选择生长

摘要： 1．扦插。扦插前要准备好苗床，选土层深厚、肥沃而疏松的砂壤土进行耕翻、耙平，作为1．2～1.3米宽的畦，畦高20厘米左右。从母株上选择生长充实的枝条剪下做插条，每根插条长10厘米左右，剪口削成斜面，插条上端留2～3片叶，下端叶片剪除。扦插时，

摘要： 秋季是林木种子采收的好时机，种子达到形态成熟后必须及时采收并及时处理，这关系到来年林木育苗的成功与否，那么，怎样采集和处理好林木种子呢？选好母树是关键。在采种时不能良莠不分，见树就采，见果就嫡，而耍从造林的目的上来考虑。一般来说，母树必须生长健壮、株形丰满，无病虫害，具有优良性状的壮年树，这样采集的种子充实饱满、品质纯正、发芽率高、出苗整齐、幼苗健壮。营造用材林如杉木、湿地松等，应选择生长迅速、树干通直、木材质量好的中年、壮年树采集：营造经济林如油桐、油茶等，就要考虑母树结果的数量和质量如何，是否高产稳产、结果早等特点；用于营造防护林，应选择根系发达、生长快、抗风、耐旱、耐湿、耐瘠薄的母树；用于营造美化林，应选择树形优美、气味芳香、四季常绿、抗病虫害和防污染的母树等。

摘要： 一、可作杜鹃、金桔、山茶、桂花等花木高枝压条的包扎基质：在梅雨季节，选择生长旺盛的去年生枝条．在离顶端10～15厘米处．进行环状剥皮．再包上塑料袋．

摘要： 春季嫁接未成活的枣树，夏季仍可进行补接，时间从7月一直到9月，成活率高达80％以上。 首先是接前准备。1.砧木选择。选择生长健壮、无病虫害、基茎在0．5厘米以上的酸枣苗作为砧木。2．接穗采集。剪取生长健壮、无病虫害、芽眼充实、已木质化的当年生枝条作为接穗，剪去叶片留下叶柄。3．接穗保存。为了利于贮运，可将接穗剪成20—30厘米长的小段，用湿沙深埋或用湿麻袋片包裹保湿，并及时上水。

摘要： 一、扦插繁殖法rn（一）插条采集rn葡萄用的插条一般结合冬季修剪时采集。应在优良品种的植株上选择生长健壮、充分成熟、芽眼饱满且无病虫害的一年生枝用作插条。

摘要： 1．扦插时间。红叶石楠从3月上旬至9月上旬均可进行扦插，但一般多在春、秋两季进行，夏季扦插时需要进行遮阴处理。2．插穗的选取。选择生长健壮、无病虫害、顶芽饱满的当年生枝条作插条。采条最好在阴天、早晨或傍晚时进行。将采好的插条剪成长5-8厘米的插穗，顶端保留1芽1叶，上剪口平剪，下剪口斜剪，剪口要平整。插穗剪好后，要注意保湿，尽量随剪随插。

摘要： 一、选砧木 一般要选择生长旺盛而且无病虫害的1-2年生实生苗，苗距地面5-6厘米处直径在0．5厘米以上。芽接前10天左右，应将选定的砧木距地面7。8厘米以上的分枝剪去，以便于操作。

摘要： 采集优质树种，应选择生长健壮、株形丰满、无病虫害、具有优良性状的壮年株，并掌握适时采种时期。若果实采摘过早，胚胎及胚乳未完全形成，种子未成熟，造成播下的种子不发芽、出芽率低。采摘过晚，种粒脱落、飞散或遭受鸟兽啄食，则会大大降低种子数量和质量。

摘要： 采用一种新的LPCVD方法在Si村底上通过SiO2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3C-SiC沿(111)面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残余应力测试表明3C-SiC薄膜晶格发生压应变,选择性生长区域的残余应力显著降低.据此结果建立了残余应力的形成机制.%A new LPCVD method was used to realize selective reverse epitaxial growth of 3C-SiC on Silicon wafer masked by SiO2. The results of TEM, AFM and XRD indicated that well crystallized 3C-SiC (111) films with clear interface and relatively high quality were achieved. The compressive stress was observed in the 3C-SiC films. Compared with 3C-SiC epitaxy on bared Si, the residual stress in the selective epitaxy decreased significantly. Based on the results, the mechanism of the residual stress was formed.

摘要： 本文首次将场电子显微镜用于金属的再结晶过程的研究,实现了高温强电场下金属铱(Ir)的单个小晶粒的形成及其选择性生长过程的动态观察.

摘要： 本文首次将场电子显微镜用于金属的再结晶过程的研究,实现了高温强电场下金属铱(Ir)的单个小晶粒的形成及其选择性生长过程的动态观察.

摘要： 本文首次将场电子显微镜用于金属的再结晶过程的研究,实现了高温强电场下金属铱(Ir)的单个小晶粒的形成及其选择性生长过程的动态观察.

摘要： 本文首次将场电子显微镜用于金属的再结晶过程的研究,实现了高温强电场下金属铱(Ir)的单个小晶粒的形成及其选择性生长过程的动态观察.

摘要： 本发明提供毛发生长控制方法、毛发生长控制剂的评价或选择方法、以及毛发生长抑制剂。本发明提供毛发生长抑制剂的评价或选择方法，所述方法包括：对能够表达DnaJC6的细胞给予试验物质的工序；测定该细胞中的DnaJC6表达的工序；以及，基于该表达评价该试验物质的毛发生长抑制效果的工序。另外，本发明还提供含有白薇或者其提取物作为有效成分的毛发生长抑制剂。

摘要： 本公开内容的实施方式一般涉及用于在增大的压力及降低的温度下在半导体装置上形成掺杂硅的外延层的方法。在一个实施方式中，该方法包括将设置在处理腔室内的基板加热至约550°C至约800°C的温度，将包含三氯硅烷(TCS)的硅源、磷源及包含卤素的气体引入处理腔室，且在基板上沉积包含磷的含硅外延层，该含硅外延层具有每立方厘米约1x1021个原子或以上的磷浓度，其中该含硅外延层在约150托或以上的腔室压力下沉积。

摘要： 本发明涉及对人促生长素抑制素受体亚型SSTR2和SSTR5具有不同选择性的两种或多种促生长素抑制素(SRIF)模拟肽(也称为促生长素抑制素类似物或SRIF-类似物)的组合、该组合在治疗由促生长素抑制素受体激活所介导的疾病中的用途和包含该组合的药物组合物。

摘要： 第一基于III‑V族材料的缓冲层被沉积在硅衬底上。第二基于III‑V族材料的缓冲层被沉积到第一基于III‑V族材料的缓冲层上。基于III‑V族材料的器件沟道层被沉积在第二基于III‑V族材料的缓冲层上。

摘要： 一种制备选择晶体生长基片的方法，该方法包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比第一种材料成核密度低并叠加在第一层上的第二种材料的基片在包含第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除该区域使包含第一种材料层暴露出来。

摘要： 本发明提供毛发生长控制方法、毛发生长控制剂的评价或选择方法、以及毛发生长抑制剂。本发明提供毛发生长抑制剂的评价或选择方法，所述方法包括：对能够表达DnaJC6的细胞给予试验物质的工序；测定该细胞中的DnaJC6表达的工序；以及，基于该表达评价该试验物质的毛发生长抑制效果的工序。另外，本发明还提供含有白薇或者其提取物作为有效成分的毛发生长抑制剂。

摘要： 本公开内容的实施方式一般涉及用于在增大的压力及降低的温度下在半导体装置上形成掺杂硅的外延层的方法。在一个实施方式中，该方法包括将设置在处理腔室内的基板加热至约550°C至约800°C的温度，将包含三氯硅烷(TCS)的硅源、磷源及包含卤素的气体引入处理腔室，且在基板上沉积包含磷的含硅外延层，该含硅外延层具有每立方厘米约1x1021个原子或以上的磷浓度，其中该含硅外延层在约150托或以上的腔室压力下沉积。

摘要： 本公开内容的实施方式一般涉及用于在增大的压力及降低的温度下在半导体装置上形成掺杂硅的外延层的方法。在一个实施方式中，该方法包括将设置在处理腔室内的基板加热至约550°C至约800°C的温度，将包含三氯硅烷(TCS)的硅源、磷源及包含卤素的气体引入处理腔室，且在基板上沉积包含磷的含硅外延层，该含硅外延层具有每立方厘米约1x1021个原子或以上的磷浓度，其中该含硅外延层在约150托或以上的腔室压力下沉积。

摘要： 本发明涉及对人促生长素抑制素受体亚型SSTR2和SSTR5具有不同选择性的两种或多种促生长素抑制素(SRIF)模拟肽(也称为促生长素抑制素类似物或SRIF－类似物)的组合、该组合在治疗由促生长素抑制素受体激活所介导的疾病中的用途和包含该组合的药物组合物。

摘要： 描述了以经蚀刻的台面为特征的LED设备和用于制造LED设备的技术，包括用于减少表面复合的技术和用于电荷载流子限制的技术。可以使用一个或更多个半导体再生长层的外延再生长来使LED台面的经蚀刻的端面钝化。一个或更多个半导体再生长层可以包括过渡层。过渡层可以被配置成具有在过渡层的相对侧上的层的带隙能量之间的带隙能量。过渡层可以分离经蚀刻的端面和另一个再生长层或分离两个再生长层。在一些情况下，可以执行选择性蚀刻以相对于阻挡层优先蚀刻量子阱层。选择性蚀刻去除表面缺陷，这有助于表面复合，并且在量子阱层的经蚀刻的端面中比在阻挡层的经蚀刻的端面中更普遍。