贱金属
贱金属的相关文献在1982年到2022年内共计274篇,主要集中在矿业工程、工业经济、冶金工业
等领域,其中期刊论文150篇、会议论文2篇、专利文献343563篇;相关期刊88种,包括中国海关、国土资源情报、采矿技术等;
相关会议2种,包括第十三届全国高技术陶瓷学术年会、第六届中国功能材料及其应用学术会议等;贱金属的相关文献由477位作者贡献,包括李龙土、王晓慧、桂治轮等。
贱金属—发文量
专利文献>
论文:343563篇
占比:99.96%
总计:343715篇
贱金属
-研究学者
- 李龙土
- 王晓慧
- 桂治轮
- 田之滨
- 金镇龙
- 孟淑媛
- 张燕
- 安艳
- 张亦弛
- 江志坚
- 王天
- 陈仁政
- 陈大林
- 魏忠汉
- 付衣梅
- 刘伟锋
- 劳拉·印加尔斯
- 孙百奇
- 弗雷德·斯特里科勒
- 张杜超
- 李明
- 李树栋
- 李根风
- 杨天足
- 江平
- 泰德·缅达姆
- 潘从明
- 约翰·沃纳
- 蒂娜卡·格纳纳姆加里
- 詹姆斯·诺曼
- 赵康
- 赵彦才
- 迈克尔·B·科赞斯基
- 陈丽英
- 陈景
- 陈焱
- 陈霖
- A·R·蒙丁
- C·C·齐布瓦纳
- C·鲍克
- D·迪甘
- G.齐
- G·A·格拉米乔尼
- G·S·D·P·帕雷拉
- K·R·布朗
- M·斯林
- O·R·D·A·戈伯
- P·M·克拉文
- P·哈维
- R·S·巴杜里
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李永东
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摘要:
电子信息产业的发展,离不开新材料的出现和性能优化,导电电子浆料作为导电电子材料的主要部分,不仅是集材料、冶金、化工、电子技术于一体的导电功能材料,更是集成电路、敏感元件、显示器,以及各种电子元器件的基础材料。在文中主要就对可应用于电子元器件的镍导电层进行了介绍,希望可以为镍导电浆料的国产化提供借鉴。
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摘要:
传统MLCC内电极一般采用Ag/Pd电极和Pd电极,成本较高。所以,内电极的贱金属化对MLCC的进一步发展有至关重要的作用。自从1996年用贱金属镍代替贵金属制成的片式多层陶瓷电容器研制成功并投入产业化生产以后,超细镍粉在多层陶瓷电容器上的应用在日本发展极其迅猛。
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李永东
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摘要:
电子信息产业的发展,离不开新材料的出现和性能优化,导电电子浆料作为导电电子材料的主要部分,不仅是集材料、冶金、化工、电子技术于一体的导电功能材料,更是集成电路、敏感元件、显示器,以及各种电子元器件的基础材料.在文中主要就对可应用于电子元器件的镍导电层进行了介绍,希望可以为镍导电浆料的国产化提供借鉴.
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朱永红
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摘要:
阳极泥富集了矿石、精矿或熔剂中大部分贵金属和某些稀散元素,因而具有很高的综合回收价值.为评估现有金银检测过程中杂质元素的残留、金银的损失和其他贵金属的存在范围,对铜阳极泥中除铜、金、银、硒等元素之外的部分贵金属和贱金属分析检测方法进行研究,确定了基本分析方法,能够满足日常检测分析需要,为提高铜阳极泥加工及其它用途提供指导.
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武腾;
张琪;
陈正;
郭键柄;
高首坤;
卢超
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摘要:
废催化剂是铂族金属的重要来源,采用火法冶炼是废催化剂中铂族金属富集的重要方法,高温下铂族金属与贱金属形成合金,通过载体造渣,达到富集铂族金属的目的.对铅、铁、铜三种贱金属富集铂族金属进行综述,介绍了三种金属富集的原理、工艺及发展,并对其优缺点进行了分析.
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刘伟锋;
刘好男;
孙百奇;
陈霖;
张杜超;
杨天足
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摘要:
为实现从富贵锑中富集提取金的目的,提出采用控电位氯化浸出方法选择性分离富贵锑中贱金属.详细考察了各因素对贱金属浸出率的影响,查明了最优条件下贵金属的溶解行为,采用富贵锑粉置换回收浸出液中的贵金属.结果表明:提高盐酸浓度、增加液固比、提高反应温度和减小双氧水的加入速度均可以提高贱金属的浸出率;但增大双氧水过量系数会导致金属氧化沉淀.在最优条件下,铜、镍、锑和铅的浸出率均大于99.0%,金和银的浸出率分别为0.16%和84.40%,浸出渣中金含量达到96.0%.浸出液冷却结晶过程会析出氯化铅,金和银的置换率均达到99.0%以上.该方法实现了富贵锑中贱金属有效分离和金高效富集的双重目的.
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王亚宏
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摘要:
10月底在伦敦开启的伦敦金属交易所金属周,是全球金属大宗商品领域的年度盛事。从矿产商到冶炼商,从承运方到交易员,人们都在讨论金属市场的现状和未来。由于全球经济前景不确定性的加强,人们普遍认为铜和铝等贱金属季节性需求淡季会提前到来。不过在贵金属市场确实是另外一番天地,在全球第二大的黄金消费国印度,随着节日季的到来,属于黄金的旺季来了!
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摘要:
2018年9月5日财税[2018]93号各省、自治区、直辖市、计划单列市财政厅(局),国家税务总局各省、自治区、直辖市、计划单列市税务局,新疆生产建设兵团财政局:为完善出口退税政策,对机电、文化等产品提高增值税出口退税率。现就有关事项通知如下:一、将多元件集成电路、非电磁干扰滤波器、书籍、报纸等产品出口退税率提高至16%。
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吉岸;
清华同方股份有限公司;
王晓慧;
陈仁政;
清华同方股份有限公司;
李龙土;
桂治轮;
张力
- 《第十三届全国高技术陶瓷学术年会》
| 2004年
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摘要:
本文研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明:Y2O3掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由Y2O3在瓷体中的缺陷化学反应所决定,在掺杂质量分数≤1.0﹪范围内,在≤0.5﹪之前,瓷体击穿场强呈下降趋势,之后则保持不变或稍有上升;MnO2掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由MnO2在瓷体中的缺陷化学反应与MnO2在瓷体晶界层的分布共同决定,总体表现为随掺杂浓度的增加瓷体击穿电压逐渐下降;Y2O3和MnO2共同掺杂时,它们之间对钛酸钡瓷体击穿场强的调制规律是相对独立的,只是在击穿场强的绝对值方面有所影响;氧分压越低的烧结机制,越容易引起瓷体击穿场强的下降.
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吉岸;
清华同方股份有限公司;
王晓慧;
陈仁政;
清华同方股份有限公司;
李龙土;
桂治轮;
张力
- 《第十三届全国高技术陶瓷学术年会》
| 2004年
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摘要:
本文研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明:Y2O3掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由Y2O3在瓷体中的缺陷化学反应所决定,在掺杂质量分数≤1.0﹪范围内,在≤0.5﹪之前,瓷体击穿场强呈下降趋势,之后则保持不变或稍有上升;MnO2掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由MnO2在瓷体中的缺陷化学反应与MnO2在瓷体晶界层的分布共同决定,总体表现为随掺杂浓度的增加瓷体击穿电压逐渐下降;Y2O3和MnO2共同掺杂时,它们之间对钛酸钡瓷体击穿场强的调制规律是相对独立的,只是在击穿场强的绝对值方面有所影响;氧分压越低的烧结机制,越容易引起瓷体击穿场强的下降.
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吉岸;
清华同方股份有限公司;
王晓慧;
陈仁政;
清华同方股份有限公司;
李龙土;
桂治轮;
张力
- 《第十三届全国高技术陶瓷学术年会》
| 2004年
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摘要:
本文研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明:Y2O3掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由Y2O3在瓷体中的缺陷化学反应所决定,在掺杂质量分数≤1.0﹪范围内,在≤0.5﹪之前,瓷体击穿场强呈下降趋势,之后则保持不变或稍有上升;MnO2掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由MnO2在瓷体中的缺陷化学反应与MnO2在瓷体晶界层的分布共同决定,总体表现为随掺杂浓度的增加瓷体击穿电压逐渐下降;Y2O3和MnO2共同掺杂时,它们之间对钛酸钡瓷体击穿场强的调制规律是相对独立的,只是在击穿场强的绝对值方面有所影响;氧分压越低的烧结机制,越容易引起瓷体击穿场强的下降.
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吉岸;
清华同方股份有限公司;
王晓慧;
陈仁政;
清华同方股份有限公司;
李龙土;
桂治轮;
张力
- 《第十三届全国高技术陶瓷学术年会》
| 2004年
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摘要:
本文研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明:Y2O3掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由Y2O3在瓷体中的缺陷化学反应所决定,在掺杂质量分数≤1.0﹪范围内,在≤0.5﹪之前,瓷体击穿场强呈下降趋势,之后则保持不变或稍有上升;MnO2掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由MnO2在瓷体中的缺陷化学反应与MnO2在瓷体晶界层的分布共同决定,总体表现为随掺杂浓度的增加瓷体击穿电压逐渐下降;Y2O3和MnO2共同掺杂时,它们之间对钛酸钡瓷体击穿场强的调制规律是相对独立的,只是在击穿场强的绝对值方面有所影响;氧分压越低的烧结机制,越容易引起瓷体击穿场强的下降.
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吉岸;
清华同方股份有限公司;
王晓慧;
陈仁政;
清华同方股份有限公司;
李龙土;
桂治轮;
张力
- 《第十三届全国高技术陶瓷学术年会》
| 2004年
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摘要:
本文研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明:Y2O3掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由Y2O3在瓷体中的缺陷化学反应所决定,在掺杂质量分数≤1.0﹪范围内,在≤0.5﹪之前,瓷体击穿场强呈下降趋势,之后则保持不变或稍有上升;MnO2掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由MnO2在瓷体中的缺陷化学反应与MnO2在瓷体晶界层的分布共同决定,总体表现为随掺杂浓度的增加瓷体击穿电压逐渐下降;Y2O3和MnO2共同掺杂时,它们之间对钛酸钡瓷体击穿场强的调制规律是相对独立的,只是在击穿场强的绝对值方面有所影响;氧分压越低的烧结机制,越容易引起瓷体击穿场强的下降.
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吉岸;
清华同方股份有限公司;
王晓慧;
陈仁政;
清华同方股份有限公司;
李龙土;
桂治轮;
张力
- 《第十三届全国高技术陶瓷学术年会》
| 2004年
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摘要:
本文研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明:Y2O3掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由Y2O3在瓷体中的缺陷化学反应所决定,在掺杂质量分数≤1.0﹪范围内,在≤0.5﹪之前,瓷体击穿场强呈下降趋势,之后则保持不变或稍有上升;MnO2掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由MnO2在瓷体中的缺陷化学反应与MnO2在瓷体晶界层的分布共同决定,总体表现为随掺杂浓度的增加瓷体击穿电压逐渐下降;Y2O3和MnO2共同掺杂时,它们之间对钛酸钡瓷体击穿场强的调制规律是相对独立的,只是在击穿场强的绝对值方面有所影响;氧分压越低的烧结机制,越容易引起瓷体击穿场强的下降.