键能

摘要： 该文将氢分子共价键成键的微观机理推广到NaBr离子键,假定NaBr成键的微观机理仍为平均电势能密度相等,以此为基础,建立NaBr成键模型,用一种全新的方法计算了NaBr的键能,得到的计算值为De_(Na—Br)=397 kJ/mol,计算值与实验值大致相吻合。成键模型直观,计算方法简单,物理意义清晰明确,且计算中不含任何人为性参数。

摘要： 通过对试题命制中存在原理使用范围不当、概念混淆等科学性错误的几道高中"化学反应原理"习题进行分析,探索试题命制不当的深层次原因,就如何利用键能估算反应焓变、化学反应速率概念、浓度及温度变化对化学反应速率的影响等问题进行深入讨论,指出由命题失当折射出的高中化学教学中存在的一些问题,以期对教师命制和选用高中"化学反应原理"习题有所借鉴.

摘要： 将氢分子平均电势能密度理论推广至HCl,以此为基础,建立HCl成键模型,采用一种全新的宏观方法对HCl键能进行了计算,所得的HCl键能的计算值为423.7 kJ/mol,与实验值的误差仅为1.9％.成键模型直观,计算方法简单且计算结果精确,计算过程中未使用人为性参数.

摘要： 利用Materials Studio(MS)软件对基于物理表征参数获得的神东煤分子结构进行了模拟优化和量子力学计算.结果表明:经分子力学优化计算,神东煤分子结构的总能量降低,可获得合理的立体构型;经分子动力学优化计算后,可获得神东煤分子结构的最优几何构型,其能量主要为范德华能、键扭转能、键能、静电能和键角能,而氢键的键能较低,说明芳环之间的范德华作用力对于分子结构有重要意义,氢键主要存在于分子间;神东煤分子结构的键长主要集中在0.10 nm～0.16 nm,硫原子的键长最大(0.17 nm),其次为氮原子的键长(0.14 nm和0.15 nm),说明煤中硫原子最容易断裂,然后是氮原子和氧原子,苯环由于共轭作用较稳定;神东煤分子结构的键角主要集中在100°～140°,说明神东煤分子结构中芳环结构占主体.

摘要： 采用直径0.3mm聚酯纤维高分子复合材料对土建混凝土结构进行优化改性处理,发现混凝土材料的抗压性能可最大提升17.4％,抗拉性能可最大提升150.7％,微分子结构分析中发现,复合材料纤维应用于改性混凝土工艺,根本原因是将部分低键能的分子键转化为高键能的化学键.当前工艺对更长的复合材料纤维应用有制约,容易在混凝土成型中产生裂隙和气泡,未来通过优化工艺水平,可以将更长的复合材料纤维应用到改性混凝土中,对土建结构的力学特征加固过程提供更显著的改进效果.

摘要： 将氢分子成键的机理推广到碳氢键,以此为基础,建立碳氢键成键模型.认为碳氢键成键的机理仍为平均电势能密度守恒,借助该理论计算了碳氢键键能,得到的计算值为467 kJ/mol.成键模型直观,计算方法简单,计算结果和实验值基本吻合,各参数物理意义明确且不具有人为性.

摘要： 将NaCl成键的微观机理推广到LiCl,假定LiCl成键的微观机理仍然符合平均电势能密度理论.用一种简明的新方法计算了LiCl的键能.成键模型直观,计算方法简单,各参数无人为性且物理意义明确.

摘要： 化学反应热高中化学中的重要知识点,有关化学反应热的计算是在学习过程中经常会遇到的.本文结合具体题例对有关化学反应热计算的两个易错点进行了较为深入的探讨,即化学反应热与燃烧热的关系、化学反应热与化学键键能的关系,希望对高中同学有所助益.

摘要： 借助平均电势能密度理论,将氢分子成键模型推广到硼硼体系,得到了硼硼体系键能与其结构之间的方程式,通过求解该方程式,得到硼硼键键能为De=294 kJ/mol,理论值与实验值吻合的比较好,成键模型直观,物理意义清晰明确,计算中不含任何人为性参数.

摘要： 本文使用B3LYP/3-21G方法对羰基配合物CO(CO)以及Co(CO)的结构进行了全优化,同时对配合物进行了频率分析.

摘要： 过渡金属羰基配合物（MCC）作为金属有机配合物的一大类型，具有重要的应用价值。当金属离子（M＜’+＞）与含羰基的有机体系反应时，可产生MCC碎片离子。要对该类型反应机理进行研究，贵州省必须涉及到金属离子与羰基之间的键能，但目前这方面的数据还不完善或还未能精确测定。此外，实验结果表明＜’[1-2]＞，对于该类化合物，其逐级M-CO键离解能随着羰基数目增加呈现出非单调变化，类似于团簇化合物中的“幻数”现象。本文采用B3LYP方法对配合物Mo（CO）＜，n＞＜’+＞（n=1～6）进行系统研究，着重研究该类型化合物的电子态和几何构型之间的关系，并对该化合物中逐级Mo-CO键解离能的变化进行解释。

摘要： 密度泛函理论的Kohn-Sham方法＜＇[1]＞已成为量子化学家广泛采用的一种研究手段，但用于电子数目很多的大体系，仍存在计算量太大的困难。合理选取计算条件，做到用最小计算量得到尽可能好的满足一定要求的结果显然是很必要的。除现有交换相关能泛函的近似性和基组的不完备性产生的误差外，Kohn-Sham方法的误差还来自数值积分的有限精度。由于采用电荷多极投影分解的方法计算库仑势，投影用球谐函数的最高阶数也影响计算精度。本文选取不同类型分子作为标样，研究不同计算条件对密度泛函方法计算结果的影响，为选择最佳计算条件提供参考数据。

摘要： 密度泛函理论的Kohn-Sham方法＜＇[1]＞已成为量子化学家广泛采用的一种研究手段，但用于电子数目很多的大体系，仍存在计算量太大的困难。合理选取计算条件，做到用最小计算量得到尽可能好的满足一定要求的结果显然是很必要的。除现有交换相关能泛函的近似性和基组的不完备性产生的误差外，Kohn-Sham方法的误差还来自数值积分的有限精度。由于采用电荷多极投影分解的方法计算库仑势，投影用球谐函数的最高阶数也影响计算精度。本文选取不同类型分子作为标样，研究不同计算条件对密度泛函方法计算结果的影响，为选择最佳计算条件提供参考数据。

摘要： 密度泛函理论的Kohn-Sham方法＜＇[1]＞已成为量子化学家广泛采用的一种研究手段，但用于电子数目很多的大体系，仍存在计算量太大的困难。合理选取计算条件，做到用最小计算量得到尽可能好的满足一定要求的结果显然是很必要的。除现有交换相关能泛函的近似性和基组的不完备性产生的误差外，Kohn-Sham方法的误差还来自数值积分的有限精度。由于采用电荷多极投影分解的方法计算库仑势，投影用球谐函数的最高阶数也影响计算精度。本文选取不同类型分子作为标样，研究不同计算条件对密度泛函方法计算结果的影响，为选择最佳计算条件提供参考数据。

摘要： 密度泛函理论的Kohn-Sham方法＜＇[1]＞已成为量子化学家广泛采用的一种研究手段，但用于电子数目很多的大体系，仍存在计算量太大的困难。合理选取计算条件，做到用最小计算量得到尽可能好的满足一定要求的结果显然是很必要的。除现有交换相关能泛函的近似性和基组的不完备性产生的误差外，Kohn-Sham方法的误差还来自数值积分的有限精度。由于采用电荷多极投影分解的方法计算库仑势，投影用球谐函数的最高阶数也影响计算精度。本文选取不同类型分子作为标样，研究不同计算条件对密度泛函方法计算结果的影响，为选择最佳计算条件提供参考数据。

摘要： 本发明涉及一种键模块(120)，其用于键盘的键。键模块(120)包括模块底座(230)和键柱(250)，所述键柱能布置在或被布置在模块底座(230)中，以使得所述键柱能够相对于模块底座(230)沿键致动轴线移动。键模块(120)还包括形成在键柱(250)上的发射器(260)，以及具有至少一个电线圈(270)的电路板(240)。电路板(240)能够容纳或被容纳在模块底座(230)中，使得电路板(240)的主延伸平面沿键柱(250)的键致动轴线延伸。

摘要： 本发明提供了一种用于晶圆键合和解键合的装置及晶圆键合和解键合方法，涉及半导体封装技术领域。该装置，包括：平台和位于平台上的工作台；移动结构，通过移动结构，工作台在平台上能够在第一位置与第二位置之间移动；真空吸附结构，用于吸附设置于工作台上的待键合载片或待解键合晶圆；滴胶结构，用于向待键合载片滴入键合胶；吸盘结构，用于吸附待键合晶圆；驱动结构，用于驱动工作台在第一位置转动；侧向推动结构，用于推动工作台横移预设距离。通过驱动结构驱动工作台旋转，并在旋转过程中滴入键合胶，可以使键合胶更加均匀，通过侧向推动结构推动工作台横移，减小晶圆与工作台上载片的接触面积，更易于解键合，减少解键合过程中的碎片概率。

摘要： 提供了一种用于在键合机上将半导体元件键合到基板的键合工具。键合工具包括本体部分，该本体部分包括用于在键合过程期间在键合机上接触半导体元件的接触区域。键合工具还包括从本体部分延伸的支座，并且该支座配置为在键合过程的至少一部分期间接触基板。

摘要： 本发明提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构，通过添加等离子处理工艺，使重布线介质层的表面变粗糙，使其具有良好的亲水性，从而有利于临时键合胶粘剂流动性，实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触，减少后续的高温CVD过程中气泡的产生，从而降低边缘破裂的风险，可以提高产品的产量并可以增加产率。

摘要： 本发明提供一种键合用晶圆、键合结构以及键合方法。所述键合方法包括如下步骤：提供键合用的第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆和第二晶圆上形成对准标记，对准标记包括晶圆表面图形或者晶圆通孔。至少有一个晶圆具有通孔，透过该晶圆通孔可以观察到另外一个晶圆的对准标记；以第一晶圆和第二晶圆上的对准标记为基准，将第一晶圆和第二晶圆键合。本发明由于采用晶圆通孔实现可见光同时观察两个晶圆对准标记的直接对准键合，不需要透过硅晶圆的红外辅助装置或者对两个晶圆分别预先定位的机械对准过程，并且对晶圆的透光性无特别要求。

摘要： 本发明有关一种微发光装置的键合治具及其键合方法，其主要由若干块多孔板构成，各多孔板设有穿孔以容置依据待键合微发光装置待分离点设置的顶针，顶针两端凸伸出治具，其在待键合微发光装置端，为与待键合微发光装置的待分离点对应的接触端，而在针床端，则为与针床的弹簧针接触的接触端，各顶针依据待分离点具有适当的斜率，该针床端的多孔板穿孔外缘具有容设顶针端部的定位孔，且该定位孔深度依据所容置顶针的斜率大小而定，使待键合微发光装置端的顶针具有相同出针长度，具有提高键合治具的稳定性，避免微发光装置键合排列不齐的效果。

摘要： 本发明涉及一种C2W键合方法、C2W键合控制系统及键合设备。在将多个芯片键合到半导体基底上时，从所述半导体基底上设置的与所述多个芯片一一对应的多个键合单元中选择若干个键合单元作为定位单元，获取每个所述定位单元在一键合坐标系中的坐标，然后利用各个定位单元在所述键合坐标系中的坐标和所述多个键合单元在单元分布图中的相对位置，获得各个键合单元在所述键合坐标系中的坐标，在进行键合时，利用各个键合单元在所述键合坐标系中的坐标，将所述多个芯片分别移动到与对应的键合单元进行键合的位置，并与对应的键合单元键合，有助于提高键合效率。

摘要： 本申请提供一种键合标记的制作方法、键合晶圆、载体晶圆及键合方法，其中所述键合标记的制作方法包括：提供键合裸晶圆，所述键合裸晶圆的表面形成有第一氧化层；刻蚀所述第一氧化层，在所述第一氧化层中形成不贯穿所述第一氧化层的标记孔；在所述标记孔中填充标记材料，且使所述标记材料的顶面和所述第一氧化层的表面共面，形成键合标记。本申请技术方案能够更好的实现晶圆堆叠与键合，提升良率。

摘要： 本发明涉及一种键合对位装置、倒装芯片键合机和键合方法，所述键合对位装置用于辅助芯片与基板的键合。所述键合对位装置包括键合头组件、用于承载所述芯片的第一载台以及用于承载所述基板的第二载台，所述键合头组件能够拾取所述芯片，所述键合头组件能够带动所述芯片沿第一方向靠近所述基板，所述第一载台及所述第二载台沿所述第一方向依次分布。键合对位装置能够提高芯片与基板键合时的精度。倒装芯片键合装置包括上述键合对位装置，能够提高芯片与基板键合时的精度。键合方法应用于上述倒装新品键合装置，能够提高芯片与基板键合时的精度。

摘要： 本发明涉及一种键合头、芯片键合机和键合方法，所述键合头包括：拾取组件、多个柔性体及多个控制件，所述拾取组件用于拾取芯片，所述柔性体包括第一连接端和第二连接端，多个所述柔性体的所述第一连接端均与所述拾取组件连接，多个所述柔性体的所述第二连接端分别对应地与多个所述控制件连接，所述控制件能够控制所述第一连接端与所述第二连接端之间的距离。上述键合头能够自适应地调平芯片与基板，提高芯片与基板键合时的精度。芯片键合机包括上述键合头，能够提高芯片与基板键合时的精度。键合方法应用于上述芯片键合机，能够提高芯片与基板键合时的精度。