镀膜

摘要： 音响发烧圈,大家变着法儿玩这样玩那样,乐此不疲。CD从16bit玩到24bit,从HDCD玩到XRCD,从铝合金镀膜玩到24K纯金镀膜,从DVD AUDIO玩到SACD;从CD玩到黑胶复兴;从黑胶复兴再玩到开盘带复兴……总之,不管你跟不跟风你都得佩服发烧友们,以及从善如流的音响音像从业者们。毕竟,有新东西玩,有新的市场热点,这个行业以及这个圈子才不会缺少活力和驱动力。最近的一个新趋势可以用一个问句来概括一你还记得那些年买过的磁带吗?

摘要： 本文分析了玻璃下片立堆中玻璃发生擦伤的原因,阐述了在使用全自动玻璃下片机进行堆垛时增设移动架来改进下片方式,以解决在太阳能光伏玻璃进行在线下片堆垛时玻璃擦伤的产生。

摘要： 专利申请号:CN201811389182公开号:CN109182993A申请日:2018.11.20公开日:2019.01.11申请人:泰州市贝斯特钼制品有限公司本发明涉及一种特殊的镀膜用钼舟,包括钼舟本体,所述钼舟本体两侧设有舟翼,所述钼舟本体内设有舱体,所述钼舟本体外设有加强层,所述钼舟本体上通过滑轴连接有上盖,所述上盖上设有注料孔和镀膜孔,所述上盖上还设有滑盖孔,所述注料孔为上打下小的锥形孔,所述钼舟本体上还设有膨胀条。本发明的优点是:滑轴和滑盖孔的设计,可便于上盖的移动;膨胀条的设计,留了钼舟膨胀的空间,避免其变形。

摘要： 采用磁控溅射镀膜装置,以金属铝和钛为靶材,改变溅射时间,在白色涤棉混纺经编针织物表面沉积一层Al/TiO_(2)纳米复合薄膜,先用扫描电镜进行溅射观察(SEM)Al/TiO_(2)纳米复合膜织物表面形貌特性,再测试溅射后的涤棉混纺经编织物紫外线防护性能和膜色摩擦牢度。研究发现:带有溅射Al/TiO_(2)纳米复合薄膜的涤棉混纺经纱基布的紫外线透射率明显低于未经溅射的原始样布。溅射时间越长,溅射功率越高。涤棉混纺经编针织物溅射有Al/TiO_(2)纳米复合薄膜,可有更好的紫外线保护性能。耐摩擦色牢度有待提高。

摘要： 在太阳电池制备过程中,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺对硅片背面镀膜是其重要工序之一,但石墨舟卡点处的硅片在镀膜后常出现瑕疵,且制备的太阳电池进行电致发光(EL)测试时石墨舟卡点处存在EL发黑的情况,严重影响太阳电池的品质。基于此,以利用二合一管式PECVD设备进行硅片背面镀膜时出现的石墨舟卡点处硅片瑕疵及单晶硅太阳电池EL发黑的异常现象为研究对象,分析了此种PECVD设备镀膜时,射频电流、石墨舟卡点形状及石墨舟清洗液配方对石墨舟卡点处硅片和单晶硅太阳电池品质异常的影响,并提出了解决方案。结果表明:利用二合一管式PECVD设备进行硅片背面镀膜时,采用低射频电流、石墨舟采用与硅片接触面积大的卡点形状、石墨舟清洗液配方选择单纯的氢氟酸溶液,能有效解决石墨舟卡点处硅片和单晶硅太阳电池品质异常的情况,显著提升硅片使用该PECVD设备镀膜时的品质及太阳电池良品率。

摘要： 为了使单毛细管透镜在X射线微区分析中获得高能X射线微焦斑,设计并模拟了基于椭球单毛细管的高能X射线微焦斑透镜,并模拟透镜内表面镀金属氧化膜,氧化膜主要成分为HfO_(2).结果表明:镀膜透镜和普通玻璃透镜都可以将能量为100 keV的X射线会聚成<10.0μm的焦斑;与普通玻璃透镜相比,透镜镀膜后X射线聚焦能量上限提高了约2倍.为增加镀膜透镜光通量,重新设计了镀膜透镜,该新透镜相比于最初设计的普通玻璃透镜,在相同的实验室光源条件下聚焦能量为100 keV的X射线,在焦斑处光通量提高了3.8倍,功率密度增益提高了1个数量级,这表明透镜镀膜对聚焦高能X射线有一定的应用价值.模拟结果对椭球单毛细管高能X射线透镜的研制和应用具有指导意义.

摘要： 采用直流磁控溅射镀膜法在石英玻璃衬底制备铬膜,利用SEM和EDS对铬膜层的针孔及周围分别进行了形貌和元素表征,研究了膜层针孔缺陷的成因及管控方法.结果表明,在匀胶铬板生产过程中,不稳定的基片表面会吸附环境中的粉尘颗粒、细菌等杂质,阻挡铬膜的沉积,在杂质去除后形成针孔.采取了以下管控措施:镀膜前采用浓度3％H2 O2对清洗机泡槽4 h;严格遵守操作规范;加强镀膜机的卫生处理.管控措施实行4个月后,针孔平均密度由之前的7.04个/片减少到3.36个/片,针孔良率提高了约10％.

摘要： 着重介绍了生产福特蓝阳光控制镀膜玻璃的化学配方、拉引速度和工业化生产大面积镀膜均匀控制工艺。经光学性能和玻璃性能分析生产出来的福特蓝阳光控制镀膜玻璃,具有低反射、遮阳、美观舒适等特色,可以广泛应用于幕墙建筑领域。

摘要： 研究了预热型管式PECVD设备的结构及其对镀膜性能的影响.通过合理利用管式PECVD设备的净化台空间,对常规型管式PECVD设备的整体结构进行了优化设计,增加了具有预热功能的结构部件;然后通过实验研究了该预热型管式PECVD设备对沉积氮化硅薄膜工艺的影响.实验结果表明:预热型管式PECVD设备不仅能减少镀膜工艺的时长,提高产能,而且有利于提高炉管反应室截面温度场的均匀性、所镀膜厚的均匀性、太阳电池光电转换效率分布的集中度,从而有利于提高太阳电池的电性能,可在实际生产中推广应用.

摘要： 合肥先进光源(Hefei Advanced Light Facility,HALF)是第四代衍射极限储存环型光源,其同步辐射光在真空紫外与软X射线波段.合肥先进光源的预研项目正在进行中,目前的注入系统拟采用非线性冲击磁铁的离轴注入方案,并处于重点考虑中.针对合肥先进光源项目,设计并研制了一种新型的适用于低发射度储存环的非线性冲击磁铁,对其进行了磁场的模拟,分析了其磁场对储存束流的影响以及陶瓷管内部镀膜对磁场场型的影响.加工了一套样机,同时对非线性冲击磁铁的磁场进行了实际测量,结果表明:实际磁场场型满足设计要求.

摘要： 本文采用Al-Cu-Fe(Al65Cu20Fe15)准晶粉末通过DMD450真空镀膜仪在A3钢表面制备镀膜.通过改变工艺参数,获得了不同特性的镀膜.用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等对镀膜的组织结构和性能进行了分析.试验结果表明:延长蒸镀时间,镀膜厚度会相应地增大,硬度提高;提高电流,镀膜厚度会相应地增大,硬度提高.随着蒸镀时间的延长或者电流的增大,镀膜的耐磨性相比较而言有所提高.镀膜的相组织中含有Al65Cu20Fe15准晶相.

摘要： 采用电弧离子镀膜方法,以高纯石墨为碳离子源在PMMA树脂义齿表面沉积类金刚石膜.应用xps谱和Raman谱对膜层的结构进行了理论分析,对镀膜样品进行了抗磨性能实验、病理实验和临床实验.结果表明:为了提高样品的膜基结合强度,必须在DLC膜与基材之间增镀一层钛氧化物作为过渡层,必须严格控制工作电压、工作室的真空度和气氛配比.

摘要： 电镀锌是塑料门窗五金件表面处理的主要方法之一,本文围绕锌膜层对碳素钢基材五金件的保护机理,简要介绍电镀锌膜层不同工艺的工艺特点,各种工艺条件下易产生的镀膜缺陷以及表现形式,以及不同化学转化膜、封闭膜的分类及特点。

摘要： 采用带有高效分散设备的磁控溅射设备在粒径为几十微米的粉煤灰空心微珠表面镀上了均匀、光滑、与空心微珠表面结合牢固的纳米铜膜。采用高性能光学显微镜和扫描电子显微镜对已镀膜空心微珠进行了观察,并对不同功率下所镀铜膜的厚度和不同功率情况下所镀铜膜的XRD分析。利用XPS对所镀铜膜的质量进行多层刻蚀研究表明,采用该方法所镀的铜膜内部质量均匀、性质稳定。采用该方法镀膜的空心微珠将在导电、反光材料的制备过程中发挥其独特的作用。

摘要： 随着红外制导技术的发展,红外窗口/整流罩技术自身已经发展成为一个特殊的技术领域。为了全面概括红外窗口/整流罩技术发展情况,介绍和分析了相关专业技术取得的进展:(1)红外窗口/整流罩材料制备技术;(2)气动整流罩设计与制造技术;(3)红外窗口/制冷技术;(4)红外窗口/整流罩镀膜及光学加工技术;(5)红外窗口/整流罩性能测试。

摘要： 在循环水质恶化的条件下,电厂凝结器管材HSn70-1、HA177-2在非常短的运行时间内即出现结垢、腐蚀甚至溃疡穿孔,为了延长其使用寿命,研制了铜管镀膜新药剂,并通过试验室电化学试验、现场工业实施进行验证,效果良好.

摘要： 瓷质抛光砖是一种常用的建筑装饰材料，以其坚固、美观和廉价等优点在厂房、公共设施和家居装修等各领域得到广泛应用。本文简单介绍了瓷质抛光砖的"超洁亮"技术镀膜的工作原理及工艺流程，以及该技术产品的特点。

摘要： 由于磁控溅射能够精确地控制工艺参数和膜层质量,它已经成为大面积镀膜领域的主流.然而这种镀膜技术亦存在一些缺点,特别是在反应溅射过程中存在着沉积速率低及工艺不稳定等问题.所以普通的直流磁控溅射对于大面积薄膜产品的工业化生产来说不是最佳的工艺手段.近几年来,由于脉冲磁控溅射技术的出现,对于大面积反应溅射沉积化合物膜来说又开辟了新的途径.这种新的中频(MF)电源供电的孪生靶磁控溅射(Twin-Mag)并结合智能化的工艺控制(IPCS)使反应溅射的沉积速率提高1~5倍,并能在长时间内维持稳定的镀膜状态.因此,大面积镀膜在低辐射玻璃、汽车风挡玻璃、TiO光催化的自清洁玻璃以及减反射(AR)镀层等方面的应用又有了新的进展.

摘要： 本文研究了用电子束蒸发方法在Mo底衬上制备Ti-Ni复合膜和在SiO2底衬上制备Mo-Ti-Ni复合膜的方法,用离子束分析方法测量了各膜层的厚度,并对样品的吸氢性能进行了分析。研究发现,Ti膜表面镀Ni后,其吸氢温度降低,吸氢总量增加,表明其吸氢活性增强，Mo-Ti-Ni复合膜在Ti氢化后与SiO2底衬结合良好,并具有较高的强度,但这种膜对底衬的清洁度要求更高。50nm的Ti膜难以吸氢,原因可能是膜制备过程中温度过高,导致Mo-Ti-Ni之间扩散加深,形成相对过厚的过渡层,这还需进一步研究。

摘要： 本文研究了用电子束蒸发方法在Mo底衬上制备Ti-Ni复合膜和在SiO2底衬上制备Mo-Ti-Ni复合膜的方法,用离子束分析方法测量了各膜层的厚度,并对样品的吸氢性能进行了分析。研究发现,Ti膜表面镀Ni后,其吸氢温度降低,吸氢总量增加,表明其吸氢活性增强，Mo-Ti-Ni复合膜在Ti氢化后与SiO2底衬结合良好,并具有较高的强度,但这种膜对底衬的清洁度要求更高。50nm的Ti膜难以吸氢,原因可能是膜制备过程中温度过高,导致Mo-Ti-Ni之间扩散加深,形成相对过厚的过渡层,这还需进一步研究。

摘要： 本发明涉及一种镀膜装置和镀膜方法及该镀膜装置专用的镀膜室。本发明的目的在于，不使用可制造真空环境的真空箱，也能实现在空气中有效镀膜。该镀膜装置分别包括以下几部分：镀膜室，安装在镀件的上方一定间距处；金属供给部分，通过镀膜室给镀件提供特定的金属微粒；金属通道，设置于镀膜室，并且将金属供给部分提供的金属微粒运送到镀件；高压气体供给部分；高压气体通道，为了使通过金属通道提供给镀件的金属微粒与外部空气隔离，设置于镀膜室，并将高压气体供给部分提供的高压气体运送到镀件；至少一个排出通道，设置于镀膜室，并排出使用后产生的副产物及高压气体；排气部分，与排出通道相连，并可抽吸通过排出通道排出的使用完的金属微粒及高压气体。因此，不使用制造真空环境的真空箱，也可以在空气中有效镀膜。

摘要： 本发明提供一种离子镀膜与电子束蒸发镀膜结合的镀膜装置，包括：离子镀膜组件、电子束蒸发镀膜组件、被镀基材、坩埚和真空室，所述真空室左右两侧设置离子镀膜组件，所述真空室的上方设置电子束蒸发镀膜组件，所述被镀基材设置在所述真空室的中部，所述坩埚设置在所述被镀基材的下方。本发明还提供一种镀膜方法，通过离子镀膜方法在被镀基材表面上用金属离子轰击清洗打底沉积一层薄薄的金属膜层形成金属过渡层，再用大功率电子束蒸发镀膜的方法进行快速沉积形成膜层，由于金属过渡层的存在，增强了膜层组合的多元性以及增加了膜层用途的多功能性，因此，本发明提供的镀膜方法能大幅提高所镀膜层的结合力及沉积速率。

摘要： 本发明提供一种镀膜玻璃、制备该镀膜玻璃的镀膜系统及镀膜方法，所述镀膜玻璃包括一玻璃基体及一形成于玻璃基体上的图案层，该图案层为一金属膜层，所述图案层通过激光透过玻璃照射到金属靶材，金属靶材表面产生的金属等离子体沉积到玻璃表面上形成，所述图案的线条精细程度通过调节激光束的直径控制。本发明还提供一种制造所述镀膜玻璃的镀膜系统及镀膜方法。本发明中相较于传统的镀膜技术，其可实现精细及复杂图案的制作，且工艺简单。

摘要： 本发明涉及一种镀膜装置和镀膜方法及该镀膜装置专用的镀膜室。本发明的目的在于，不使用可制造真空环境的真空箱，也能实现在空气中有效镀膜。该镀膜装置分别包括以下几部分：镀膜室，安装在镀件的上方一定间距处；金属供给部分，通过镀膜室给镀件提供特定的金属微粒；金属通道，设置于镀膜室，并且将金属供给部分提供的金属微粒运送到镀件；高压气体供给部分；高压气体通道，为了使通过金属通道提供给镀件的金属微粒与外部空气隔离，设置于镀膜室，并将高压气体供给部分提供的高压气体运送到镀件；至少一个排出通道，设置于镀膜室，并排出使用后产生的副产物及高压气体；排气部分，与排出通道相连，并可抽吸通过排出通道排出的使用完的金属微粒及高压气体。因此，不使用制造真空环境的真空箱，也可以在空气中有效镀膜。

摘要： 本发明涉及一种磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法。该磁控溅射镀膜腔室包括镀膜罩、样品台以及多个磁控管组。在磁控溅射镀膜腔室的设计中，从外到内的方向上，当磁控管组的排布位置为奇数时，该磁控管组中的磁控管数量为偶数个，当磁控管组的排布位置为偶数时，该磁控管组中的磁控管数量为奇数个，同时最外层的磁控管组中的磁控管的数量大于或等于4，次外层的磁控管组中的磁控管的数量大于或等于3个，并且最外层的磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相反。此时，有助于形成更高密度和空间分布更为均匀的等离子体区域，进而提高大尺寸基材镀层厚度的均匀性。

摘要： 本申请涉及一种镀膜材料存放装置、真空镀膜设备及真空镀膜方法，所述镀膜材料存放装置包括：连接真空腔室的密封腔室，用于放置真空镀膜设备镀膜使用的镀膜材料；设于密封腔室与真空腔室接合处的真空阀门，用于连通或者分隔密封腔室与真空腔室；连接真空阀门的驱动装置，用于驱动打开或者关闭真空阀门；连接驱动装置的控制装置，用于控制驱动装置在镀膜过程中打开真空阀门，在镀膜后关闭真空阀门，对密封腔室内的镀膜材料进行密封保护；该技术方案，避免了密封腔室内的镀膜材料与空气接触发生反应或者被吸附污染，保证了镀膜材料的纯度，使得在镀膜过程中，无需频繁清洁镀膜材料，提高了镀膜效率，也提升了镀膜效果。

摘要： 本申请是关于一种镀膜电源系统。该镀膜电源系统包括：升压DCDC电路、隔离DCDC电路、调压DCDC电路以及脉冲发生电路；升压DCDC电路的输出端与隔离DCDC电路的输入端相连；隔离DCDC电路的输出端与调压DCDC电路的输入端相连；调压DCDC电路的输出端与脉冲发生电路的输入端相连；隔离DCDC电路包含滤波电感L2与储能电容C3，通过短路开关K1将滤波电感L2短路；脉冲发生电路包含桥式逆变电路以及输出电路，输出电路由输出电感L5与输出负载串联组成；升压DCDC电路的输入端处连接有整流器，整流器用于将交流输入电压转换为低频直流电压。本申请提供的方案，能够输出适用于光伏镀膜、半导体镀膜等应用领域的方形波脉冲，满足电源性能要求高的应用场景的电源质量要求。

摘要： 本发明公开了一种无液滴的等离子体镀膜弧源结构、镀膜系统及镀膜方法，该等离子体镀膜弧源结构包括靶台、靶材、空腔辅助阳极、第一脉冲电源、直流弧电源、第二脉冲电源，靶材设于靶台表面，靶材外侧设有通道，空腔辅助阳极设于通道中，第一脉冲电源的正极与空腔辅助阳极电连接，第一脉冲电源的负极与靶材电连接，在第一脉冲电源的作用下，空腔辅助阳极产生等离子体，直流弧电源的正极外接弧源阳极，直流弧电源的负极与靶材电连接，第二脉冲电源的正极外接弧源阳极，第二脉冲电源的负极外接工件形成阴极。该等离子体镀膜弧源结构能实现无液滴、离化率高、安全性好，且实现大面积、均匀、稳定的涂层生产。

摘要： 本发明公开了一种真空镀膜机用多规格密封圈镀膜工装，包括圆柱形支撑底座和悬挂齿臂，所述支撑底座外圆周面排布有多个限位卡槽，所述悬挂齿臂悬挂在所述限位卡槽内；所述悬挂齿臂至少设有两个，且两个悬挂齿臂为一组。本发明还公开一种镀膜方法，使用上述的密封圈镀膜工装进行密封圈镀膜，将所述密封圈镀膜工装放在真空镀膜机的真空室中心轴线上随转盘进行转动即可完成镀膜。本发明可以在真空室腔体尺寸、靶极距不变的情况下，实现单次密封圈加工数量的数倍增长，可适应不同尺寸密封圈的镀膜，在不影响密封圈镀膜强化效果的同时，提高镀膜效率，降低镀膜成本。

摘要： 本申请涉及一种小尺寸工件镀膜装置、真空镀膜机及其镀膜方法，所述镀膜装置包括：卧式安装的转筒以及沿所述转筒轴向设置的靶材；其中，转筒内侧面上设置有突出部，靶材在转筒内侧壁位置处产生电场；在镀膜过程中，转筒在驱动装置驱动下进行转动，通过突出部带动放置在转筒内的工件进行翻滚；靶材产生带电粒子，并通过电场作用使得带电粒子运动到翻滚中的工件表面上附着并均匀镀膜；该技术方案，减少了转筒对带电粒子的物理阻挡作用，避免了转筒外部电场对带电粒子屏蔽作用，保证带电粒子的能量，从而提高了膜层的附着力，提升了镀膜效率和镀膜效果；同时，粒子直接沉积到工件上，大大减少靶材的数量，提高靶材利用率和镀膜效率。