《亚鲁王》

摘要： 本世纪以来,苗族史诗《亚鲁王》的研究取得了较大进展,相关研究成果呈现逐年增长的趋势,但现有研究中运用“共词聚类分析”等文献计量方法的研究却较为有限,体现不出方法的创新性。因此,本文以2010-2021年我国学界在《亚鲁王》研究领域的CNKI期刊数据库的论文为计量对象,运用文献计量软件CiteSpace构建关键词共现矩阵,并采用聚类分析法划分聚类,探究苗族史诗《亚鲁王》及其相关主题的研究现状、热点以及趋势。统计研究的结果表明:“研究成果相对集中”、“研究者组成相对单一”等是《亚鲁王》研究的基本现状,而“人类学价值的缺乏”、“研究团队较少”、“研究方法单一”、“研究成果辐射面不足”等是该研究将来可能突破的新方向。

摘要： 纵观我国音乐口述史的相关研究成果,其特点可归纳为多视角、跨学科和前沿性等,探讨涉及概念梳理、价值应用、田野操作和个案探究等方面。这些研究成果无疑给我国音乐学界的研究开辟了一条新的路径,掀开了我国音乐口述史研究的新起点。基于“口述史”视角,以史诗《亚鲁王》音乐文化为例,从教育传承语境、教育传承现场和教育传承策略,就贵州非遗传统音乐文化于中小学校的教育传承进行研究。

摘要： 作为“复合型史诗”的代表,亚鲁王文化的内涵丰富、外延宽广,因此,在充分利用现有的亚鲁王文化研究所取得成果的基础上,有效借鉴西方文化整合理论,对亚鲁王文化进行文化整合研究是行之有效的研究思路。史诗带有鲜明的稻作文化模式,史诗的三大母题包含众多文化原型,可以综合运用民族志研究以及本尼迪克特的文化模式理论、列维-施特劳斯的结构主义神话学、荣格的原型理论和普罗普的母题理论进行综合研究。

摘要： 被列入国家级非物质文化遗产代表性项目名录的史诗《亚鲁王》有着丰富的经济叙事,涵括史诗文本隐含的经济事项和史诗文化内蕴的供需效应,嵌合地域的活形态史诗指涉生产生活诸环节,其生死观、生活观、经济观等仍在持续影响地域文化持有人,文化持有人文化权益的均等化诉求与观念形态物质化的工具性策略,在聚合为地域共性文化积淀的同时,也成为理解地域文化及其延伸的重要线索。通过考察史诗经济叙事的语境建构与行动逻辑,阐释史诗的经济驱动力与文化驱动力,强调技术变革与范式转化的史诗经济元素,认为科技发展必然分化和科技应用要求集成的对立统一是理解时空变动下文化驱动经济发展的重要维度。

摘要： 国内苗学界关于《亚鲁王》的研究,大致划分为2010—2019年和2020年至今两个阶段。这两个阶段的研究成果,在与当前时代需求深度结合的问题上,还存在较大的探索空间,亟须对其开展创新性研究。这需要结合时代需求,明确新时代《亚鲁王》研究的价值取向,框定《亚鲁王》研究的领域范畴,厘清《亚鲁王》研究的思路脉络等。这是新时代进一步开展《亚鲁王》创新性研究的根本路径。

摘要： 《亚鲁王》以蝴蝶、糯米、集市等诸多意象构建了一个富饶宜居的祖居地,以30余个地理空间流转点出自东向西的迁徙路径,通过地理叙事显现出麻山苗族悲怆的迁徙历史.族群记忆感召族人在迁居途中重建与族源地相仿的地理空间,在丧葬仪式上吟咏祖源地以召唤亡魂回归故土,这两种形式为麻山苗族"归冢"意识的民族精神心理显现.史诗文本与演唱时空构成"互文性"关系,地理意象与"归冢"意识贯穿始终,形成史诗文本"沉郁悲怆"风格与丧葬仪式"向死而生"特征的鲜明对照.

摘要： 2018年12月17日,由贵阳市群众艺术馆、贵阳市艺术研究院出品,省市有关专家及全国著名专家精心创作的、填补贵州空白的中国首部苗族英雄史诗合唱剧《亚鲁王》在贵阳大剧院上演,这部历经5年打磨而成的剧作得到了有关专家和广大观众的一致肯定。

摘要： 苗族史诗《亚鲁王》记载的洪水神话是迄今发现较为完整的苗族洪水神话版本,在水文化表达上突显了苗族西部方言区的文化特色. 《亚鲁王》的洪水神话通过祖先谱系、音乐起源和英雄时代等文化方式表达了民族文化认同、民族文化特色和地域民间信仰.洪水再生神话是对数百代祖先造人努力的一个总结,洪水神话起因中带有音乐起源和女性悲剧,洪水神话之后人类找到新的家园,标志着从神的时代走向英雄时代,从而开启了亚鲁王信仰的英雄时代.史诗的洪水神话表达反映了中华多元民族文化的凝聚力,推动中华文化自信和中华民族文化共同体建设.

摘要： 文化价值化和价值文化化是理解地域文化调适行动逻辑、运转原则及伦理规范的重要视角.苗族"亚鲁王"文化在国家治理体系和外部制度文化的挤压和拉扯中主动适应,以信息均衡下多元利益主体互利共赢为目的,消解了传统文化的恒定边界,形成了动态发展的开放系统,成为一种生存策略和一种平衡模式,是差异化价值的整合过程,其意义在于跨文化的认同."亚鲁王"文化重视多元调和、兼顾多元利益、注重多元互动的调适逻辑和价值整合,可为创新驱动未来导向下推进国家治理体系和治理能力现代化提供参考.

摘要： 《亚鲁王》是一部贵州苗族的长篇英雄史诗,其蕴含着丰富的现代德育价值,主要表现为敬祖、爱国、英雄、与自然和谐相处、民族团结和谐的精神.本文基于苗族民间文化融入校本德育课程的实践研究,从文化人类学、民族民间文化学、政治学的角度充分挖掘《亚鲁王》的现代德育价值.

摘要： 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路，包括四个PMOS管P0～P3，六个NMOS管N0～N5，其中PMOS管P0与NMOS管N0，PMOS管P1与NMOS管N1以及PMOS管P2与NMOS管N2分别组成第一、二、三共三个反相器，第一、二反相器与NMOS管N4管组成交叉耦合的反相器链，第一反相器的输入连接第二反相器的输出，第二反相器的输入连接NMOS管N4的漏端，N4的源端连接第一反相器的输出，第一反相器的输出连接第三反相器的输入，第三个反相器的输出连接NMOS管N5的源端，N5的漏端连接读位线RBL，第二个反相器的输入连接到PMOS管P3、NMOS管N3组成的传输门的输出端，而传输门的输入端接写位线WBL，PMOS管P0～P3、NMOS管N3～N5管衬底与栅连接。

摘要： 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的栅端连接，并连接到输出端Vout；PMOS管P1的体端接电源电压Vdd；NMOS管N1、N2、N3的体端各自均连接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端连接；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接电源电压Vdd。本发明实现噪声容限最大，具备良好的抗干扰能力和工艺容忍度，占用的芯片面积小。

摘要： 一种限漏流的高鲁棒亚阈值存储单元电路，设有包括两个PMOS管P1及P2，十个NMOS管N1～N10，共12个晶体管，其中，P1、N3、N5和P2、N4、N6分别构成第一、第二两个反相器，两个反相器交叉耦合连接，关断管N1、N2用来连接两个反相器到电源的通路，反馈管N7、N8根据输入信号自动调节两个反相器的翻转阈值电压；N9和N10是存储单元的匹配晶体管，N9的源、漏端中任一端连接第一反相器的输出端，其另一端连接位线；NMOS管N10的源、漏端中任一端连接第二反相器的输出端，其另一端连接位线的非；N9、N10的栅端分别连接字线。

摘要： 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储单元电路，设有两个PMOS管P1、P2及五个NMOS管N1～N5，两个PMOS管及NMOS管N3、N4、N5的各体端均与本晶体管的栅端连接；NMOS管N1、N2的体端接地；NMOS管N1与PMOS管P1和NMOS管N2与PMOS管P2分别组成两个反相器，两个反相器之间通过关断NMOS管N5将两个反相器连接成交叉耦合，N1、P1反相器的输出端直接连接到N2、P2反相器的输入端，N2、P2反相器的输出端经由关断NMOS管N5连接到N1与P1反相器的输入端；NMOS管N3连接N1、P1反相器的与写位线，NMOS管N4连接N2、P2反相器的与写位线的非和读字线。

摘要： 本发明涉及一种斯鲁菲亚红酵母固定化胶球及其制备方法，该制备方法为：将斯鲁菲亚红酵母菌体与生理盐水混合制成斯鲁菲亚红酵母菌悬液；将聚乙烯醇、海藻酸钠、二氧化硅、海水混合形成固定化胶球胶液；将硼酸、氯化钙混合形成交联剂；然后将斯鲁菲亚红酵母菌悬液与固定化胶球胶液混合得到混合液，混合液加入交联剂中交联得到以聚乙烯醇‑海藻酸钠‑二氧化硅为包埋固定化材料、包埋有斯鲁菲亚红酵母菌体的斯鲁菲亚红酵母固定化胶球。制作方法简单、材料易得、成型效率高，制得的胶球稳定性好、使用寿命长，且生物活性较好，对氨氮和亚硝酸盐氮的降解率可达90％以上，拓展了现有固定化藻菌选用的菌种，也为探究此种酵母固定化胶球应用打下基础。

摘要： 本发明涉及化学领域，公开了一种鲁拉西酮前体化合物(3AR,4S,7R,7AS)4,7-亚甲基-1H-异吲哚-1,3(2H)-二酮的合成方法。本发明采用本发明由化合物

摘要： 本发明公开一种提高亚阈值SRAM存储单元工艺鲁棒性的电路，该电路作为亚阈值SRAM存储单元的辅助电路，将该电路的输出连接到亚阈值SRAM存储单元内PMOS管及自身电路中PMOS管的衬底。该电路包括SRAM存储单元内PMOS管阈值电压检测电路及差分输入单端输出放大器，通过检测工艺波动引起的PMOS管与NMOS管阈值电压波动，自适应改变亚阈值SRAM存储单元内PMOS管及自身电路中PMOS管的衬底电压进而调节其阈值电压，使得PMOS的阈值电压与NMOS的阈值电压相匹配。提高了亚阈值SRAM存储单元的噪声容限，有效地提高了亚阈值SRAM存储单元的工艺鲁棒性。

摘要： 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路，包括四个PMOS管P0~P3，六个NMOS管N0~N5，其中PMOS管P0与NMOS管N0,PMOS管P1与NMOS管N1以及PMOS管P2与NMOS管N2分别组成第一、二、三共三个反相器，第一、二反相器与NMOS管N4管组成交叉耦合的反相器链，第一反相器的输入连接第二反相器的输出，第二反相器的输入连接NMOS管N4的漏端，N4的源端连接第一反相器的输出，第一反相器的输出连接第三反相器的输入，第三个反相器的输出连接NMOS管N5的源端，N5的漏端连接读位线RBL，第二个反相器的输入连接到PMOS管P3、NMOS管N3组成的传输门的输出端，而传输门的输入端接写位线WBL，PMOS管P0~P3、NMOS管N3~N5管衬底与栅连接。

摘要： 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路，包括四个PMOS管P0~P3，六个NMOS管N0~N5，其中PMOS管P0与NMOS管N0,PMOS管P1与NMOS管N1以及PMOS管P2与NMOS管N2分别组成第一、二、三共三个反相器，第一、二反相器与NMOS管N4管组成交叉耦合的反相器链，第一反相器的输入连接第二反相器的输出，第二反相器的输入连接NMOS管N4的漏端，N4的源端连接第一反相器的输出，第一反相器的输出连接第三反相器的输入，第三个反相器的输出连接NMOS管N5的源端，N5的漏端连接读位线RBL，第二个反相器的输入连接到PMOS管P3、NMOS管N3组成的传输门的输出端，而传输门的输入端接写位线WBL，PMOS管P0~P3、NMOS管N3~N5管衬底与栅连接。

摘要： 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的栅端连接，并连接到输出端Vout；PMOS管P1的体端接电源电压Vdd；NMOS管N1、N2、N3的体端各自均连接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端连接；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接电源电压Vdd。本实用新型实现噪声容限最大，具备良好的抗干扰能力和工艺容忍度，占用的芯片面积小。