门巴族

摘要： 麻麻门巴民族乡位于西藏自治区山南市错那县城南部40公里处,是西藏9个人口较少民族乡之一。全乡总面积82.7平方公里,平均海拔2800米。麻麻村是麻麻乡唯一的行政村,也是乡政府所在地,共106户304人,其中门巴族110人、藏族194人。2018年底,麻麻乡实现全部脱贫,脱贫群众全部实现"两不愁、三保障"目标。2020年,全乡农村经济总收入538.4万元,人均纯收入20342元,主要收入来源为经营性收入、运输、务工和政策性收入。

摘要： 位于西藏东部的林芝市,是一个以藏族为主体,汉族、门巴族、珞巴族、回族、怒族、独龙族、纳西族等35个民族和睦相处的多民族聚居区。近年来,林芝市把民族团结进步事业作为基础性事业来抓,深入推进各民族交往交流交融,各民族在这片美丽富饶的土地上共同绘就和谐林芝的大美画卷。

摘要： 今年4月下旬,笔者在被称为"莲花秘境"的西藏林芝市墨脱县调研,听说在该县德兴村有几位自主创业的大学生,有的种水果,有的办民宿,正搞得红红火火。由于近几年来西藏的大学毕业生就业压力日趋严峻,转变观念、自主创业无疑是拓宽和实现大学生就业的重要渠道,具有一定的引领和示范意义。因此,笔者在当地向导的陪同下,驱车赶赴德兴村一探究竟。

摘要： 傍晚,在被誉为"千碉之乡"的西藏山南市洛扎县边巴乡,色珍挽着周金生的手,聊着天,漫步在古碉楼间,脸上洋溢着幸福的笑容。周金生大学刚毕业就被分配到了洛扎县工作。2007年,周金生和色珍相识、相恋,并于次年结为夫妻。在洛扎县,周金生收获了事业,也收获了爱情,成为了洛扎县又一个民族团结佳话。近年来,洛扎县以不同方式、不同载体在各领域扎扎实实开展民族团结工作,涌现出大量民族团结感人事迹。从民族通婚家庭和谐美满生活到不同民族之间团结互助、和睦相处,藏族、汉族、门巴族、纳西族等8个民族像石榴籽一样紧紧抱在一起,谱写了一首首民族团结、民族融合的赞歌。

摘要： 伸手不见五指的黑夜中,听着绒曲河“疑是银河落九天”的美妙伴奏,让我仿佛回到梦的起点--勒门巴族乡。8年后,当我再一次长时间走访基层单位时,军旅生涯已然结束,可戍边梦想仍未止步。

摘要： 9月开学季,88位来自西藏自治区的2021级本科学生,走进了温州大学的校园。他们分别来自那曲、拉萨、山南、日喀则、林芝、昌都和阿里7个地区,人数最多的是藏族,有56人,还有31人是汉族,门巴族最少,仅有一名学生。今年正逢西藏和平解放70周年,为了进一步加强支援西藏的力度。

摘要： 一腔深情2014年,西藏自治区墨脱公路通车的次年,当地群众听闻县上请来一位医术高超的“门巴族老大夫”,十里八乡的人们慕名求诊,甚至有骑马骑驴赶来的。这位“门巴族老大夫”就是吴天一。墨脱通车后,他赴实地开展高原病调查,还很快学会用门巴语交流,以至被群众误以为是门巴族的大夫。

摘要： 2021年1月,西藏民族大学陈立明教授的著作《西藏民族关系研究——以藏门珞民族关系为中心》由中国社会科学出版社出版,该书系作者主持的国家社科基金项目结项成果,全书共计49万余字。藏族、门巴族和珞巴族以及僜人和夏尔巴人,是世居于西藏高原的古老民族和族群。藏门珞从遥远的古代起就有着紧密的政治、经济和文化联系,他们共同创造了光辉灿烂的西藏文化,为缔造、开发和保卫祖国西南边疆做出了重大贡献。该书根据大量的历史文献和田野调查材料,从政治、经济和文化等方面系统全面研究了藏族和门巴族、珞巴族以及僜人和夏尔巴人的关系,梳理和解析了藏门珞民族关系的丰富内涵,将补充和丰富我国民族关系史的内容。

摘要： 一、概述墨脱(Medog),意为“隐秘的莲花”。墨脱县是西藏自治区林芝地区下属的一个平凡的小县城。它是全国最后一个通公路的县城,直到2013年才正式通车。我校以“和而不同,同则不继”为办学理念,在我校就读的学生涵盖了汉族、藏族、彝族、门巴族和珞巴族,在一个融合多民族学生的校园里,培养多民族学生之间团结协作显得尤为重要。而科学课程的基本理念的第一点就是.

摘要： 藏族、门巴族和珞巴族是生活在西藏的古老民族，从遥远的古代起，藏族、门巴族和珞巴族就有着密切的交往，在政治、经济和文化上有着紧密的联系。这种交往和联系，促进了藏族、门巴族和珞巴族社会和文化的发展，他们共同为开拓和建设祖国西南边疆作出了历史性的贡献。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al