闪存技术

摘要： 昨晚的发布会上,长江存储旗下品牌致态推出了新一代旗舰级SSD硬盘Ti Pro7000系列,支持PCIe Gen4,最高读取速度7400MB/s,,基本贴着Gen4X4的带宽上限了,性能非常强大。长江致态TiPro7000是标准的M.22280形态,搭载英韧科技Rainier IG5236主控制器,支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4,八通道设计,12nm制造工艺,这次还调整了封装,增大散热面积,可有效降低高负载下的温度。

摘要： 以“四个面向”为引领,复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对主流电荷存储器技术,发现了制约硅基闪存技术的原理瓶颈,提供了可以应用于硅材料的器件模型,实现了匹敌易失内存技术的超快速度,为统一存储器的发展提供了技术途径.北京时间6月3日,相关成果以“Ultrafast non-volatile flash memory based on van der Waals heterostructures”为题在 Nature Nanotechnology 在线发表.

摘要： 随着多层堆叠闪存技术的普及,TLC、QLC闪存颗粒的成熟,目前不仅电脑内部的存储设备广泛使用SSD,在移动存储领域,SSD也开始扛起大旗。近期影驰就为消费者带来了一款移动SSD新品:影驰PS10。这款产品拥有可爱的外观,其整体基于极简设计,搭配切割圆弧的外观、曲线身形、纯白配色,给用户带来简约派,美出个性的视觉体验。更值得一提的是,它的体型非常小巧,“三围”只有71mm×43.8mm×10.6mm,比我们常用的手机小很多,只比U盘大一些。

摘要： 不知熟悉数码产品的玩家是否还记得,在几年前大容量闪存盘还是数码界的“奢侈品”。当时有一位知名的富豪在网上展示出他的1TB闪存盘后,收到了不少网友的评论、调侃。原因是那时1TB闪存盘的售价非常昂贵,价格高达9999元,已经与一台配置较好的游戏本相当。不过随着这几年闪存技术的飞速发展,大容量闪存存储产品的售价已经大幅下降,不仅1TB SSD已走进普通人的电脑,目前价格便宜很多的1TB闪存盘也来了。如这款由西部数据旗下品牌闪迪推出的至尊超极速USB 3.2固态闪存盘1TB,其售价仅千元出头,那么它能给我们带来怎样的体验呢?

摘要： 大数据时代,数据爆炸性增长,要求数据存储高性能、可扩展、低能耗、低延迟、高安全、高可靠以及长久保存。本讲座介绍了大数据存储系统的发展背景及现状,并基于大数据存储系统的需求,对闪存技术、新型非易失存储器、面向NVM的文件系统和分布式存储技术相关研究现状以及所做主要工作进行了介绍。新型存储器件的出现给大数据存储系统带来了新的发展机遇,但如何形成与之相适应的新的芯片、器件和设备,最后运用到大数据存储系统中,使之发挥作用,满足复杂应用环境需要,是未来研究和发展的趋势。

摘要： 大数据时代,数据爆炸性增长,要求数据存储的高性能、可扩展、低能耗、低延迟、高安全、高可靠以及长久保存。本讲座介绍了大数据存储系统的发展背景及现状,并基于大数据存储系统的需求,对闪存技术、新型非易失存储器、面向NVM的文件系统和分布式存储技术相关研究现状以及所做主要工作进行了介绍。新型存储器件的出现给大数据存储系统带来了新的发展机遇,但如何形成与之相适应的新的芯片、器件和设备,最后运用到大数据存储系统、架构和软件中,使之发挥作用,满足复杂应用环境需要,是未来研究和发展的趋势。

摘要： 近年来闪存相关技术的发展速度非常快,容量越来越大、速度越来越快、价格更低的闪存相关产品接连上市,让普通消费者也能直观感受到闪存技术进步所带来的更好数据存储体验。展望未来技术,闪存还有哪些可以提升的空间呢?在FMS2019闪存技术峰会中,各路厂商就为我们展示了不少新技术。下面就让我们挑选其中的重点,一起去展望未来存储技术的发展趋势。

摘要： 随着NAND 3D闪存技术的发展,存储卡的容量价格比正逐渐朝着喜人的趋势发展,50元左右就可以买到64GB容量的产品。问题来了,存储卡如何区分优良中差?哪个类别和价位的存储卡最适合我们呢?

摘要： 意法半导体新推出的ST31P450双接口安全微控制器采用最新的40 nm 闪存工艺以及强化的RF射频技术,为银行卡、身份证、交通卡、付费电视等非接触式智能卡带来优异的连接稳健性和读写性能。ST31P450基于经过市场检验的32 位Arm Secur-Core SC000安全处理器,符合ISO 7816和ISO 14443 A类智能卡和非接触式智能卡标准,支持MIFARE全系软件库,包括MIFAREClassic、MIFAREPlus和MIFAREDESFire。意法半导体的40nm 闪存技术可以将芯片做得极小,适用于银行卡等双接口应用场景,增强的安全性可提高交易安全性和防伪功能。

摘要： 据美国《每日科学》网站报道,以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术,有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实,运算频率达太赫兹量级,从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍.北京大学现代光学所陈建军研究员对科技日报记者说,到目前为止,研制太赫兹处理频率的微芯片面临两大挑战：

摘要： 作者根据自己多年的企业存储系统管理经验,从日常使用和管理角度出发,深入浅出但又较为系统地论述了闪存给企业存储带来的价值,并对以往资料很少提及的闪存技术企业运用的进展进行了重点剖析.本文对于企业IT管理人员和企业存储平台上的应用开发人员了解和深入掌握闪存技术有较大帮助.

摘要： 本文分析了Agenda闪存技术以及存储软件面临的挑战。详细介绍了高速存储数据保护系统，最后对大数据存储进行了展望。

摘要： 闪存单片机可以扩充系统模块的功能，还可以提高模块的可生产性。其高成本效益和可靠性为实现ECU开创了一条有效的途挂。另一方面，汽车内部ECU的增加使其相互问通信的需求增加。从而出现了“网络化汽车”。闪存单片机不但提高了汽车内部的检测能力，而且使ECU的制造周期进一步缩短、工作流程中的库存管理进一步简化，达到降低废品率的目的。鉴于此，本文首先从功能、应用及闪存技术的角度探讨了汽车工业选择闪存单片机的原因；其次就汽车应用中采用哪种技术的闪存单片机最佳这一问题作了论述；最后，论述了兼容性的作用。

摘要： 本发明实施例提出了一种闪存控制方法、闪存控制器及闪存系统，涉及存储技术领域，该方法中：闪存控制器在获得由固件发送的目标操作指令后，通过监听目标LUN的当前状态，并在目标LUN处于空闲状态时，将目标操作指令添加到命令队列，进而由闪存控制器将命令队列中所存储的所有操作指令分别发送给存储单元，以使存储单元执行命令队列中的所有操作指令。发明实施例所提供的一种闪存控制方法、闪存控制器及闪存系统，能够简化固件的代码，提升系统性能。

摘要： 本发明公开了一种闪存装置和闪存存储管理方法，所述闪存存储管理方法包括：提供闪存模块，所述闪存模块包括多个单层单元数据区块以及多层单元数据区块；将欲写入的数据分类为多个数据群；分别执行单层单元数据写入以及执行类似容错式磁盘阵列错误更正编码操作产生对应的校验码，以将所述多个数据群以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块；当完成所述多个单层单元数据区块的写入时，执行内部复制，将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多个数据群以及所述对应校验码，依所述多个单层单元数据区块存储顺序，依序写入至所述多层单元数据区块。只需使用极低数据空间作为存储相对应错误更正校验码之用，闪存数据空间使用效率更高。

摘要： 本发明提供了一种闪存单元、闪存单元的编程方法及闪存单元的擦除方法，所述闪存单元包括形成有N阱的P型衬底和所述N阱上的栅极结构，所述栅极结构包括第一存储位和第二存储位，所述第一存储位和所述第二存储位共享一个字线栅。通过对闪存单元的控制栅、位线、字线栅、N阱进行电压配置，从而达到编程的操作。通过在字线栅上施加正电压，在两个存储位的控制栅上施加负电压，快速擦除信息，所述字线栅的结构产生增强型电子隧穿效应，使用较低的电压就可实现快速擦除的目的。

摘要： 本发明公开了一种闪存控制装置、闪存控制系统和闪存控制方法。所述闪存控制装置包括数据读写接口和控制器。当所述数据读写接口耦接到第一闪存与第二闪存时，所述控制器通过所述数据读写接口来将第一闪存的第一储存平面所储存的至少一笔有效数据暂存到第二闪存的第二缓冲器；所述控制器对已经没有有效数据的所述第一储存平面执行擦除循环，以清除所述第一储存平面内的非有效数据并且整理出所述第一储存平面内的闲置空间；以及所述控制器还将暂存于所述第二缓冲器的所述至少一笔有效数据重新写入所述第一储存平面。本发明可实现更快的操作速度，并且降低闪存控制器的制造成本。

摘要： 本发明提供了一种闪存单元、闪存单元的编程方法及闪存单元的擦除方法，所述闪存单元包括形成有N阱的P型衬底和所述N阱上的栅极结构，所述栅极结构包括第一存储位和第二存储位，所述第一存储位和所述第二存储位共享一个字线栅，本发明提供的闪存单元编程功耗低，读取速度快，存储的状态更多。通过在闪存单元的控制栅施加正电压，在位线上施加负电压，从而达到编程的操作，本发明提供的闪存单元的编程方法可以选择编程的存储位，也可以对两个存储位同时进行编程。通过在字线栅上施加正电压，在两个存储位的控制栅上施加负电压，快速擦除信息，所述字线栅的结构产生增强型电子隧穿效应，使用较低的电压就可实现快速擦除的目的。

摘要： 本发明公开了一种闪存的控制方法、闪存晶粒以及闪存。其中，闪存具有连接多个闪存晶粒的外部数据总线。闪存的控制方法包括：在设定阶段，于命令输入的操作模式下，由主控器送出设定命令，将各闪存晶粒的数据总线的各端口分别映射到各闪存晶粒的状态指标；以及于要求阶段，于命令输入的操作模式下，由主控器向各闪存晶粒送出要求命令，并且于数据输出的操作模式下，将各闪存晶粒的状态指标的状态经由相对应的外部数据总线的各端口，传送到主控器。

摘要： 本发明公开一种检查闪存装置的闪存的存储单元的方法，包括：写入数据至存储单元；以及执行数据读取操作以从存储单元中读取数据以比较所述所读取的数据及所述所写入的数据以检查数据是否被正确地写入至存储单元，所述数据读取操作包括：执行依序读取操作以依序地选取出第一存储单元并从所述第一存储单元中读取数据；如果所述第一存储单元损坏，则累加连续的损坏存储单元的个数的值；以及如果所述连续的损坏存储单元的所述个数的值大于所述第一门限个数的值，则退出所述依序读取操作并接着执行随机读取操作以读取特定存储单元的数据。本申请所提供的技术解决方案可以在所述时间限制到期前尽可能地令被开卡的闪存装置具有较大的总存储容量。

摘要： 本发明提供一种闪存单元、闪存模块以及闪存芯片，该闪存单元包括：用于存储长时数据的可编程半导体器件以及用于存储临时数据的模拟电容单元，可编程半导体器件与模拟电容单元并联连接，其中，通过设置模拟电容单元存储临时数据，能够有效减少可编程半导体器件的擦写次数，避免可编程半导体器件的老化。

摘要： 本发明公开了一种闪存装置和闪存存储管理方法，所述闪存存储管理方法包括：提供闪存模块，所述闪存模块包括多个单层单元数据区块以及多层单元数据区块；将欲写入的数据分类为多个数据群；分别执行单层单元数据写入以及执行类似独立磁盘冗余阵列错误更正编码操作产生对应校验码，以将所述多个数据群以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块；当完成所述多个单层单元数据区块的写入时，执行内部复制，将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多个数据群以及所述对应校验码，依所述多个单层单元数据区块存储顺序，依序写入所述多层单元数据区块。只需使用极低数据空间作为存储相对应错误更正校验码之用，闪存数据空间使用效率更高。

摘要： 本实用新型实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种闪存芯片、闪存设备及闪存存储系统。其中所述的闪存芯片，应用于闪存设备，所述闪存设备包括闪存控制器，所述闪存芯片包括多个闪存通道，每一闪存通道对应设置有一个信号标志单元，所述信号标志单元通过信号标志值确定与其对应的闪存通道处于高功耗状态或低功耗状态；所述闪存控制器包括功耗检测单元，用于确定是否存在处于高功耗状态的闪存通道，以使所述闪存控制器确定是否向空闲闪存通道发送命令。通过信号标志单元的信号标志值确定对应的闪存通道的功耗状态，以使闪存控制器确定是否向空闲闪存通道发送命令，从而解决闪存芯片的瞬时功耗较高的技术问题，有效保障闪存芯片的正常工作。