铁电存储器

摘要： 从辐照诱导的晶格缺陷对铁电畴壁作用的角度,开展了辐照对PbTiO_(3)铁电畴壁的原子和电子结构及其动力学演化作用机理的研究。首先,利用基于蒙特卡罗方法的SRIM软件包研究了辐照条件对铁电薄膜内辐照诱导的晶格缺陷的影响,结果表明,质子、氪离子入射造成PbTiO_(3)铁电薄膜晶格的缺陷主要是氧缺陷,且离子能量越高和入射角越小,产生氧缺陷的浓度越高、位置越深入及分布越分散。其次,基于第一性原理研究了氧缺陷分布及浓度对PbTiO_(3)材料180°和90°畴壁原子结构、电子结构及迁移的影响,结果表明:氧缺陷离畴壁越远,含氧缺陷畴壁系统的稳定性越低;随着氧缺陷数目增加,畴壁附近极化减小、畴壁宽度增大;氧缺陷使畴壁的金属性增强;氧缺陷会钉扎畴壁,阻碍畴壁移动。

摘要： 针对火炮膛内火药燃气温度测试的特殊环境,设计一种适用于膛内高温、高压、高冲击环境的放入式膛内瞬态温度测试系统。考虑到恶劣的测试环境,该测试系统采用接触式测温技术,使用Nanmac-E12快速响应型热电偶对火炮膛内的火药燃气温度进行测量。在硬件设计上,该测试系统使用了嵌入铁电存储(FRAM)技术的主控芯片,利用铁电存储技术拥有近乎无限擦写周期的特点,将FRAM与循环存储的方式相结合,使得该测试系统在拥有非易失性的基础上,能够运用循环存储的方式将有效数据存储到内置的铁电存储器中,此设计方式相较于使用FLASH存储器可以提高测试系统在恶劣环境下有效数据的捕获率。系统测试与相关模拟试验表明,该测试系统能以100 kHz的采样频率采集数据,具有体积小、稳定性好、功耗低等特点,适用于火炮膛内火药燃气温度的测试。

摘要： 铁电存储器读写时间短、功耗低、可重复擦除性好,因此,在航天航空、军事和公共交通等领域得到了越来越广泛的应用.一个晶体管和一个电容(1T1C)单元结构是常见的铁电存储器存储单元.本文对1T1C铁电存储阵列提出了几种基于电气缺陷的故障模型,包括晶体管常开、常关、开路和桥接故障.与现有的存储器故障相比,发现了两个新的故障,即写入故障(WDF)和动态写入故障(dWDF).此外,还提出了一种改进的March C-1T1C测试,可以有效覆盖现有的故障和新发现的故障.

摘要： 铁电存储器由于自身的非易失特点,在航空航天等领域得到广泛应用.本文针对某款铁电存储器进行了电离总剂量辐照试验,测试了其数据读、写功能及功耗电流随电离总剂量的变化,研究了铁电存储器的电离总剂量效应,初步分析了其损伤机理.然后对其电离总剂量辐射效应进行初步探索分析，主要是面向应用研究了其数据保持能力和功耗电流随电离总剂量的变化，并与传统半导体存储器和以前的FRAM型号产品抗辐射能力进行了比较。

摘要： 随着国家电网各项智能电能表标准的陆续发布和实施，智能电能表即将步人千家万户。作为电能量和一些关键数据的存储，铁电存储器正在发挥巨大的作用。此外由于芯片制造工艺已经步入纳米级。铁电存储器的成本也将越来越为广大电能表厂商所接受。

摘要： 存储器作为电子系统必不可少的重要组成部分，是电子系统程存储和数据存储的主要载体，本文主要对新型存储器铁电存储器(FRAM)总剂量电离辐射效应进行了初步研究，并与目前应用较多的典型半导体存储器辐射效应进行了比较，获得了FRAM比传统半导体存储器具有更好抗总剂量辐射能力的结果。

摘要： 电池管理系统（Battery Management System，BMS）是电动汽车中保护电池安全工作的核心设备，其主要功能包括电池数据采集、故障诊断、剩余电量（State of Charge，SOC）估算等。铁电存储器FM30C256的非易失性数据存储器、实时时钟等功能增强了电池管理系统的可靠性.文章完成了FM30C256在电池管理系统中的应用设计,包括硬件设计和软件设计,在硬件设计中,完成了FM30C256外围电路的设计,主控芯片选用MC9S12DG128;在软件设计中,完成了数据存取和读取程序计、实时时钟配置和读取程序设计.

摘要： 智能电能表中很多数据需要频繁读写,对存储芯片的要求很高,FRAM铁电存储器读写次数近于无限次,本文推荐了FM31系列的产品,该芯片集合了存储器、看门狗计数器、实时时钟、低电压复位电路等多个电能表中必不可少的电路,其性价比与相同功能的器件或相同功能的器件组合要优越得多.

摘要： 研究利用ATmega64L单片机实现FM24C256铁电存储器中数据向SD卡传输与存储的方法。首先利用上位机操作系统完成SD卡文件系统构建，然后将预先建立的.txt文件顺序复制到SD卡中，利用ATmega64L单片机同时具备TWI和SPI接口的优势，通过铁电和SD卡的底层读写函数，将存储在铁电存储器中的数据保存到传输到SD卡并保存在相应的.txt文件中，实现数据从铁电到SD卡的传输与存储，并通过实验验证了传输的高效性和存储的准确性。

摘要： 随着国家电网各项智能电表标准的陆续出台和实施，智能电表即将步入千家万户!作为电能量和一些关键数据的存储，铁电存储器正在发挥巨大的作用!此外由于芯片制造工艺已经步人纳米级，铁电存储器的成本也将越来越为广大电表厂商所接受!

摘要： 本文给出一种基于ARM＋FPGA架构的数字医疗信号处理板卡设计方法,重点描述包括铁电存储器在内的存储系统设计、FPGA与S3C2410接口、多串口扩展电路和CAN接口,并给出所高的板卡实物图,最后指出移植VxWorks操作系统的关键环节.

摘要： 基于偶极子翻转理论,通过对薄膜中偶极子的统计分布函数进行积分的方法,改进经典的Preisach模型。由于改进的模型具有历史电场效应,可以用较少的参数方便、准确地仿真薄膜的电滞回线。结合金属-氧化物-半导体(MOS)结构的半导体物理理论,建立了一种描述金属-铁电层-绝缘层-半导体(MFIS)结构电学性能的方程。以Pt/SrBi2Ta2O9(SBT)/ZrO2/Si和Pt/Bi3.25La0.75 Ti3O12(BLT)/MgO/Si两种结构为例,模拟了不同的铁电层厚度和绝缘层厚度对两种结构电容一电压(G-V)特性和记忆窗口的影响。模拟结果和实验结果能够较好的符合,从而表明改进的模型能够较好地模拟MFIS结构的G-V特性和记忆窗口。发展了金属-铁电-绝缘体-半导体场效应晶体管(MFIS-FET)模型,并用来研究铁电一电极界面效应。通过假设界面层具有二级介电/铁电相,模拟了铁电晶体管的G-V,I-V和半导体的表面势。模拟的结果显示,当界面层厚度增加时,MFIS-FET的电性能会变坏,说明界面层厚度起了重要的作用。

摘要： 基于偶极子翻转理论,通过对薄膜中偶极子的统计分布函数进行积分的方法,改进经典的Preisach模型。由于改进的模型具有历史电场效应,可以用较少的参数方便、准确地仿真薄膜的电滞回线。结合金属-氧化物-半导体(MOS)结构的半导体物理理论,建立了一种描述金属-铁电层-绝缘层-半导体(MFIS)结构电学性能的方程。以Pt/SrBi2Ta2O9(SBT)/ZrO2/Si和Pt/Bi3.25La0.75 Ti3O12(BLT)/MgO/Si两种结构为例,模拟了不同的铁电层厚度和绝缘层厚度对两种结构电容一电压(G-V)特性和记忆窗口的影响。模拟结果和实验结果能够较好的符合,从而表明改进的模型能够较好地模拟MFIS结构的G-V特性和记忆窗口。发展了金属-铁电-绝缘体-半导体场效应晶体管(MFIS-FET)模型,并用来研究铁电一电极界面效应。通过假设界面层具有二级介电/铁电相,模拟了铁电晶体管的G-V,I-V和半导体的表面势。模拟的结果显示,当界面层厚度增加时,MFIS-FET的电性能会变坏,说明界面层厚度起了重要的作用。

摘要： 一种铁电电容器包括其间具有铁电材料的两个导电电容器电极。所述电容器电极中的至少一者包括M

摘要： 三维铁电随机存储器的制备方法及三维铁电随机存储器，包括：基于CMOS工艺制备晶体管的同时，将三维铁电电容的每个铁电存储单元依次垂直集成于晶体管上，得到三维铁电随机存储器。其中，三维铁电电容的铁电存储单元依次包括垂直沉积的层间介质(7)、电容底电极(9)、铁电薄膜(10)和电容顶电极(11)。将铁电电容集成到互补金属氧化物半导体中(CMOS)中，电容结构由平面转变为三维来增大电容面积，以实现更高的存储密度，并且在不减少存储电荷的前提下进一步缩小存储单元尺寸。

摘要： 本发明提供一种铁电存储器单元、其制备方法及铁电存储器的布局结构，铁电存储器单元包括：选择晶体管，包括基底，位于基底上的栅极结构和位于栅极结构两侧的基底中的源区和漏区；沟槽型铁电电容，包括设置于漏区中的沟槽、形成于沟槽底部和侧壁下极板，形成于下极板表面的铁电电容介质层、以及位于铁电电容介质层上表面的上极板。本发明的铁电存储器单元，可以在铁电存储器单元缩小的情况下解决电容面积不足的问题，使电容容量扩大2‑4倍，极大提升单元存储性能。本发明可使寄生电容和互联电阻减小，提升铁电存储器单元性能。

摘要： 本发明提供一种铁电存储器单元、其制备方法及铁电存储器的布局结构，铁电存储器单元包括：选择晶体管，包括基底，位于基底上的栅极结构和位于栅极结构两侧的基底中的源区和漏区；沟槽型铁电电容，包括设置于漏区中的沟槽、形成于沟槽底部和侧壁下极板，形成于下极板表面的铁电电容介质层、以及位于铁电电容介质层上表面的上极板。本发明的铁电存储器单元，可以在铁电存储器单元缩小的情况下解决电容面积不足的问题，使电容容量扩大2‑4倍，极大提升单元存储性能。本发明可使寄生电容和互联电阻减小，提升铁电存储器单元性能。

摘要： 本发明公开的一种铁电存储器的位线布局及铁电存储器，其将铁电存储器中相邻的两个IO组合在一起，使得两个IO中的位线交错排列，当一个IO工作时，另一个IO不工作，则不工作的IO的位线相当于接地，使得工作的IO的位线之间相当于设置了一根接地线，从而能有效减少同一个IO中相邻位线之间的干扰。

摘要： 本公开提供一种铁电存储器的制造方法，包括：在衬底上形成依次叠设的底电极和铁电层，其中，铁电层为掺杂的氧化铪基铁电层；在铁电层上形成顶电极，其中，所述顶电极为氮化钛材料的顶电极，在形成顶电极的过程中，通过调节氮气的流量，以调节顶电极中氮原子和钛原子的比率。该制造方法可以改善铁电存储器疲劳特性并提高铁电存储器的耐久性。本公开还提供一种铁电存储器及包括铁电存储器的电子设备。

摘要： 本申请提供了一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法，其中，铁电存储器将沟道结构、源极和漏极设置于高于第一区域和第二区域的鳍部中，使得沟道结构的第一方向两侧可以分别设置第一控制结构和第二控制结构，本申请实施例提供的铁电存储器中的铁电层面积不占用平行于衬底表面的面积，可以使较小尺寸的铁电存储器具有较大面积的铁电层，有利于提升铁电存储器的栅极控制能力。并且由于第一控制结构和第二控制结构可以根据接收的不同电压实现不同的操作，即可以将对铁电存储器的读取操作、编写操作和擦除操作通过对不同的栅极施加不同的电压实现，降低了编写和擦除操作时介质层的电场，改善了铁电存储器的耐久性、保持特性及读取速度。

摘要： 本发明揭示包含铁电存储器及用于刷新铁电存储器的设备及方法。实例设备包含：字线；第一存储器单元，其耦合到第一数字线，并且响应于处于活跃状态的所述字线而将第一数据存储在所述第一数据线上；第二存储器单元，其耦合到第二数字线，并且响应于处于所述活跃状态的所述字线而将第二数据存储在所述第二数字线上。在刷新操作中，所述第一数字线耦合到第一电力电势，且所述第二数字线耦合到第二电力电势。

摘要： 本发明揭示包括铁电存储器及用于操作铁电存储器的装置及方法。一种实例性装置包括电容器，所述电容器具有第一极板、第二极板及铁电介电材料。所述装置进一步包括第一数字线及经配置以将所述第一极板耦合到所述第一数字线的第一选择组件，并且还包括第二数字线及经配置以将所述第二极板耦合到所述第二数字线的第二选择组件。

摘要： 本实用新型提供了一种铁电存储器存储阵列结构及铁电存储器，所述铁电存储器存储阵列结构包括多个扇区、多个感测耦合线、选择电路和多个感测电路，其中：所述选择电路包括多个选择子电路模块；每个所述扇区分别通过一个所述选择子电路模块与所述多个感测耦合线相连接；选择信号控制所述选择电路中的一个选择子电路模块导通的同时，控制其他选择子电路模块关断，以隔绝其他所述扇区耦合至所述多个感测耦合线；所述多个感测耦合线与所述多个感测电路相连接，所述多个感测电路用于检测所述多个感测耦合线上的电压，以判断与其连接的扇区的存储数据。