长波长

摘要： 报道了国内首次实现出光功率达到毫瓦量级的单横模1550 nm波段垂直腔面发射半导体激光器(vertical-cavity surface-emitting laser,VCSEL).设计了基于InAlGaAs四元量子阱的应变发光区结构;设计并制备了具有隧穿特性的台面结构,实现了对载流子空穴的高效注入及横向模式调控;采用半导体分布式布拉格反射镜与介质反射镜结合的方式制备了1550 nm VCSEL的反射镜结构.VCSEL中心波长位于1547.6 nm,工作温度为15°C时最高出光功率可达到2.6 mW,最高单模出光功率达到0.97 mW,最大边模抑制比达到35 dB.随着工作温度增加,激光器最高出光功率由于发光区增益衰减而降低,然而35°C下最大出光功率仍然可以达到1.3 mW.激光器中心波长随工作电流漂移系数为0.13 nm/mA,并且激光波长在单模工作区呈现出非常一致的漂移速度,在气体探测领域具有很好的应用潜力.本研究为下一步通过高密度集成获得高功率1550 nm VCSEL列阵奠定了基础.

摘要： 相对于天然地震的低频长波长特征,上地壳广泛存在的盆地沉积层厚度相对较薄,在研究壳幔结构或地震定位时往往做各向同性或VTI层等效的简化.这种简化的适用条件与误差是本文讨论的主要问题.以塔里木盆地为例,利用塔中某测井数据建立盆地二维水平层状互层模型;以此为参考,可进一步得到简化的各向同性等效和VTI近似两种单层模型.通过计算两种简化模型相对参考模型的初至走时误差,可以发现:(1)当震源处于沉积层内和沉积层下方时,两类简化模型得到的走时呈现完全不同的变化规律;(2)当震源处于沉积层内时,简化模型的走时相对误差均随震中距的增加快速增大,各向同性等效的误差极值在震源深度6km、震中距100km处可达60%左右,而VTI近似约为45%;(3)当震源处于沉积层下方时,区域震条件下各向同性等效与VTI近似的误差均未超过8%,且各向同性等效的精度优于VTI近似.因此,当利用盆地内观测数据定位不同深度、不同震中距区域地震时,宜采用不同的上地壳沉积层简化模型以保证合理的精度.

摘要： 高速垂直腔面发射激光器(VCSEL)是高速光通信的主要光源之一,受数据流量的迅速增长牵引,高速VCSEL正向更大带宽、更高速率方向发展。长春光机所团队通过优化VCSEL外延设计和生长、器件设计和制备、以及性能表征技术,在多个波长的高速VCSEL的调制带宽、传输速率、模式、功耗等性能方面取得了显著进展。实现高速单模940 nm VCSEL 27.65 GHz调制带宽和53 Gbit/s传输速率;通过波分复用基于850 nm、880 nm、910 nm和940 nm高速VCSEL实现200 Gbit/s链路方案;通过光子寿命优化,实现高速VCSEL低至100 fJ/bit的超低能耗;实现1030 nm高速VCSEL 25 GHz调制带宽;实现1550 nm高速VCSEL 37 Gbit/s传输速率。研制的高速VCSEL在光通信等领域有重要应用前景。

摘要： 防晒,防的是什么?防晒主要防的是紫外线,"紫外线"实际上还可细分为长波长的UVA,中波长的UVB及短波长的UVC。其中UVC在进入大气层时,已在臭氧层的防护下被隔离,能辐射到地面的只剩UVA和UVB了。

摘要： 文章通过设计和优化外延和芯片结构实现InP高功率掩埋结构超辐射发光二极管芯片,测试结果显示:500 mA下芯片室温出光功率达到80 mW,增益谱宽超过40 nm,覆盖范围超过1600 nm,芯片水平和垂直发散角分别为16°和18°,芯片可用于宽带及窄线宽光源.

摘要： 一种基于半萘基染料的新型比色和长波长荧光探针SR被设计与合成.该探针基于二硝基苯醚的水解反应导致独特的螺环的关-开机理.荧光强度值(635 nm)和紫外吸光度值(590 nm)与H2S的浓度(2.00～10.00 μmol/L)呈现良好的线性关系,检测限分别为0.50和1.00 μmol/L.离子干扰实验显示探针SR具有良好的抗干扰能力,并能够应用于复杂体系中的H2S检测.同时,该探针进一步应用于滤纸、凝胶和Hela细胞中H2S的快速和有效检测,该工作进一步拓宽了荧光探针对化学和环境中H2S进行检测的应用范围.

摘要： 晶体管激光器同时具有激光器的光发射功能与晶体管的电流控制功能,表现出多种新颖的光电特性.相对于短波长GaAs基器件,InP基长波长晶体管激光器更适合于光纤通信系统应用因而具有重要研究价值.本文主要介绍发光波长在1.3μm与1.5μm的InP基长波长晶体管激光器的研究进展,对不同结构器件的特点及可用于提高器件性能的相关器件设计进行了分析和讨论.根据器件波导结构的不同目前已报道的边发射晶体管激光器主要包括浅脊、掩埋及深脊结构三种类型.浅脊晶体管激光器中有源量子阱材料被置于重掺杂基区材料之中,使得InP基晶体管激光器只能在低温工作.掩埋结构的InP基晶体管激光器采用npnp型InP电流阻挡层掩埋脊条型有源材料,制作工艺过于复杂,不利于降低器件成本.深脊晶体管激光器中量子阱有源区材料位于重掺杂基区材料之上,可同时减小掺杂杂质扩散及基区材料光吸收的不利影响,基于该结构实现了InP基1.5μm波段晶体管激光器室温连续电流工作.数值计算研究表明,在深脊晶体管激光器量子阱中进行n型掺杂及在其发射极波导中引入由反向pn结构成的电流限制通道均可以减少载流子向缺陷的扩散,进而减小缺陷的不利影响,提高器件性能.

摘要： 水溶性荧光探针2-(4-二羟基硼烷)苯基喹啉-4-羧酸(PBAQA)能实现儿茶酚的选择性识别,但发射波长较短.PBAQA及衍生物通常在285 nm进行荧光发射.本文报道以PBAQA为building block,通过化学合成制备一个新的二硼酸荧光探针.该化合物具有更长的发射波长,发射波长为364 nm.初步荧光活性测试结果表明,该化合物对多巴胺具有一定结合选择性.对寻找具有较长发射波长的硼酸荧光探针,实现探针分子在嗜铬细胞瘤等细胞组织进行荧光成像具有重要意义.%As a water-soluble fluorescent sensor, 2-(4-dihydroxyborane) phenyl quinoline-4-carboxylic acid (PBAQA) can achieve selective identification of catechols, but the fluorescence emission wavelength is shorter. PBAQA and derivatives are usually emitted at 285 nm. Using PBAQA as building block, we synthesized a new diboronic acid fluorescent sensor, with a higher emission wavelength up to 364 nm. The preliminary fluorescence test showed that this compound selectively bind with dopamine. It has great significance to develop the fluorescence probe having long emission wave-length and realize the fluorescence imaging of the probe molecule in the cell and tumor such as pheo-chromocytoma.

摘要： 垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)是半导体激光器的一种,自发明问世以来便在半导体激光器领域引起广泛的关注.本文探讨了长波长VCSEL工作原理、相关制备工艺、应用及发展现状等问题.

摘要： 在多波段导航模式下,研究了北斗L,S和C波段多频相位测量值组合模型.通过巷数,电离层因子以及观测噪声因子,在维持模糊度整数特性条件下,优选长波长、弱电离层时延和低观测噪声的独立线性组合.针对长基线和短基线情境,分别提出基于超宽巷、宽巷、中巷和窄巷的多波段多频相位测量值组合.结果表明,相比于L波段多频,北斗多波段多频相位测量值组合有助于模糊度解算和降低电离层时延,其最大波长为293.05m,最小一阶电离层因子为0.00014.所优选的多波段多频相位测量值组合具有长波长,弱电离层时延和低观测噪声整体较优的特性.%In the mode of multiband navigation,the multifrequency phase measurement combination model for Compass in L,S and C bands is investigated.By the introduction of lane number,ionospheric factor and observation noise factor,some independent linear combinations with long wavelength,weak ionospheric delay and small observation noise are optimized,while retaining integer ambiguity.For both scenarios of short and long baselines,some optimal multiband-multifrequency observation combinations for extra wide-lane,wide-lane,medium-lane and narrow-lane are presented separately.The results indicate that compared to multifrequency in L band,Compass multifrequency phase measurement combination in multiband can ease ambiguity resolution and reduce ionosphere delay,whereas the longest wavelength of 293.052 3 m and the smallest first-order ionospheric factor of 0.000 14 are attainable.The proposed multiband-multifrequency phase measurement combinations are overall optimal in terms of long wavelength,weak ionospheric delay and small observation noise.

摘要： 相对短波长静校正而言,长波长静校正问题的识别与解决要复杂得多。为此,针对复杂地表区出现的长波长静校正问题进行了探讨,分析了长波长静校正问题的特征,总结了常用的长波长静校正识别方法,并通过实例分析,阐述了长波长静校正问题的解决思路。

摘要： 近几年,黄土塬地区已成为煤层气勘探开发的重点区域.该区地表条件复杂,局部地区存在巨厚的低降速带,长波长静校正问题突出,不仅影响后续各阶段的处理质量,也会导致叠加剖面构造失真.本文通过研究长波长异常现象形成机理及识别方法,优选静校正方法及参数,最大程度地解决长波长静校正问题.

摘要： 针对RCE光电探测器存在的问题提出两种解决方案.将InP/空气隙的分布布拉格反射镜(DBR)结构引入RCE光探测器,解决了长波长反射镜制备问题.所制备的器件,在波长1.585μm处茆 约54.5﹪的峰值量子效率,以及8GHz的3dB响应带宽.另一种引入斜镜结构解除了量子效率与超窄光谱响应线宽的相互制约.

摘要： 随着石油勘探的不断深入,人们越来越重视地震资料表层静校正问题.在近地表构造复杂地带,尤其是黄土塬地区复杂地表条件下的静校正技术严重制约着地震勘探资料的信噪比及分辨率.本文针对此情况,介绍了三种静校正的分析,并对其应用的效果进行了分析.

摘要： 随着石油勘探的不断深入,人们越来越重视地震资料表层静校正问题.在近地表构造复杂地带,尤其是黄土塬地区复杂地表条件下的静校正技术严重制约着地震勘探资料的信噪比及分辨率.本文针对此情况,介绍了三种静校正的分析,并对其应用的效果进行了分析.

摘要： 随着石油勘探的不断深入,人们越来越重视地震资料表层静校正问题.在近地表构造复杂地带,尤其是黄土塬地区复杂地表条件下的静校正技术严重制约着地震勘探资料的信噪比及分辨率.本文针对此情况,介绍了三种静校正的分析,并对其应用的效果进行了分析.

摘要： 本发明公开了LED泵浦多波长波导激光器及多波长波导激光器，包括：光学基体、LED泵浦光源、弯曲波导、第一增透膜、第一高反膜、第二高反膜、第三高反膜和滤光膜；其中，光学基体的一端面与LED泵浦光源的输出端相对；弯曲波导为多根且间隔掩埋设置在光学基体内，其两端分别延伸至光学基体两侧；第一增透膜设置在光学基体与LED泵浦光源输出端相对的端面上；第一高反膜设置在光学基体远离第一增透膜的端面；第二高反膜和第三高反膜均为多片且与弯曲波导一一对应并分别与弯曲波导的两端相对；滤光膜为多片且与多根弯曲波导一一对应并与弯曲波导的输出端相对；本方案体积小、加工可靠灵活、成本低且可实现多波长激光输出和易于与其他光电设备进行集成。

摘要： 一种半导体激光器的多单管多波长合束模块，包括：四组单管半导体激光器和光学透镜模组，每一组单管半导体激光器，包括X个单管半导体激光器，光学透镜模组包括：光束整形透镜，包含快轴光束整形透镜及慢轴光束整形透镜，波长合束镜，聚焦透镜组，以及反射镜。聚焦透镜组可将多个单管半导体激光器发射的激光消像差及聚焦，于尾纤入射端面处得到一个小于光纤直径长度的的聚焦光斑，并从尾纤输出端输出光束。

摘要： 本发明属于激光技术领域，具体为一种利用非谐波长波长取样光进行脉冲信噪比单次测量的装置。该装置主要由长波长取样光产生单元、大角度非共线和频互相关单元和高灵敏度信号接收单元三部分构成。长波长光取样的和频互相关器的使用，既可以允许光束在准位相匹配晶体中以大的非共线角相互作用，也可以匹配高灵敏度信号接收系统的测量窗口，还有利于散射光噪音的消除，从而同时实现大时间窗口、高动态范围的脉冲信噪比单次测量。本装置在时间窗口和动态范围方面具有很好的可扩展性，可适用于多种波长的高功率激光的信噪比测量。

摘要： 一般波长或长波长光接触接近纳米光刻光学装置，由光源(3)、镜组(2)、反射镜(1)和镜组(4)组成的均匀照明系统照明掩模，并使接触接近放置的硅片(7)上的抗蚀剂涂层(6)感光，其特征在于：均匀照明系统的光源(3)是一般波长或长波长激光，镜组(1)和镜组(4)是聚焦扩束准直均匀照明镜组，在均匀照明位置放置的掩模是金属掩模(5)，它与安放在其下方的高分辨率抗蚀剂涂层(6)之间距离为0.005-1000μm。本发明用193-1000nm任意波长激光照明金属掩模，激发金属掩模表面等离子体，通过等离子波传播，出射小发散角光用于光刻，不受衍射极限的限制，不需要复杂昂贵的极短波长光源，就可制作出纳米量级的图形。

摘要： 本发明提供一种制作长波长光隔离器的原理及采用该原理的长波长隔离器，以解决现有的光隔离器适用波长短的问题；长波长光隔离器包括外封管和磁环，所述磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离芯片，其特征在于：所述隔离芯片通过光学粘合剂粘合由叠放在一起的入射偏振片、法拉第旋光体和出射偏振片构成，所述法拉第旋光体的数量至少为两个。本发明通过多片普通短波长法拉第旋光体灵活实现各种不同高波长的效果，并且降低成本，缩短生产周期。

摘要： 本申请实施例提供一种地震波长波长静校正方法及装置，方法包括：将目标工区地震资料中的初至数据与预设标志层的层位数据进行互相关分析，得到数据相似度，并将所述数据相似度高于预设阈值的初至数据设定为目标初至数据；根据所述目标初至数据与相对基准时间，确定所述初至数据的长波长校正量，其中，所述相对基准时间为根据所述层位数据确定的；本申请能够有效降低长波长问题产生的误差，从而提高构造解释精度。

摘要： 本发明属于激光技术领域，具体为一种利用非谐波长波长取样光进行脉冲信噪比单次测量的装置。该装置主要由长波长取样光产生单元、大角度非共线和频互相关单元和高灵敏度信号接收单元三部分构成。长波长光取样的和频互相关器的使用，既可以允许光束在准位相匹配晶体中以大的非共线角相互作用，也可以匹配高灵敏度信号接收系统的测量窗口，还有利于散射光噪音的消除，从而同时实现大时间窗口、高动态范围的脉冲信噪比单次测量。本装置在时间窗口和动态范围方面具有很好的可扩展性，可适用于多种波长的高功率激光的信噪比测量。

摘要： 本实用新型提供一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，以解决现有的光隔离器适用波长短的问题。一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管和磁环，所述磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离芯片，所述隔离芯片通过光学粘合剂粘合由叠放在在一起的入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体、第三法拉第旋光体和出射偏振片构成。本实用新型通过三片短波长法拉第旋光体实现高波长的隔离器需求，从而降低成本缩短周期。

摘要： 本实用新型提供一种使用四片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，以解决现有的光隔离器适用波长短的问题。一种使用四片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管和磁环，所述磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离芯片，所述隔离芯片通过光学粘合剂粘合由叠放在在一起的入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体、第三法拉第旋光体、第四法拉第旋光体和出射偏振片构成。本实用新型通过四片短波长法拉第旋光体实现高波长的隔离器需求，从而降低成本缩短周期。

摘要： 本实用新型提供一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，以解决现有的光隔离器适用波长短的问题。一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管和磁环，所述磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离芯片，所述隔离芯片通过光学粘合剂粘合由叠放在在一起的入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体和出射偏振片构成。本实用新型通过两片短波长法拉第旋光体实现高波长的隔离器需求，从而降低成本缩短周期。