超低电压

摘要： 在今年的IFA2018展会上,联想对旗下YOGA产品线进行更新带来了一系列新品。其中,最新一代YOGA轻薄产品也就是我们今天要体验的这款YOGAS730获得了极大关注。全新YOGAS730在外观设计上传承了YOGA系列“变形”的基因,而在处理器层面更是首发英特尔超低电压的第八代酷睿WhiskeyLake平台i7-8565U处理器。在新的硬件平台下,全新YOGAS730的实际表现究竟如何呢?

摘要： 力旺电子近日宣布其一次可编程(OTP)内存硅知识产权NeoFuse成功导入22nm全耗尽绝缘体上硅(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)工艺平台(22FDX),NeoFuse技术继在FinFET工艺平台完成验证后,再次于FD-SOI工艺证明其优异的特性。此外,力旺电子NeoFuse技术还可于超低电压操作,系统于启动最初阶段即可开始运作以提供芯片的安全认证,特别适用于智能卡、移动支付及物联网等应用,并具有低漏电及优于一般的面积成本优势。

摘要： 农网尤其是山区农网的低电压问题较为普遍和突出,影响了居民的正常生活和生产.本文引入一种宽幅调压器与补偿电容器结合的方法,补偿电容器装设于调压器的二次侧,首先利用补偿电容器补偿负荷无功并提升二次侧电压,再利用调压器将电压调节到合格范围.现场示范应用的结果表明,这种方法是有效可行的,取得了节能和低电压治理的双重效果.

摘要： MB39C831是一款高效率同步整流升压DC/DC转换器IC,能够通过单节或多节太阳能电池或者热电发电机(TEG)高效地向锂离子电池供应能量。具有控制DC/DC转换器输出的功能以及保护功能,从而能够安全地为锂离子电池充电。能够利用低压工艺从0.35V电压启动,适于单节太阳能电池被视为输入的应用。

摘要： MB39C831是一款高效同步整流升压DC/DC转换器IC,能够有效地将单节或多节太阳能电池或热能发生器(TEG)的能量供应给锂电池。它可由0.35V电压起动,具有控制DC/DC转换器输出的功能和保护功能,从而能够安全地给锂离子电池充电。

摘要： 泰克公司率先推出针对下一代移动内存技术——JE—DEC LPDDR4的完整物理层及一致性测试解决方案。将于2015年开始采用的LPDDR4技术基于目前的LPDDR3技术，其数据速率将增加到4．26Gb／s，并使用超低电压核心使功耗降低约35％，以提高智能手机、可穿戴设备和平板电脑等移动设备的性能。

摘要： 在美国《时代》周刊公布的2013年全球100位最具影响力人物名单中,"中国网球金花"李娜不仅榜上有名,更成为了从中选择的7位封面人物之一。"目前世界排名第五的李娜拥有一座法网大满贯奖杯,以及两个澳网亚军头衔的李娜,可能将在很短的时间内成为世界上收入最高的女运动员。她的影响力已经超越网球运动的范畴。"《时代》周刊在评价李娜时如此写道。"打网球只为更好生活"在14年的职业生涯里,李娜凭借精湛的球技和坚忍不拔的精神一路过关斩将,创下亚洲

摘要： 你印象中完美的超极本是什么样的？纤薄＋性能＋持久续航？很抱歉，现在很多超极本都失去了持久续航的特性，如果你追求待机时间，那就请擦亮眼睛重新审视这些新品吧。超极本已经不再是什么新鲜的事物，2013年也必定是超极本的时代。那么，你还记得英特尔最早对起极本制定的规范标准吗？没错，就是最厚处不得超过18mm／21mm（14英寸以下／14英寸或以上）、搭载17W的超低电压处理器、通过内置SSD实现高速响应功能，以及超过5小时的续航时间。随着时间的推移，超极本的尺寸越变越丰富，性能越来越强，价格也越来越低，这些本应是值得我们庆幸的改变。但是，随着超极本日趋亲民化，续航时间这个“硬”性指标却越来越“软”，特别是在主流价位的起极本阵营，真正拥有超过5小时续航能力的产品似乎越来越少。

摘要： 本发明提出了一种超低功耗低电压低温漂的亚阈值基准电压产生电路，属于电源管理技术领域。包括了启动电路、电流基准电路、VPTAT电路、VCTAT电路。启动电路的作用是为了防止零电流传输的情况，电路正常工作以后，首先，利用电流基准的核心结构，包括高阈值的MOS管和低阈值的MOS管，产生一个纳安级的基准电流，利用电流镜为VPTAT电路和VCTAT电路提供偏置。负温度系数的电压是利用具有不同阈值电压的MOS管的栅源电压差来产生，同时，利用不平衡的差分对产生正温度系数的电压。两种不同温度系数的电压相互叠加补偿产生基准电压。本发明在实现超低功耗以及减小版图面积的前提下，能够完成低压输出以及低温漂的设计指标。

摘要： 一种位于半导体衬底承载外延层上的低压瞬态电压抑制器包含一个底部源极金属氧化物半导体场效应晶体管(BS-MOSFET)，它是由漏极区域附近的沟道栅极构成的，漏极区域包围在设置在半导体衬底的顶面附近的体区中，其中漏极区域与体区相接构成一个结型二极管，漏极区域围绕在外延层顶部的体区中，构成一个双极型晶体管，顶部电极设置在半导体顶面上方，作为漏极/集电极端子，底部电极设置在半导体衬底的底面上，作为源极/发射极电极。体区还包含一个表面体区接触区，电连接到体区-至-源极短接，从而将体区连接到底部电极，作为源极/发射极端子。漏极也可以短接到栅极上，将BS-MOSFET配置成双端子器件，其中栅极-至-源极电压等于漏极-至-源极电压。设置在沟道栅极上方的漏极/集电极/阴极端子，使得BS-MOSFET可以在其阈值栅极电压下开启，因此BS-MOSFET触发双极晶体管箝位并抑制其阈值电压附近的瞬变电压。

摘要： 本发明涉及一种低电压次带隙参考电路。在一实施例中，低电压次带隙参考电路包含一差动放大器以及基极及集极耦合至一电接地的一第一双极晶体管。参考电路还包括一第二双极晶体管，其具有耦合至电接地的基极及集极。参考电路还包括一DC偏压电路，供应一预定电压输出于高及低电压端之间，高电压端耦合至第一及第二双极晶体管的两集极，而低电压端耦合至第一及第二双极晶体管的两基极。

摘要： 本发明提出了一种超低功耗低电压低温漂的亚阈值基准电压产生电路，属于电源管理技术领域。包括了启动电路、电流基准电路、VPTAT电路、VCTAT电路。启动电路的作用是为了防止零电流传输的情况，电路正常工作以后，首先，利用电流基准的核心结构，包括高阈值的MOS管和低阈值的MOS管，产生一个纳安级的基准电流，利用电流镜为VPTAT电路和VCTAT电路提供偏置。负温度系数的电压是利用具有不同阈值电压的MOS管的栅源电压差来产生，同时，利用不平衡的差分对产生正温度系数的电压。两种不同温度系数的电压相互叠加补偿产生基准电压。本发明在实现超低功耗以及减小版图面积的前提下，能够完成低压输出以及低温漂的设计指标。

摘要： 本发明提出了一种超低功耗低电压低温漂的亚阈值基准电压产生电路，属于电源管理技术领域。包括了启动电路、电流基准电路、V

摘要： 一种位于半导体衬底承载外延层上的低压瞬态电压抑制器包含一个底部源极金属氧化物半导体场效应晶体管(BS-MOSFET)，它是由漏极区域附近的沟道栅极构成的，漏极区域包围在设置在半导体衬底的顶面附近的体区中，其中漏极区域与体区相接构成一个结型二极管，漏极区域围绕在外延层顶部的体区中，构成一个双极型晶体管，顶部电极设置在半导体顶面上方，作为漏极/集电极端子，底部电极设置在半导体衬底的底面上，作为源极/发射极电极。体区还包含一个表面体区接触区，电连接到体区-至-源极短接，从而将体区连接到底部电极，作为源极/发射极端子。漏极也可以短接到栅极上，将BS-MOSFET配置成双端子器件，其中栅极-至-源极电压等于漏极-至-源极电压。设置在沟道栅极上方的漏极/集电极/阴极端子，使得BS-MOSFET可以在其阈值栅极电压下开启，因此BS-MOSFET触发双极晶体管箝位并抑制其阈值电压附近的瞬变电压。

摘要： 本发明涉及一种低电压次带隙参考电路。在一实施例中，低电压次带隙参考电路包含一差动放大器以及基极及集极耦合至一电接地的一第一双极晶体管。参考电路还包括一第二双极晶体管，其具有耦合至电接地的基极及集极。参考电路还包括一DC偏压电路，供应一预定电压输出于高及低电压端之间，高电压端耦合至第一及第二双极晶体管的两集极，而低电压端耦合至第一及第二双极晶体管的两基极。

摘要： 本发明公开一种超低电压超低功耗的晶体振荡器电路架构，主要包括双跨导晶振主电路、幅度控制辅助电路和输出驱动辅助电路。其中所述双跨导晶振主电路包括输入管、偏置输入管、放大器反馈电阻和桥接电容，能实现小面积和全MOS管及超低电压超低功耗；其中所述幅度控制辅助电路实现幅度控制；其中所述输出驱动辅助电路实现轨对轨的全摆幅输出，直接作为前端双跨导晶振模拟模块和数字模块的接口电路。本发明可解决现有技术中功耗较大和大电阻大面积等缺点，实现一种超低电压超低功耗的的全MOS自偏置晶体振荡器。

摘要： 本发明公开了一种用于DC‑DC变换器的超低电压自启动控制电路，包括第一信号输入端、第二信号输入端、自启动电路、模式控制电路、基准电路、PFM控制环路及主功率开关，其中，第一信号输入端与自启动电路的输入端及主功率开关的一端相连接，主功率开关的另一端与PFM控制环路的输入端相连接，PFM控制环路的输出端与主功率开关的控制端相连接，自启动电路与模式控制电路相连接，模式控制电路的输出端与PFM控制环路的控制端相连接，自启动电路的输出端与PFM控制环路的输入端及基准电路相连接，该控制电路能够实现稳定输出，且成本较低。

摘要： 本发明公开一种超低电压超低功耗的晶体振荡器电路架构，主要包括双跨导晶振主电路、幅度控制辅助电路和输出驱动辅助电路。其中所述双跨导晶振主电路包括输入管、偏置输入管、放大器反馈电阻和桥接电容，能实现小面积和全MOS管及超低电压超低功耗；其中所述幅度控制辅助电路实现幅度控制；其中所述输出驱动辅助电路实现轨对轨的全摆幅输出，直接作为前端双跨导晶振模拟模块和数字模块的接口电路。本发明可解决现有技术中功耗较大和大电阻大面积等缺点，实现一种超低电压超低功耗的全MOS自偏置晶体振荡器。