设备投资少，原材料成本低，节能降耗显著，产品质量好，基本无毒害，是一项极有应用价值的新技术。

摘要： 电子封装材料是用于承载电子元器件及其相互连线，并具有良好电绝缘性的基体材料，主要起机械支持、密封保护、散失电子元件所产生的热量等作用，是高功率集成电路的重要组成部分。随着信息技术的高速发展，电子元器件中的芯片集成度越来越高，功率越来越大，对封装材料的散热要求也越来越高。同时，封装材料热膨胀系数还应与陶瓷基片和芯片保持良好的匹配，因为封装材料与陶瓷基片和芯片的热膨胀系数相差太大，就很容易引起芯片和陶瓷基片的炸裂或某些焊点、焊缝的开裂，从而导致电子器件失效。因此，导热率(TC)和热膨胀系数(CTE)是发展现代电子封装材料所必须考虑的两大基本要素。20世纪90年代以来，电子封装业随着信息技术的高速发展进人了一个快速发展期，致使以往的传统电子封装材料不能满足对其提出的更高、更全面的要求，因此，研制开发新型的电子封装材料已成为各国电子封装材料的研究重点。rn 本文针对几种主要的新型高导热电子封装材料，重点阐述了新型高导热电子封装材料在材料体系的探索与复合、封装材料及其部件的成形技术特别是一体化近净成形技术以及其应用领域与发展动向。

摘要： 应用磁控溅射技术的陶瓷基片和玻璃基片上分别制备了NiNbO和TiO光催化薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、UV-VIS-NIR分光光度计等手段对薄膜的结构进行了分析,采用光催化降解染料罗丹明B溶液的方法表征了NiNbO和TiO薄膜的光催化性能.在溅射气压2Pa和沉积时间4h条件下,得到光催化性能很好的NiNbO薄膜.玻璃基片上NiNbO薄膜的光催化性能要明显优于陶瓷基片上该薄膜的光催化性能.

摘要： 目前,对水基AlN流延膜中有机添加剂的排胶行为研究很少见诸报道,传统热的分析方法只获得材料在升温过程中的质量和热量变化,不能确定材料受热过程中逸出气体和挥发性物质的组分.热重-差示扫描热量-质谱(TG-DSC-MS)联用技术弥补了这一不足,近10多年来在国际上得到了广泛的应用.本工作采用TG-DSC技术首先对三种单一有机添加剂的热分解行为进行表征研究,再利用TG-DSC-MS联用技术研究添加三种少量有机添加剂的水基AlN流延膜排胶的温度和逸出气体组分,并对在不同气氛中,不基AlN流延膜中有机添加剂的排胶行为比对,进一步确定流延工艺过程中排胶的最佳工艺条件.

摘要： 目前,对水基AlN流延膜中有机添加剂的排胶行为研究很少见诸报道,传统热的分析方法只获得材料在升温过程中的质量和热量变化,不能确定材料受热过程中逸出气体和挥发性物质的组分.热重-差示扫描热量-质谱(TG-DSC-MS)联用技术弥补了这一不足,近10多年来在国际上得到了广泛的应用.本工作采用TG-DSC技术首先对三种单一有机添加剂的热分解行为进行表征研究,再利用TG-DSC-MS联用技术研究添加三种少量有机添加剂的水基AlN流延膜排胶的温度和逸出气体组分,并对在不同气氛中,不基AlN流延膜中有机添加剂的排胶行为比对,进一步确定流延工艺过程中排胶的最佳工艺条件.

摘要： 目前,对水基AlN流延膜中有机添加剂的排胶行为研究很少见诸报道,传统热的分析方法只获得材料在升温过程中的质量和热量变化,不能确定材料受热过程中逸出气体和挥发性物质的组分.热重-差示扫描热量-质谱(TG-DSC-MS)联用技术弥补了这一不足,近10多年来在国际上得到了广泛的应用.本工作采用TG-DSC技术首先对三种单一有机添加剂的热分解行为进行表征研究,再利用TG-DSC-MS联用技术研究添加三种少量有机添加剂的水基AlN流延膜排胶的温度和逸出气体组分,并对在不同气氛中,不基AlN流延膜中有机添加剂的排胶行为比对,进一步确定流延工艺过程中排胶的最佳工艺条件.

摘要： 本申请公开了一种包括室温下的热导率为80W/mK以上氮化硅陶瓷板1和通过玻璃层3粘接到氮化硅陶瓷板上1的金属板2的电路板，及一种其中安装在所说电路基片的半导体器件。

摘要： 本发明是，对含有55～70摩尔%的SiO2、13～23摩尔%的Al2O3、11～21摩尔%的碱金属氧化物(其中Li2O为10～20摩尔%、Na2O和K2O总量为0.1～3摩尔%)、0.1～4摩尔%的TiO2以及0.1～2摩尔%的ZrO2，同时上述各成分的合计含量为不少于95摩尔%，同时含有0～不足0.2摩尔%的BaO、0～不足0.1摩尔%的P2O5、0～不足0.3摩尔%的B2O3、0～不足0.1摩尔%的SnO2的玻璃陶瓷用母材玻璃进行热处理，使析出含有β-石英类固溶体的结晶相的玻璃陶瓷，该玻璃陶瓷具有低热膨胀性、在可见光区域的高透过性、低比重等特性。

摘要： 本申请公开了一种包括室温下的热导率为80w/mk以上氮化硅陶瓷板1和通过玻璃层3粘接到氮化硅陶瓷板上1的金属板2的电路板，及一种其中安装在所说电路基片的半导体器件。

摘要： 本发明是,对含有55～70摩尔%的SiO2、13～23摩尔%的Al2O3、11～21摩尔%的碱金属氧化物(其中Li2O为10～20摩尔%、Na2O和K2O总量为0.1～3摩尔%)、0.1～4摩尔%的TiO2以及0.1～2摩尔%的ZrO2,同时上述各成分的合计含量为不少于95摩尔%,同时含有0～不足0.2摩尔%的BaO、0～不足0.1摩尔%的P2O5、0～不足0.3摩尔%的B2O3、0～不足0.1摩尔%的SnO2的玻璃陶瓷用母材玻璃进行热处理,使析出含有β－石英类固溶体的结晶相的玻璃陶瓷,该玻璃陶瓷具有低热膨胀性、在可见光区域的高透过性、低比重等特性。

摘要： 本发明涉及制造陶瓷基片的方法，它有以下几个步骤：a)准备好一个基体(2)，它有由相互重叠的层(3)构成的叠层(2a)，各层含有一种未烧结的陶瓷材料和一种烧结辅助材料(5)，叠层(2a)中的一个层(3a)比相邻的层含有较多的烧结辅助材料(5)；b)烧结所述叠层(2a)在烧结过程中，在所述烧结辅助材料(5)含量较高的层(3a)和所述相邻的层之间形成一个反应层(9)，所述反应层促成这两个彼此相邻的层之间的附着。本发明还涉及一种陶瓷基片。通过更高的烧结辅助材料的含量，可以改善一个层(3a)与相邻层(3)的机械连结。

摘要： 提供一种抗冲击性和小型化适应性优良而且尺寸精度良好、可靠性高的多层陶瓷电子部件、多层陶瓷基片和多层陶瓷电子部件的制造方法。在通过叠积陶瓷基体材料层和收缩抑制层而形成并具有规定的导体图案的多层陶瓷基件(4)的第1主面(14)的部分区域，设置含非金属无机粉末和树脂且利用树脂固定在该第1主面(14)的台座部(11)，并在台座部(11)将通路孔导体(17)配置成一方端面露出在台座部(11)的表面，在台座部11的表面上露出的通路孔导体(17)的一方端面(17a)以导电连接材料为中介连接半导体元件(13)等表面安装型电子元件。取表面安装型电子元件与台座部之间填充与台座部的树脂成分相同的树脂的结构。作为表面安装型电子元件，在台座部装载半导体元件。

摘要： 提供了一种氧化物陶瓷材料，其含有氧化铝作为主要组分，并且含有下面所示的A和B中的至少一种作为辅助组分：A：氧化铌和氧化铜。B：氧化铜、氧化钛和氧化银。由此可以提供一种在低温下具有可烧结性并具有高的导热率的氧化物陶瓷材料，本发明还提供了使用该氧化物陶瓷材料的陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块。

摘要： 提供能够抑制烧结后压电陶瓷基片中产生的翘曲等的变形的装载板以及压电陶瓷基片的制造方法。通过将陶瓷坯件1装载于平均粒径为0.3～2.5μm，陶瓷密度为6kg/dm3以上，热传导率为5W/mK以下，且装载面2a的中心线平均粗糙度为1μm～20μm的氧化锆基板2的装载面2a上进行烧结，能够抑制烧结后的压电陶瓷基片中所产生的翘曲等的变形。

摘要： 本发明涉及制造陶瓷基片的方法，它有以下几个步骤：a)准备好一个基体(2)，它有一叠(2a)相互重叠的层(3)，这些层含有一种未烧结的陶瓷材料和一种烧结辅助材料(5)，其中的一个层(3a)含有比一相邻的层(3)更多的烧结辅助材料(5)；b)烧结层叠(2a)。本发明还涉及一种陶瓷基片。通过更高的烧结辅助材料的含量，可以改善一个层(3a)与相邻层(3)的机械连结。

摘要： 提供一种抗冲击性和小型化适应性优良而且尺寸精度良好、可靠性高的多层陶瓷电子部件、多层陶瓷基片和多层陶瓷电子部件的制造方法。在通过叠积陶瓷基体材料层和收缩抑制层而形成并具有规定的导体图案的多层陶瓷基件(4)的第1主面(14)的部分区域，设置含非金属无机粉末和树脂且利用树脂固定在该第1主面(14)的台座部(11)，并在台座部(11)将通路孔导体(17)配置成一方端面露出在台座部(11)的表面，在台座部11的表面上露出的通路孔导体(17)的一方端面(17a)以导电连接材料为中介连接半导体元件(13)等表面安装型电子元件。取表面安装型电子元件与台座部之间填充与台座部的树脂成分相同的树脂的结构。作为表面安装型电子元件，在台座部装载半导体元件。