闪存芯片

摘要： 2021年陕西省基本完成全年经济社会发展主要目标任务,实现生产总值2.98万亿元,增长6.5%,居民人均可支配收入增长8.9%,一般公共预算收入增长22.9%,实现了“十四五”良好开局。陕西在经济高质量发展的蓝图中,围绕构建数控机床、光子、航空等23条重点产业链实施的一大批项目进展顺利,三星闪存芯片二期、奕斯伟硅产业基地、西安吉利汽车、彩虹光电扩产技改等项目正式投产,隆基15吉瓦高效单晶电池、比亚迪高端智能终端产业园、中兴科创园等项目加快建设.

摘要： 凯巴最近已经出现了好几次这样的情况,是不是得了什么怪病?现在我们就来揭晓答案:固态硬盘、手机存储卡和U盘都属于芯片。如果你能答对,恭喜你,你对芯片的认识水平已经超过了大部分同龄人。

摘要： 分析表明,闪存芯片测试的两个阶段晶圆测试和终端测试,都需要进行低温测试.低温制冷技术在两个测试阶段都得到了很大的应用.探讨在晶圆低温测试与终端低温测试过程中,两种不同制冷技术的应用.

摘要： 一束光照亮一个时代,一束光点亮一座城市,一束光引领一个未来。追光逐芯三十余载,光谷诞生了中国第一根光纤、第一个光通信系统、第一个国家信息光电子创新中心、第一个光电国家研究中心、第一个量子通信城域网、第一款自主架构三维闪存芯片等多项引领性创新成果。

摘要： 相信各位读者这段时间已经看过了不少新一代PCIe 4.0 SSD的评测,这些新产品最大的特色是借助升级的主控芯片、闪存芯片,SSD的最大传输速度逼近或达到7000MB/s,较去年在5000MB/s左右徘徊的第一代PCIe 4.0 SSD有了很大的提升,有一些厂商甚至用7000这个数字来作为自己产品的型号。

摘要： 如果从元器件的来源来看,那么SSD市场长久以来存在两类产品,一类是由各厂商通过自己的资源获取各家上游厂商的主控芯片、闪存芯片,通过设计组合推出一款款SSD新品;一类就是上游厂商自行研发的SSD,这类SSD一般只使用该厂商的主控芯片、闪存芯片。

摘要： 今年存储市场最显著的一个特点是各家都推出了新款PCIe 4.0 SSD,从三星的980 PRO到WD_BLACK的SN850,再到基于国产主控、国产闪存芯片的阿斯加特AN4等等。原因不外乎有两方面,一是从主控到闪存的硬件技术在近期都有了长足的进步,另一方面则得益于英特尔与AMD 500系主板平台的普及。两家500系主板最大的特色是可以提供对PCIe 4.0技术的支持,为用户创造了使用PCIe 4.0 SSD的条件。作为业内主要存储厂商的美光自然不能落后,他们不仅研发了新的PCIe 4.0主控,更打造出了在存储密度上领先于同级产品的176层堆叠闪存,而这两大新技术的结合所带来的就是英睿达P5 PLUS PCIe 4.0 SSD。作为美光旗下的消费级品牌,这款英睿达PCIe 4.0 SSD能为用户带来怎样的体验,相对同级其他产品表现如何?

摘要： 由边缘地带挺近主流赛道,想象力是否过度兑现?千亿牛股、估值泡沫,截然相反的评价标签,对准芯片设计公司兆易创新。2019年开始,兆易创新14个月疯涨500%,市值一度冲上1400亿元,好势头在3月急转直下,短短1个月,蒸发市值超500亿元,截至4月1日,市值约780亿元。

摘要： 低调的兆易创新,如何在强敌环伺的芯片领域突围?寒冬的风没有刮到国产芯片行业。数据显示,2019年国产芯片概念股累计涨幅77.85%,位列所有概念板块前四。一家名为"兆易创新"的公司表现尤其亮眼,其股价在2019年涨幅超过200%,市值在2020年1月中旬一路攀升至780亿元人民币,备受市场瞩目,2019年组织的机构调研会,居然共接待336家券商。兆易创新于2016年在A股上市,2019年的营收规模约在30亿元左右,因专注于2B的闪存芯片领域,长期不为人所知,在其核心的NOR Flash市场,最新的单季出货量已达全球第三,季度销售额达1亿美元。

摘要： 芯片类存储设备有读写速度快、稳定性高的优点.随着技术的发展,各类芯片存储设备被广泛应用.芯片类存储设备也会因为主控芯片损坏,或设备电流电压变化对电路或存储芯片干扰导致损坏.电子数据鉴定案件中也常常涉及芯片存储设备的数据恢复.文章介绍了芯片类存储设备的数据存储原理和数据恢复的思路,并对实际应用案例进行了分析.Flash芯片存储设备一般都使用NAND Flash，根据NAND Flash的数据存储特点和文件系统的特征，采用数据检查和数据分析方法分析模拟主控算法，从而可以从损坏主控的Flash芯片中恢复原来文件系统的数据结构。在这一过程中，主控芯片的型号和算法分析、存储芯片的原始数据的准确读出非常重要，一定要清理好触点，避免数据读取错误。在分析主控算法时一定要了解芯片存储的主控的常规算法，如字节交叉、页大小转换、字节反转(与或变换)、取消字节交叉、重新分割并重组等，根据文件系统特征进行判断才能得到正确的结果。

摘要： 本文介绍了一种基于闪存的星载高速大容量存储器的研制情况。针对闪存芯片的特点，采用了并行扩展、流水线操作、多任务高速硬件自适应调度等技术，以及基于块分配表BAT的数据管理方案，以3U尺寸实现了单板256G位，单通道输入速率1Gbps，可模块化扩展，适用于航天任务的高速大容量存储器。

摘要： 采用美国ATMEL公司的AT89C51SND1C芯片为主控制器,三星公司的闪存芯片K9F5608为外部存储器进行MP3硬件播放器设计与实现.重点研究外部存储去flash的存储结构,具体的指令操作.在flash的相关源程序编写中,主要有闪存操作的头文件定义和具体的源程序包括有产品认证模式定义,flash复位函数定义,读取闪存中某一扇区(page)的程序.

摘要： 本发明公开了一种减小非易失性闪存芯片面积的电路及非易失性闪存芯片，在不改变灵敏放大器个数的前提下，减少数据编程单元，将128个数据编程单元改为32个数据编程单元，减小灵敏放大器和数据编程单元模块的总面积；对于16Mbit串行NOR Flash芯片来说，本技术方案可以减小1.2%～2.5%的芯片面积，如果对于8Mbit串行NOR Flash来说，本技术方案可以减小2%～4%的芯片面积，降低了芯片在晶圆制造端的成本，提升了芯片的成本优势。

摘要： 一种闪存芯片销毁装置、电子装置和闪存芯片销毁方法，该闪存芯片销毁装置包括控制电路，与控制电路连接的销毁高压输出电路和触发电路；销毁高压输出电路的高压输出端与闪存芯片的VPP引脚连接，通过高压输出端中的目标高压输出端向目标VPP引脚输入销毁电压，可实现对待销毁芯片的销毁，本申请采用的是对VPP引脚输入电压的方式销毁待销毁芯片，所以对销毁电压的要求较低，仅需数十伏的电压即可，极大降低了销毁高压输出电路实现的成本和难度，并且基于VPP引脚的特性，多个闪存芯片的VPP引脚可并联，基于本实施例可同时销毁多个闪存芯片，而无需对闪存芯片逐片销毁，提升了闪存芯片销毁速度，有效减少了销毁装置的器件数量，简化了销毁装置的电路。

摘要： 本发明提供了一种闪存芯片的测试方法，包括：外部测试机台对并行测试的待测芯片发出一个操作指令；待测芯片执行操作指令；待测芯片内部的状态机自动发送操作指令给待测芯片，完成待测芯片的测试。本发明的一种闪存芯片的测试方法，能够减少并行测试的时间。本发明还提供一种闪存芯片。

摘要： 本发明提供了一种闪存芯片存储配置方法和存储配置装置，其中该方法包括：预先存储多个闪存芯片存储配置方案，并建立所述闪存芯片存储配置方案与闪存芯片的芯片信息之间的对应关系；对一待配置的闪存芯片的芯片信息进行识别；从所存储的多个闪存芯片存储配置方案中选择与所识别的芯片信息相对应的闪存芯片存储配置方案；以及根据所选择的闪存芯片存储配置方案对所述待配置的闪存芯片的存储配置参数值进行设置。

摘要： 本发明公开了一种闪存芯片操作方法。涉及电子领域；解决了通过FME文件对闪存芯片进行操作时，生成FME文件操作过程繁琐，系统工作效率低的问题。该方法包括：上位机根据闪存芯片的类型获取该闪存芯片的配置参数及通用程序；所述上位机根据所述配置参数，修改所述通用程序，得到所述闪存芯片的可执行程序；片上系统对所述闪存芯片执行所述可执行程序。本发明提供的技术方案适用于嵌入式系统中对闪存芯片的操作。

摘要： 本发明提供一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片，包括：步骤S1，外置闪存芯片读取待储存数据，将待储存数据中的多个数据块依次写入存储区域，并在每个数据块写入完成后分别向存储区域中写入一操作标记；步骤S2，外置闪存芯片在每次异常掉电后上电时，根据操作标记判断存储区域中写入的各数据块是否按照一预设顺序排列形成一数据序列：若是，则转向步骤S3；若否，则根据操作标记将各数据块按照预设顺序调整，随后转向步骤S3；步骤S3，读取数据序列中最后一次写入的操作标记对应的数据块，并根据数据块匹配得到待储存数据中尚未写入的各数据块作为待储存数据，随后返回步骤S1。有益效果是提高异常掉电后重新上电的数据恢复成功率。

摘要： 本发明公开了一种减小非易失性闪存芯片面积的电路及非易失性闪存芯片，在不改变灵敏放大器个数的前提下，减少数据编程单元，将128个数据编程单元改为32个数据编程单元，减小灵敏放大器和数据编程单元模块的总面积；对于16Mbit串行NOR Flash芯片来说，本技术方案可以减小1.2%～2.5%的芯片面积，如果对于8Mbit串行NOR Flash来说，本技术方案可以减小2%～4%的芯片面积，降低了芯片在晶圆制造端的成本，提升了芯片的成本优势。

摘要： 一种闪存芯片模块和闪存芯片模块的封装方法，其中，闪存芯片模块包括：封装载体，包括若干外部共享引脚；位于所述封装载体上的闪存芯片，包括若干第一共享引脚以及若干第一内部引脚，所述第一共享引脚与所述外部共享引脚互连；位于所述封装载体上的应答保护单调计数器芯片，包括若干第二内部引脚，所述第二内部引脚与所述第一内部引脚互连。从而，降低了闪存芯片模块的设计复杂度、封装难度，增加了闪存芯片模块的成品率，并减小闪存芯片模块的功耗。

摘要： 一种闪存芯片销毁装置、电子装置和闪存芯片销毁方法，该闪存芯片销毁装置包括控制电路，与控制电路连接的销毁高压输出电路和触发电路；销毁高压输出电路的高压输出端与闪存芯片的VPP引脚连接，通过高压输出端中的目标高压输出端向目标VPP引脚输入销毁电压，可实现对待销毁芯片的销毁，本申请采用的是对VPP引脚输入电压的方式销毁待销毁芯片，所以对销毁电压的要求较低，仅需数十伏的电压即可，极大降低了销毁高压输出电路实现的成本和难度，并且基于VPP引脚的特性，多个闪存芯片的VPP引脚可并联，基于本实施例可同时销毁多个闪存芯片，而无需对闪存芯片逐片销毁，提升了闪存芯片销毁速度，有效减少了销毁装置的器件数量，简化了销毁装置的电路。

摘要： 本发明提供了一种闪存芯片的测试方法，包括：外部测试机台对并行测试的待测芯片发出一个操作指令；待测芯片执行操作指令；待测芯片内部的状态机自动发送操作指令给待测芯片，完成待测芯片的测试。本发明的一种闪存芯片的测试方法，能够减少并行测试的时间。本发明还提供一种闪存芯片。