2G

摘要： 在5G商用之后,中国移动通信进入2G、3G、4G、5G四代技术同堂的特殊时期,同时也带来沉重的运营成本。随着2G、3G退网条件逐渐成熟,工信部开始鼓励运营商引导用户迁移转网,世界上许多国家也已完成或正在完成2G用户转网。因此,文章主要根据全球多代网络运营现状和各个国家的用户转网进行调研,分别从多代网络运营现状、各国运营商的2G退网计划、退网的不同模式以及配套策略进行阐述,最后对2G退网进行总结。

摘要： 1G时代是语音时代,2G时代是文本时代,3G时代打开了移动互联网的大门,4G时代是视频时代。移动通信行业的每一个时代,都出现了只有在这个时代才能出现的标志性应用,人们都在呼唤5G时代“杀手级应用(Killer Application)”的出现。

摘要： 中国网络文化的发迹、 发展与繁荣,总是与信息通信技术"亦步亦趋".每一代数字移动通信网络,都会孵化繁衍出打刻着"G"烙印的网络文化载体、 网络文化形态、 网络文化语符、 网络文化人物和网络文化现象.每一代"G"技术与网络的潜行嬗变,既有全新的网络文化"新景新貌",又"潜伏着""纠绕着"前一代"G"的网络文化"旧情旧景",既有"新瓶装旧酒""换汤不换药"的偷梁换柱李代桃僵,也有"新瓶新酒"化茧成蝶的涅槃重生.回溯从2G到5G中国网络文化的发展变迁,厘清每一"G"时代的网络文化形态、 网络文化语符、 网络文化人物和网络文化现象等的内在联系与潜变趋势,有助于正确把握我国不同数字移动通信网络技术支撑下的当下网络文化场景走势,科学预知与畅想未来"G"网络文化发展轨迹,对营造风清气朗的网络文化和谐生态,为中国互联网文化强国提供决策参考和理论依据.

摘要： 随着4G网络在我国飞速向前发展,2G网络的停用工作正在被提上日程,为了更好地分析2G网络停用工作以及对2G网络的减频减容,本文详细的介绍了2G网络减频减容内容,以期为日后4G网络的更好发展奠定基础.

摘要： 中国网络文化的发迹、 发展与繁荣,总是与信息通信技术"亦步亦趋".每一代数字移动通信网络,都会孵化繁衍出打刻着"G"烙印的网络文化载体、 网络文化形态、 网络文化语符、 网络文化人物和网络文化现象.每一代"G"技术与网络的潜行嬗变,既有全新的网络文化"新景新貌",又"潜伏着""纠绕着"前一代"G"的网络文化"旧情旧景",既有"新瓶装旧酒""换汤不换药"的偷梁换柱李代桃僵,也有"新瓶新酒"化茧成蝶的涅槃重生.回溯从2G到5G中国网络文化的发展变迁,厘清每一"G"时代的网络文化形态、 网络文化语符、 网络文化人物和网络文化现象等的内在联系与潜变趋势,有助于正确把握我国不同数字移动通信网络技术支撑下的当下网络文化场景走势,科学预知与畅想未来"G"网络文化发展轨迹,对营造风清气朗的网络文化和谐生态,为中国互联网文化强国提供决策参考和理论依据.

摘要： 本文讨论了电信运营商在移动通信网络建设和运营中,进行有效网络规划和优化的重要性，根据2G和3G移动通信网络各自的不同特点,对2G和3G的网络规划和优化进行了详细地分析,并提出了相应的规划和优化对策。

摘要： 本文讨论了电信运营商在移动通信网络建设和运营中,进行有效网络规划和优化的重要性，根据2G和3G移动通信网络各自的不同特点,对2G和3G的网络规划和优化进行了详细地分析,并提出了相应的规划和优化对策。

摘要： 本文讨论了电信运营商在移动通信网络建设和运营中,进行有效网络规划和优化的重要性，根据2G和3G移动通信网络各自的不同特点,对2G和3G的网络规划和优化进行了详细地分析,并提出了相应的规划和优化对策。

摘要： 本文讨论了电信运营商在移动通信网络建设和运营中,进行有效网络规划和优化的重要性，根据2G和3G移动通信网络各自的不同特点,对2G和3G的网络规划和优化进行了详细地分析,并提出了相应的规划和优化对策。

摘要： 本文讨论了电信运营商在移动通信网络建设和运营中,进行有效网络规划和优化的重要性，根据2G和3G移动通信网络各自的不同特点,对2G和3G的网络规划和优化进行了详细地分析,并提出了相应的规划和优化对策。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在阳极An和阴极Ka之间的发光层E和合适的话至少一个其它层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其它层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定可视显示单元、移动的可视显示单元和照明单元的器件。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件；本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制备方法。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在阳极An和阴极Ka之间的发光层E和合适的话至少一个其它层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其它层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S－氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S－二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定可视显示单元、移动的可视显示单元和照明单元的器件。

摘要： 本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件；本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制备方法。

摘要： 本发明的苯二甲撑二氨基甲酸酯，按质量基准计以下述式(1)～(4)所示的杂质的总量低于100ppm的比例含有下述式(1)～(4)所示的杂质(上述式(1)～(4)中，R表示1价的烃基)。

摘要： 本发明涉及一种通过乙二醇醇解反应解聚消费后的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)的酶促方法。该发明还涉及一种再循环消费后的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)的方法以及通过所述方法获得的再循环的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)。

摘要： 本发明提供了一种树脂共混物，该树脂共混物包含间苯二酚二邻苯二甲腈醚树脂和双酚M二邻苯二甲腈醚树脂的共混物。提供了另一种树脂共混物，该树脂共混物包含间苯二酚二邻苯二甲腈醚树脂和双酚T二邻苯二甲腈醚树脂的共混物。树脂共混物在固化之前具有相比于单独的间苯二酚二邻苯二甲腈树脂更有利的加工和固化特性，从而使得能够更易于制造。

摘要： 根据本发明，提供一种含有羟基当量为规定值以下的含酚性羟基的树脂的二次电池负极用树脂组合物。本发明的一个方式的二次电池负极用树脂组合物含有：羟基当量为300g/eq以下的含酚性羟基的树脂；和沸点温度或热分解温度超过上述含酚性羟基的树脂的自缩合温度的磷酸酯或磷酸衍生物。

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够形成正极的非水系二次电池正极用粘结剂组合物，通过该正极可得到即使是在低温和低充电深度条件下实施了老化处理的情况下也具有优异的寿命特性的非水系二次电池。本发明的粘结剂组合物包含第1粘结材料，而且包含铁、以及钌和铑中的至少一者，铁以及钌和铑的合计含量相对于100质量份的第1粘结材料为5×10‑3质量份以下。

摘要： 本发明提供可提供使充放电容量密度和充放电循环特性进一步提高的锂离子二次电池的锂离子二次电池用碳材料、锂离子二次电池用负极合剂、锂离子二次电池用负极以及锂离子二次电池。上述锂离子二次电池的制造方法包括：混合工序，将含有酚醛树脂和二氧化硅粒子的树脂组合物混合而得到混合物；喷雾工序，将上述混合工序中得到的混合物喷雾而形成液滴；第一热处理工序，对上述喷雾工序中得到的液滴实施第一热处理而生成碳前体；以及，第二热处理工序，对上述第一热处理工序中得到的碳前体实施温度比第一热处理工序高的第二热处理而生成含有碳和由SiOx（0＜X＜2）表示的氧化硅的碳材料。