镀膜工艺

摘要： 随着日常生活场景电子产品使用量越来越多,电子产品产生的辐射越来越高,具有防辐射功能的产品需求增大。本项目通过在聚酯纤维为基础的面料上采用碱减量预处理,再通过浸锌、镀铜等工艺实现纺织品镀膜,成品方阻为0.049Ω,满足防辐射要求,产品可应用于家居装修、机房、医疗辐射单位使用。

摘要： 在一加10 Pro手机的发布会上,还发布了一加首款主动降噪耳机一加Buds Pro特别版——秘银。通过全新镀膜工艺,一加Buds Pro秘银在耳机表面实现了独特的高亮银色金属质感,充满了不可比拟的科技潮流感。此外一加Buds Pro升级了智能双设备功能,可以同时连接手机和电脑,轻松在两台设备之间切换。事实上,一加Buds Pro秘银并不是一个“新”的配色,甚至是最早确定下来的颜色。在当所有的颜色放在刘作虎面前时。

摘要： OPPO Find X3 Pro开售,搭载骁龙888芯片OPPO于3月11日推出了OPPO Find X3系列。其中OPPO Find X3 Pro于3月19日开售,其搭载新一代旗舰移动平台骁龙888,拥有超大超薄VC液冷散热设计,内置4500mAh大电池,支持65W超级闪充、30W无线闪充、10W无线反充。OPPO Find X3系列拥有2000+控制点精密调整后盖曲线,辅以艺术级热锻工艺使玻璃热弯、一体成型,加之OC0曲面玻璃镀膜工艺可实现手感温润的釉质镜黑,打造“不可能的曲面”。OPPO Find X3系列使用5000万像素1/1.56寸双主摄,搭配两个索尼联合开发传感器IMX766、60倍显微镜和1300万长焦镜头,还拥有全链路10 bit色彩引擎,拍摄、存储及以显示都是10亿色。

摘要： 9月6日,vivo“芯之所像”主题影像技术分享会正式召开。vivo自主研发的首款专业影像芯片--vivo V1亮相,全面开启手机硬件级算法时代。除了V1芯片,分享会上超高透玻璃镜片、全新镀膜工艺和蔡司自然色彩等vivo手机影像技术新成果也一同亮相。通过与蔡司在影像芯片、光学器件和软件算法的全面协同合作,vivo在技术上大幅提升了夜间拍摄体验、减少眩光和鬼影,在专业人像和色彩上不断提升。

摘要： vivo X70 Pm+是今年vivo推出的全新旗舰手机,其后置摄像头采用了超高透玻璃镜片、全新镀膜工艺,并搭载了蔡司自然色彩等vivo手机影像技术新成果,拍摄效果出色。近几年vivo在影像技术上持续研发,促使其成为手机影像产品中的领军企业,在与蔡司的深度合作下,开发出极具创新力的产品。

摘要： 研究了人体红外测温、成像系统光学薄膜滤光片的光谱特性参数、膜系设计及镀膜工艺.根据黑体辐射理论计算人体红外辐射光谱分布,提出滤光片光谱特性参数要求:截止波长5.5μm,透射区波段7μm～ 12μ,m,平均透射率大于85％,截止波段UV-5,μm,平均截止背景大于OD3.采用单晶硅片为基底,锗、硫化锌为镀膜材料,设计滤光片膜系,研究提出真空镀制工艺.

摘要： 本文针对实际案例中出现的问题,大力探索。在镀膜液厂家管控、固化镀膜工艺参数、玻璃加工段管控开孔率等方面进行了大量的实际操作与测试验证,解决了DH1000实验中出现的彩虹斑现象,纠偏发电组件功率衰减偏大以及PCT48小时试验衰减的问题,在实际生产验证和电站应用中让问题得到管控与有效解决。

摘要： 基于压电技术在阀门定位器智能化、信息化产品中的应用,介绍了压电阀工作原理及在电气转换单元中的控制方式,压电双晶片的理论受力分析,结构仿真设计分析,加工制造工艺等方面内容,为压电阀的拓展应用进行了说明.

摘要： 本文通过不同的膜系研究几款可钢化低辐射镀膜玻璃以及分析了生产可钢化低辐射镀膜玻璃过程中，G/Si/NiCr/Ag/NiCr/Si生产产品时各膜层需注意的问题.可钢化低辐射镀膜玻璃，一改以前生产的局限性，把镀膜工艺提到第一道生产工序，这样大大地提高了生产厂家的效益与效率，也必将是未来玻璃深加工行业的发展趋势。

摘要： 针对太阳能电池组件用盖板玻璃,采用溶胶凝胶法,利用滚涂工艺制成AR高透钢化玻璃的生产技术,有效提高组件的转换效率.通过对镀膜液的升级换代及镀膜工艺的改进,以提高AR高透钢化玻璃的综合性能.

摘要： 现代建筑的特点是楼越来越高,幕墙及窗户面积越来越大,普通浮法玻璃的力学性能已无法满足实际需求,因此就出现了许多增强力学性能的镀膜玻璃.最常见的有钢化镀膜玻璃、夹胶镀膜玻璃,由于这类玻璃强度高且不易破裂,故又称为安全镀膜玻璃.但随之带来的钢化玻璃应力斑现象日益引起建筑师的注意,尤其镀膜、夹层后的应力斑更加明显.本文利用物理学知识和钢化工艺学、镀膜工艺学知识对应力斑的产生及影响提出一些控制手段,研究结果可为同类产品的开发和生产提供有益的借鉴.钢化玻璃由于其增强原理的特殊性，完全消除应力斑难度很大，镀膜膜层对应力斑虽没有决定性作用，但会在一定观察角度加强应力斑的敏感现象。在实际生产中，通过选用先进的钢化设备，合理的加热、吹风控制生产工艺，可以使应力斑产生得更加均匀，不至于在玻璃表面观察到明显的深浅条纹，能够达到不影响美观的效果。镀膜工艺所镀制的连续均匀膜层在开发之初必须要合理设计膜系结构，运用好各种材料的配比和纯度，为了最大限度地降低应力斑的不良影响，发现在膜系设计时将干涉层加厚到一定程度可以减轻最终的应力斑现象，在本文中不再赘述。

摘要： 设备总览及特点该设备简洁紧凑,运行高效稳定,可实现目标节拍27秒,薄膜厚度均匀性5％,该连续式PECVD设备,能一次性完成ALOx和SINx的背钝化镀膜工艺,形成3200片/小时的高效太阳能电池生产能力,达100MW的年产能.专利设计“GAS ISOLATION”可以在同一真空腔室内连续完成两种或三种膜层沉积，而不需要机械式门阀隔离不同工艺。

摘要： 通过对离线可钢化低辐射玻璃的镀膜工艺条件,膜层特性分析,环节控制和异常分析四个方面的浅析,讨论离线可钢化低辐射玻璃的生产控制技巧.即：镀膜工艺条件的满足和落实；过程环节控制的规范和严谨；生产中异常问题的分析是否抓住重点。只有环环相扣的严格监控才能使连续生产产品最终得到有效保障，为客户提供满意的优质产品。

摘要： 本文对常用隔热功能玻璃做了性能和镀膜工艺上的详细比较,对于集中隔热玻璃的使用选择,需要根据使用环境遵循按需选择使用.在线LOW-玻璃是指在浮法玻璃生产线上采用高温热解等化学方法来分解金属卤化物或有机金属化合物而在玻璃表面上镀制一层金属氧化物半导体膜，如氧化锡薄膜。其生产工艺简单，成本相对较低，有一定的隔热性能。但是成膜厚度不可精确控制，光学性能指标难以稳定。离线LOW-玻璃是目前国际上普遍采用真空磁控溅射镀膜技术，采用磁控溅射等方法在玻璃上沉积多层金属和介质薄膜。隔热性能好，工艺自动化程度较高，光学性能优良，但是储存期比较短，防湿方面也不理想，抗氧化强度较低。AZO和ITO薄膜是透明，都是TCO隔热玻璃的一种，具有导电性能的材料，该材料具有宽能隙的n—型半导体材料。ITO靶材价格都比较昂贵，限制了ITO玻璃的应用领域。AZO玻璃具有很高的化学稳定性，容易制造，膜层也更加坚硬。具有可见光区的高透射性，对红外光的高反射性，起热屏蔽作用，节省能源消耗，是做为隔热玻璃的比较理想材料。

摘要： 计算了渐变衰减滤光片的偏振相关损耗，分析了镀膜工艺对偏振相关损耗的影响，提出了降低偏振相关损耗的方法。采用线性迭代修正法和膜厚分布可调控制技术，提高了渐变衰减滤光片的线性度。制造出线性度小于5％、偏振相关损耗小于0.08dB的高性能渐变衰减滤光片。

摘要： 本文通过实验,详尽分析了硅铝靶使用不同溅射功率、工艺气体流量和氩/氮气比例时,Low-E玻璃钢化前后玻面色差的变化,指出为了生产高质量可钢化Low-E玻璃,在硅铝靶使用不同的溅射功率时,工艺气体流量氩／氮气比例选择40：60时，在各个溅射功率下使用表现都很好，是最佳选择。

摘要： 本文通过实验,详尽分析了硅铝靶使用不同溅射功率、工艺气体流量和氩/氮气比例时,Low-E玻璃钢化前后玻面色差的变化,指出为了生产高质量可钢化Low-E玻璃,在硅铝靶使用不同的溅射功率时,工艺气体流量氩／氮气比例选择40：60时，在各个溅射功率下使用表现都很好，是最佳选择。

摘要： 本文通过实验,详尽分析了硅铝靶使用不同溅射功率、工艺气体流量和氩/氮气比例时,Low-E玻璃钢化前后玻面色差的变化,指出为了生产高质量可钢化Low-E玻璃,在硅铝靶使用不同的溅射功率时,工艺气体流量氩／氮气比例选择40：60时，在各个溅射功率下使用表现都很好，是最佳选择。

摘要： 本发明提供一种能对大面积基板进行均匀蒸镀的镀膜源及其真空镀膜装置。镀膜源，具有容器部和加热装置，还具有：蒸发气流调节部，为多孔层状结构，用于控制蒸发气流的方向和分布；蒸镀顶板，所述蒸镀顶板上设置有均匀分布的喷射口，用于喷射蒸发气流。本发明通过多孔多层结构的蒸发气流调节部，最大限度地扩大了蒸镀顶板的蒸镀面积，使材料尽可能均匀地沉积在基板表面，从而达到大面积高均匀性蒸镀的效果。当本发明对OLED进行有机材料真空镀膜时，特别是针对较大面积基板进行镀膜时，能够获得良好的图案精度和膜厚均匀的镀膜层，以确保OLED均匀的发光性能和色彩平衡。

摘要： 本发明提供了一种曲面玻璃镀膜装置、镀膜工艺及镀膜产品，包括可转动设置的工作台、用于驱动所述工作台动作的动力源、设置在所述工作台上的挂板、与挂板正对设置的靶材喷头、以及设置在所述挂板和靶材喷头之间的修正部件，所述工作台的转轴方向与其自身的长度方向平行；所述挂板在长度方向上的两端与工作台固定设置，挂板包括设置在中部并用于放置曲面玻璃的凸块，凸块和曲面玻璃间通过粘性件固定连接，所述修正部件包括设置在同一平面内的修正板和齿片且该平面与靶材喷头喷射中心及凸块几何中心间的连线垂直设置。本发明镀膜装置结构简单，镀膜工艺步骤精简，操作方便，镀膜产品光谱波长为380～1100nm，透光率大于94％且膜厚均匀。

摘要： 本发明提供一种玻璃镀膜工艺及采用该工艺制得的镀膜玻璃，包括以下步骤：对整块玻璃的切割位置进行照射光点显示，并自动调整玻璃的基准位置；在湿洗时，首先将玻璃分成多个区域，对每个区域内的污渍面积进行检测，然后根据污渍面积所占比将多个区域进行分级，污渍面积所占比越大，则级别越高，对应进行的湿洗次数则越多；湿洗后，对污渍面积所占比超过预定值的区域，以及这些区域的相邻外扩区域再次进行污渍面积检测，检测在湿洗时是否存在对周边区域的污染，若污渍面积仍超过预定值，则重复流水冲洗和去离子水清洗步骤。本发明提供了玻璃镀膜工艺及采用该工艺制得的镀膜玻璃，对玻璃的裁切利用率高，使得镀膜效果更好，非常值得推广。

摘要： 本申请涉及镀膜玻璃领域，尤其涉及一种玻璃镀膜工艺及采用该工艺制得的镀膜玻璃。玻璃镀膜工艺，包括以下步骤：清洗、干燥、真空磁控溅射镀膜；所述清洗步骤中，先采用反渗透水对玻璃进行逆流水洗，之后采用去离子水对玻璃进行清洗；所述真空磁控溅射镀膜步骤中，工艺气氛为氧气、氮气、氩气的一种或多种。镀膜玻璃，采用上述玻璃镀膜工艺制得；且镀膜玻璃包括低辐射镀膜玻璃和阳光控制镀膜玻璃。房屋，其窗户的玻璃采用上述镀膜玻璃。本申请通过采用反渗透水逆流水洗并配合去离子水喷淋清洗的方式，有效提高了对玻璃的清洗效果，从而提升了玻璃表面洁净度，进而有利于提高镀膜的效果，使镀膜玻璃获得更理想的性能。

摘要： 本发明公开了一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法及石墨舟镀膜工艺方法，所述石墨舟镀膜工艺方法，包括：将晶硅太阳能电池硅片在通高纯氮气时置于第一预设温度环境中，关闭炉门，抽真空；炉管内达到真空要求后，升温至第二预设温度后检测炉管密闭性；向炉内通氨气和硅烷，在一定电压下反应生成氮化硅；执行所述S1和S2后，获得氮化硅沉积后的晶硅太阳能电池硅片；冲洗吹扫并充氮气后出舟，完成镀膜工艺。本发明有效解决了新饱和石墨舟使用初期氮化硅膜厚偏低颜色发红和使用末期氮化硅膜膜厚偏大颜色偏白问题，使石墨舟使用整个周期内氮化硅膜厚和颜色保持稳定，大大降低了返工，减少生产成本，提升经济效益。

摘要： 本发明提供了一种曲面玻璃镀膜装置、镀膜工艺及镀膜产品，包括可转动设置的工作台、用于驱动所述工作台动作的动力源、设置在所述工作台上的挂板、与挂板正对设置的靶材喷头、以及设置在所述挂板和靶材喷头之间的修正部件，所述工作台的转轴方向与其自身的长度方向平行；所述挂板在长度方向上的两端与工作台固定设置，挂板包括设置在中部并用于放置曲面玻璃的凸块，凸块和曲面玻璃间通过粘性件固定连接，所述修正部件包括设置在同一平面内的修正板和齿片且该平面与靶材喷头喷射中心及凸块几何中心间的连线垂直设置。本发明镀膜装置结构简单，镀膜工艺步骤精简，操作方便，镀膜产品光谱波长为380～1100nm，透光率大于94％且膜厚均匀。

摘要： 本发明公开了一种连续多卷高效镀膜机及其镀膜工艺，包括真空蒸镀腔体，还包括设置在真空蒸镀腔体内的辊筒组件、蒸发源；所述辊筒组件包括滚筒、以及设置在滚筒上的过辊。本发明提供的连续多卷高效镀膜机，通过增设辊筒组件，可实现连续多卷同时镀膜，且可以实现双面镀膜，镀膜效率高，厚度均匀。

摘要： 本发明公开了一种高分子材料表面增亮耐磨镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：镀氮化硅打底层步骤：在待镀膜工件表面通过溅射镀膜，镀氮化硅打底层；镀光学膜层步骤：在氮化硅打底层上镀氮化硅和碳化硅合金膜层，然后在氮化硅和碳化硅合金膜层上镀氮化硅过渡层，作为一个光学周期，镀光学膜层步骤包括若干光学周期；镀耐磨层步骤：在光学镀膜层上镀氮化硅和碳化硅合金膜层，通过上述设置，氮化硅和碳化硅合金膜层放在两层氮化硅之间，可以消除氮化硅膜层本身的应力；用氮化硅和碳化硅合金膜层作为外观膜层，能够提供更高的膜层折射率，提升膜层的光泽度和亮度，耐磨性好。本发明还公开了采用上述工艺制得的光学镀膜。

摘要： 本发明涉及镀膜装置技术领域，具体是一种左右渐变色的镀膜装置和镀膜工艺，包括伞架机构，所述伞架机构包括驱动连接座、伞架固定片和伞架挡板，所述伞架固定片至少设置有八个，八个所述伞架固定片均匀分布在驱动连接座的四周，所述驱动连接座的下端面设置有若干个伞架挡板，所述伞架挡板与伞架固定片之间设置有渐变治具架，本发明设置有伞架机构，且通过多个伞架固定片组成伞状结构，这样伞架固定片一面设置的环形分布的产品位置与电子枪蒸发源的位置比较，使产品上的渐变色彩相近，增加镀膜的质量。

摘要： 本申请提供一种镀膜装置及DLC镀膜工艺，涉及材料表面处理技术领域。镀膜装置包括真空腔体、转架、脉冲偏压电源、第一弧靶、阳极电源、弧靶电源、第二弧靶、屏蔽挡板、靶电源及阴极靶；转架转动设于真空腔体中，脉冲偏压电源连接转架，第一弧靶及第二弧靶设于真空腔体中，第一弧靶位于第二弧靶的上下两侧，弧靶电源与第二弧靶及第一弧靶连接，所述阳极电源分别与相应的所述第一弧靶连接，屏蔽挡板设于第二弧靶前侧构成弧光电子源，阴极靶设于真空腔体中，且位于转架远离第一弧靶及第二弧靶的一侧，靶电源与阴极靶连接。本申请提供的镀膜装置能够通过第一弧靶作为辅助阳极，增强弧光电子辉光，提高气体的离化率。