摘要：
本发明涉及一种制备包含[3]‑轴烯p‑掺杂剂的电掺杂半导体材料或制备含有包括[3]‑轴烯p‑掺杂剂的层的电子器件的方法，相应的[3]‑轴烯化合物以及包括所述化合物的半导体材料和层和电子器件；所述方法包括如下步骤：(i)用[3]‑轴烯p‑掺杂剂装载蒸发源，和(ii)在升高的温度和减压下蒸发所述[3]‑轴烯p‑掺杂剂，其中所述[3]‑轴烯p‑掺杂剂选自具有根据式(I)的结构的化合物，其中A1和A2独立地为芳基或杂芳基取代的氰基亚甲基，所述芳基和/或杂芳基在A1和A2中独立地选自4‑氰基‑2,3,5,6‑四氟苯基、2,3,5,6‑四氟吡啶‑4‑基、4‑三氟甲基‑2,3,5,6‑四氟苯基、2,4‑双(三氟甲基)‑3,5,6‑三氟苯基、2,5‑双(三氟甲基)‑3,4,6‑三氟苯基、2,4,6‑三(三氟甲基)‑1,3‑二嗪‑5‑基、3,4‑二氰基‑2,5,6‑三氟苯基、2‑氰基‑3,5,6‑三氟吡啶‑4‑基、2‑三氟甲基‑3,5,6‑三氟吡啶‑4‑基、2,5,6‑三氟‑1,3‑二嗪‑4‑基和3‑三氟甲基‑4‑氰基‑2,5,6‑三氟苯基，并且至少一个芳基或杂芳基是2,3,5,6‑四氟吡啶‑4‑基、2,4‑双(三氟甲基)‑3,5,6‑三氟苯基、2,5‑双(三氟甲基)‑3,4,6‑三氟苯基、2,4,6‑三(三氟甲基)‑1,3‑二嗪‑5‑基、3,4‑二氰基‑2,5,6‑三氟苯基、2‑氰基‑3,5,6‑三氟吡啶‑4‑基、2‑三氟甲基‑3,5,6‑三氟苯基，前提条件是A1与A2中的所述杂芳基不能同时是2,3,5,6‑四氟吡啶‑4‑基。
