金属晶体

摘要： 晶体是固体物理课程中非常基础和重要的概念,但不同元素晶体呈现不同晶型如面心立方(fcc)、体心立方(bcc)、六方密堆积(hcp)、简单立方(sc)的原因在课程中并没有进行说明.本文将利用密度泛函理论,结合第一性原理软件(Quantum Espresso)对钋(Po)、钨(W)、铝(Al)和镁(Mg)等金属晶体进行单点能计算,获得其在不同晶体结构下随晶格常数变化的能量曲线,讨论各金属晶体的理论晶格结构,对不同固体晶体呈现不同晶体类型的问题进行说明.

摘要： 高中化学对典型晶体的晶胞、金属晶体的原子堆积模型、离子晶体中离子的配位数及决定因素进行了介绍,这些内容是化学竞赛选手深入理解晶体堆积方式的重要铺垫。以字母表示晶体堆积方式是竞赛培训的难点之一,其涉及阴阳离子堆积、空隙、空隙占有率、空层等诸多知识,要求竞赛选手对晶胞有深入的认识。

摘要： 在《普通高中化学课程标准(2020年版)》中提出了五方面的化学学科核心素养,其中包括"证据推理与模型认知",在课程内容中要求学生了解晶体中微粒的空间排布存在周期性,认识简单的晶胞;借助分子晶体、共价晶体、离子晶体、金属晶体等模型认识晶体结构特点。在实际教学过程中也借助实物模型、计算机软件模拟及视频等多种直观的手段帮助学生理解晶体的结构特点。本文将从几何角度进一步分析探讨离子晶体的填隙模型,帮助学生对离子晶体模型有一个更深刻.

摘要： 六方最密堆积和立方最密堆积是金属晶体中最常见的结构,其正四面体空隙和正八面体空隙的分布是学生学习的难点.本文将揭示密置双层-最密堆积-离子晶体结构中空隙的分布规律,进而将典型离子晶体结构与最密堆积中的空隙分布相关联.这对学生掌握空隙分布的规律性,理解金属和离子晶体结构,提升晶体结构的学习效果大有帮助.

摘要： 通过量子化学计算,进行分子轨道和电子密度差分析,从Hellman-Feynman静电定理的视角,发现所有化学键以及化学作用的本质是统一的:都是电子在核之间共享引起的结合力。包含金属键(金属晶体),也包含氢键、范德华作用等。

摘要： 金属晶体中原子堆积方式复杂,每种堆积中原子空间利用率不尽相同,掌握金属晶体里晶胞中原子空间利用率对于解决所有晶胞的原子空间利用率问题具有触类旁通的作用。研究金属晶体里晶胞中原子空间利用率,首先应该掌握求算它的基本步骤:先找到晶胞中所含原子数,然后根据晶胞中紧邻原子的位置关系找到原子半径与晶胞边长的关系,再根据空间利用率的求算方法即晶胞中原子所占的实际体积与晶胞中原子围成的几何图形的体积之比,求得空间利用率。

摘要： 金属材料经过热处理过程使材料具有优良的组织和性能,广泛应用于先进科技和日常生活中.金属材料的微观显微组织是研究金属材料组织性能的有效方法.金属材料微观组织的形成是金属材料合金成分在金属晶体晶胞中的溶入析出,金属晶体的晶格结构从体心立方晶格转变成面心立方晶格和密排六方晶格.金属材料不同的热处理过冷转变温度形成不同的微观形态的相结构.本文研究金属材料微观晶格结构的相变过程与结构安全探索研究.

摘要： 本文主要阐述了让学生感悟化学之美,提高学生的发现、感受"美"的能力,并从《金属晶体》的课堂构建、教学片段,展示了美育在化学课堂的渗透,希望孩子们能够用美的观念、美的理想去发现美、创造美,与美丽同行

摘要： 由于宏观领域的摩擦规律到了微观领域已不再完全适用,本文将通过分子动力学模拟(MolecularDynamics Simulation)的方法从微观领域研究水作用下的金属摩擦特性。用Material Studio建立水作用下的摩擦模型,上下两层铁晶体尺寸分别为10a0×10a0×10a0,a0是铁晶体的晶格常数,水分子层由不同个数水分子构成,厚度分别为2.26埃,4.52埃,6.77埃。金属内部原子之间相互作用采用EAM势函数来描述,水分子之间的相互作用采用TIP3P模型来描述,在金属与水分子层界面上采用LJ势函数描述其相互作用。模拟计算过程中,首先改变水分子层厚度,在不同水分子层厚度情况下,计算水分子层和铁原子层接触面作用力大小,与速度反方向的表面作用力就是摩擦力,计算结果进行比较发现,随着水分子层厚度增加,摩擦力和摩擦系数均明显减小;然后,改变系统温度,计算表面作用力大小,经过计算,发现系统温度升高摩擦力和摩擦系数减小;再次,改变法向载荷,计算表面作用力,发现载荷增大摩擦力和摩擦系数都增大;最后,改变滑动速度,模拟发现,摩擦力和摩擦系数减小。

摘要： 本文讨论了用双籽晶法生长任意设定取向双晶体的基本方法、生长系统.解决了晶体均匀性、晶界控制等问题,为实际生长大尺寸金属双晶体提供了有效的方法.

摘要： 本文讨论了用双籽晶法生长任意设定取向双晶体的基本方法、生长系统.解决了晶体均匀性、晶界控制等问题,为实际生长大尺寸金属双晶体提供了有效的方法.

摘要： 本文讨论了用双籽晶法生长任意设定取向双晶体的基本方法、生长系统.解决了晶体均匀性、晶界控制等问题,为实际生长大尺寸金属双晶体提供了有效的方法.

摘要： 本文讨论了用双籽晶法生长任意设定取向双晶体的基本方法、生长系统.解决了晶体均匀性、晶界控制等问题,为实际生长大尺寸金属双晶体提供了有效的方法.

摘要： 本文讨论了用双籽晶法生长任意设定取向双晶体的基本方法、生长系统.解决了晶体均匀性、晶界控制等问题,为实际生长大尺寸金属双晶体提供了有效的方法.

摘要： 单晶和大晶粒试样的形变主要由位错的运动所引起，而微米晶试样的超塑性形变主要由晶界滑动所引起。该文研究以晶界滑动为主要机制的超塑性形变过程的内耗

摘要： 单晶和大晶粒试样的形变主要由位错的运动所引起，而微米晶试样的超塑性形变主要由晶界滑动所引起。该文研究以晶界滑动为主要机制的超塑性形变过程的内耗

摘要： 单晶和大晶粒试样的形变主要由位错的运动所引起，而微米晶试样的超塑性形变主要由晶界滑动所引起。该文研究以晶界滑动为主要机制的超塑性形变过程的内耗

摘要： 单晶和大晶粒试样的形变主要由位错的运动所引起，而微米晶试样的超塑性形变主要由晶界滑动所引起。该文研究以晶界滑动为主要机制的超塑性形变过程的内耗

摘要： 本发明的实施方式涉及的金属氧化物纳米晶体的制造方法包括：使包含溶解在非极性溶剂中的一种以上的纳米晶体前体的一种或多种纳米晶体前体溶液连续流入连续流路中，将分段化气体送入上述连续流路中，形成分段化反应流，使上述分段化反应流流入热处理装置中，在上述热处理装置中对上述分段化反应流进行加热，由此形成生成物流，从上述生成物流中收集金属氧化物纳米晶体。

摘要： 提供用于形成金属氧化物膜的涂布液，其含有：铟化合物；选自镁化合物、钙化合物、锶化合物、和钡化合物的至少一种；选自含有其氧化数的最大正值为IV的金属的化合物、含有其氧化数的最大正值为V的金属的化合物，和含有其氧化数的最大正值为VI的金属的化合物的至少一种；以及有机溶剂。

摘要： 本发明涉及由至少两种不同的起始化合物制备纳米晶体混合金属氧化物颗粒的方法，所述方法包括下列步骤：a)利用携带流体将所述起始化合物的化学计量混合物导入反应室中，b)在所述反应室中于脉冲条件下在处理区内对所述起始化合物进行脉冲热处理，c)形成纳米晶体混合金属氧化物颗粒，d)从所述反应器移出在步骤b)和c)中得到的所述纳米晶体混合金属氧化物颗粒，所述起始化合物的化学计量混合在大于50°C的温度进行。本发明还涉及可通过本发明的方法获得的、更具体而言是可用作催化剂的纳米晶体混合金属氧化物。

摘要： 提供一种金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管。该半导体晶体管包括形成于半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，其中，此半导体衬底为第一导电型，且具有第一导电型的栓塞区域；此栓塞区域形成于第二导电型的漏极延伸区域(就高压金属氧化物半导体晶体管而言)或形成于第二导电型的轻掺杂区域(就低压金属氧化物半导体晶体管而言)。这样的结构导致较高的击穿电压。本发明原则适用于形成在块状半导体衬底上的金属氧化物半导体晶体管及形成在硅置于绝缘物上构成的金属氧化物半导体晶体管。

摘要： 本发明的实施方式涉及的金属氧化物纳米晶体的制造方法包括：使包含溶解在非极性溶剂中的一种以上的纳米晶体前体的一种或多种纳米晶体前体溶液连续流入连续流路中，将分段化气体送入上述连续流路中，形成分段化反应流，使上述分段化反应流流入热处理装置中，在上述热处理装置中对上述分段化反应流进行加热，由此形成生成物流，从上述生成物流中收集金属氧化物纳米晶体。

摘要： 公开了用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法和金属氧化物半导体场效应晶体管。一种用于制造MOSFET半导体器件的方法，包括提供晶片，晶片包括：半导体本体，该半导体本体包括第一侧、与第一侧相邻的第一半导体区、与第一侧相邻并且与第一半导体区形成第一pn结的第二半导体区、以及与第一侧相邻并且与第二半导体区形成第二pn结的第三半导体区；布置在第一侧上的第一电介质层；嵌入在第一电介质层中的栅极电极；和布置在第一电介质层上的第二电介质层。在栅极电极旁边形成通过第一电介质层和第二电介质层的沟槽。在沟槽的侧壁处形成电介质间隔壁。沟槽延伸到半导体本体中以形成接触沟槽。

摘要： 本发明公开了形成金属氧化物薄膜的涂布液、金属氧化物薄膜、场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法。一种用于形成金属氧化物薄膜的涂布液包含：无机铟化合物；无机钙化合物或无机锶化合物，或这两种化合物；以及有机溶剂。通过涂布所述涂布液而形成的氧化物半导体用于场效应晶体管的活性层。

摘要： 提供用于形成金属氧化物膜的涂布液，其含有：铟化合物；选自镁化合物、钙化合物、锶化合物、和钡化合物的至少一种；选自含有其氧化数的最大正值为IV的金属的化合物、含有其氧化数的最大正值为V的金属的化合物，和含有其氧化数的最大正值为VI的金属的化合物的至少一种；以及有机溶剂。

摘要： 一种用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，包含：无机铟化合物；无机钙化合物或无机锶化合物，或这两种化合物；以及有机溶剂。通过涂布所述涂布液而形成的氧化物半导体用于场效应晶体管的活性层。

摘要： 用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，所述涂布液包含：无机铟化合物；无机镁化合物和无机锌化合物的至少一种；和二醇醚。